JPS60125747U - コンデンサ - Google Patents
コンデンサInfo
- Publication number
- JPS60125747U JPS60125747U JP1340784U JP1340784U JPS60125747U JP S60125747 U JPS60125747 U JP S60125747U JP 1340784 U JP1340784 U JP 1340784U JP 1340784 U JP1340784 U JP 1340784U JP S60125747 U JPS60125747 U JP S60125747U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductivity type
- capacitor
- diffusion region
- region
- biased
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は従来のコンデンサを説明する断面図、第２図は
本考案のコンデンサを説明する断面図である。 主な図番の説明、１１は半導体基板、１２はエピタキシ
ャル層、１４は島領域、１６は第１拡散領域、１７は第
２拡散領域、２２は電極層である。
本考案のコンデンサを説明する断面図である。 主な図番の説明、１１は半導体基板、１２はエピタキシ
ャル層、１４は島領域、１６は第１拡散領域、１７は第
２拡散領域、２２は電極層である。
Claims (1)
- 一導電型の半導体基板と該基板上に設けた逆導電型のエ
ピタキシャル層と該エピタキシャル層をＰＮ分離して設
けた島領域と該島領域表面に形成した一導電型の第１拡
散領域と該第１拡散領域表面に形成された逆導電型の第
２拡散領域とを備え前記第１および第２拡散領域とで形
成されるＰＮ接合を逆バイアスして成るコンデンサに於
いて、前記ＰＮ接合上の絶縁膜に低電位あるいは接地電
位にバイアスされた電極層を設けることを特徴とするコ
ンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1340784U JPS60125747U (ja) | 1984-02-01 | 1984-02-01 | コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1340784U JPS60125747U (ja) | 1984-02-01 | 1984-02-01 | コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60125747U true JPS60125747U (ja) | 1985-08-24 |
Family
ID=30497385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1340784U Pending JPS60125747U (ja) | 1984-02-01 | 1984-02-01 | コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60125747U (ja) |
-
1984
- 1984-02-01 JP JP1340784U patent/JPS60125747U/ja active Pending
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