JPH028055U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH028055U JPH028055U JP8299388U JP8299388U JPH028055U JP H028055 U JPH028055 U JP H028055U JP 8299388 U JP8299388 U JP 8299388U JP 8299388 U JP8299388 U JP 8299388U JP H028055 U JPH028055 U JP H028055U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- electrode
- film transistor
- sensor
- capacitor
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
第１図および第２図は本考案の一実施例を示す
薄膜光センサの断面図およびその等価回路図、第
３図は本考案に薄膜光センサを用いたイメージセ
ンサの回路図、第４図は本考案の他の実施例を示
す薄膜光センサの断面図、第５図および第６図は
それぞれ従来の薄膜光センサの断面図、第７図は
従来の薄膜光センサの等価回路図である。 １１……基板、Ｔ１……センサ用薄膜トランジ
スタ、Ｇ１……ゲート電極、Ｓ１……ソース電極
、Ｄ１……ドレイン電極、Ｔ２……センサ用薄膜
トランジスタ、Ｇ２……ゲート電極、Ｓ２……ソ
ース電極、Ｄ２……ドレイン電極、１２……ゲー
ト絶縁膜、１３……半導体層、１４……コンタク
ト層、１５……接続電極、Ｃａ……キヤパシタ用
電極、Ｃ……キヤパシタ、１６……透明絶縁膜。
薄膜光センサの断面図およびその等価回路図、第
３図は本考案に薄膜光センサを用いたイメージセ
ンサの回路図、第４図は本考案の他の実施例を示
す薄膜光センサの断面図、第５図および第６図は
それぞれ従来の薄膜光センサの断面図、第７図は
従来の薄膜光センサの等価回路図である。 １１……基板、Ｔ１……センサ用薄膜トランジ
スタ、Ｇ１……ゲート電極、Ｓ１……ソース電極
、Ｄ１……ドレイン電極、Ｔ２……センサ用薄膜
トランジスタ、Ｇ２……ゲート電極、Ｓ２……ソ
ース電極、Ｄ２……ドレイン電極、１２……ゲー
ト絶縁膜、１３……半導体層、１４……コンタク
ト層、１５……接続電極、Ｃａ……キヤパシタ用
電極、Ｃ……キヤパシタ、１６……透明絶縁膜。
Claims (1)
- 基板面にセンサ用薄膜トランジスタとスイツチ
ング用薄膜トランジスタとを形成するとともに、
前記センサ用薄膜トランジスタのドレイン電極と
前記スイツチング用薄膜トランジスタのソース電
極とをこの両電極と一体の接続電極を介して接続
し、かつ前記センサ用薄膜トランジスタのドレイ
ンにキヤパシタを接続した薄膜光センサにおいて
、前記接続電極と対向させてキヤパシタ用電極を
配置し、このキヤパシタ用電極を前記センサ用薄
膜トランジスタのゲート電極と一体の電極とする
とともに、前記センサ用薄膜トランジスタのゲー
ト電極とソース電極とを接合したことを特徴とす
る薄膜光センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8299388U JPH028055U (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8299388U JPH028055U (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH028055U true JPH028055U (ja) | 1990-01-18 |
Family
ID=31307727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8299388U Pending JPH028055U (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH028055U (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02246272A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-02 | Hitachi Ltd | 二次元ホトセンサアレイ |
| JPH05110049A (ja) * | 1991-10-21 | 1993-04-30 | Nec Corp | 赤外線固体撮像素子及びその製造方法 |
| US7211880B2 (en) | 2002-08-30 | 2007-05-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and manufacturing method of same |
| JP2008153427A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Hitachi Displays Ltd | 高感度光センサ素子及びそれを用いた光センサ装置 |
| US7462863B2 (en) | 2002-07-11 | 2008-12-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film phototransistor, active matrix substrate using the phototransistor, and image scanning device using the substrate |
-
1988
- 1988-06-24 JP JP8299388U patent/JPH028055U/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02246272A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-02 | Hitachi Ltd | 二次元ホトセンサアレイ |
| JPH05110049A (ja) * | 1991-10-21 | 1993-04-30 | Nec Corp | 赤外線固体撮像素子及びその製造方法 |
| US7462863B2 (en) | 2002-07-11 | 2008-12-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film phototransistor, active matrix substrate using the phototransistor, and image scanning device using the substrate |
| US7211880B2 (en) | 2002-08-30 | 2007-05-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and manufacturing method of same |
| JP2008153427A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Hitachi Displays Ltd | 高感度光センサ素子及びそれを用いた光センサ装置 |