JP2617637B2 - 部分めっき装置および半導体装置用リードフレーム - Google Patents

部分めっき装置および半導体装置用リードフレーム

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JP2617637B2
JP2617637B2 JP24069691A JP24069691A JP2617637B2 JP 2617637 B2 JP2617637 B2 JP 2617637B2 JP 24069691 A JP24069691 A JP 24069691A JP 24069691 A JP24069691 A JP 24069691A JP 2617637 B2 JP2617637 B2 JP 2617637B2
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健 深町
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九州日本電気株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は部分めっき装置および半
導体装置用リードフレームに関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体装置用リードフレームの電
気めっき装置は、図3に示すように、リードフレーム4
をめっきマスク2,9および押えゴム1,3ではさみリ
ードフレームの外部リード10のみを部分めっきする装
置であり、リードフレームに陰極5を接触させ、陽極6
との間に直流電流を流すことによりめっきを行なう構造
である。このような部分めっき装置はめっき液をノズル
8から吹き出しめっき液を循環させる方式であるが、電
解槽13内はめっき液がほぼ均一に循環し、めっきは均
一な厚みに施される。
【0003】従って、従来リードフレーム状態で、半導
体装置を実装基板に実装するための金属めっきを外部リ
ードに施したリードフレームでは(以下PPFと略す)
めっき厚はほぼ均一であった。このため実装時の半田特
性を向上させる目的で外部リードのめっき厚を厚くする
と、半導体装置製造時の樹脂封止工程で、封止金型でク
ランプされるタイパー部のめっき厚も同一の厚みとなっ
ている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この従来のめっき装置
では、前述のようにタイバー部のめっき厚も外部リード
部と同じ厚さになるため、半導体装置製造時の樹脂封止
工程の封止金型でクランプされるタイバー部のめっきが
押しつぶされ、タイバー切断・外部リード曲げ工程でめ
っきがハガれ外部リードの電気的短絡をもたらす不良が
発生しやすくなる。また、ハガれためっきが半導体装置
の製造装置内に散乱し装置故障の原因となり製造装置の
メインテナンスに通常より多くの工数がかかり、稼働率
が低下する。
【0005】一方タイバー部のめっき厚を最適厚さにす
ると、外部リードの半田付け性が低下するという欠点が
あった。
【0006】本発明の第1の目的は、リードフレームに
部分的にめっき厚を変えることができ、かつめっき厚分
布を連続に変化させることができる部分めっき装置を提
供することにある。
【0007】また、本発明の第2の目的は、外部リード
端子部の先端のめっき厚を厚く、タイバー部のめっき厚
を薄くし、その間のめっき厚は連続的に変化する半導体
装置用リードフレームを提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の第1の発明の部
分めっき装置は、外部リード以外をマスクし部分めっき
電解槽を構成し、その電解槽中にリードフレームとめっ
き電極との間に部分的な電流しゃへい板を設け、外部リ
ードの一部分のめっき厚を全体より低下させることを特
徴として構成される。
【0009】また、本発明の第2の発明の半導体装置用
リードフレームは、外部リード端子部の先端のめっき厚
を4μm以上とし、外部リードのつけねのタイバー部の
めっき厚を3μm以下とし、かつその間のめっき厚は連
続的に変化するめっき被膜が形成されていることを特徴
として構成される。
【0010】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明の一実施例のめっき装置の断面図とそ
の平面図である。上部マスク2と下部マスク9および上
部押えゴム1と下部押えゴム3ではさまれたリードフレ
ーム4を陰極5に接続し、陽極6との間に直流電流を流
し、めっき液ノズル8よりめっき液を電解槽13内に噴
出してめっきを行なう点は従来通りであるが、本実施例
では上部マスク2,下部マスク9に電流しゃへい板7を
設けており、ノズルより噴出しためっき液の流れを妨げ
ている。
【0011】図2は本発明の他の実施例の部分めっき装
置の断面図とその平面図である。第2の実施例では電流
しゃへい板7が傾斜しておりよりせまい部分のめっき厚
を低下させることが可能である。
【0012】本発明の第1の実施例のめっき装置で半田
めっきされたリードフレームのめっき厚分布図は図4の
ようになり、部分的にめっき厚を低下させることがで
き、外部リード先端11の約1/5にできている。
【0013】なお半田付性をよく、安定化させるために
は外部リード先端のめっき厚を4μm以上とすることが
望ましく、一方外部リードつけねのタイバー部のめっき
厚は3μm以下とすることにより樹脂封止時のめっきの
はがれ等による問題点を解決できる。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体装
置用リードフレームの電気めっき装置において電解槽内
に部分的な電流しゃへい板を設けることによりリードフ
レームのめっき厚分布を連続的に変化させることができ
るという効果を有する。
【0015】本発明のリードフレームは同一リードフレ
ーム内で部分的にめっき厚を低くできかつ、めっき厚は
連続的に変化している。これは、半田付性を良くするた
めめっき厚を厚くしながら半導体装置の製造工程では樹
脂封止工程で封止金型に押しつぶされない程度のめっき
厚にできる。つぶされた半田めっきがタイバー切断・外
部リード曲げ工程でハガれることはなくなり外部リード
短絡による歩留低下や、半導体装置の製造装置内で半田
クズが散乱するためメインテナンス工数がかかり装置の
稼働率を低下させることもなくなる。
【0016】また、従来のめっき装置で複数回マスクを
変えてめっきしたリードフレームに比べ、リードフレー
ムの製造納期は短くなり、めっきマスクも一種類でよい
ため治具代も安くなり、めっきも1回だけでできるため
リードフレームのコストも安価にできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の部分めっき装置の断面図と
平面図である。
【図2】本発明の他の実施例の部分めっき装置の断面図
と平面図である。
【図3】従来の部分めっき装置の一例の断面図と平面図
である。
【図4】本発明の一実施例のめっき装置により製造した
半導体装置用リードフレームのめっき厚指数と測定個所
の関係を示すグラフである。
【符号の説明】
1 上部押えゴム 2 上部マスク 3 下部押えゴム 4 リードフレーム 5 陰極 6 陽極 7 電流しゃへい板 8 めっき液ノズル 9 下部マスク 10 外部リード 11 外部リード端子部 12 外部リードタイバー部 13 電解槽

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体装置用リードフレームの部分めっ
    き装置において、外部リード以外をマスクし部分めっき
    電解槽を構成し、その電解槽中に前記リードフレームと
    めっき電極との間に部分的な電流しゃへい板を設け、外
    部リードの一部分のめっき厚を全体より低下させること
    を特徴とする部分めっき装置。
  2. 【請求項2】 外部リード端子部の先端のめっき厚を4
    μm以上とし、外部リードつけねのタイバー部のめっき
    厚を3μm以下とし、かつその間のめっき被膜はめっき
    厚が連続的に変化して形成されていることを特徴とする
    半導体装置用リードフレーム。
JP24069691A 1991-09-20 1991-09-20 部分めっき装置および半導体装置用リードフレーム Expired - Lifetime JP2617637B2 (ja)

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