JPS60125748U - ラテラル型トランジスタ - Google Patents

ラテラル型トランジスタ

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Publication number
JPS60125748U
JPS60125748U JP1340884U JP1340884U JPS60125748U JP S60125748 U JPS60125748 U JP S60125748U JP 1340884 U JP1340884 U JP 1340884U JP 1340884 U JP1340884 U JP 1340884U JP S60125748 U JPS60125748 U JP S60125748U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
insulating film
gate electrode
lateral transistor
conductivity type
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1340884U
Other languages
English (en)
Inventor
正明 池田
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Filing date
Publication date
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Priority to JP1340884U priority Critical patent/JPS60125748U/ja
Publication of JPS60125748U publication Critical patent/JPS60125748U/ja
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  • Bipolar Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のラテラル型トランジスタを説明する断面
図、第２図および第３図は本考案のラテラル型トランジ
スタを説明する断面図および上面図である。 主な図番の説明、１１は半導体基板、１２はエピタキシ
ャル層、１４は半導体領域、１６はコレクタ領域、１７
はエミッタ領域、２２は第１の絶縁膜、２３は第２の絶
縁膜、２４はゲート電極である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型のベース領域となる半導体領域と該半導体領域
    表面に接近して設けられた逆導電型のコレクタ領域およ
    びエミッタ領域と前記半導体領域を被覆する第１の絶縁
    膜と該第１の絶縁膜上に設けられた電極とを具備し、前
    記第１の絶縁膜上を被覆する第２の絶縁膜を設は該第２
    の絶縁膜上に少くとも前記コレクタ領域とエミッタ領域
    間のベース領域を被覆する様にゲート電極を設は該ゲー
    ト電極を前記ベース領域より高電位にバイアスすること
    を特徴とするラテラル型トランジスタ。
JP1340884U 1984-02-01 1984-02-01 ラテラル型トランジスタ Pending JPS60125748U (ja)

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JP1340884U JPS60125748U (ja) 1984-02-01 1984-02-01 ラテラル型トランジスタ

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JP1340884U JPS60125748U (ja) 1984-02-01 1984-02-01 ラテラル型トランジスタ

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Publication Number Publication Date
JPS60125748U true JPS60125748U (ja) 1985-08-24

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ID=30497387

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1340884U Pending JPS60125748U (ja) 1984-02-01 1984-02-01 ラテラル型トランジスタ

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JP (1) JPS60125748U (ja)

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