JPH0470736U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0470736U JPH0470736U JP11387590U JP11387590U JPH0470736U JP H0470736 U JPH0470736 U JP H0470736U JP 11387590 U JP11387590 U JP 11387590U JP 11387590 U JP11387590 U JP 11387590U JP H0470736 U JPH0470736 U JP H0470736U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- conductivity type
- epitaxial layer
- insulating film
- type formed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 2
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
第1図は本考案を説明するための平面図、第2
図は第1図のAA線断面図、第3図は従来例を説
明するための平面図、第4図は第3図のBB線断
面図である。
図は第1図のAA線断面図、第3図は従来例を説
明するための平面図、第4図は第3図のBB線断
面図である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 一導電型の半導体基板上に形成した逆導電
型のエピタキシヤル層と、 前記エピタキシヤル
層の表面に形成した一導電型のベース領域と、 前記ベース領域の表面に形成した逆導電型のス
トライプ状のエミツタ領域と、 前記エピタキシヤル層表面を被覆する絶縁膜と
、 前記絶縁膜にほぼ一定間隔で開孔した第1のコ
ンタクトホールを介して前記エミツタ領域の表面
にコンタクトするシリコンを含有する第1の電極
と、 前記第1の電極を被覆する第2の絶縁膜と、 前記第2の絶縁膜に前記第1のコンタクトホー
ルとは互い違いとなるように開孔した第2のコン
タクトホールを介して前記第1の電極の表面にコ
ンタクトするシリコンを含有しない第2の電極と
を具備することを特徴とする半導体集積回路。 (2) 前記第1の電極はAl−Si、前記第2の
電極は純粋なAlであることを特徴とする請求項
第1項に記載の半導体集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1990113875U JP2528031Y2 (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1990113875U JP2528031Y2 (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0470736U true JPH0470736U (ja) | 1992-06-23 |
JP2528031Y2 JP2528031Y2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=31861499
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1990113875U Expired - Lifetime JP2528031Y2 (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2528031Y2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010056159A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5248366U (ja) * | 1975-10-01 | 1977-04-06 | ||
JPS63258065A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-25 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
JPH02159040A (ja) * | 1988-12-12 | 1990-06-19 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-10-29 JP JP1990113875U patent/JP2528031Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5248366U (ja) * | 1975-10-01 | 1977-04-06 | ||
JPS63258065A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-25 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
JPH02159040A (ja) * | 1988-12-12 | 1990-06-19 | Nec Corp | 半導体装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010056159A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2528031Y2 (ja) | 1997-03-05 |
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