JPH02137035U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH02137035U JPH02137035U JP4424089U JP4424089U JPH02137035U JP H02137035 U JPH02137035 U JP H02137035U JP 4424089 U JP4424089 U JP 4424089U JP 4424089 U JP4424089 U JP 4424089U JP H02137035 U JPH02137035 U JP H02137035U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- oxide film
- insulating film
- selectively formed
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
第1図a〜c及び第2図a〜cは、それぞれ本
考案の一実施例及び他の実施例の半導体装置を説
明するために、工程順に示した断面図である。第
3図a〜cは、従来の半導体装置を説明するため
に工程順に示した断面図である。 1……半導体基板、2……酸化膜、3……拡散
層、4……絶縁膜、5……フオトレジスト、6…
…配線材料、7……低濃度リンガラス層、8……
高濃度リンガラス層。
考案の一実施例及び他の実施例の半導体装置を説
明するために、工程順に示した断面図である。第
3図a〜cは、従来の半導体装置を説明するため
に工程順に示した断面図である。 1……半導体基板、2……酸化膜、3……拡散
層、4……絶縁膜、5……フオトレジスト、6…
…配線材料、7……低濃度リンガラス層、8……
高濃度リンガラス層。
Claims (1)
- 半導体基板上に、選択的に形成された酸化膜と
、前記酸化膜上に選択的に形成された絶縁膜とを
有し、前記絶縁膜の段差部が前記酸化膜上になる
様に前記酸化膜と絶縁膜に形成されたコンタクト
ホールを具備することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4424089U JPH02137035U (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4424089U JPH02137035U (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02137035U true JPH02137035U (ja) | 1990-11-15 |
Family
ID=31557360
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4424089U Pending JPH02137035U (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02137035U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11354797A (ja) * | 1999-06-02 | 1999-12-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Mis型半導体装置とその作製方法 |
-
1989
- 1989-04-14 JP JP4424089U patent/JPH02137035U/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11354797A (ja) * | 1999-06-02 | 1999-12-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Mis型半導体装置とその作製方法 |