JPS6390867U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6390867U JPS6390867U JP18742186U JP18742186U JPS6390867U JP S6390867 U JPS6390867 U JP S6390867U JP 18742186 U JP18742186 U JP 18742186U JP 18742186 U JP18742186 U JP 18742186U JP S6390867 U JPS6390867 U JP S6390867U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- substrate
- conductivity type
- insulating film
- impurity diffusion
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 2
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
第１図は本考案に係る半導体装置が形成された
半導体ウエーハの断面図、第２図は第１図の要部
拡大断面図である。第３図は従来の半導体装置が
形成された半導体ウエーハの断面図、第４図は第
３図の要部拡大断面図である。 ３…基板（一導電型基板）、３ｂ…Ｐ型半導体
層（不純物拡散領域）、４…絶縁膜、１１…可動
イオンの移動を阻止する膜（Ｓｉ３Ｎ４膜）、１
２…ダイオード（半導体装置）。
半導体ウエーハの断面図、第２図は第１図の要部
拡大断面図である。第３図は従来の半導体装置が
形成された半導体ウエーハの断面図、第４図は第
３図の要部拡大断面図である。 ３…基板（一導電型基板）、３ｂ…Ｐ型半導体
層（不純物拡散領域）、４…絶縁膜、１１…可動
イオンの移動を阻止する膜（Ｓｉ３Ｎ４膜）、１
２…ダイオード（半導体装置）。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 一導電型基板に他導電型の不純物拡散領域を選
択的に形成すると共に、上記基板表面の所定領域
に絶縁膜を形成した半導体装置において、 上記絶縁膜の端面と不純物拡散領域の接合部表
面との間に、絶縁膜中の可動イオンの移動を阻止
する膜を形成したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18742186U JPS6390867U (ja) | 1986-12-04 | 1986-12-04 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18742186U JPS6390867U (ja) | 1986-12-04 | 1986-12-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6390867U true JPS6390867U (ja) | 1988-06-13 |
Family
ID=31137883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18742186U Pending JPS6390867U (ja) | 1986-12-04 | 1986-12-04 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6390867U (ja) |
-
1986
- 1986-12-04 JP JP18742186U patent/JPS6390867U/ja active Pending