JPH04246200A - 基板の電解メッキ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はセラミック基板にパネル
メッキを電解メッキ法によって形成する方法に関する。

【０００２】セラミック基板の表面の配線パターンは、
研磨したセラミック基板の表面にスパッタリングにより
金属膜を形成し、この後、レジストパターンを形成し、
次いで電解メッキ法によってＣｕ，Ｎｉ，Ａｕのパネル
メッキを形成し、レジストパターンを剥離し、パネルエ
ッチングを行って形成している。

【０００３】配線パターンが厚くなりすぎると、熱が吸
収されてはんだののりが悪くなり、逆に薄くなりすぎる
と、電気抵抗値が大となったり、断線し易くなる。

【０００４】従って、セラミック基板の品質の向上を図
るためには、配線パターンは、セラミック基板の全面に
亘って均一な電気的特性を有していることか必要である
。

【０００５】このためには、パネルメッキがセラミック
基板の全面に亘って厚さを均一とされて形成されること
が必要とされる。

【０００６】

【従来の技術】図１２は、基板の電解メッキ方法の基本
構成を示す。

【０００７】１はスパッタリング済のセラミック基板，
２はアノード，３は電源である。メッキ槽内において、
電流は符号４で示すように流れ、セラミック基板１のス
パッタリング膜上にパネルメッキ膜５が形成される。

【０００８】メッキ膜５の厚さは、電流密度に比例する
。電流４は、基板１の中央より周辺部分に集中し易く、
基板１の周辺部分の電流密度が中央部分より高くなる。 このため、メッキ膜５は、基板１の周囲部分の厚さｔ１
　が中央部分の厚さｔ２　より厚くなってしまう。

【０００９】図１２の構成は、図５中■に対応し、図６
に示すように、中央部分の厚さｔ２　に１．７４μｍで
あるのに対し、周辺部分の厚さｔ１は３．５８μｍとな
り、周辺部分が中央部分に対して厚い割合は１００％と
もなってしまう。

【００１０】そこで、上記の問題を解決するため、従来
は、特公昭５８−５８８３５号に示すように、基板を、
周辺に、連結用リブを介して、ダミースペースとしての
外形枠を設けた構成とし、電解メッキを行った後に、連
結用リブを折って外形枠を除去する方法を取っていた。

【００１１】この方法によれば、メッキ膜が厚くなった
部分は除去され、基板におけるメッキ膜の厚さは均一化
される。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の方法に
よれば、各基板について外形枠の部分が無駄となってし
まい、その分、製造コストが高くなってしまう。

【００１３】本発明は、製造コストを上昇させることな
くメッキ厚さの均一化を可能とした基板の電解メッキ方
法を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、内側
縁が電解メッキされる基板と実質上同じ大きさを有する
枠形状の補助電極を、上記基板のうちアノードに対向す
る面の近傍に、且つ上記アノード側からみて上記基板を
囲むように配設すると共に、該補助電極に、負電圧を印
加する構成としたものである。

【００１５】請求項２の発明は、電解メッキされる基板
を保持する保持枠のうち、アノードに対向する面に、導
電性のテープを、上記基板を囲撓して且つ剥離可能に貼
着すると共に、該導電性テープに負電圧を印加する構成
としたものである。

【００１６】請求項３の発明は、内側縁が電解メッキさ
れる基板と実質上同じ大きさを有する枠形状の補助電極
を、上記基板のうちアノードに対向する面の近傍に、且
つ上記アノード側からみて上記基板を囲むように配設す
ると共に、該補助電極に、負電圧を印加する構成とし、
且つ上記基板を保持する保持枠のうち、アノードに対向
する面に、導電性のテープを、上記基板を囲撓して且つ
剥離可能に貼着すると共に、該導電性テープに負電圧を
印加する構成としたものである。

【００１７】

【作用】請求項１の発明において、補助電極はメッキ液
中を基板の周辺部に向かって流れる電流を吸収する。

【００１８】請求項２の発明において、導電性テープは
前記従来例におけるダミーパターンとしての役割を果た
す。

【００１９】導電性テープは、常に新しいものと交換可
能である。請求項３の発明において、補助電極は、基板
の周辺部に流れる電流を吸収する。導電性テープは交換
可能なダミーパターンとして機能する。

【００２０】

【実施例】図１は本発明の第１実施例を示す。

【００２１】図中、１０はセラミック基板，１１は保持
枠，１２はアノード，１３は補助電極，１４は電圧Ｖ１
　の主電源，１５は電圧Ｖ２　の補助電源である。

【００２２】セラミック基板１０は、ダミーパターンの
外枠部分は有さず、完成品であるセラミックプリント配
線板と同じ大きさである。

【００２３】保持枠１１は、図２に示すように、一対の
枠１６，１７とよりなる。枠１６と１７とは、基板１０
を挟んだ状態でねじ１８により固定され、基板１０は、
周囲を挟み込まれて保持枠１１に固定される。

【００２４】枠１６，１７はフック部１６ａ等を除いて
樹脂により被覆されて絶縁されている。

【００２５】補助電極１３は、矩形枠形状を有し、且つ
内側縁１３ａが基板１０と実質上同じ大きさを有する。

【００２６】この補助電極１３は、基板１０のうちアノ
ード１２に対向する面１０ａの近傍に、且つ、図３に示
すように、アノード１２側からみて基板１０を囲撓する
ように配設してある。

【００２７】図１中、基板１０と補助電極１３との間の
距離Ｌ１　と、補助電極１３とアノード１２との間の距
離Ｌ２　との比、Ｌ１　：Ｌ２　は、例えば１：３であ
る。

【００２８】また補助電極１３に接続される補助電源１
５の電圧Ｖ２　は、補助電極１３の電流密度Ａ１　（Ａ
／ｃｍ２　）が基板１０の電流密度Ａ２　（Ａ／ｃｍ２
　）の約３倍となるように定めてある。

【００２９】電解メッキ時、図４に示すように、メッキ
液中を電流１９が流れ、基板１０の面１０ａの上にメッ
キ膜２０が形成される。

【００３０】電流１９のうち、補助電極１３が無いなら
ば、基板１０の周辺部に流れ込む電流１９ａは、図４に
示すように、補助電極１５に吸収される。基板１０には
、補助電極１３の内側を通り抜けた電流１９ｂだけが流
れ込む。このため、基板１０の面１０ａ内における電流
密度の分布をみてみると、中央部分は従来と略同じで、
周辺部分が従来に比べて低く抑えられる。

【００３１】これにより、メッキ膜２０は図５及び図６
の■に併せて示すように、中央部分の厚さｔ２　が１．
８８μｍとなって従来より若干増え、周辺部分の厚さｔ
１　が２．８５となって、従来より大幅に減っている。

【００３２】これにより、周辺部分が中央部分に比べて
厚い割合は５１％程度に抑えられる。

【００３３】図７は本発明の第２実施例を示す。図１中
、補助電極１３を除去し、保持枠１１のうちアノード１
２に対向する面１１ａに導電性テープ３０を基板１０を
囲むように貼着し、この導電性テープ３０に主電源１４
の負電圧Ｖ１を基板１０と同様に印加した構成である。

【００３４】導電性テープ３０は、図８に示すように、
枠１６に剥離可能に貼着される。メッキ液中を電流３１
が図９に示すように流れ、基板１０及び導電性テープ３
０上に、メッキ膜３２が形成される。

【００３５】電流３１は、基板１０の外側に位置する導
電性テープ３０が基板の周辺部であるかのように流れ、
導電性テープ３０上のメッキ膜３２が最も厚くなる。電
解メッキの上では、基板１０の周辺部分は、みかけ上基
板の周辺部分より中央寄りの部分となる。

【００３６】このため、基板１０上のメッキ膜３２は、
図５及び図６の■に併せて示すように、中央部分厚さｔ
２　が１．８２μｍであり、従来と殆ど変わらず、周辺
部分の厚さｔ１　は３．０４μｍであり、従来より相当
減っている。

【００３７】周辺部分が中央部分に比べて厚い割合は、
６７％程度に抑えられている。メッキが付いた導電性テ
ープをそのまま使用するとメッキが付着する面積が徐々
に変化してしまい、メッキ条件が変化することになるた
め、一回のメッキの終了毎に剥離して新しいものを貼り
換える。

【００３８】図１０は、本発明の第３実施例を示す。本
実施例では、前記の第１実施例と第２実施例とを組み合
わせたものであり、図１０中、図１及び図７に示す構成
部分と対応する部分には同一符号を付す。

【００３９】図１１は、メッキ液中の電流の流れの状態
を示す。アノード１２より出る電流４０のうち、基板１
０の周辺部に向かう電流４０ａは、補助電極１３に吸収
される。

【００４０】補助電極１３の内側を通過した電流４０ｂ
は、導電性テープ３０が基板の周辺部であるかのように
、拡がって導電性テープ３０に多く、基板１０に少なく
流れ込む。

【００４１】これにより、基板１０上のメッキ膜４１は
、図５及び図６の■に併せて示すように、中央部分の厚
さｔ２　が１．９６μｍ、周辺部分の厚さｔ１　が２．
４６μｍとなった。周辺部分が中央部分に比べて厚い割
合は、２５％程度にまで抑えられている。

【００４２】

【発明の効果】以上説明した様に、請求項１の発明によ
れば、基板の一部を廃棄して無駄とすることなく、基板
のメッキ厚の均一化を図ることが出来る。

【００４３】請求項２の発明によれば、基板の一部を廃
棄するという無駄を生ぜずに、且つ補助電極を使用する
場合に比べて簡易に、基板のメッキ厚の均一化を図るこ
とが出来る。

【００４４】請求項３の発明によれば、基板の一部を廃
棄するという無駄を生ぜずに、基板のメッキ厚の均一化
を効果的に図ることが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の基板の電解メッキ方法の第１実施例を
示す図である。

【図２】図１中の保持枠の構成を示す図である。

【図３】図１中、アノード側からみた補助電極と基板と
の位置関係を示す図である。

【図４】図１中のメッキ液中の電流の流れを示す図であ
る。

【図５】補助電極と導電性テープとの組合せを示す図で
ある。

【図６】図５の組合せに対応するメッキ厚さを示す図で
ある。

【図７】本発明の基板の電解メッキ方法の第２実施例を
示す図である。

【図８】図７中の保持枠の構成を示す図である。

【図９】図７中のメッキ液中の電流の流れを示す図であ
る。

【図１０】本発明の基板の電解メッキ方法の第３実施例
を示す図である。

【図１１】図１０中のメッキ液中の電流の流れを示す図
である。

【図１２】電解メッキ時のメッキ液中の電流の一般的な
流れを示す図である。

【符号の説明】

１０　　セラミック基板 １１　　保持枠 １２　　アノード １３　　補助電極 １４　　主電源 １５　　補助電源 １９，３１，４０　　メッキ液中を流れる電流２０，３
２，４１　　メッキ膜 ３０　　導電性テープ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　内側縁（１３ａ）が電解メッキされる
   基板（１０）と実質上同じ大きさを有する枠形状の補助
   電極（１３）を、上記基板（１０）のうちアノード（１
   ２）に対向する面（１０ａ）の近傍に、且つ上記アノー
   ド側からみて上記基板を囲むように配設すると共に、該
   補助電極（１３）に、負電圧（Ｖ２　）を印加する構成
   としたことを特徴とする基板の電解メッキ方法。
2. 【請求項２】　　電解メッキされる基板（１０）を保持
   する保持枠（１１）のうち、アノード（１２）に対向す
   る面に、導電性のテープ（３０）を、上記基板（１０）
   を可撓して且つ剥離可能に貼着すると共に、該導電性テ
   ープ（３０）に、負電圧（Ｖ１　）を印加する構成とし
   たことを特徴とする基板の電解メッキ方法。
3. 【請求項３】　　内側縁（１３ａ）　　が電解メッキさ
   れる基板（１０）と実質上同じ大きさを有する枠形状の
   補助電極（１３）を、上記基板（１０）のうちアノード
   （１２）に対向する面（１０ａ）の近傍に、且つ上記ア
   ノード側（１２）からみて上記基板（１０）を囲むよう
   に配設すると共に、該補助電極（１３）に、負電圧（Ｖ
   ２　）を印加する構成とし、且つ上記基板（１０）を保
   持する保持枠（１１）のうち、アノード（１２）に対向
   する面に、導電性のテープ（３０）を、上記基板（１０
   ）を囲撓して且つ剥離可能に貼着すると共に、該導電性
   テープ（３０）に負電圧（Ｖ１　）を印加する構成とし
   たことを特徴とする基板の電解メッキ方法。