JPS6373635A - 半導体ウエハ表面検査用レ−ザビ−ムの走査方法および走査装置 - Google Patents
半導体ウエハ表面検査用レ−ザビ−ムの走査方法および走査装置Info
- Publication number
- JPS6373635A JPS6373635A JP61218434A JP21843486A JPS6373635A JP S6373635 A JPS6373635 A JP S6373635A JP 61218434 A JP61218434 A JP 61218434A JP 21843486 A JP21843486 A JP 21843486A JP S6373635 A JPS6373635 A JP S6373635A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser beam
- wafer
- scanning
- semiconductor wafer
- deflection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 24
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title abstract description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 2
- WJDOMTAMQVNRCX-OBJOEFQTSA-N Isopolygonal Natural products C1=C(C=O)[C@@H](O)C[C@H]2C(C)(C)CCC[C@]21C WJDOMTAMQVNRCX-OBJOEFQTSA-N 0.000 abstract 1
- WJDOMTAMQVNRCX-DYEKYZERSA-N Polygonal Natural products C1=C(C=O)[C@H](O)C[C@H]2C(C)(C)CCC[C@]21C WJDOMTAMQVNRCX-DYEKYZERSA-N 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 51
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 9
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000000762 glandular Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
- G01N2201/10—Scanning
- G01N2201/104—Mechano-optical scan, i.e. object and beam moving
- G01N2201/1045—Spiral scan
Landscapes
- Immunology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体装置製造に際して半導体ウェハの表面
を検査するためにレーザビームを走査するための方法お
よび装置に関する。
を検査するためにレーザビームを走査するための方法お
よび装置に関する。
(従来の技術)
半導体ウェハ表面に付着した微小粒子(m埃等)や表面
に生じた欠陥を検出するためには、細く絞ったレーザビ
ームでウェハ表面を走査し、上記微小粒子や欠陥部から
散乱される散乱光を横用することが行なわれている。こ
の場合のレーザビーム走査方法は、従来、大別して次の
2通)に分かれる。(1)第1の方法は、レーザビーム
照射用の光学系を固定したままとし、第3図に示すよう
にウニ八11を搭載したステージを回転方向θおよび一
定方向Xに動かし、結果としてウニ八11上をレーザビ
ーム光で螺旋状の軌跡Aを描くように走査する。(2)
第2の方法は、第4図に示すようにウニ八1ノを搭載し
たステージを固定したままとし、ウニ八1ノ上をレーザ
ビーム光でX、Y方向にラスク走査する。あるいは、ス
テージを一定方向Yに動かしながら、ウェハ11上を上
記Y方向に直交する方向Xにレーザビーム光で走査し、
結果として図示Bのような軌跡を描くように走査する。
に生じた欠陥を検出するためには、細く絞ったレーザビ
ームでウェハ表面を走査し、上記微小粒子や欠陥部から
散乱される散乱光を横用することが行なわれている。こ
の場合のレーザビーム走査方法は、従来、大別して次の
2通)に分かれる。(1)第1の方法は、レーザビーム
照射用の光学系を固定したままとし、第3図に示すよう
にウニ八11を搭載したステージを回転方向θおよび一
定方向Xに動かし、結果としてウニ八11上をレーザビ
ーム光で螺旋状の軌跡Aを描くように走査する。(2)
第2の方法は、第4図に示すようにウニ八1ノを搭載し
たステージを固定したままとし、ウニ八1ノ上をレーザ
ビーム光でX、Y方向にラスク走査する。あるいは、ス
テージを一定方向Yに動かしながら、ウェハ11上を上
記Y方向に直交する方向Xにレーザビーム光で走査し、
結果として図示Bのような軌跡を描くように走査する。
このビーム光走査は、レーザビーム光41をポリゴンミ
ラー(多面回転鏡)42に照射し、その反射を利用して
行なうことができる。
ラー(多面回転鏡)42に照射し、その反射を利用して
行なうことができる。
ところで、従来のウニ八表面検査技術においては、wA
射面におけるレーザビーム光のスポット径は100μm
ψ 程度であシ、最高検出感度は0.3〜0.5μmφ
(φは検出粒子の直径)でありた、この程度の大きさの
スポット径のレーザビーム光を用いてウェハ全面を走査
する場合には、測定時間(走査に要する時間)も光学系
の設計技術上の問題も比較的容易に解決されていた。一
方、検出すべき塵埃とか欠陥の大きさが、ウェハパター
ンの微細化技術の進歩に伴なって益々小さくなシ、一層
高い検出感度が要求されてきている。この要求に応える
最も有効な方法は、レーザビーム光のビーム径を細く絞
つて単位面積当シの照射光強度を大きくすることである
。たとえば検出感度を0.1μmψにするためには、ビ
ームスポット径を10μmψに縮小する必要がある。し
かし、前述した従来のレーザビーム走査方法において、
ビームスポット径の縮小を行なおうとすると1次に述べ
るような問題点が生じてくる。 (1)@旋状にビーム
を走査する方法においては、ビームスポット径の縮小に
伴なって必然的に走査距離が長くなシ、測定時間。
射面におけるレーザビーム光のスポット径は100μm
ψ 程度であシ、最高検出感度は0.3〜0.5μmφ
(φは検出粒子の直径)でありた、この程度の大きさの
スポット径のレーザビーム光を用いてウェハ全面を走査
する場合には、測定時間(走査に要する時間)も光学系
の設計技術上の問題も比較的容易に解決されていた。一
方、検出すべき塵埃とか欠陥の大きさが、ウェハパター
ンの微細化技術の進歩に伴なって益々小さくなシ、一層
高い検出感度が要求されてきている。この要求に応える
最も有効な方法は、レーザビーム光のビーム径を細く絞
つて単位面積当シの照射光強度を大きくすることである
。たとえば検出感度を0.1μmψにするためには、ビ
ームスポット径を10μmψに縮小する必要がある。し
かし、前述した従来のレーザビーム走査方法において、
ビームスポット径の縮小を行なおうとすると1次に述べ
るような問題点が生じてくる。 (1)@旋状にビーム
を走査する方法においては、ビームスポット径の縮小に
伴なって必然的に走査距離が長くなシ、測定時間。
即ち走査時間が長くなシ、実用性を失なうことになる。
(2)ウェハ全面にわたってビームをX、Y方向に走査
する場合には、走査距離、即−ち振り幅が大きくなシ、
今後ウェハの大口径化が進むと益々振り幅が大きくなる
。ビームスポット径ヲ10μmψに絞るためには泪小光
学系を必要とするが、振り幅を大きくすると収差が犬き
くなシ、絞ること自体が困難となる。また、スポット内
部の照度分布もばらつき、このことは検出精度の低下を
きたす。
する場合には、走査距離、即−ち振り幅が大きくなシ、
今後ウェハの大口径化が進むと益々振り幅が大きくなる
。ビームスポット径ヲ10μmψに絞るためには泪小光
学系を必要とするが、振り幅を大きくすると収差が犬き
くなシ、絞ること自体が困難となる。また、スポット内
部の照度分布もばらつき、このことは検出精度の低下を
きたす。
また、振り幅が大きいと、ウェハ中央ではビーム断面が
真円であっても、ウェハ端部ではビーム断面が楕円にな
シ、このことは検出感度がウェハ上の測定位[Kよシ異
ってくることを意味している。
真円であっても、ウェハ端部ではビーム断面が楕円にな
シ、このことは検出感度がウェハ上の測定位[Kよシ異
ってくることを意味している。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明は、上記したように検出感度を上げるために細く
絞ったビームスポットを用いることに伴危う問題点を解
決すべくなされたもので、ウェハ全面を短かい走査時間
で走査でき、しかも光学系を技術的に容易なレベルで達
成し得る半導体ウェハ表面検査用レーザビームの走査方
法および走査装置を提供することを目的とするものであ
る。
絞ったビームスポットを用いることに伴危う問題点を解
決すべくなされたもので、ウェハ全面を短かい走査時間
で走査でき、しかも光学系を技術的に容易なレベルで達
成し得る半導体ウェハ表面検査用レーザビームの走査方
法および走査装置を提供することを目的とするものであ
る。
(問題点を解決するための手段)
本発明の半導体ウェハ表面検査用レーザビームの走査方
法は、半導体ウェハを回転させながら。
法は、半導体ウェハを回転させながら。
半導体ウェハ表面上で上記回転の方向に直交する方向へ
一定の振9幅でレーザビームの線状走査を繰り返し、上
記回転の一周毎に上記振り幅だけ半導体ウェハを上記線
状走査の方向またはその逆方向へ移動させることを特徴
とする。
一定の振9幅でレーザビームの線状走査を繰り返し、上
記回転の一周毎に上記振り幅だけ半導体ウェハを上記線
状走査の方向またはその逆方向へ移動させることを特徴
とする。
また、本発明の半導体ウェハ表面検査用レーザビームの
走査装置は、半導体ウェハを搭載し、この半導体ウェハ
を回転させると共に1回転毎に回転方向に直交する一定
方向へ一定量移動させるステージと、レーザビーム光源
からの照射光を反射させ、上記半導体ウェハ上で上記一
定方向における一定量の振力幅での反射光による線状走
査を繰り返させるポリゴンミラーとを具備することを特
徴とする。
走査装置は、半導体ウェハを搭載し、この半導体ウェハ
を回転させると共に1回転毎に回転方向に直交する一定
方向へ一定量移動させるステージと、レーザビーム光源
からの照射光を反射させ、上記半導体ウェハ上で上記一
定方向における一定量の振力幅での反射光による線状走
査を繰り返させるポリゴンミラーとを具備することを特
徴とする。
(作用)
上記本発明の走査方法においては、レーザビームスポッ
トは一定量の振力幅での線状走査を繰り返しながらウェ
ハの回転に伴なって円周運動を行なうので、ビームスポ
ット径を絞った場合でもウェハ全面をほぼ螺旋状に短時
間で走査することが可能になる。この場合、ビームの振
9幅はウェハの直径よ)短かくてよく、ビーム走査位置
によるビーム形状とかビームスポット径の変化が殆んど
問題にならず、ウニへ表面検出感度はビーム走査位置に
よつて変化せずに均一に得られる。
トは一定量の振力幅での線状走査を繰り返しながらウェ
ハの回転に伴なって円周運動を行なうので、ビームスポ
ット径を絞った場合でもウェハ全面をほぼ螺旋状に短時
間で走査することが可能になる。この場合、ビームの振
9幅はウェハの直径よ)短かくてよく、ビーム走査位置
によるビーム形状とかビームスポット径の変化が殆んど
問題にならず、ウニへ表面検出感度はビーム走査位置に
よつて変化せずに均一に得られる。
一方、上記走査方法に使用される本発明の走査装置にお
いては、ステージは回転と一回転毎に一定方向への一定
量の直線移動するものでおシ、ポリゴンミラーはレーザ
ビームを一定量の振#)幅で繰り返し巌状走査させるも
ので1Lこれらを実現する上で機械系、光学系とも技術
的に容易なレベルで達成することが可能である。
いては、ステージは回転と一回転毎に一定方向への一定
量の直線移動するものでおシ、ポリゴンミラーはレーザ
ビームを一定量の振#)幅で繰り返し巌状走査させるも
ので1Lこれらを実現する上で機械系、光学系とも技術
的に容易なレベルで達成することが可能である。
(実施例)
以下1図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
る。
第1図は牛導体つニへ表面検査用レーザビームの走査装
置を概略的に示している。即ち、1ノは半導体ウェハで
あって、ステージ(図示せず)上に搭載されている。こ
のステージは、回転および一定方向の直線移動が可能で
あり、一定速度で回転しながら一回転毎に回転方向θに
直交する一定方向Xに一定量づつ移動するように駆動制
御される。一方、12はポリゴンミラーであり、レーザ
ビーム光源からのレーザビーム照射光13を前記ウェハ
1ノの表面に向けて反射させる位置で回転するように設
げられておシ、このポリゴンミラー12によってウェハ
表面上に一定の振p幅Wで前記一定方向Xに向ってレー
ザビームの腺状走fyt繰夛返すことが可能になつてい
る。なお、14は上記ポリゴンミラー12とウニ八11
との間に設けられた集束レンズ(たとえばfθレンズ)
でおシ、ポリゴンミラー12による反射f、151を均
一に集束するためのもので69.これによってポリゴン
ミラー12C)回転に伴なうビーム走査位置の変化がら
つてもビームの形状およびビーム径が変化することはな
い、また、ウニ八表面に照射されたレーザビーム光がウ
ニ八表面に付層している塵次に、上記レーザビーム走査
装置を用いたレーザビーム走査方法およびウェハ表面検
査方法を説明する。ステージによシウエハ1ノをθ方向
に回転させながら、ポリゴンミラー12によυレーザビ
ームをウェハ面上でX方向に同って振り幅Wで図示Cの
如く線状走査させる動作を繰り返し行ない、ウニ八表面
からの散乱光を表面検査装置で検出する。このようにし
てウェハ表面上の一周分の測定が終了したら、振り幅W
分だけステージをX方向に移動させる。次に、ウェハ表
面上のさらに1周分について前述したよりな振り幅Wで
のレーザビームの線状走査を繰り返し行なって測定を行
ない、このよりな1周分の測定毎にステージをX方向に
移動させてウェハ内周側からウェハ外周側までのウェハ
全面にわ九って測定を行なり。この場合におけるウェハ
上のビーム走査の軌跡りを第2図中に示しておシ、ビー
ムスポットは、振り幅Wの線状走査を繰9返しながらウ
エノ・11の回転に伴なって円周運動を行なうので、全
体としてほぼ螺旋軌道を描くように走査する。tた。ビ
ームの損υ幅Wはウェハ1ノの直径よシ短かくてよく。
置を概略的に示している。即ち、1ノは半導体ウェハで
あって、ステージ(図示せず)上に搭載されている。こ
のステージは、回転および一定方向の直線移動が可能で
あり、一定速度で回転しながら一回転毎に回転方向θに
直交する一定方向Xに一定量づつ移動するように駆動制
御される。一方、12はポリゴンミラーであり、レーザ
ビーム光源からのレーザビーム照射光13を前記ウェハ
1ノの表面に向けて反射させる位置で回転するように設
げられておシ、このポリゴンミラー12によってウェハ
表面上に一定の振p幅Wで前記一定方向Xに向ってレー
ザビームの腺状走fyt繰夛返すことが可能になつてい
る。なお、14は上記ポリゴンミラー12とウニ八11
との間に設けられた集束レンズ(たとえばfθレンズ)
でおシ、ポリゴンミラー12による反射f、151を均
一に集束するためのもので69.これによってポリゴン
ミラー12C)回転に伴なうビーム走査位置の変化がら
つてもビームの形状およびビーム径が変化することはな
い、また、ウニ八表面に照射されたレーザビーム光がウ
ニ八表面に付層している塵次に、上記レーザビーム走査
装置を用いたレーザビーム走査方法およびウェハ表面検
査方法を説明する。ステージによシウエハ1ノをθ方向
に回転させながら、ポリゴンミラー12によυレーザビ
ームをウェハ面上でX方向に同って振り幅Wで図示Cの
如く線状走査させる動作を繰り返し行ない、ウニ八表面
からの散乱光を表面検査装置で検出する。このようにし
てウェハ表面上の一周分の測定が終了したら、振り幅W
分だけステージをX方向に移動させる。次に、ウェハ表
面上のさらに1周分について前述したよりな振り幅Wで
のレーザビームの線状走査を繰り返し行なって測定を行
ない、このよりな1周分の測定毎にステージをX方向に
移動させてウェハ内周側からウェハ外周側までのウェハ
全面にわ九って測定を行なり。この場合におけるウェハ
上のビーム走査の軌跡りを第2図中に示しておシ、ビー
ムスポットは、振り幅Wの線状走査を繰9返しながらウ
エノ・11の回転に伴なって円周運動を行なうので、全
体としてほぼ螺旋軌道を描くように走査する。tた。ビ
ームの損υ幅Wはウェハ1ノの直径よシ短かくてよく。
検出感度0.1μmψを得るためにスポット径をたとえ
ば10μmψに絞った場合におけるレーザビームの振り
幅は10鵡〜15臥が最適である。この程度の振り幅W
であれば、ポリゴンミラー12で振られたビームは、前
記集束レンズ14によシ均一に集束され、ビーム走査に
よる位置の変化があってもビーム形状とかビームスポッ
ト径が変化することはないのでウェハ表面検出感度は均
一に得られる。
ば10μmψに絞った場合におけるレーザビームの振り
幅は10鵡〜15臥が最適である。この程度の振り幅W
であれば、ポリゴンミラー12で振られたビームは、前
記集束レンズ14によシ均一に集束され、ビーム走査に
よる位置の変化があってもビーム形状とかビームスポッ
ト径が変化することはないのでウェハ表面検出感度は均
一に得られる。
上記実施例のように、スポット径を10μmψに絞った
レーザビームをポリゴンミラーによυ、たとえば15膓
の振り幅で緑夛返し線状走査させながら全体としてウェ
ハ面上にほぼ螺旋状のビーム走査を行なう走査方法によ
れば、6インチウェハ全面を走査するのにポリゴンミラ
ーの回転数が200 Orpmとして走査時間は僅か3
0秒でbった。
レーザビームをポリゴンミラーによυ、たとえば15膓
の振り幅で緑夛返し線状走査させながら全体としてウェ
ハ面上にほぼ螺旋状のビーム走査を行なう走査方法によ
れば、6インチウェハ全面を走査するのにポリゴンミラ
ーの回転数が200 Orpmとして走査時間は僅か3
0秒でbった。
また、このときのビームスポット径の変化は±10%以
内であった。これに対しで、上記と同じ条件で従来例の
螺旋状走査方法によシビーム走査を行なうと、ウェハ全
面の走査に要する時間は約5分であシ、この従来例の方
法に比べて上Bピ実施例の方法によれば走査時間が約1
/8に短縮している。
内であった。これに対しで、上記と同じ条件で従来例の
螺旋状走査方法によシビーム走査を行なうと、ウェハ全
面の走査に要する時間は約5分であシ、この従来例の方
法に比べて上Bピ実施例の方法によれば走査時間が約1
/8に短縮している。
また、上記したようなレーザビーム走査方法で使用され
るレーザビーム走査装Wtは、 半導体ウェハを回転方
向θおよびこれに直交する一定方向XK移動させるステ
ージと、一定の振ル@Wでレーft’−ムの線状走査を
繰り返させるポリゴンミ2−とを主要な何故とするもの
であり、機械系、光学系とも技術的に安づ品なレベルで
達成できるので比較的安価に実現可能である。
るレーザビーム走査装Wtは、 半導体ウェハを回転方
向θおよびこれに直交する一定方向XK移動させるステ
ージと、一定の振ル@Wでレーft’−ムの線状走査を
繰り返させるポリゴンミ2−とを主要な何故とするもの
であり、機械系、光学系とも技術的に安づ品なレベルで
達成できるので比較的安価に実現可能である。
なお、本発明は上記実施例に限らず、牛導体りエハの一
回転毎に前記一定方向Xとは逆方向にクエハを移動させ
るようにしてもよい。
回転毎に前記一定方向Xとは逆方向にクエハを移動させ
るようにしてもよい。
また、ウニ八面上のビーム走査位置がウェハ外周側であ
るかウェハ内周側であるかに応じてウニへ回転速夏を変
化させることによってウェハ全面をほぼ均一な密度でビ
ーム走査するようにしてもよい。
るかウェハ内周側であるかに応じてウニへ回転速夏を変
化させることによってウェハ全面をほぼ均一な密度でビ
ーム走査するようにしてもよい。
上述したように本発明の半導体ウニ八表面検査用レーザ
ビームの走査方法および走査装置によれば、ウェハ全面
をビーム走査するのに必要な時間を著しく短縮でき、し
かもビーム走査に必要な機械系、光学系を技術的に安易
なレベルで達成できるので、牛導体つニへ表面検査工程
のコストを著しく低減することができる。
ビームの走査方法および走査装置によれば、ウェハ全面
をビーム走査するのに必要な時間を著しく短縮でき、し
かもビーム走査に必要な機械系、光学系を技術的に安易
なレベルで達成できるので、牛導体つニへ表面検査工程
のコストを著しく低減することができる。
第1図は本発明の牛導体りエへ表面検丘用レーザビーム
の走査装置の一笑施例を概略的に示す構成説明図、第2
図は第1図の装置を用いたレーザビーム走査方法による
ウェハ上のビーム走査軌跡を示す図、第3図および第4
図はそれぞれ従来の半導体ウニ八表面検査用レーザビー
ムの走査方法を示す図である。 1ノ・・・半導体ウェハ、12・・・ポリゴンミラー、
θ・・・ウニ八回転方向、X・・・ウェハ移動方向、W
・・・レーザビーム線状走査の振り幅、C,D・・・レ
ーザビーム走査の軌跡。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第2図 第3図 第4図
の走査装置の一笑施例を概略的に示す構成説明図、第2
図は第1図の装置を用いたレーザビーム走査方法による
ウェハ上のビーム走査軌跡を示す図、第3図および第4
図はそれぞれ従来の半導体ウニ八表面検査用レーザビー
ムの走査方法を示す図である。 1ノ・・・半導体ウェハ、12・・・ポリゴンミラー、
θ・・・ウニ八回転方向、X・・・ウェハ移動方向、W
・・・レーザビーム線状走査の振り幅、C,D・・・レ
ーザビーム走査の軌跡。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第2図 第3図 第4図
Claims (2)
- (1)半導体ウェハを回転させながら、半導体ウェハ表
面上で上記回転の方向に直交する方向へ一定の振り幅で
レーザビームの線状走査を繰り返し、上記回転の一周毎
に上記振り幅だけ半導体ウェハを上記線状走査の方向ま
たはその逆方向へ移動させることによつて、上記半導体
ウェハの表面に対してレーザビームをほぼ螺旋状に走査
するようにしたことを特徴とする半導体ウェハ表面検査
用レーザビームの走査方法。 - (2)半導体ウェハを搭載し、この半導体ウェハを回転
させると共に1回転毎に回転方向に直交する一定方向へ
一定量移動させるステージと、レーザビーム光源からの
照射光を反射させ、上記半導体ウェハ上で上記一定方向
における一定量の振り幅での反射光による線状走査を繰
り返させるポリゴンミラーとを具備することを特徴とす
る半導体ウェハ表面検査用レーザビームの走査装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61218434A JPS6373635A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 半導体ウエハ表面検査用レ−ザビ−ムの走査方法および走査装置 |
EP87112749A EP0260522B1 (en) | 1986-09-17 | 1987-09-01 | Method and apparatus for scanning a laser beam to examine the surface of semiconductor wafer |
DE8787112749T DE3784989T2 (de) | 1986-09-17 | 1987-09-01 | Verfahren und vorrichtung zum pruefen der oberflaeche von halbleiterwafern mittels laserabtastung. |
US07/091,867 US4800268A (en) | 1986-09-17 | 1987-09-01 | Method and apparatus for scanning a laser beam to examine the surface of semiconductor wafer |
KR1019870010249A KR900007148B1 (ko) | 1986-09-17 | 1987-09-16 | 반도체웨이퍼표면검사용 레이저빔의 주사장치 및 주사방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61218434A JPS6373635A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 半導体ウエハ表面検査用レ−ザビ−ムの走査方法および走査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6373635A true JPS6373635A (ja) | 1988-04-04 |
JPH0567062B2 JPH0567062B2 (ja) | 1993-09-24 |
Family
ID=16719850
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61218434A Granted JPS6373635A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 半導体ウエハ表面検査用レ−ザビ−ムの走査方法および走査装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4800268A (ja) |
EP (1) | EP0260522B1 (ja) |
JP (1) | JPS6373635A (ja) |
KR (1) | KR900007148B1 (ja) |
DE (1) | DE3784989T2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0330448A (ja) * | 1989-06-28 | 1991-02-08 | Matsushita Electron Corp | 異物検査装置 |
US6636302B2 (en) | 1994-12-08 | 2003-10-21 | Kla-Tencor Corporation | Scanning system for inspecting anamolies on surfaces |
US6888627B2 (en) | 1996-06-04 | 2005-05-03 | Kla-Tencor Corporation | Optical scanning system for surface inspection |
US7084967B2 (en) | 1994-12-08 | 2006-08-01 | KLA —Tencor Corporation | Scanning system for inspecting anomalies on surfaces |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7397042B2 (en) * | 2005-08-24 | 2008-07-08 | Dr. Chip Biotechnology Incorporation | Optical detection apparatus and method thereof |
US9063534B2 (en) | 2010-10-13 | 2015-06-23 | Mbda Uk Limited | Workpiece positioning method and apparatus |
US9965848B2 (en) * | 2015-12-23 | 2018-05-08 | Kla-Tencor Corporation | Shape based grouping |
JP6997566B2 (ja) * | 2017-09-14 | 2022-01-17 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4910739A (ja) * | 1972-05-26 | 1974-01-30 | ||
JPS59107513A (ja) * | 1982-12-13 | 1984-06-21 | Toshiba Mach Co Ltd | 電子ビ−ム描画装置の偏向電圧発生装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3790287A (en) * | 1972-03-31 | 1974-02-05 | Western Electric Co | Surface inspection with scanned focused light beams |
US4367952A (en) * | 1981-03-30 | 1983-01-11 | Polygram Gmbh | Centering device for the manufacture of a center hole in disks |
US4378159A (en) * | 1981-03-30 | 1983-03-29 | Tencor Instruments | Scanning contaminant and defect detector |
DE3147355C2 (de) * | 1981-11-30 | 1986-05-07 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum Justieren des Bezugssystems eines vorprogrammierbaren Strahlenablenksystems eines im Riesenimpulsbetrieb arbeitenden Lasergerätes |
JPH0616478B2 (ja) * | 1983-12-19 | 1994-03-02 | 株式会社ニコン | 投影露光装置の位置合せ装置 |
DE3422143A1 (de) * | 1984-06-14 | 1985-12-19 | Josef Prof. Dr. Bille | Geraet zur wafer-inspektion |
US4682037A (en) * | 1984-07-10 | 1987-07-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus having an alignment light of a wavelength other than that of the exposure light |
JPS61121437A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-09 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影型露光装置 |
DE3662731D1 (en) * | 1985-02-04 | 1989-05-11 | Olympus Optical Co | Microscope apparatus for examining wafer |
-
1986
- 1986-09-17 JP JP61218434A patent/JPS6373635A/ja active Granted
-
1987
- 1987-09-01 DE DE8787112749T patent/DE3784989T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-09-01 US US07/091,867 patent/US4800268A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-09-01 EP EP87112749A patent/EP0260522B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-09-16 KR KR1019870010249A patent/KR900007148B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4910739A (ja) * | 1972-05-26 | 1974-01-30 | ||
JPS59107513A (ja) * | 1982-12-13 | 1984-06-21 | Toshiba Mach Co Ltd | 電子ビ−ム描画装置の偏向電圧発生装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0330448A (ja) * | 1989-06-28 | 1991-02-08 | Matsushita Electron Corp | 異物検査装置 |
US6636302B2 (en) | 1994-12-08 | 2003-10-21 | Kla-Tencor Corporation | Scanning system for inspecting anamolies on surfaces |
US7084967B2 (en) | 1994-12-08 | 2006-08-01 | KLA —Tencor Corporation | Scanning system for inspecting anomalies on surfaces |
US6888627B2 (en) | 1996-06-04 | 2005-05-03 | Kla-Tencor Corporation | Optical scanning system for surface inspection |
US7075637B2 (en) | 1996-06-04 | 2006-07-11 | Kla-Tencor Corporation | Optical scanning system for surface inspection |
US7477372B2 (en) | 1996-06-04 | 2009-01-13 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Optical scanning system for surface inspection |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR900007148B1 (ko) | 1990-09-29 |
EP0260522A3 (en) | 1990-04-25 |
JPH0567062B2 (ja) | 1993-09-24 |
EP0260522B1 (en) | 1993-03-24 |
US4800268A (en) | 1989-01-24 |
EP0260522A2 (en) | 1988-03-23 |
KR880004548A (ko) | 1988-06-07 |
DE3784989D1 (de) | 1993-04-29 |
DE3784989T2 (de) | 1993-08-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7084967B2 (en) | Scanning system for inspecting anomalies on surfaces | |
JP4090069B2 (ja) | 表面の異常を検出するための光学システムおよび方法 | |
KR101058800B1 (ko) | 레이저 다이싱장치 | |
WO2012145966A1 (zh) | 晶圆检测方法以及晶圆检测装置 | |
JPS6373635A (ja) | 半導体ウエハ表面検査用レ−ザビ−ムの走査方法および走査装置 | |
JP2594685B2 (ja) | ウェーハスリップラインの検査方法 | |
CN113884505B (zh) | 球面元件表面缺陷散射探测装置和测量方法 | |
JP4841458B2 (ja) | 結晶試料の形状評価方法および形状評価装置、プログラム | |
CN101033947A (zh) | 基于旋转y型光纤的三维变形测量*** | |
JPS61288143A (ja) | 表面検査装置 | |
JP2716278B2 (ja) | 定置式バーコード読取装置 | |
CN110208272A (zh) | 一种表面检测装置及方法 | |
JPS61133843A (ja) | 表面検査装置 | |
CN107861239A (zh) | 一种基于两节连杆实现光束扫描的方法与装置 | |
CN217881410U (zh) | 晶圆划伤的检测装置 | |
JPS61267728A (ja) | 高速作動に好適な投光用光学装置 | |
JPH08265931A (ja) | レーザ加工装置 | |
JPH04255819A (ja) | 光ビ−ムの走査装置 | |
JPH10202477A (ja) | スローアウェイチップの検査方法および検査装置 | |
JPS58151544A (ja) | 暗視野像による欠陥検査装置 | |
KR20180087935A (ko) | 스캐닝 미러를 이용한 레이저 가공장치 및 가공방법 | |
JPS6023689Y2 (ja) | 微小凹凸の検出装置 | |
JPH09159619A (ja) | 基板表面の欠陥検査装置 | |
CN114899121A (zh) | 晶圆划伤的检测装置 | |
JPH0534621A (ja) | 光走査装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |