JPH0338051A - 半導体ウェーハのハンドリング方法及び装置 - Google Patents
半導体ウェーハのハンドリング方法及び装置Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、集積回路構造の製造に使用される半導体ウェ
ーハのハンドリング方法及び装置に関する。より詳しく
は、本発明は、ウェーハのハンドリングを行うことなく
して（従って、ウェーハからの離脱微細片を生じさせる
ことなくして〉、ウェーハを１つの加工ステージョンか
ら他の加工ステージョンへと移送でき、かつ、シャドー
インクの効果を緩和すると同時にウェーハの上下両面を
均等に加工できる半導体ウェーハのハンドリング方法及
び装置を提供することにある。
ーハのハンドリング方法及び装置に関する。より詳しく
は、本発明は、ウェーハのハンドリングを行うことなく
して（従って、ウェーハからの離脱微細片を生じさせる
ことなくして〉、ウェーハを１つの加工ステージョンか
ら他の加工ステージョンへと移送でき、かつ、シャドー
インクの効果を緩和すると同時にウェーハの上下両面を
均等に加工できる半導体ウェーハのハンドリング方法及
び装置を提供することにある。
ウェーハ内（及びウェーハ上〉に集積回路構造を形成す
べくシリコンウェーハのような半導体ウェーハを加工す
るには、多数の処理工程が必要になり、これらの工程に
おいて、ウェーハは種々の装置に移送したり、これらの
装置内の種々のチャンバ内に移送する必要がある。この
ため、従来では、手作業により又はロボット手段をウェ
ーハと直接物理的に係合させて、これらの装置間又は加
工ステーシッン間にウェーハを移動させていた。
べくシリコンウェーハのような半導体ウェーハを加工す
るには、多数の処理工程が必要になり、これらの工程に
おいて、ウェーハは種々の装置に移送したり、これらの
装置内の種々のチャンバ内に移送する必要がある。この
ため、従来では、手作業により又はロボット手段をウェ
ーハと直接物理的に係合させて、これらの装置間又は加
工ステーシッン間にウェーハを移動させていた。
ウェーハのハンドリングの間、このような各物理的ハン
ドリング工程により、ウェーハ表面からは微細片が離脱
したり、チップ又はダイの幾つかに欠陥をもたらす原因
となる他のダメージがウェーハ表面に加えられ、このた
め、ウェーハ当りのチップの歩留りが低下する。
ドリング工程により、ウェーハ表面からは微細片が離脱
したり、チップ又はダイの幾つかに欠陥をもたらす原因
となる他のダメージがウェーハ表面に加えられ、このた
め、ウェーハ当りのチップの歩留りが低下する。
通常、集積回路構造は、半導体ウェーハの一方の表面上
（又は表面内〉に形成される。このため、これまでに開
発されているものは、ウェーハの一方の表面（一般には
上方の表面）のみを加工する工程についてのハンドリン
グ手順及び移送手順である。
（又は表面内〉に形成される。このため、これまでに開
発されているものは、ウェーハの一方の表面（一般には
上方の表面）のみを加工する工程についてのハンドリン
グ手順及び移送手順である。
しかしながら、集積回路構造の形成するとき、半導体ウ
ェーハの両表面を加工すること、より詳しくは、前面及
び後面のいずれの表面にも接触することなくして、ウェ
ーハの後面から酸化被膜を除去することの興味が増大し
ている。付着したこれらの酸化被膜を除去するのに、従
来は、ウェーハの表面（前面）を或る接地面（ｇｒｏｕ
ｎｄｉｎｇ ５ｕｒ−ｆａｃｅ）まで上方に押し上げる
ため、既に加工された表面が、微細片を発生させる接触
摩擦運動による危険に曝されている。
ェーハの両表面を加工すること、より詳しくは、前面及
び後面のいずれの表面にも接触することなくして、ウェ
ーハの後面から酸化被膜を除去することの興味が増大し
ている。付着したこれらの酸化被膜を除去するのに、従
来は、ウェーハの表面（前面）を或る接地面（ｇｒｏｕ
ｎｄｉｎｇ ５ｕｒ−ｆａｃｅ）まで上方に押し上げる
ため、既に加工された表面が、微細片を発生させる接触
摩擦運動による危険に曝されている。
ウェーハの加工中、従来の方法では、ウェーハは、その
下面を支持表面上に載置することにより支持されるため
、従来の手段によりウェーハの下面を加工するには、ウ
ェーハを回転させて下面を露出させることが必要である
。このため、余分の加工工程が必要になるだけでなく、
ウェーハの直接ハンドリングが必要になり、例えば、こ
れらのハンドリング時にウェーハの表面から離脱する微
細片により、ウェーハにダメージが加えられる危険性も
増大する。
下面を支持表面上に載置することにより支持されるため
、従来の手段によりウェーハの下面を加工するには、ウ
ェーハを回転させて下面を露出させることが必要である
。このため、余分の加工工程が必要になるだけでなく、
ウェーハの直接ハンドリングが必要になり、例えば、こ
れらのハンドリング時にウェーハの表面から離脱する微
細片により、ウェーハにダメージが加えられる危険性も
増大する。
また、加工時に、ウェーハの下面以外の面でウェーハを
支持すると、加工のためにウェーハの下面にアクセスで
きるようになるけれども、加工時にウェーハの近くに何
らかの装置や材料が置かれると、加工時に強い「シャド
ーインク」がウェーハに形成される。すなわち、加工時
にウェーハに隣接して装置や材料を置くと、これらの装
置や材料に直接隣接したウェーハの表面領域には、不完
全なエツチングや蒸着等が形成されてしまう。
支持すると、加工のためにウェーハの下面にアクセスで
きるようになるけれども、加工時にウェーハの近くに何
らかの装置や材料が置かれると、加工時に強い「シャド
ーインク」がウェーハに形成される。すなわち、加工時
にウェーハに隣接して装置や材料を置くと、これらの装
置や材料に直接隣接したウェーハの表面領域には、不完
全なエツチングや蒸着等が形成されてしまう。
米国特許第４．４７３．４５５号には、プレート上に多
数のウェーハを装填できるように構成されたウェーハ保
持組立体が開示されており、該組立体では、脚エレメン
トがウェーハの後面と係合するようになっている。また
、ウェーハは、プレートに取り付けられたばねに装着さ
れていてウェーハの前面の端縁部及び縁部と係合できる
ように構成されたクリップにより、プレートに保持され
るようになっている。
数のウェーハを装填できるように構成されたウェーハ保
持組立体が開示されており、該組立体では、脚エレメン
トがウェーハの後面と係合するようになっている。また
、ウェーハは、プレートに取り付けられたばねに装着さ
れていてウェーハの前面の端縁部及び縁部と係合できる
ように構成されたクリップにより、プレートに保持され
るようになっている。
米国特許第４．３０６．７３１号には、ウェーハの直径
より大きな直径をもつ孔を備えたウェーハプレート組立
体を有するウェーハ支持組立体が開示されている。この
ウェーハ支持組立体では、ウェーハプレート組立体によ
り支持されたばねバンド又はばねワイヤを備えたばねク
リップが弧状の端部を備えていて、これらの弧状端部が
、ウェーハの縁部に隣接するウェーハ表面と係合するよ
うになっている。
より大きな直径をもつ孔を備えたウェーハプレート組立
体を有するウェーハ支持組立体が開示されている。この
ウェーハ支持組立体では、ウェーハプレート組立体によ
り支持されたばねバンド又はばねワイヤを備えたばねク
リップが弧状の端部を備えていて、これらの弧状端部が
、ウェーハの縁部に隣接するウェーハ表面と係合するよ
うになっている。
しかしながら、強く望まれていることは、ウェーハの直
接ハンドリングを行うことなくして、或る加工ステージ
ョンから他の加工ステージョン（又は或る装置から他の
装置〉へとウェーハを移送できる方法及び装置であって
、加工中にウェーハのいずれの表面にもシャドーインク
の危険性を生じさせることなくして半導体ウェーハの両
面を均等に加工できる方法及び装置を提供することであ
る。
接ハンドリングを行うことなくして、或る加工ステージ
ョンから他の加工ステージョン（又は或る装置から他の
装置〉へとウェーハを移送できる方法及び装置であって
、加工中にウェーハのいずれの表面にもシャドーインク
の危険性を生じさせることなくして半導体ウェーハの両
面を均等に加工できる方法及び装置を提供することであ
る。
従って本発明の目的は、ウェーハの直接ハンドリングを
行うことなくして或る加工ステージョンから他の加工ス
テージョンへとウェーハを移送でき、従って、ウェーハ
のハンドリング時にウェーハから離脱する微細片、及び
直接ハンドリングによりウェーハに及ぼされる他のダメ
ージを低減できる半導体ウェーハのハンドリング方法及
び装置を提供することにある。
行うことなくして或る加工ステージョンから他の加工ス
テージョンへとウェーハを移送でき、従って、ウェーハ
のハンドリング時にウェーハから離脱する微細片、及び
直接ハンドリングによりウェーハに及ぼされる他のダメ
ージを低減できる半導体ウェーハのハンドリング方法及
び装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、ウェーハの加工中にウェーハに隣
接して配置される物体によるシャドーインクの効果を低
減できるように加工中にウェーハを支持する保持手段を
使用し、ウェーハの直接ハンドリングを行うことなくし
て、或る加工ステージョンから他の加工ステージョンへ
とウェーハを移送できる半導体ウェーハのハンドリング
方法及び装置を提供することにある。
接して配置される物体によるシャドーインクの効果を低
減できるように加工中にウェーハを支持する保持手段を
使用し、ウェーハの直接ハンドリングを行うことなくし
て、或る加工ステージョンから他の加工ステージョンへ
とウェーハを移送できる半導体ウェーハのハンドリング
方法及び装置を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、ウェーハの加工中にウェーハ
に隣接して配置される物体によるシャドーインクの効果
を低減できかつウェーハの上面及び下面の両面を均等に
加工できるように加工中にウェーハを支持する保持手段
を使用し、ウェーハの直接ハンドリングを行うことなく
して、或る加工ステージョンから他の加工ステージョン
へとウェーハを移送できる半導体ウェーハのハンドリン
グ方法及び装置を提供することにある。
に隣接して配置される物体によるシャドーインクの効果
を低減できかつウェーハの上面及び下面の両面を均等に
加工できるように加工中にウェーハを支持する保持手段
を使用し、ウェーハの直接ハンドリングを行うことなく
して、或る加工ステージョンから他の加工ステージョン
へとウェーハを移送できる半導体ウェーハのハンドリン
グ方法及び装置を提供することにある。
本発明のこれらの目的及び他の目的は、添付図面に関連
して述べる以下の説明により明らかになるであろう。
して述べる以下の説明により明らかになるであろう。
第１図には、保持リング２０内に挿入された状態の半導
体ウェーハ１０が示されている。保持リング２０は、陽
極処理アルミニウム（アルマイト）を含むアルミニウム
のような金属、アルミナのようなセラミック材料、又は
ウェーハ１０の加工を妨げない他の任意の材料で構成さ
れている。
体ウェーハ１０が示されている。保持リング２０は、陽
極処理アルミニウム（アルマイト）を含むアルミニウム
のような金属、アルミナのようなセラミック材料、又は
ウェーハ１０の加工を妨げない他の任意の材料で構成さ
れている。
ウェーハ１０は、該ウェーハ１０が加工ステージョン間
を移動するとき、撓み得るクリップ機構３０の端部に設
けられたチップ６０と係合することにより保持リング２
０内に保持される。また、ウェーハ１０は、保持リング
２０内への最初の挿入後、種々の加工工程を終えて取り
出される前まで、ウェーハの直接ハンドリングを全く行
うことなくして、多数の加工工程中、保持リング２０内
に保持されている。
を移動するとき、撓み得るクリップ機構３０の端部に設
けられたチップ６０と係合することにより保持リング２
０内に保持される。また、ウェーハ１０は、保持リング
２０内への最初の挿入後、種々の加工工程を終えて取り
出される前まで、ウェーハの直接ハンドリングを全く行
うことなくして、多数の加工工程中、保持リング２０内
に保持されている。
クリップ機構３０のチップ６０の高さ（すなわち厚さ）
は、約６ｔである。ここで、ｔはウェーハの厚さであり
、通常、約０．０２８〜Ｇ、０３２ ＠ン（約０．７１
〜０．８１−一）の範囲内にある。すなわち、セラミッ
クチップ６０の高さ（すなわち厚さ）は、ウェーハ１０
の厚さの約６倍を超えることはなく、従ってウェーハ１
０の両面の加工に対する妨げを最小限にできる寸法にな
っている。ウェーハ１０がクリップ機構３０と係合する
ときに、ウェーハ１０がｆ２置される溝が形成された端
面６２の深さについては、第８図〜第１２図に関連して
後で詳細に説明するが、約３ｔの寸法を有している。す
なわち、ウェーハ１０の厚さの約３倍であり、これも、
ウェーハ１０の両面を加工するときの妨げを最小限にで
きる寸法である。
は、約６ｔである。ここで、ｔはウェーハの厚さであり
、通常、約０．０２８〜Ｇ、０３２ ＠ン（約０．７１
〜０．８１−一）の範囲内にある。すなわち、セラミッ
クチップ６０の高さ（すなわち厚さ）は、ウェーハ１０
の厚さの約６倍を超えることはなく、従ってウェーハ１
０の両面の加工に対する妨げを最小限にできる寸法にな
っている。ウェーハ１０がクリップ機構３０と係合する
ときに、ウェーハ１０がｆ２置される溝が形成された端
面６２の深さについては、第８図〜第１２図に関連して
後で詳細に説明するが、約３ｔの寸法を有している。す
なわち、ウェーハ１０の厚さの約３倍であり、これも、
ウェーハ１０の両面を加工するときの妨げを最小限にで
きる寸法である。
後掲の図面（第８図〜第１２図）から−層明瞭になるで
あろうが、クリップ機構３０及び該クリップ機構３０の
チップ６０により、ウェーハ１０の外縁部が、保持リン
グ２０の内径から間隔を隔てられるようになっている。
あろうが、クリップ機構３０及び該クリップ機構３０の
チップ６０により、ウェーハ１０の外縁部が、保持リン
グ２０の内径から間隔を隔てられるようになっている。
チップ６０は、クリップ機構３０から少なくとも約０．
５１ン（約１２．７＋ｗｍ）以上の距離だけ延びていて
、保持リング２０がウェーハ１０の加工を妨げることの
ないようにしている。すなわち、ウェーハが加工される
間並びに或る加工ステージョンから他の加工ステージョ
ンに移送される間、ウェーハ１０を保持リング２０内に
取り付けた状態に保持でき、これにより、加工工程中の
ウェーハ１０の直接ハンドリングを大幅に低減できるよ
うになっている。
５１ン（約１２．７＋ｗｍ）以上の距離だけ延びていて
、保持リング２０がウェーハ１０の加工を妨げることの
ないようにしている。すなわち、ウェーハが加工される
間並びに或る加工ステージョンから他の加工ステージョ
ンに移送される間、ウェーハ１０を保持リング２０内に
取り付けた状態に保持でき、これにより、加工工程中の
ウェーハ１０の直接ハンドリングを大幅に低減できるよ
うになっている。
従って、クリップ機構３０の端部が保持リング２０の内
縁部と同一面内にあるときでも、保持リング２０は、ウ
ェーハ１０の外縁部から依然として少なくとも３ｔすな
わち０．５！ン（約１２．７ｍｍ）だけ離れた状態にあ
る（尚、ここで、３ｔとはチップ６０の溝６２の深さで
ある）。
縁部と同一面内にあるときでも、保持リング２０は、ウ
ェーハ１０の外縁部から依然として少なくとも３ｔすな
わち０．５！ン（約１２．７ｍｍ）だけ離れた状態にあ
る（尚、ここで、３ｔとはチップ６０の溝６２の深さで
ある）。
従って、加工中にウェーハ１０の周囲に保持リング２０
が存在しても、両者の間に間隔が存在するため、ウェー
ハ１０の周囲に隣接する部分の加工をする場合に「シャ
ドーインク」が生じることはない。この点に関して更に
説明するならば、クリップ機構３０及びチップ６０とウ
ェーハ１０との係合が、ウェーハ１０の上下両面に関し
て対称的に行われるため、ウェーハ１０の上下両面に均
等にアクセスできかつ上下両面を均等に加工できること
に注目すべきである。
が存在しても、両者の間に間隔が存在するため、ウェー
ハ１０の周囲に隣接する部分の加工をする場合に「シャ
ドーインク」が生じることはない。この点に関して更に
説明するならば、クリップ機構３０及びチップ６０とウ
ェーハ１０との係合が、ウェーハ１０の上下両面に関し
て対称的に行われるため、ウェーハ１０の上下両面に均
等にアクセスできかつ上下両面を均等に加工できること
に注目すべきである。
第２図及び後掲の平面図から明らかなように、保持リン
グ２０から突出しているクリップ機構３０の部分（チッ
プ６０を含む部分）は非常に小さく、このため、種々の
加工工程に対する妨げを大幅に低減できるようになって
いる。
グ２０から突出しているクリップ機構３０の部分（チッ
プ６０を含む部分）は非常に小さく、このため、種々の
加工工程に対する妨げを大幅に低減できるようになって
いる。
次に、第２図及び後掲の図面に関連して、保持リング２
０内へのウェーハ１０の装填方法について説明する。第
２図には、保持リング２ｏ内への装填の準備のため、ロ
ボット手段７０上に載置されかつ移送されている状態が
示されている。
０内へのウェーハ１０の装填方法について説明する。第
２図には、保持リング２ｏ内への装填の準備のため、ロ
ボット手段７０上に載置されかつ移送されている状態が
示されている。
ロボット手段７０は、１次アーム７２と、シャフト７４
を介して該１次アーム７２に枢着された２次アーム機構
７６とを有している。シャフト７４には２次アーム機構
７６が圧入されていて、シャフト７４の回りに掛けられ
たベルト（図示せず）のような外部手段でシャフト７４
を回転させることにより、２次アーム機構７Ｇが回転さ
れるようになっている。２次アーム機＄１１７６は全体
としてフォーク状をなしていて、１対の枝状部すなわち
フィンガ７８を備えており、ウェーハ１０は、これらの
フィンガ７８上に載置されて移送されるようになってい
る。また、それぞれのフィンガ７８の端部にはピン８２
が支持されている。更に、２次アーム機構７６は、フィ
ンガ７８を互いに引き離したり近づけるための流体動力
手段８０を有しており、フィンガ７８は、後述のように
して、ロボット手段７０により保持リング２０と係合さ
せるのに使用される。
を介して該１次アーム７２に枢着された２次アーム機構
７６とを有している。シャフト７４には２次アーム機構
７６が圧入されていて、シャフト７４の回りに掛けられ
たベルト（図示せず）のような外部手段でシャフト７４
を回転させることにより、２次アーム機構７Ｇが回転さ
れるようになっている。２次アーム機＄１１７６は全体
としてフォーク状をなしていて、１対の枝状部すなわち
フィンガ７８を備えており、ウェーハ１０は、これらの
フィンガ７８上に載置されて移送されるようになってい
る。また、それぞれのフィンガ７８の端部にはピン８２
が支持されている。更に、２次アーム機構７６は、フィ
ンガ７８を互いに引き離したり近づけるための流体動力
手段８０を有しており、フィンガ７８は、後述のように
して、ロボット手段７０により保持リング２０と係合さ
せるのに使用される。
第５図に、より明瞭に示すように、ロボット手段７０に
は摩擦パッド８４が設けられている。これらの摩擦パッ
ド８４は軟質プラスチック材料で形成されていて、フィ
ンガ７８の上面に取り付けられている。また、これらの
摩擦パッド８４は、ウェーハ１０の下面と係合してスリ
ップを防止するのに使用されるが、ウェーハ１０の表面
にダメージを与えないようになっている。
は摩擦パッド８４が設けられている。これらの摩擦パッ
ド８４は軟質プラスチック材料で形成されていて、フィ
ンガ７８の上面に取り付けられている。また、これらの
摩擦パッド８４は、ウェーハ１０の下面と係合してスリ
ップを防止するのに使用されるが、ウェーハ１０の表面
にダメージを与えないようになっている。
第２図には、保持リング２０に設けられた、ウェーハと
係合するクリップ機構３０の１つの構造が詳細に示され
ているが、該クリップ機構３０については、第８図〜第
１０図に関連して後に詳述する。
係合するクリップ機構３０の１つの構造が詳細に示され
ているが、該クリップ機構３０については、第８図〜第
１０図に関連して後に詳述する。
第３図及び第４図に示すように、ロボットアーム機構（
ロボット手段）７０は、ウェーハ１０を、回転自在の配
向機構９０上の所定位置に移動させるようになっている
。配向機構９０はプラットホームすなわちターンテーブ
ル９２を備えており、該プラットホーム９２は、この下
に取り付けられたシャフト９４により、昇降及び回転さ
れるようになっている。ロボット機構７０にまりウェー
ハ１０がプラットホーム９２上に配置されると、第５図
及び第６図に示すように、シャフト９４が上昇されて、
ウェーハ１０が枝状部すなわちフィンガ７８から持ち上
げられる。
ロボット手段）７０は、ウェーハ１０を、回転自在の配
向機構９０上の所定位置に移動させるようになっている
。配向機構９０はプラットホームすなわちターンテーブ
ル９２を備えており、該プラットホーム９２は、この下
に取り付けられたシャフト９４により、昇降及び回転さ
れるようになっている。ロボット機構７０にまりウェー
ハ１０がプラットホーム９２上に配置されると、第５図
及び第６図に示すように、シャフト９４が上昇されて、
ウェーハ１０が枝状部すなわちフィンガ７８から持ち上
げられる。
第４図に示すように、昇降及び回転自在の配向機構９０
は、多数の保持リング２０を積み重ねた関係に保持でき
る貯蔵機構１００内に取り付けられている。第４図、第
６図及び第７図の側面図、及び第２図、第３図及び第５
図の平面図に示すように、一連の保持リング２０は保持
リング貯蔵機構１００内に積み重ねておくことができる
。保持リング貯蔵機構１００は、一連の肩部１０６を備
えた円形フレーム１０４を備えており、前記肩部１０６
上にそれぞれの保持リング２０を貯蔵できるようになっ
ている。保持リング貯蔵機構１００を昇降させるのに、
支持シャフト１０８を設けることができる。
は、多数の保持リング２０を積み重ねた関係に保持でき
る貯蔵機構１００内に取り付けられている。第４図、第
６図及び第７図の側面図、及び第２図、第３図及び第５
図の平面図に示すように、一連の保持リング２０は保持
リング貯蔵機構１００内に積み重ねておくことができる
。保持リング貯蔵機構１００は、一連の肩部１０６を備
えた円形フレーム１０４を備えており、前記肩部１０６
上にそれぞれの保持リング２０を貯蔵できるようになっ
ている。保持リング貯蔵機構１００を昇降させるのに、
支持シャフト１０８を設けることができる。
配向プラットホーム９２は保持リング貯蔵機構１００内
で同心状に配置されており、該配向プラットホーム９２
を下降させるとその上に裁置されたウェーハ１０も、貯
蔵機構１００の最上方の保持リング２０と水平方向に同
一面となる位置まで下降される。これにより、後述のよ
うに、ウェーハ１０が、貯蔵機構１００内の最上方の保
持リング２０のクリンプ（クリップ機構）３０のチップ
６０と係合できるようになる。
で同心状に配置されており、該配向プラットホーム９２
を下降させるとその上に裁置されたウェーハ１０も、貯
蔵機構１００の最上方の保持リング２０と水平方向に同
一面となる位置まで下降される。これにより、後述のよ
うに、ウェーハ１０が、貯蔵機構１００内の最上方の保
持リング２０のクリンプ（クリップ機構）３０のチップ
６０と係合できるようになる。
第５図及び第６図に示すように、ウェーハ１０を配向プ
ラットホーム機構９０上に装填しかつロボット機構７０
を引っ込めた後、プラットホーム９０上のウェーハ１０
を回転し、後で行う加工目的に適合するように、保持リ
ング２０に関してウェーハ１０の平らな面１２を配向す
る。この作業は当業者に良く知られたものであり、第５
図に番号９８で示す光学検出機構のような適当な検出手
段、又はエミッタを備えたＬＥＤ又はＣＣＤ列のような
他の適当な手段を用いて行われる。
ラットホーム機構９０上に装填しかつロボット機構７０
を引っ込めた後、プラットホーム９０上のウェーハ１０
を回転し、後で行う加工目的に適合するように、保持リ
ング２０に関してウェーハ１０の平らな面１２を配向す
る。この作業は当業者に良く知られたものであり、第５
図に番号９８で示す光学検出機構のような適当な検出手
段、又はエミッタを備えたＬＥＤ又はＣＣＤ列のような
他の適当な手段を用いて行われる。
ウェーハ１０の回転配向の完了前又は完了後にシャフト
９４を下降させ、プラットホーム９２及び該プラットホ
ーム上のウェーハ１０を、第７図に示すように、保持リ
ング２０のクリップ機構３０がウェーハ１０と係合する
位置まで下降させる。
９４を下降させ、プラットホーム９２及び該プラットホ
ーム上のウェーハ１０を、第７図に示すように、保持リ
ング２０のクリップ機構３０がウェーハ１０と係合する
位置まで下降させる。
第２図、第３図及び第５図の平面図に示すように、保持
リング貯蔵機構１００の周囲には、複数の流体動カシリ
ング１１０ （これらは、空気圧で駆動されるものでも
油圧で駆動されるものでもよい〉が互いに間隔を隔てて
配置されていて、各流体動カシリンダ１１０にそれぞれ
連結されたシャフト１１２を介して、クリップ機構３０
と係合できるようになっている １述のように、シリン
ダ１１０は、ウェーハ１０が、保持リング貯蔵機構１０
０の最上方の保持リング２０により形成される平面まで
プラットホーム機構９０により下降されるとき、クリッ
プ機構３０を横方向に引っ込めるべく作動される。
リング貯蔵機構１００の周囲には、複数の流体動カシリ
ング１１０ （これらは、空気圧で駆動されるものでも
油圧で駆動されるものでもよい〉が互いに間隔を隔てて
配置されていて、各流体動カシリンダ１１０にそれぞれ
連結されたシャフト１１２を介して、クリップ機構３０
と係合できるようになっている １述のように、シリン
ダ１１０は、ウェーハ１０が、保持リング貯蔵機構１０
０の最上方の保持リング２０により形成される平面まで
プラットホーム機構９０により下降されるとき、クリッ
プ機構３０を横方向に引っ込めるべく作動される。
クリップ機構３０とウェーハ１０とを係合させる次の工
程を示す第８図〜第１０図を参照すれば、クリップ機構
３０は保持リング２０の切欠き部内に支持されており、
該クリップ機構３０の小さな部分のみが保持リング２０
から突出していてウェーハ１０と係合できるようになっ
ていることが理解されよう、このため、ウェーハ１０の
次の加工を行うときに、クリップ機構３０を構成する物
体から受ける妨げを低減させることができる。
程を示す第８図〜第１０図を参照すれば、クリップ機構
３０は保持リング２０の切欠き部内に支持されており、
該クリップ機構３０の小さな部分のみが保持リング２０
から突出していてウェーハ１０と係合できるようになっ
ていることが理解されよう、このため、ウェーハ１０の
次の加工を行うときに、クリップ機構３０を構成する物
体から受ける妨げを低減させることができる。
第８図には、流体動カシリンダ１１０が非作動位置にあ
り、シャフト１１２がクリップ機構３０との接触位置か
ら引っ込められている状態が示されている。
り、シャフト１１２がクリップ機構３０との接触位置か
ら引っ込められている状態が示されている。
第８図〜第１０図の実施例においては、クリップ機構３
０がアルミニウム又はステンレス鋼のクランク部材３２
を有しており、該クランク部材３２は、枢着ピン４０に
より保持リング２０に枢着されている。ばね５０は、保
持リング２０の外縁部に載置された第１部分５２と、ク
ランク部材３２の第１アーム３４に対して撓んだ状態で
押し付けられた第２部分５４とを有しており、クランク
部材３２を常時第８図の位置に維持している。
０がアルミニウム又はステンレス鋼のクランク部材３２
を有しており、該クランク部材３２は、枢着ピン４０に
より保持リング２０に枢着されている。ばね５０は、保
持リング２０の外縁部に載置された第１部分５２と、ク
ランク部材３２の第１アーム３４に対して撓んだ状態で
押し付けられた第２部分５４とを有しており、クランク
部材３２を常時第８図の位置に維持している。
クランク（クランク部材）３２の第２アーム３６は、ば
ね５０により第２ピン４４に対して押し付けられており
、該第２ピン４４はクランク３２の回転移動を制限する
ストッパとして作用している。
ね５０により第２ピン４４に対して押し付けられており
、該第２ピン４４はクランク３２の回転移動を制限する
ストッパとして作用している。
第１アーム３４の端部に設けられた孔には、チップ６０
が嵌入されている。チップ６０はアルミニウム（陽極処
理したもの、又はしないもでもよい）のような金属、ア
ルミナのようなセラくツク材料、又はチップ６０と接触
するウェーハ１０の加工を妨げない他の任意の材料で構
成することができる。第１１図及び第１２図に最も良く
示すように、セラミックチンプロ０の端部には、凹状の
アールで形成された溝すなわち湾曲溝６２が設けられて
いる。すなわち、この湾曲溝６２は、第１１図に示すよ
うに、側面から見た場合はＶ字形になっており、第１２
図のように断面した平面図で見た場合は、ウェーハ１０
の縁部の半径（すなわち、上から見たときのウェーハ１
ｏの曲率半径）にびったり一致するように形成するのが
好ましい、溝６２の曲率をこのように定めることにより
、チップ６０をウェーハ１０の縁部に接触させたときに
クリップ機構３０によりウェーハ１ｏに作用する力を分
散できる効果がある。
が嵌入されている。チップ６０はアルミニウム（陽極処
理したもの、又はしないもでもよい）のような金属、ア
ルミナのようなセラくツク材料、又はチップ６０と接触
するウェーハ１０の加工を妨げない他の任意の材料で構
成することができる。第１１図及び第１２図に最も良く
示すように、セラミックチンプロ０の端部には、凹状の
アールで形成された溝すなわち湾曲溝６２が設けられて
いる。すなわち、この湾曲溝６２は、第１１図に示すよ
うに、側面から見た場合はＶ字形になっており、第１２
図のように断面した平面図で見た場合は、ウェーハ１０
の縁部の半径（すなわち、上から見たときのウェーハ１
ｏの曲率半径）にびったり一致するように形成するのが
好ましい、溝６２の曲率をこのように定めることにより
、チップ６０をウェーハ１０の縁部に接触させたときに
クリップ機構３０によりウェーハ１ｏに作用する力を分
散できる効果がある。
第１５図にはクリップ機構３０の別の実施例が示してあ
り、この実施例においては、セラミックチップ６０′が
アーム（第１アーム）３４の切欠き部分に嵌着され、か
つ接着剤等によりアーム３４の側面に適当に固定されて
いる。
り、この実施例においては、セラミックチップ６０′が
アーム（第１アーム）３４の切欠き部分に嵌着され、か
つ接着剤等によりアーム３４の側面に適当に固定されて
いる。
第１６図の実施例は、第１５図の実施例を更に変更した
ものである。この実施例では、ばね５゜は、別体の部材
として構成されているのではなく、クランク３４と一体
の撓み得るアーム３５により置換されている。
ものである。この実施例では、ばね５゜は、別体の部材
として構成されているのではなく、クランク３４と一体
の撓み得るアーム３５により置換されている。
再び第９図に戻って説明すると、ウェーハ１０が、プラ
ットホーム機構９０により、ウェーハ１０を保持リング
２０に装填する垂直位置に下降されるとき（第７図〉、
流体動カシリンダ１１０を作動させ、該シリンダ１１０
のシャフト１１２を伸長させて、番号１１４で示す箇所
においてクランク３２と係合させる。シャフト１１２と
クランク３２との接触点１１４は、第３アーム３８上に
ある。この第３アームの厚さ寸法は、シャフト１１２が
第３アーム３８に当接したときに僅かに撓み得るように
、充分薄くなっているが、その理由については後述する
。
ットホーム機構９０により、ウェーハ１０を保持リング
２０に装填する垂直位置に下降されるとき（第７図〉、
流体動カシリンダ１１０を作動させ、該シリンダ１１０
のシャフト１１２を伸長させて、番号１１４で示す箇所
においてクランク３２と係合させる。シャフト１１２と
クランク３２との接触点１１４は、第３アーム３８上に
ある。この第３アームの厚さ寸法は、シャフト１１２が
第３アーム３８に当接したときに僅かに撓み得るように
、充分薄くなっているが、その理由については後述する
。
クランク３２の第３アーム３８に対してシャフト１１２
が当接すると、クランク３２は、第２アーム３６が番号
２８で示す箇所において保持リング２０に当接して停止
するまで、ばね５０のばね力に抗して時計回り方向に回
転する。クランク３２のこの時計回り方向の回転により
、保持リング２０に取り付けられた各クリンプ機構３０
の第１アーム３４が、或る位置（この或る位置とは、ウ
ェーハ１０を、クリップ機構３０により妨げられること
なくして、保持リング２０を垂直方向に二等分する水平
平面まで下降させることができる位置である）まで引っ
込められる。
が当接すると、クランク３２は、第２アーム３６が番号
２８で示す箇所において保持リング２０に当接して停止
するまで、ばね５０のばね力に抗して時計回り方向に回
転する。クランク３２のこの時計回り方向の回転により
、保持リング２０に取り付けられた各クリンプ機構３０
の第１アーム３４が、或る位置（この或る位置とは、ウ
ェーハ１０を、クリップ機構３０により妨げられること
なくして、保持リング２０を垂直方向に二等分する水平
平面まで下降させることができる位置である）まで引っ
込められる。
ウェーハ１０がひとたびこの位置に到達すると、流体動
カシリング１１０が除勢され、これにより、それぞれめ
クリップ機構３０の第３アーム３８との係合からシャフ
ト１１２が引っ込められる。このため、各クリップ機構
３０のばね５０によりクランク３２が反時計回り方向に
押圧され、クランク３２の第１アーム３４は、該第１ア
ーム３４のチップ６０が第１０図に示すようにウェーハ
１０に接触するまで、ウェーハ１０の端縁部に向かって
移動する。この時点で、ウェーハ１０は、′クリップ機
構３０により（より詳しくは、ばね５０のばね力により
）、保持リング２０内に弾力的（ｙ−１ｅｌｄａｂｌｙ
）に固定される。
カシリング１１０が除勢され、これにより、それぞれめ
クリップ機構３０の第３アーム３８との係合からシャフ
ト１１２が引っ込められる。このため、各クリップ機構
３０のばね５０によりクランク３２が反時計回り方向に
押圧され、クランク３２の第１アーム３４は、該第１ア
ーム３４のチップ６０が第１０図に示すようにウェーハ
１０に接触するまで、ウェーハ１０の端縁部に向かって
移動する。この時点で、ウェーハ１０は、′クリップ機
構３０により（より詳しくは、ばね５０のばね力により
）、保持リング２０内に弾力的（ｙ−１ｅｌｄａｂｌｙ
）に固定される。
流体動カシリンダ１１０が除勢されると、ばね５０のば
ね力により、クランク３２の第１アーム３４がウェーハ
１０に対してスナップ係合し、このためウェーハ１０に
ダメージが与えられることもある。しかしながら、流体
動カシリンダ１１０のシャフト１１２が第３アーム３８
と弾力的に係合しているため、クランク３２の反時計回
り方向の運動が緩和すなわち減衰される。なぜならば、
クランク３２が動き出す前に、先ず、第３アーム３８の
圧縮が除去されなくてはならないからである。
ね力により、クランク３２の第１アーム３４がウェーハ
１０に対してスナップ係合し、このためウェーハ１０に
ダメージが与えられることもある。しかしながら、流体
動カシリンダ１１０のシャフト１１２が第３アーム３８
と弾力的に係合しているため、クランク３２の反時計回
り方向の運動が緩和すなわち減衰される。なぜならば、
クランク３２が動き出す前に、先ず、第３アーム３８の
圧縮が除去されなくてはならないからである。
第１Ｏ図及び第１３図に示すように、保持リング２０の
クリップ機構３０がシャフト１１２から解放されてウェ
ーハ１０の端縁部と係合すると、第２図、第５図、第１
４図及び第１７図にそれぞれ示すように、ロボット手段
７０は、その２次アーム機横７６のフィンガすなわち枝
状部７Ｂの端部のピン８２（又は８２′）を保持リング
２０のソケット２４又は溝２４′内に挿入することによ
り、保持リング２０と係合できる位置に移動される。同
時に、支持シャフト１０８により保持リング貯蔵機構１
００が下降され、これにより、ロボット手段７０と係合
している保持リング２０を取り出すことができるように
なる。
クリップ機構３０がシャフト１１２から解放されてウェ
ーハ１０の端縁部と係合すると、第２図、第５図、第１
４図及び第１７図にそれぞれ示すように、ロボット手段
７０は、その２次アーム機横７６のフィンガすなわち枝
状部７Ｂの端部のピン８２（又は８２′）を保持リング
２０のソケット２４又は溝２４′内に挿入することによ
り、保持リング２０と係合できる位置に移動される。同
時に、支持シャフト１０８により保持リング貯蔵機構１
００が下降され、これにより、ロボット手段７０と係合
している保持リング２０を取り出すことができるように
なる。
第５図、第１４図及び第１７図に示すように、保持リン
グ２０の開口部が溝２４″で構成されている場合には、
ロボット手段７０は、そのフィンガ７８が保持リング２
０と接触するまで、フィンガ７８を伸長位置に保ったま
ま保持リング２０に向かって移動され、その後、フィン
ガ７８が、横方向移動手段（流体動力手段）８０により
互いに近付き合うように移動される。
グ２０の開口部が溝２４″で構成されている場合には、
ロボット手段７０は、そのフィンガ７８が保持リング２
０と接触するまで、フィンガ７８を伸長位置に保ったま
ま保持リング２０に向かって移動され、その後、フィン
ガ７８が、横方向移動手段（流体動力手段）８０により
互いに近付き合うように移動される。
別の構成として、保持リング２０の開口部が、第２図に
示すようにソケット２４として構成されている場合には
、フィンガ７８は、該フィンガ７８のピン８２が保持リ
ング２０のソケット２４と整合するまで、互いに近付き
合う方向又は互いに離れる方向に適宜移動され、その後
、ロボット手段７０を横方向に移動して、ピン８２をソ
ケット開口部２４内に挿入する。
示すようにソケット２４として構成されている場合には
、フィンガ７８は、該フィンガ７８のピン８２が保持リ
ング２０のソケット２４と整合するまで、互いに近付き
合う方向又は互いに離れる方向に適宜移動され、その後
、ロボット手段７０を横方向に移動して、ピン８２をソ
ケット開口部２４内に挿入する。
ロボット手段７０を移動させて、保持リング２０及び該
保持リング２０に装填されたウェーハ１０を移送すると
き、ソケット２４又は溝２４′内でピン８２又は８２′
が確実に保持されるようにするため、横方向移動手段８
０を付勢し、ピン８２又は８２′を、ソケット２４又は
溝２４′のそれぞれの側壁に対して横方向に押し付ける
。
保持リング２０に装填されたウェーハ１０を移送すると
き、ソケット２４又は溝２４′内でピン８２又は８２′
が確実に保持されるようにするため、横方向移動手段８
０を付勢し、ピン８２又は８２′を、ソケット２４又は
溝２４′のそれぞれの側壁に対して横方向に押し付ける
。
これにより、ロボット手段７０は、保持リング２０に装
填されたウェーハ１０からなる組立体を、第１８図に全
体を番号１２０で示す第１加エステ−ジョンの壁１２２
の切り欠いた部分及び開口部１２４に通して、この第１
加エステ−ジョンに移送できる状態になった。次に、ロ
ボット手段７０は、ウェーハと保持リングとの組立体を
、第１加エステ−ジョンのカソード１３０上に載置し、
その後この第１加エステ−ジョン１２０から引き出され
る。
填されたウェーハ１０からなる組立体を、第１８図に全
体を番号１２０で示す第１加エステ−ジョンの壁１２２
の切り欠いた部分及び開口部１２４に通して、この第１
加エステ−ジョンに移送できる状態になった。次に、ロ
ボット手段７０は、ウェーハと保持リングとの組立体を
、第１加エステ−ジョンのカソード１３０上に載置し、
その後この第１加エステ−ジョン１２０から引き出され
る。
この後、ウェーハ１０は、その上面、下面、又は上下両
面が適当に加工され、集積回路構造が形成される。例え
ば第１８図に示すように、カソード１３０のリフトビン
１３２を伸長させて、大地電位に維持されたアノード１
４０に対して保持リング２０をクランプし、カソード１
３０がウェーハ１０の後面を加工するドリブンプレーン
として機能している間に、ウェーハ１０を接地しておく
ことができる。もちろん、このためには、保持リング２
０及びクリップ機構３０のチップ６０の両方を金属その
他の導電性材料で構威し、ウェーハ１０が良好に接地さ
れるようにする必要がある。
面が適当に加工され、集積回路構造が形成される。例え
ば第１８図に示すように、カソード１３０のリフトビン
１３２を伸長させて、大地電位に維持されたアノード１
４０に対して保持リング２０をクランプし、カソード１
３０がウェーハ１０の後面を加工するドリブンプレーン
として機能している間に、ウェーハ１０を接地しておく
ことができる。もちろん、このためには、保持リング２
０及びクリップ機構３０のチップ６０の両方を金属その
他の導電性材料で構威し、ウェーハ１０が良好に接地さ
れるようにする必要がある。
ウェーハと保持リングとの組立体を第１加エステ−ジョ
ンから取り出し、更に別の加工を行う第２ステーシヨン
に移動させたい場合には、リフトビン１３２を引っ込め
、ウェーハ１０をカソード１３０の表面まで戻し、次に
、ロボット手段７０を、保持リング２０のソケット２４
を介して保持リング２０と再係合させ、ウェーハと保持
リングとの組立体を別の加工ステーシロンに移送する。
ンから取り出し、更に別の加工を行う第２ステーシヨン
に移動させたい場合には、リフトビン１３２を引っ込め
、ウェーハ１０をカソード１３０の表面まで戻し、次に
、ロボット手段７０を、保持リング２０のソケット２４
を介して保持リング２０と再係合させ、ウェーハと保持
リングとの組立体を別の加工ステーシロンに移送する。
所望の全ての加工工程が終了したならば、ウェーハ１０
を保持リング２０に挿入した上記工程を逆に行なうこと
により、保持リング２０からウェーハ１０を取り外すこ
とができる。
を保持リング２０に挿入した上記工程を逆に行なうこと
により、保持リング２０からウェーハ１０を取り外すこ
とができる。
従って、本発明によれば、半導体ウェーハ１０を、該ウ
ェーハ１０の一方の面又は両面を加工〈すなわち、エツ
チング加工、又はウェーハ上に蒸着材料層を設けたり除
去する加工等〉する任意の数の加工ステージョンに移送
することができる。
ェーハ１０の一方の面又は両面を加工〈すなわち、エツ
チング加工、又はウェーハ上に蒸着材料層を設けたり除
去する加工等〉する任意の数の加工ステージョンに移送
することができる。
また、ウェーハ１０を或る加工ステージョンから他の加
工ステージョンへと移送する場合及び特定の加工ステー
ジョンにおいて実際に加工している場合の双方において
、ウェーハ１０の直接ハンドリングは全く行われず、か
つウェーハ１０との係合に使用される保持手段により加
工が妨げられることもない。
工ステージョンへと移送する場合及び特定の加工ステー
ジョンにおいて実際に加工している場合の双方において
、ウェーハ１０の直接ハンドリングは全く行われず、か
つウェーハ１０との係合に使用される保持手段により加
工が妨げられることもない。
その他、本発明について注目すべきことは、ウェーハ１
０との係合における保持リング２０の使用が、単一スチ
ージョン又は多ステーシッンの真空装置内で通常行われ
る蒸着及びドライエツチングのような作業のみに限定さ
れるものではないということである。むしろ、例えば、
アプリケーション、パターニング、写真平版材料（フォ
トレジスト）の除去、及びウェットエツチング等の他の
工程中においても、ウェーハ１０を保持リング２０内に
保持しておくことができる。もちろん、これらの場合に
は、保持リング２０がエツチング剤による侵食作用を受
けないように、保持リング２０を構成する材質の選択に
注意する必要がある。
０との係合における保持リング２０の使用が、単一スチ
ージョン又は多ステーシッンの真空装置内で通常行われ
る蒸着及びドライエツチングのような作業のみに限定さ
れるものではないということである。むしろ、例えば、
アプリケーション、パターニング、写真平版材料（フォ
トレジスト）の除去、及びウェットエツチング等の他の
工程中においても、ウェーハ１０を保持リング２０内に
保持しておくことができる。もちろん、これらの場合に
は、保持リング２０がエツチング剤による侵食作用を受
けないように、保持リング２０を構成する材質の選択に
注意する必要がある。
基本的に、本発明に従って構成された保持リングの特徴
は次の点にある。すなわち、保持リングには、遠隔手段
により保持リングとの係合が行えるようにした手段が設
けられていて、ウェーハの直接ハンドリングを行うこと
なくして、保持リング及び該保持リングに装填されたウ
ェーハを、或る加工ステージョンから他の加工ステージ
ョンへと移送できること、保持リングの内径は充分に大
きく、従って、保持リングにより妨げられることなくし
て、ウェーハの両面を加工できること、及び、保持リン
グには、高さの小さな、解放自在のウェーハ係合機構が
設けられていて、保持リングによりウェーハの端縁部を
握持できるため、ウェーハの加工に際し殆ど妨げになら
ないことである。
は次の点にある。すなわち、保持リングには、遠隔手段
により保持リングとの係合が行えるようにした手段が設
けられていて、ウェーハの直接ハンドリングを行うこと
なくして、保持リング及び該保持リングに装填されたウ
ェーハを、或る加工ステージョンから他の加工ステージ
ョンへと移送できること、保持リングの内径は充分に大
きく、従って、保持リングにより妨げられることなくし
て、ウェーハの両面を加工できること、及び、保持リン
グには、高さの小さな、解放自在のウェーハ係合機構が
設けられていて、保持リングによりウェーハの端縁部を
握持できるため、ウェーハの加工に際し殆ど妨げになら
ないことである。
以上、本発明の保持リングの構造の特定の実施例につい
て説明したが、ウェーハ握持手段及び保持リングと係合
して遠隔移送を行うのに使用する手段を含む保持リング
自体の変更は、本発明の精神から逸脱することなくして
行い得るものであることは理解されよう。
て説明したが、ウェーハ握持手段及び保持リングと係合
して遠隔移送を行うのに使用する手段を含む保持リング
自体の変更は、本発明の精神から逸脱することなくして
行い得るものであることは理解されよう。
第１図は、半導体ウェーハを保持する保持リングを示す
縦断面図である。 第２図は、ウェーハが、ロボット手段により、１つ以上
のウェーハ保持リングが積み重ねられている保持リング
貯蔵ステーションへと移送されている状態を示す平面図
である。 第３図は、１つ以上のウェーハ保持リングを収容してい
る貯蔵ステーシッン上に配置されたロボット手段により
支持された半導体ウェーハを示す平面図である。 第４図は、第３図のように１つ以上のウェーハ保持リン
グを収容している貯蔵ステーション上に配置されたロボ
ット手段により支持された半導体ウェーハ、及び、ウェ
ーハの平らな縁部を保持リングに関して配向させるべく
ウェーハが回転できるようにするため、ロボット手段に
まりウェーハが装填される、回転自在の配向プラットホ
ームすなわち平らなファインディングプラットホームの
位置を示す側面図である。 第５図は、ロボット手段を引っ込めて、配向プラットホ
ーム上に装填された半導体ウェーハを示す平面図である
。 第６図は、第５図の構造の側面図である。 第７図は、配向プラットホームを下げて、半導体ウェー
ハを、保持リング貯蔵ステーションに収容された頂部の
保持リングと係合させた状態を示す側面図である。 第８図〜第１０図は、保持リングにより支持された金属
ばねクリップと半導体ウェーハとの係合過程を連続的に
示す部分的平面図である。 第１１図は、ウェーハの縁部と係合するクリップのチッ
プの端部を示す部分的側面図である。 第１２図は、ウェーハの縁部と係合するクリップのチッ
プの端部を示す一部を切り欠いた平面図である。 第１３図は、半導体ウェーハが装填された保持リング貯
蔵ステーション内の頂部の保持リング、ロボット手段の
平面まで上方に移動された貯蔵ステーシランの全体、及
び頂部の保持リングと係合させて該保持リングを貯蔵ス
テーションから取り出すべく伸長させたロボット手段を
示す側面図である。 第１４図は、保持リングと該保持リングに保持された半
導体ウェーハとを加工ステージョンに移送する準備のた
め、半導体ウェーハを収容している保持リングを、保持
リング貯蔵手段から離して横方向に移動させているロボ
ット手段を示す平面図である。 第１５図は、セラ逅フクの端片を金属クリップに接着し
たウェーハ係合クリップの別の実施例を示す平面図であ
る。 第１６図は、クリップと一体の付加的なばねアームを備
えていて、ウェーハの端縁部と弾力的に係合させるべく
クリップを押圧する別体のばねを設ける必要性を無くし
たウェーハ係合クリップの更に別の実施例を示す平面図
である。 第１７図は、保持リング及び該保持リングに装填された
ウェーハを、ウェーハと直接接触することなくして、或
る加工ステージョンから他の加工ステージョンへと移送
するロボット手段と係合できるように、保持リングの側
面に形成された溝を示す側面図である。 第１８図は、或る加工ステージョンに保持された本発明
によるウェーハと保持リングとの組立体を示す部分的側
面図である。 ０・・・半導体ウェーハ、２０・・・保持リング、４．
２４′・・・ソケット（溝〉、 ０・・・クリップ機構、 ３２・・・クランク部材、
４・・・第１アーム、 ３６・・・第２アーム、８・
・・第３アーム、 ４０・・・枢着ピン、４・・・第
２ピン、 ５０・・・ばね、Ｏ・・・チップ、
７０・・・ロボット手段、２・・・１次アーム、
７６・・・２次アーム機構、８・・・フィンガ、 ０・・・流体動力手段（横方向移動手段〉、２・・・ピ
ン、 ８４・・・摩擦パッド、０・・・配向
手段、 ２・・・プラソトホーム（ターンテーブル〉、４・・・
シャフト、 ９８・・・光学検出機構、００・・・
保持リング貯蔵機構、 ０・・・流体動カシリンダ、 ２・・・流体動カシリンダのシャフト、０・・・カソー
ド、 １３２・・・リフトピン、Ｏ・・・アノード
。
縦断面図である。 第２図は、ウェーハが、ロボット手段により、１つ以上
のウェーハ保持リングが積み重ねられている保持リング
貯蔵ステーションへと移送されている状態を示す平面図
である。 第３図は、１つ以上のウェーハ保持リングを収容してい
る貯蔵ステーシッン上に配置されたロボット手段により
支持された半導体ウェーハを示す平面図である。 第４図は、第３図のように１つ以上のウェーハ保持リン
グを収容している貯蔵ステーション上に配置されたロボ
ット手段により支持された半導体ウェーハ、及び、ウェ
ーハの平らな縁部を保持リングに関して配向させるべく
ウェーハが回転できるようにするため、ロボット手段に
まりウェーハが装填される、回転自在の配向プラットホ
ームすなわち平らなファインディングプラットホームの
位置を示す側面図である。 第５図は、ロボット手段を引っ込めて、配向プラットホ
ーム上に装填された半導体ウェーハを示す平面図である
。 第６図は、第５図の構造の側面図である。 第７図は、配向プラットホームを下げて、半導体ウェー
ハを、保持リング貯蔵ステーションに収容された頂部の
保持リングと係合させた状態を示す側面図である。 第８図〜第１０図は、保持リングにより支持された金属
ばねクリップと半導体ウェーハとの係合過程を連続的に
示す部分的平面図である。 第１１図は、ウェーハの縁部と係合するクリップのチッ
プの端部を示す部分的側面図である。 第１２図は、ウェーハの縁部と係合するクリップのチッ
プの端部を示す一部を切り欠いた平面図である。 第１３図は、半導体ウェーハが装填された保持リング貯
蔵ステーション内の頂部の保持リング、ロボット手段の
平面まで上方に移動された貯蔵ステーシランの全体、及
び頂部の保持リングと係合させて該保持リングを貯蔵ス
テーションから取り出すべく伸長させたロボット手段を
示す側面図である。 第１４図は、保持リングと該保持リングに保持された半
導体ウェーハとを加工ステージョンに移送する準備のた
め、半導体ウェーハを収容している保持リングを、保持
リング貯蔵手段から離して横方向に移動させているロボ
ット手段を示す平面図である。 第１５図は、セラ逅フクの端片を金属クリップに接着し
たウェーハ係合クリップの別の実施例を示す平面図であ
る。 第１６図は、クリップと一体の付加的なばねアームを備
えていて、ウェーハの端縁部と弾力的に係合させるべく
クリップを押圧する別体のばねを設ける必要性を無くし
たウェーハ係合クリップの更に別の実施例を示す平面図
である。 第１７図は、保持リング及び該保持リングに装填された
ウェーハを、ウェーハと直接接触することなくして、或
る加工ステージョンから他の加工ステージョンへと移送
するロボット手段と係合できるように、保持リングの側
面に形成された溝を示す側面図である。 第１８図は、或る加工ステージョンに保持された本発明
によるウェーハと保持リングとの組立体を示す部分的側
面図である。 ０・・・半導体ウェーハ、２０・・・保持リング、４．
２４′・・・ソケット（溝〉、 ０・・・クリップ機構、 ３２・・・クランク部材、
４・・・第１アーム、 ３６・・・第２アーム、８・
・・第３アーム、 ４０・・・枢着ピン、４・・・第
２ピン、 ５０・・・ばね、Ｏ・・・チップ、
７０・・・ロボット手段、２・・・１次アーム、
７６・・・２次アーム機構、８・・・フィンガ、 ０・・・流体動力手段（横方向移動手段〉、２・・・ピ
ン、 ８４・・・摩擦パッド、０・・・配向
手段、 ２・・・プラソトホーム（ターンテーブル〉、４・・・
シャフト、 ９８・・・光学検出機構、００・・・
保持リング貯蔵機構、 ０・・・流体動カシリンダ、 ２・・・流体動カシリンダのシャフト、０・・・カソー
ド、 １３２・・・リフトピン、Ｏ・・・アノード
。
Claims (20)
- （１）集積回路構造の製造に使用される半導体ウェーハ
のハンドリング装置であって、ウェーハの上下両面の加
工を行うことができる半導体ウェーハのハンドリング装
置において、 ａ）保持リングを有しており、該保持リングには、前記
保持リングと係合可能な係合手段が設けられていて、前
記ウェーハの１つ以上の面に１つ以上の加工をすべく前
記ウェーハ及び前記保持リングを或る加工ステーション
から他の加工ステーションへと移送できるようになって
おり、 ｂ）前記保持リングに設けられた係合手段であって、前
記ウェーハの上下両面を加工できるように露出させた状
態で前記ウェーハの端縁部と係合できる係合手段を有し
ており、 ｃ）前記保持リングの内径は、前記ウェーハの外径より
も充分に大きく、前記保持リングからのシャドーインク
により妨げられることなくして前記ウェーハの両面を均
等に加工できるできるように構成したことを特徴とする
半導体ウェーハのハンドリング装置。 - （２）前記ウェーハの端縁部と係合する前記係合手段が
、前記保持リングにより支持されたクリップ手段であっ
て、前記ウェーハを前記保持リングに挿入した後、前記
ウェーハの端縁部と弾力的に係合すべく作動できるクリ
ップ手段を備えていることを特徴とする請求項１に記載
の装置。 - （３）前記ウェーハを前記保持リングに挿入する前に、
前記ウェーハを半径方向に配向する手段を更に有してい
ることを特徴とする請求項１に記載の装置。 - （４）前記ウェーハが前記保持リングと係合する前に、
前記ウェーハを受け入れて回転させることができる回転
自在のプラットホームを有していることを特徴とする請
求項３に記載の装置。 - （５）複数の前記保持リングを垂直に積み重ねた状態に
して、取り出すことができるように貯蔵する貯蔵手段を
更に有していることを特徴とする請求項４に記載の装置
。 - （６）前記回転自在のプラットホームが前記貯蔵手段内
に同心状に取り付けられており、前記プラットホームに
は、前記貯蔵手段内で垂直に積み重ねられて貯蔵された
保持リングと係合できる位置に前記ウェーハを下降させ
る手段が設けられていることを特徴とする請求項５に記
載の装置。 - （７）前記ウェーハ及び前記保持リングを或る加工ステ
ージョンから他の加工ステーションへと移送させるべく
前記保持リングと係合する前記係合手段が、前記保持リ
ング上の固定点と係合する手段を備えていて、前記ウェ
ーハの平らな側面部が前記固定点に対して半径方向に配
向されるように構成したことを特徴とする請求項６に記
載の装置。 - （８）前記保持リングの前記係合手段と係合できる遠隔
手段であって、前記保持リング及び該保持リングに保持
された前記ウェーハを、前記ウェーハに接触することな
く移動させることができる遠隔手段を更に有しているこ
とを特徴とする請求項７に記載の装置。 - （９）前記貯蔵手段には、ひとたび、前記ウェーハが前
記積み重ねられた保持リングに装填され、かつ前記保持
リングの前記係合手段が前記遠隔手段と係合して、前記
ウェーハ及び前記保持リングを或る加工ステーションか
ら他の加工ステーションへと移送したときに、前記ウェ
ーハに対して前記貯蔵手段を下降させる手段が設けられ
ていることを特徴とする請求項８に記載の装置。 - （１０）集積回路構造の製造に使用される半導体ウェー
ハのハンドリング装置であって、前記ウェーハの直接ハ
ンドリングを行うことなくして或る加工ステーションか
ら他の加工ステーションへと前記ウェーハを移動させる
ことができかつウェーハの上下両面を均等に加工できる
半導体ウェーハのハンドリング装置において、 ａ）保持リングを有しており、該保持リングには、前記
保持リングと係合可能な係合手段が設けられていて、前
記ウェーハ及び前記保持リングを或る加工ステーション
から他の加工ステーションへと移送できるようになって
おり、 ｂ）前記保持リングにより支持されたクリップ手段であ
って、前記ウェーハを前記保持リングに挿入した後、前
記ウェーハの上下両面を加工できるように露出させた状
態で前記ウェーハの端縁部と弾力的に係合すべく作動で
きるクリップ手段を有しており、 ｃ）前記保持リングの内径は、前記ウェーハの外径より
も充分に大きく、前記保持リングによるシャドーインク
を受けることなくして前記ウエーハの両面を均等に加工
できるできるように構成したことを特徴とする半導体ウ
ェーハのハンドリング装置。 - （１１）前記保持リングにより支持された前記クリップ
手段にはチップ手段が設けられており、該チップ手段に
は、前記ウェーハの端縁部と弾力的に係合できる溝が設
けられていることを特徴とする請求項１０に記載の装置
。 - （１２）前記チップの前記溝が、前記ウェーハの半径と
ほぼ同じ曲率半径を有していて、前記クリップ手段が前
記ウェーハに及ぼす力を分散できるようになっているこ
とを特徴とする請求項１１に記載の装置。 - （１３）前記チップが、金属及びセラミックからなるク
ラスから選択された材料で構成されていることを特徴と
する請求項１１に記載の装置。 - （１４）前記チップがセラミック材料で作られているこ
とを特徴とする請求項１３に記載の装置。 - （１５）前記保持リングと、前記チップが設けられた前
記クリップ機構とは、両方共導電性材料で作られていて
、前記ウェーハを前記保持リングに接触させることによ
り、前記ウェーハの接地が行えるように構成したことを
特徴とする請求項１３に記載の装置。 - （１６）集積回路構造の製造に使用される半導体ウェー
ハのハンドリング方法であって、前記ウェーハの直接ハ
ンドリングを行うことなくして或る加工ステーションか
ら他の加工ステーションへと前記ウェーハを移動させる
ことができかつウェーハの上下両面を均等に加工できる
半導体ウェーハのハンドリング方法において、 ａ）前記ウェーハの外径よりも充分に大きな内径をもつ
保持リング内に前記ウェーハを挿入して、前記保持リン
グによるシャドーインクを受けることなくして前記ウェ
ーハの両面の加工が行えるようにし、 ｂ）前記ウェーハの上下両面を加工できるように均等に
露出させた状態で、前記ウェーハの端縁部を、前記保持
リングにより支持された撓み得る手段と係合させ、 ｃ）前記ウェーハ及び前記保持リングを或る加工ステー
ションから他の加工ステーションへと移送する遠隔手段
と前記保持リングとを接触さて、前記ウェーハの１つ以
上の面に複数の加工工程を施すことを特徴とする半導体
ウェーハのハンドリング方法。 - （１７）前記加工工程が完了したときに、前記保持リン
グから前記ウェーハを解放させる工程を更に有している
ことを特徴とする請求項１６に記載の方法。 - （１８）前記ウェーハを前記保持リング内に挿入した後
、前記保持リングの前記撓み得る手段を付勢して前記ウ
ェーハの端縁部と弾力的に係合させる工程を更に有して
いることを特徴とする請求項１６に記載の方法。 - （１９）前記ウェーハを前記保持リング内に挿入する前
に、前記ウェーハを半径方向に配向する工程を更に有し
ていることを特徴とする請求項１６に記載の方法。 - （２０）前記保持リングと接触させて前記ウェーハ及び
前記保持リングを或る加工ステーションから他の加工ス
テーションへと移送させる前記工程が、前記保持リング
上の１つ以上の固定点と係合させ、前記ウェーハの平ら
な側面部を前記固定点に対して半径方向に配向させる工
程を有していることを特徴とする請求項１９に記載の方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US37373489A | 1989-06-29 | 1989-06-29 | |
| US373734 | 1989-06-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0338051A true JPH0338051A (ja) | 1991-02-19 |
| JP2826175B2 JP2826175B2 (ja) | 1998-11-18 |
Family
ID=23473651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16398290A Expired - Fee Related JP2826175B2 (ja) | 1989-06-29 | 1990-06-21 | 半導体ウェーハのハンドリング方法及び装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0405301B1 (ja) |
| JP (1) | JP2826175B2 (ja) |
| DE (1) | DE69021952T2 (ja) |
| ES (1) | ES2078269T3 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0669382U (ja) * | 1993-03-10 | 1994-09-30 | 東京部品工業株式会社 | オイルポンプ |
| JP2005200214A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-07-28 | Singulus Technologies Ag | 基板支持体アダプタシステム |
| JP2013526074A (ja) * | 2010-05-07 | 2013-06-20 | ラム・リサーチ・アーゲー | ウエハ形状物品を保持するための装置 |
| JP2018066894A (ja) * | 2016-10-20 | 2018-04-26 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． | 基板支持ユニット上に基板を位置合わせする方法および装置 |
| US10133186B2 (en) | 2016-10-20 | 2018-11-20 | Mapper Lithography Ip B.V. | Method and apparatus for aligning substrates on a substrate support unit |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6296553B1 (en) * | 1997-04-02 | 2001-10-02 | Nippei Toyama Corporation | Grinding method, surface grinder, workpiece support, mechanism and work rest |
| US6215897B1 (en) | 1998-05-20 | 2001-04-10 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Automated substrate processing system |
| NL1012004C2 (nl) * | 1999-05-07 | 2000-11-13 | Asm Int | Werkwijze voor het verplaatsen van wafers alsmede ring. |
| DE10140761B4 (de) | 2001-08-20 | 2004-08-26 | Infineon Technologies Ag | Wafer-Handhabungsvorrichtung |
| US6835039B2 (en) * | 2002-03-15 | 2004-12-28 | Asm International N.V. | Method and apparatus for batch processing of wafers in a furnace |
| US7104578B2 (en) | 2002-03-15 | 2006-09-12 | Asm International N.V. | Two level end effector |
| US7181132B2 (en) | 2003-08-20 | 2007-02-20 | Asm International N.V. | Method and system for loading substrate supports into a substrate holder |
| CN112582310B (zh) * | 2020-12-28 | 2024-03-19 | 无锡中微腾芯电子有限公司 | 一种直插式封装集成电路管脚整形设备 |
Citations (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5546641U (ja) * | 1978-09-18 | 1980-03-27 | ||
| JPS58115830A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ウエハ入れ換え装置 |
| JPS60113442A (ja) * | 1983-11-24 | 1985-06-19 | Toshiba Mach Co Ltd | ウェハ搬出入装置 |
| JPS60175411A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-09 | Hitachi Ltd | 半導体薄膜の製造方法及びその製造装置 |
| JPS60146343U (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-28 | 日本電気株式会社 | ウエハホルダ− |
| JPS60167335U (ja) * | 1984-04-14 | 1985-11-06 | 大日本スクリ−ン製造株式会社 | 熱処理装置 |
| JPS60238134A (ja) * | 1984-04-16 | 1985-11-27 | Tokuda Seisakusho Ltd | 真空処理装置 |
| JPS61184841A (ja) * | 1985-02-13 | 1986-08-18 | Canon Inc | ウエハの位置決め方法および装置 |
| JPS61247048A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-04 | Nec Corp | 縦型拡散炉用ボ−ト |
| JPS6247348U (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-24 | ||
| JPS62165946A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-22 | Hitachi Ltd | 試料支持装置 |
| JPS62165842U (ja) * | 1986-04-10 | 1987-10-21 | ||
| JPS6362233A (ja) * | 1986-09-03 | 1988-03-18 | Mitsubishi Electric Corp | 反応性イオンエツチング装置 |
| JPS63110745A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-16 | Nissin Electric Co Ltd | ウエハ収納装置 |
| JPS63300835A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-08 | Teradain Kk | ウエハ位置決め方法 |
| JPS6410932A (en) * | 1987-07-02 | 1989-01-13 | Comany Kk | Mobile divider for flowerpot |
| JPS649171U (ja) * | 1987-07-06 | 1989-01-18 | ||
| JPS6464334A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Nitto Denko Corp | Apparatus for mounting semiconductor wafer |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5790956A (en) * | 1980-11-28 | 1982-06-05 | Hitachi Ltd | Gripper for wafer |
| JPS62101045A (ja) * | 1985-10-28 | 1987-05-11 | Toshiba Corp | ウエ−ハの中心合せ装置 |
| US4817556A (en) * | 1987-05-04 | 1989-04-04 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for retaining wafers |
| DE3919611A1 (de) * | 1989-06-15 | 1990-12-20 | Wacker Chemitronic | Haltevorrichtung zur aufnahme von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere halbleiterscheiben, und verfahren zu deren behandlung |
-
1990
- 1990-06-19 EP EP90111561A patent/EP0405301B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-06-19 ES ES90111561T patent/ES2078269T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1990-06-19 DE DE1990621952 patent/DE69021952T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-06-21 JP JP16398290A patent/JP2826175B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5546641U (ja) * | 1978-09-18 | 1980-03-27 | ||
| JPS58115830A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ウエハ入れ換え装置 |
| JPS60113442A (ja) * | 1983-11-24 | 1985-06-19 | Toshiba Mach Co Ltd | ウェハ搬出入装置 |
| JPS60175411A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-09 | Hitachi Ltd | 半導体薄膜の製造方法及びその製造装置 |
| JPS60146343U (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-28 | 日本電気株式会社 | ウエハホルダ− |
| JPS60167335U (ja) * | 1984-04-14 | 1985-11-06 | 大日本スクリ−ン製造株式会社 | 熱処理装置 |
| JPS60238134A (ja) * | 1984-04-16 | 1985-11-27 | Tokuda Seisakusho Ltd | 真空処理装置 |
| JPS61184841A (ja) * | 1985-02-13 | 1986-08-18 | Canon Inc | ウエハの位置決め方法および装置 |
| JPS61247048A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-04 | Nec Corp | 縦型拡散炉用ボ−ト |
| JPS6247348U (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-24 | ||
| JPS62165946A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-22 | Hitachi Ltd | 試料支持装置 |
| JPS62165842U (ja) * | 1986-04-10 | 1987-10-21 | ||
| JPS6362233A (ja) * | 1986-09-03 | 1988-03-18 | Mitsubishi Electric Corp | 反応性イオンエツチング装置 |
| JPS63110745A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-16 | Nissin Electric Co Ltd | ウエハ収納装置 |
| JPS63300835A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-08 | Teradain Kk | ウエハ位置決め方法 |
| JPS6410932A (en) * | 1987-07-02 | 1989-01-13 | Comany Kk | Mobile divider for flowerpot |
| JPS649171U (ja) * | 1987-07-06 | 1989-01-18 | ||
| JPS6464334A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Nitto Denko Corp | Apparatus for mounting semiconductor wafer |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0669382U (ja) * | 1993-03-10 | 1994-09-30 | 東京部品工業株式会社 | オイルポンプ |
| JP2005200214A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-07-28 | Singulus Technologies Ag | 基板支持体アダプタシステム |
| JP2013526074A (ja) * | 2010-05-07 | 2013-06-20 | ラム・リサーチ・アーゲー | ウエハ形状物品を保持するための装置 |
| JP2018066894A (ja) * | 2016-10-20 | 2018-04-26 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． | 基板支持ユニット上に基板を位置合わせする方法および装置 |
| US10133186B2 (en) | 2016-10-20 | 2018-11-20 | Mapper Lithography Ip B.V. | Method and apparatus for aligning substrates on a substrate support unit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| DE69021952T2 (de) | 1996-05-15 |
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| EP0405301B1 (en) | 1995-08-30 |
| EP0405301A2 (en) | 1991-01-02 |
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