JPH0371662U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0371662U JPH0371662U JP13270789U JP13270789U JPH0371662U JP H0371662 U JPH0371662 U JP H0371662U JP 13270789 U JP13270789 U JP 13270789U JP 13270789 U JP13270789 U JP 13270789U JP H0371662 U JPH0371662 U JP H0371662U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- light
- semiconductor
- semiconductor integrated
- conductivity type
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
Description
第１図Ａは本考案の半導体集積回路の平面図、
第１図Ｂは、第１図ＡのＸ−Ｘ′線における断面
図、第２図は従来の半導体集積回路の断面図であ
る。
第１図Ｂは、第１図ＡのＸ−Ｘ′線における断面
図、第２図は従来の半導体集積回路の断面図であ
る。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 光を電気信号に変換する受光領域とこの電
気信号を処理する半導体素子領域とを一つの半導
体層内に形成した半導体集積回路において、 前記受光領域はシヨツトキーバリアーダイオー
ドにより構成され、このシヨツトキーバリアーダ
イオードのアノード電極は櫛歯あるいは格子状の
アルミニウムよりなることを特徴とした半導体集
積回路。 (2) 前記受光領域以外は、前記カソード電極と
実質的に同一材料の遮光膜が形成されていること
を特徴とした請求項第１項記載の半導体集積回路
。 (3) 一導電型の半導体基板上に形成された逆導
電型のエピタキシヤル層と、 このエピタキシヤル層を複数のアイランドに分
割する一導電型の分離領域と、 このアイランドに形成された半導体素子と、 他のアイランドに形成されたシヨツトキーバリ
アーダイオードとを備え、 前記シヨツトキーバリアーダイオードのアノー
ド電極は、前記半導体素子に形成される電極と実
質的に同一材料の櫛歯あるいは格子状のアルミニ
ウム電極よりなることを特徴とした半導体集積回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13270789U JPH0371662U (ja) | 1989-11-15 | 1989-11-15 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13270789U JPH0371662U (ja) | 1989-11-15 | 1989-11-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0371662U true JPH0371662U (ja) | 1991-07-19 |
Family
ID=31680152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13270789U Pending JPH0371662U (ja) | 1989-11-15 | 1989-11-15 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0371662U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000017941A1 (fr) * | 1998-09-18 | 2000-03-30 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | Photodetecteur a semi-conducteur |
-
1989
- 1989-11-15 JP JP13270789U patent/JPH0371662U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000017941A1 (fr) * | 1998-09-18 | 2000-03-30 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | Photodetecteur a semi-conducteur |
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