JPS58124953U - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPS58124953U JPS58124953U JP13952681U JP13952681U JPS58124953U JP S58124953 U JPS58124953 U JP S58124953U JP 13952681 U JP13952681 U JP 13952681U JP 13952681 U JP13952681 U JP 13952681U JP S58124953 U JPS58124953 U JP S58124953U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- conductivity type
- integrated circuit
- circuit device
- island
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図は従来例を説明する断面図、第2図は本考案を説
明する断面図である。 主な図番の説明、1は半導体基板、2はエピタキシャル
層、3は島領域、4は分離領域、5は埋め込み層、8は
コレクタコンタクト領域、12はシールド電極である。
明する断面図である。 主な図番の説明、1は半導体基板、2はエピタキシャル
層、3は島領域、4は分離領域、5は埋め込み層、8は
コレクタコンタクト領域、12はシールド電極である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 一導電型の半導体基板と該基板上に設けられコレクタ領
域となる逆導電型のエピタキシャル層と該エピタキシャ
ル層を島領域に分離する一導電型の分離領域と該島領域
底面に設けられた逆導電型の埋め込み層と前記島領域表
面に形成された一導電型のベース領域と該ベース領域表
面に形成された逆導電型のエミッタ領域と前記島領域表
面から前記埋め込み層に達する逆導電型のコレクタコン
タクト領域とを具備する半導体集積回路装置に於いて、
前記エピタキシャル層表面を被覆する第1の絶縁膜上に
前記コレクタコンタクト領域にオーミック接触し且つエ
ピタキシャル層上に延在され。 たシールド電極を設け、該シールド電極を被覆する第2
の絶縁膜の前記シールド電極上を前記ベー ゛ス領域
およびエミッタ領域にオーミック接触するベース電極お
よびエミッタ電極を延在させることを特徴とする半導体
集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13952681U JPS58124953U (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13952681U JPS58124953U (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | 半導体集積回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58124953U true JPS58124953U (ja) | 1983-08-25 |
JPS6244535Y2 JPS6244535Y2 (ja) | 1987-11-25 |
Family
ID=30101589
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13952681U Granted JPS58124953U (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58124953U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61263260A (ja) * | 1985-05-17 | 1986-11-21 | Nec Corp | 半導体装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4840671A (ja) * | 1971-10-01 | 1973-06-14 | ||
JPS5412793A (en) * | 1977-06-29 | 1979-01-30 | Mitsubishi Electric Corp | Concentration measuring method of solutions |
JPS55140246A (en) * | 1979-04-19 | 1980-11-01 | Nec Corp | Semiconductor device |
JPS5617039A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
-
1981
- 1981-09-18 JP JP13952681U patent/JPS58124953U/ja active Granted
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4840671A (ja) * | 1971-10-01 | 1973-06-14 | ||
JPS5412793A (en) * | 1977-06-29 | 1979-01-30 | Mitsubishi Electric Corp | Concentration measuring method of solutions |
JPS55140246A (en) * | 1979-04-19 | 1980-11-01 | Nec Corp | Semiconductor device |
JPS5617039A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61263260A (ja) * | 1985-05-17 | 1986-11-21 | Nec Corp | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6244535Y2 (ja) | 1987-11-25 |
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