JPS60141158U - シヨツトキ−障壁型電界効果トランジスタ - Google Patents

シヨツトキ−障壁型電界効果トランジスタ

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Publication number
JPS60141158U
JPS60141158U JP2770584U JP2770584U JPS60141158U JP S60141158 U JPS60141158 U JP S60141158U JP 2770584 U JP2770584 U JP 2770584U JP 2770584 U JP2770584 U JP 2770584U JP S60141158 U JPS60141158 U JP S60141158U
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JP
Japan
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effect transistor
shortkey
barrier field
active layer
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Pending
Application number
JP2770584U
Other languages
English (en)
Inventor
細見 幸弘
高見 一昭
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Publication date
Application filed by 三洋電機株式会社 filed Critical 三洋電機株式会社
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Publication of JPS60141158U publication Critical patent/JPS60141158U/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案ショットキー障壁型電界効果トランジス
タの要部断面図、第2図は従来のショットキー障壁型電
界効果トランジスタの要部断面図である。 7・・・GaAs基板、8・・・n型活性層、9・・・
V溝、10・・・ショットキー電極、11・・・ソース
電極、12・・・ドレイン電極、13・・・保護膜。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半絶縁性半導体基板と、この基板表面に設けられた活性
    層とこの活性層表面にV型にエツチング形成された■溝
    と、この■溝を被うショットキー電極と、このショット
    キー電極を挾むように上記活性層上面に設けられたソー
    ス電極及びドレイン電極と、から成るショットキー障壁
    型電界効果トランジスタ。
JP2770584U 1984-02-27 1984-02-27 シヨツトキ−障壁型電界効果トランジスタ Pending JPS60141158U (ja)

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JP2770584U JPS60141158U (ja) 1984-02-27 1984-02-27 シヨツトキ−障壁型電界効果トランジスタ

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JP2770584U JPS60141158U (ja) 1984-02-27 1984-02-27 シヨツトキ−障壁型電界効果トランジスタ

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JPS60141158U true JPS60141158U (ja) 1985-09-18

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ID=30524904

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JP2770584U Pending JPS60141158U (ja) 1984-02-27 1984-02-27 シヨツトキ−障壁型電界効果トランジスタ

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