JPS6424861U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6424861U JPS6424861U JP11902287U JP11902287U JPS6424861U JP S6424861 U JPS6424861 U JP S6424861U JP 11902287 U JP11902287 U JP 11902287U JP 11902287 U JP11902287 U JP 11902287U JP S6424861 U JPS6424861 U JP S6424861U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- insulating film
- contact hole
- shot
- opening area
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図は、本考案による一実施例を示す断面図
、第２図は本考案の他の実施例を示す断面図、第
３図は従来装置の断面図である。 １……半導体基板、２……活性層、３……コン
タクトホール、４……シヨツトキ電極、１０……
絶縁膜、１１……第１層絶縁膜、１２……第２層
絶縁膜、１３……第３層絶縁膜、１４……第４層
絶縁膜。
、第２図は本考案の他の実施例を示す断面図、第
３図は従来装置の断面図である。 １……半導体基板、２……活性層、３……コン
タクトホール、４……シヨツトキ電極、１０……
絶縁膜、１１……第１層絶縁膜、１２……第２層
絶縁膜、１３……第３層絶縁膜、１４……第４層
絶縁膜。
Claims (1)
- 半導体基板と、この半導体基板上に設けた絶縁
膜と、この絶縁膜に設けたコンタクトホールを介
して、上記半導体基板にシヨツトキ接合するシヨ
ツトキ電極とを備えた半導体装置において、上記
絶縁膜は少なくとも２層からなり、上記コンタク
トホールにおける上記絶縁膜の表面側の開孔面積
は、上記半導体基板側の開孔面積より大なること
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11902287U JPS6424861U (ja) | 1987-08-03 | 1987-08-03 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11902287U JPS6424861U (ja) | 1987-08-03 | 1987-08-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6424861U true JPS6424861U (ja) | 1989-02-10 |
Family
ID=31363888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11902287U Pending JPS6424861U (ja) | 1987-08-03 | 1987-08-03 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6424861U (ja) |
-
1987
- 1987-08-03 JP JP11902287U patent/JPS6424861U/ja active Pending