JPS60153550U - ラテラル型トランジスタ - Google Patents
ラテラル型トランジスタInfo
- Publication number
- JPS60153550U JPS60153550U JP4253184U JP4253184U JPS60153550U JP S60153550 U JPS60153550 U JP S60153550U JP 4253184 U JP4253184 U JP 4253184U JP 4253184 U JP4253184 U JP 4253184U JP S60153550 U JPS60153550 U JP S60153550U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- electrode
- protective film
- semiconductor region
- conductivity type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図は従来のラテラル型トランジスタを示ス断面図、
第2図は差動増幅回路の一例を示す回路図である。第3
図および第4図は本考案によるラテラル型トランジスタ
を示すもので、第3図は上面図、第4図は第3図(7)
IV −rv線断面図である。 2.31・・・エピタキシャル層、4.33・・・半導
体領t 6.35・・・エミッタ領域、7,36・・・
コレクタ領域、8.37・・・ベースコンタクト領域、
9.38・・・保護膜、10,39・・・コレクタ電極
、40・・・ベース電極、41・・・絶縁層、11.4
2・・・エミッタ電極。
第2図は差動増幅回路の一例を示す回路図である。第3
図および第4図は本考案によるラテラル型トランジスタ
を示すもので、第3図は上面図、第4図は第3図(7)
IV −rv線断面図である。 2.31・・・エピタキシャル層、4.33・・・半導
体領t 6.35・・・エミッタ領域、7,36・・・
コレクタ領域、8.37・・・ベースコンタクト領域、
9.38・・・保護膜、10,39・・・コレクタ電極
、40・・・ベース電極、41・・・絶縁層、11.4
2・・・エミッタ電極。
Claims (1)
- 一導電型の半導体基板と、この基板上に設けた逆導電型
のエピタキシャル層と、このエピタキシャル層を分離領
域で島状に分離して形成され且つベース領域として働(
半導体領域と、この半導体領域の表層部に隣接して形成
された一導電型のエミッタ領域およびコレクタ領域と、
前記半導体領域表面を被覆する保護膜とを具備するラテ
ラル型トランジスタにおいて、コレクタ電極およびベー
ス電極を前記保護膜上に配設し、且つ、前記保護膜上に
設けた絶縁層にて前記コレクタ電極およびベース電極を
被覆すると共に、前記半導体領域上の絶縁層上にエミッ
タ電極を配設することにより、表面再結合電流を抑制し
たことを特徴とするラテラル型トランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4253184U JPS60153550U (ja) | 1984-03-24 | 1984-03-24 | ラテラル型トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4253184U JPS60153550U (ja) | 1984-03-24 | 1984-03-24 | ラテラル型トランジスタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60153550U true JPS60153550U (ja) | 1985-10-12 |
Family
ID=30553371
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4253184U Pending JPS60153550U (ja) | 1984-03-24 | 1984-03-24 | ラテラル型トランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60153550U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH027440A (ja) * | 1988-06-24 | 1990-01-11 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56162864A (en) * | 1980-05-19 | 1981-12-15 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
JPS5821373A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPS59178770A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-11 | Hitachi Ltd | 高耐圧半導体装置 |
-
1984
- 1984-03-24 JP JP4253184U patent/JPS60153550U/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56162864A (en) * | 1980-05-19 | 1981-12-15 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
JPS5821373A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPS59178770A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-11 | Hitachi Ltd | 高耐圧半導体装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH027440A (ja) * | 1988-06-24 | 1990-01-11 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
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