JPS60167335U - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
- Publication number
- JPS60167335U JPS60167335U JP5500584U JP5500584U JPS60167335U JP S60167335 U JPS60167335 U JP S60167335U JP 5500584 U JP5500584 U JP 5500584U JP 5500584 U JP5500584 U JP 5500584U JP S60167335 U JPS60167335 U JP S60167335U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- heat treatment
- wall surface
- wall
- supporter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図は本考案に係る熱処理装置の第1実施例の概要を
示す縦断面図、第2図ないし第4図は支持器の部分の構
造を示す拡大縦断面図、第5図は本考案に係る熱処理装
置の第2実施例に示す支持器の部分の概要を示す縦断面
図、第6図は支持器の部分の構造を示す拡大縦断面図、
第7図は第6図の斜視図、第8図はウェハのローディン
グ及びアンローディング操作を示す模式平面図、第9図
は本考案に係る熱処理装置の第3実施例の概要を示す側
断面図、第10図、は第9図のX−X断面図である。 1、41.71・・・加熱炉、3.5;43.45;7
3,75.・・・光源、11,51.81・・・ウェハ
、13,53,83・・・支持器、25.25’・・・
垂直方向に高さを有する壁面、33・・・切欠、37.
37’、59・・・水平方向に幅を有する壁面、31・
・・SiCコーティング。
示す縦断面図、第2図ないし第4図は支持器の部分の構
造を示す拡大縦断面図、第5図は本考案に係る熱処理装
置の第2実施例に示す支持器の部分の概要を示す縦断面
図、第6図は支持器の部分の構造を示す拡大縦断面図、
第7図は第6図の斜視図、第8図はウェハのローディン
グ及びアンローディング操作を示す模式平面図、第9図
は本考案に係る熱処理装置の第3実施例の概要を示す側
断面図、第10図、は第9図のX−X断面図である。 1、41.71・・・加熱炉、3.5;43.45;7
3,75.・・・光源、11,51.81・・・ウェハ
、13,53,83・・・支持器、25.25’・・・
垂直方向に高さを有する壁面、33・・・切欠、37.
37’、59・・・水平方向に幅を有する壁面、31・
・・SiCコーティング。
Claims (9)
- (1)ウェハを収容する加熱炉と、ウェハの表裏各面に
それぞれ対向して配設された光源と前記加熱炉内でウェ
ハや支持する支持器とを備え、前記光源からの光照射に
よってウェハを加熱処理するようにした熱処理装置にお
いて、前記支持器にウェハの周縁を囲繞する環状体を形
成したことを特徴とする熱処理装置。 - (2)環状体は、支持器に支承されたウェハ平面に対し
て垂直方向に高さを有する壁面により形成されてなる実
用新案登録請求の範囲第1項記載の熱処理装置。 - (3)環状体は、支持器に支承されたウェハの表裏各面
とそれぞれ略同−面内で水平方向に幅を有する壁面と、
この壁面の外周縁に連接、前記ウェハ平面に対して垂直
方向に高さを有する壁面とから形成されてなる実用新案
登録請求の範囲第1項記載の熱処理装置。 - (4)垂直方向に高さを有する壁面には、ウェハ着脱用
の垂直方向に延びる切欠を設けてなる実用新案登録請求
の範囲第2項又は第3項記載の熱処理装置。 - (5)環状体は、支持器に支承されたウェハの表裏゛
各面とそれぞれ略同−面内で水平方向に幅を有する
壁面により形成されてなる実用新案登録請求の範囲第1
項記載の熱処理装置。 - (6)垂直方向に幅を有する壁面の内壁面側は、ウェハ
の光吸収率と略同等又はそれ以上の光吸収率を有する部
材で形成された実用新案登録請求の範囲第2項又は第3
項記載の熱処理装置。 - (7)垂直方向に高さを有する壁面の内壁面側は、。 光反射面とされた実用新案登録請求の範囲第2項又は第
3項記載の熱処理装置。 - (8) 水平方向に幅を有する壁面の内周縁部は、ウ
ェハの光吸収率と略同等又はそれ以上の光吸収率を有す
る部材で形成された実用新案登録第3項又は第5項記載
の熱処理装置。 - (9) 水平方向に幅を有する壁面の内周縁部は、光
反射面劣された実用新案登録請求の範囲第3項又は第5
項記載の熱処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5500584U JPS60167335U (ja) | 1984-04-14 | 1984-04-14 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5500584U JPS60167335U (ja) | 1984-04-14 | 1984-04-14 | 熱処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60167335U true JPS60167335U (ja) | 1985-11-06 |
Family
ID=30577273
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5500584U Pending JPS60167335U (ja) | 1984-04-14 | 1984-04-14 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60167335U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0338051A (ja) * | 1989-06-29 | 1991-02-19 | Applied Materials Inc | 半導体ウェーハのハンドリング方法及び装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS593935A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-10 | Ushio Inc | 半導体ウエハ−を光照射で加熱する方法 |
JPS59178718A (ja) * | 1983-03-29 | 1984-10-11 | Sony Corp | 半導体基体の処理装置 |
-
1984
- 1984-04-14 JP JP5500584U patent/JPS60167335U/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS593935A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-10 | Ushio Inc | 半導体ウエハ−を光照射で加熱する方法 |
JPS59178718A (ja) * | 1983-03-29 | 1984-10-11 | Sony Corp | 半導体基体の処理装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0338051A (ja) * | 1989-06-29 | 1991-02-19 | Applied Materials Inc | 半導体ウェーハのハンドリング方法及び装置 |
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