JPH0330448A - 異物検査装置 - Google Patents
異物検査装置Info
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- JPH0330448A JPH0330448A JP16592889A JP16592889A JPH0330448A JP H0330448 A JPH0330448 A JP H0330448A JP 16592889 A JP16592889 A JP 16592889A JP 16592889 A JP16592889 A JP 16592889A JP H0330448 A JPH0330448 A JP H0330448A
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- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 2
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 1
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 30
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
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- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体ウェーハ上の異物を検出する異物検査
に関するものである。
に関するものである。
従来の技術
近年、集積回路技術の高集積化により半導体ウェーハ上
に形成される素子のパターンは微細化の一途を辿ってい
る。このため、半導体ウェーハ上に異物が存在するとこ
れらの微細なパターン形成の妨げとなり、集積回路の歩
留りを低下させる。
に形成される素子のパターンは微細化の一途を辿ってい
る。このため、半導体ウェーハ上に異物が存在するとこ
れらの微細なパターン形成の妨げとなり、集積回路の歩
留りを低下させる。
このため、半導体ウェーハ上の微細な異物を検査し、こ
れらの異物の個数や、大きさおよび分布を管理すること
が必要である。従来、半導体ウェーハ上の異物検出には
レーザー光源を半導体ウェーハに入射させ、半導体ウェ
ーハ上に異物がある場合、このレーザー光が散乱するの
を検出するいわゆるレーザー散乱方式が用いられてきた
。
れらの異物の個数や、大きさおよび分布を管理すること
が必要である。従来、半導体ウェーハ上の異物検出には
レーザー光源を半導体ウェーハに入射させ、半導体ウェ
ーハ上に異物がある場合、このレーザー光が散乱するの
を検出するいわゆるレーザー散乱方式が用いられてきた
。
発明が解決しようとする課題
する能力が劣る領域が存在し、また従来レーザー光源と
して最もよく使用されているＨ ｅ −Ｎ ｏレーザー
の６３２．８ｎｍでは異物の大きさが０．２μｍφ以下
の非常に微細な異物を高精度に検出することができなか
った。また光の散乱を利用しているため半導体ウェーハ
上に各種の膜が存在した場合それぞれの膜により半導体
ウェー八表面の散乱状態が異なり正確な測定ができなか
った。
して最もよく使用されているＨ ｅ −Ｎ ｏレーザー
の６３２．８ｎｍでは異物の大きさが０．２μｍφ以下
の非常に微細な異物を高精度に検出することができなか
った。また光の散乱を利用しているため半導体ウェーハ
上に各種の膜が存在した場合それぞれの膜により半導体
ウェー八表面の散乱状態が異なり正確な測定ができなか
った。
本発明は異物検出に静′１Ｍ、容全の変化を用いること
により、光を用いた場合に起こる干渉や、半導体ウェー
ハ表面の反射率の影響をうけることなく、非常に微細な
異物から大きい異物まで高精度に検出する異物検査装置
である。
により、光を用いた場合に起こる干渉や、半導体ウェー
ハ表面の反射率の影響をうけることなく、非常に微細な
異物から大きい異物まで高精度に検出する異物検査装置
である。
課題を解決するための手段
本発明は測定対象である半導体ウェーハ上に静電容量を
検出するｅ電容量検出器を持ち、前記半導体ウェーハと
の間に静゛直容１の変化を検出することにより異物の検
出を行い、半導体ウェーハを移動または半導体ウェーハ
および静電容量検出器を移動させることによりウェーハ
上の異物を検査するものである。
検出するｅ電容量検出器を持ち、前記半導体ウェーハと
の間に静゛直容１の変化を検出することにより異物の検
出を行い、半導体ウェーハを移動または半導体ウェーハ
および静電容量検出器を移動させることによりウェーハ
上の異物を検査するものである。
作 用
本発明の異物検査装置によれば、静電容１の測定は高Ｉ
ｎ ”！−が得やすく、かつ静電容量の変化は直線性が
あるため非常に微細な異物を検出できるとともに、異物
の大きさを直線性よく検出できる。
ｎ ”！−が得やすく、かつ静電容量の変化は直線性が
あるため非常に微細な異物を検出できるとともに、異物
の大きさを直線性よく検出できる。
また、従来の光による方式では困雉であった半導体ウェ
ーハ上に各種の膜を有する場合の異物の検査も可能とな
り、高感度かつ高精度の異物検査装置を実現できる。
ーハ上に各種の膜を有する場合の異物の検査も可能とな
り、高感度かつ高精度の異物検査装置を実現できる。
実施例
以下、静電容量検出器を固定し、半導体ウェーハを移動
させてウェーハ上を走査する場合の実施例を第１図に示
す装置構成図に基づいて記述する。
させてウェーハ上を走査する場合の実施例を第１図に示
す装置構成図に基づいて記述する。
第１図において静電容量検出器１は支持アーム２の先端
に装備され半導体ウェーハ３上の１００〜２００μｍに
固定されている。一方、半導体ウェーハ３は導電性の支
持台４上に真空吸着されており、この支持台４はステッ
プモーター５によりそれ自身自転運動をしながら、Ｘ馳
駆動部θにょシｘ方向に移動する。これによシウェーハ
を静電容量検出器は螺旋状に走査する。もし、異物が静
電容量検出器と半導体ウェーハの間に存在すると、異物
がない場合に比べ静電容量検出器とウェーハ間の静電容
量が変化し、この変化により異物が検出される。ウェー
ハの回転は静電容量検出器とつ工−ハの間の線速度を一
定に保つため外周付近に比べ内周付近では回転数が速く
なる。一方、Ｘ方向にはウェーハが１回転するごとに約
２０μｍステップで移動する。このようにして、半導体
ウェーハ上を走査する。一方、静電容量検出器で得られ
た容危変化は静電容量演算器７および粒径換算器８を通
して異物の大きさの情報となる。また、同時に、ステッ
プモーターとＸ軸駆動部からは走査位置の情報が位置演
算器９に伝達され、異物の位置と大きさの情報がまとめ
て表示部１ｏに表示され、異物のウェーハ上マツプおよ
び異物の粒径ヒストグラムは表示される。
に装備され半導体ウェーハ３上の１００〜２００μｍに
固定されている。一方、半導体ウェーハ３は導電性の支
持台４上に真空吸着されており、この支持台４はステッ
プモーター５によりそれ自身自転運動をしながら、Ｘ馳
駆動部θにょシｘ方向に移動する。これによシウェーハ
を静電容量検出器は螺旋状に走査する。もし、異物が静
電容量検出器と半導体ウェーハの間に存在すると、異物
がない場合に比べ静電容量検出器とウェーハ間の静電容
量が変化し、この変化により異物が検出される。ウェー
ハの回転は静電容量検出器とつ工−ハの間の線速度を一
定に保つため外周付近に比べ内周付近では回転数が速く
なる。一方、Ｘ方向にはウェーハが１回転するごとに約
２０μｍステップで移動する。このようにして、半導体
ウェーハ上を走査する。一方、静電容量検出器で得られ
た容危変化は静電容量演算器７および粒径換算器８を通
して異物の大きさの情報となる。また、同時に、ステッ
プモーターとＸ軸駆動部からは走査位置の情報が位置演
算器９に伝達され、異物の位置と大きさの情報がまとめ
て表示部１ｏに表示され、異物のウェーハ上マツプおよ
び異物の粒径ヒストグラムは表示される。
発明の効果
以上のように、本発明の異物検査装置によれば、半導体
ウェーハ上の異物を高感度かつ高精度に検査することが
可能となる。
ウェーハ上の異物を高感度かつ高精度に検査することが
可能となる。
第１図は本発明による異物検査装置の溝造図を示したも
のである。 １・・・・・・静電容量検出器、２・・・・・・静電容
量検出器支持アーム、３・・・・・・半導体ウェーハ、
４・・・・・・支持台、５・・・・・・ステップモータ
ー、θ・・・・・・Ｘ軸駆動部、７・・・・・・静電容
量演算部、８・・・・・・粒径演算部、９・・・・・・
位置演算部、１ｏ・・・・・・表示部、１１・・・・・
・シャフト、１２・・・・・・異物。
のである。 １・・・・・・静電容量検出器、２・・・・・・静電容
量検出器支持アーム、３・・・・・・半導体ウェーハ、
４・・・・・・支持台、５・・・・・・ステップモータ
ー、θ・・・・・・Ｘ軸駆動部、７・・・・・・静電容
量演算部、８・・・・・・粒径演算部、９・・・・・・
位置演算部、１ｏ・・・・・・表示部、１１・・・・・
・シャフト、１２・・・・・・異物。
Claims (2)
- （１）半導体ウェーハ上の異物を非破壊に検出する異物
検査装置において、測定対象の半導体ウェーハ上に静電
容量を検出する検出器を有し、前記半導体ウェーハと静
電容量検出器との間の静電容量の変化により半導体ウェ
ーハ上の異物を検出し、前記の容量検出器を固定し、測
定ウェーハを移動させることによりウェーハ状をＸ−Ｙ
方向もしくは螺旋状に走査することにより半導体ウェー
ハ状の異物を検査することを特徴とする異物検査装置。 - （２）上記の走査方向で容量検出器を一方向に走査する
とともに半導体ウェーハを回転することにより螺旋状に
ウェーハ状を走査することを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の異物検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1165928A JP2563589B2 (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | 異物検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1165928A JP2563589B2 (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | 異物検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0330448A true JPH0330448A (ja) | 1991-02-08 |
| JP2563589B2 JP2563589B2 (ja) | 1996-12-11 |
Family
ID=15821674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1165928A Expired - Fee Related JP2563589B2 (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | 異物検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2563589B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004330162A (ja) * | 2003-05-12 | 2004-11-25 | Hugle Electronics Inc | 除塵装置用目詰まり検知装置 |
| JP2010511176A (ja) * | 2006-11-29 | 2010-04-08 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 半導体の製造中に不要パーティクルの存在を検出するための方法およびシステム |
| WO2011117943A1 (ja) * | 2010-03-25 | 2011-09-29 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 検査装置、及び検査方法 |
| US10042260B2 (en) | 2014-09-11 | 2018-08-07 | Asml Netherlands B.V. | Device for monitoring a radiation source, radiation source, method of monitoring a radiation source, device manufacturing method |
| CN109417039A (zh) * | 2016-06-20 | 2019-03-01 | 应用材料公司 | 具有电容式微传感器的晶片处理设备 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6373635A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-04 | Toshiba Corp | 半導体ウエハ表面検査用レ−ザビ−ムの走査方法および走査装置 |
| JPS63177002A (ja) * | 1987-01-17 | 1988-07-21 | Shinichi Tamura | 表面の検出方法およびそれに用いる顕微鏡 |
| JPS63223555A (ja) * | 1987-03-12 | 1988-09-19 | Sakabe Seigyo Giken:Kk | 静電容量形検出器 |
| JPS6410610U (ja) * | 1987-07-10 | 1989-01-20 |
-
1989
- 1989-06-28 JP JP1165928A patent/JP2563589B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6373635A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-04 | Toshiba Corp | 半導体ウエハ表面検査用レ−ザビ−ムの走査方法および走査装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2011117943A1 (ja) * | 2010-03-25 | 2011-09-29 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 検査装置、及び検査方法 |
| JP5492979B2 (ja) * | 2010-03-25 | 2014-05-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 検査装置 |
| US10042260B2 (en) | 2014-09-11 | 2018-08-07 | Asml Netherlands B.V. | Device for monitoring a radiation source, radiation source, method of monitoring a radiation source, device manufacturing method |
| CN109417039A (zh) * | 2016-06-20 | 2019-03-01 | 应用材料公司 | 具有电容式微传感器的晶片处理设备 |
| CN109417039B (zh) * | 2016-06-20 | 2024-02-23 | 应用材料公司 | 具有电容式微传感器的晶片处理设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2563589B2 (ja) | 1996-12-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |