JP2563589B2 - 異物検査装置 - Google Patents
異物検査装置Info
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- JP2563589B2 JP2563589B2 JP1165928A JP16592889A JP2563589B2 JP 2563589 B2 JP2563589 B2 JP 2563589B2 JP 1165928 A JP1165928 A JP 1165928A JP 16592889 A JP16592889 A JP 16592889A JP 2563589 B2 JP2563589 B2 JP 2563589B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体ウェーハ上の異物を検出する異物検
査に関するものである。
査に関するものである。
従来の技術 近年、集積回路技術の高集積化により半導体ウェーハ
上に形成される素子のパターンは微細化の一途を辿って
いる。このため、半導体ウェーハ上に異物が存在すると
これらの微細なパターン形成の妨げとなり、集積回路の
歩留りを低下させる。ことため、半導体ウェーハ上の微
細な異物を検査し、これらの異物の個数や、大きさおよ
び分布を管理することが必要である。従来、半導体ウェ
ーハ上の異物検出にはレーザー光源を半導体ウェーハに
入射させ、半導体ウェーハ上に異物がある場合、このレ
ーザー光が散乱するのを検出するいわゆるレーザー散乱
方式が用いられてきた。
上に形成される素子のパターンは微細化の一途を辿って
いる。このため、半導体ウェーハ上に異物が存在すると
これらの微細なパターン形成の妨げとなり、集積回路の
歩留りを低下させる。ことため、半導体ウェーハ上の微
細な異物を検査し、これらの異物の個数や、大きさおよ
び分布を管理することが必要である。従来、半導体ウェ
ーハ上の異物検出にはレーザー光源を半導体ウェーハに
入射させ、半導体ウェーハ上に異物がある場合、このレ
ーザー光が散乱するのを検出するいわゆるレーザー散乱
方式が用いられてきた。
発明が解決しようとする課題 従来のレーザー散乱による異物検査方式では光源に単
一波長の光源をもちいるため異物の大きさにより散乱光
が干渉を起こし異物の大きさを弁別する能力が劣る領域
が存在し、また従来レーザー光源として最もよく使用さ
れているHe−Neレーザーの632.8nmでは異物の大きさが
0.2μｍφ以下の非常に微細な異物を高精度に検出する
ことができなかった。また光の散乱を利用しているため
半導体ウェーハ上に各種の膜が存在した場合それぞれの
膜により半導体ウェーハ表面の散乱状態が異なり正確な
測定ができなかった。
一波長の光源をもちいるため異物の大きさにより散乱光
が干渉を起こし異物の大きさを弁別する能力が劣る領域
が存在し、また従来レーザー光源として最もよく使用さ
れているHe−Neレーザーの632.8nmでは異物の大きさが
0.2μｍφ以下の非常に微細な異物を高精度に検出する
ことができなかった。また光の散乱を利用しているため
半導体ウェーハ上に各種の膜が存在した場合それぞれの
膜により半導体ウェーハ表面の散乱状態が異なり正確な
測定ができなかった。
本発明は異物検出に静電容量の変化を用いることによ
り、光を用いた場合に起る干渉や、半導体ウェーハ表面
の反射率の影響をうけることなく、非常に微細な異物か
ら大きい異物まで高精度に検出する異物検査装置であ
る。
り、光を用いた場合に起る干渉や、半導体ウェーハ表面
の反射率の影響をうけることなく、非常に微細な異物か
ら大きい異物まで高精度に検出する異物検査装置であ
る。
課題を解決するための手段 本発明は測定対象の半導体ウェーハを載置する台を兼
ねた第１の電極と前記半導体ウェーハの上に設置された
平板型の第２の電極とにより静電容量を検出する検出器
と、前記半導体ウェーハと前記検出器との間の静電容量
の変化により前記半導体ウェーハ上の異物を検出するに
際し、前記第２の電極を固定し、前記半導体ウェーハを
載置した前記第１の電極を移動させることにより前記半
導体ウェーハ上をＸ−Ｙ方向に走査させる手段とを備え
たものであるか、または静電容量を検出する第１の電極
を回転させながら一水平方向に移動させることにより螺
旋状に前記半導体ウェーハ上を走査させる手段を備えた
ものである 作用 本発明の異物検査装置によれば、静電容量の測定は高
精度が得やすく、かつ静電容量の変化は直線性があるた
め非常に微細な異物を検出できるとともに、異物の大き
さを直線性よく検出できる。また、従来の光による方式
では困難であった半導体ウェーハ上に各種の膜を有する
場合の異物の検査も可能となり、高感度かつ高精度の異
物検査装置を実現できる。
ねた第１の電極と前記半導体ウェーハの上に設置された
平板型の第２の電極とにより静電容量を検出する検出器
と、前記半導体ウェーハと前記検出器との間の静電容量
の変化により前記半導体ウェーハ上の異物を検出するに
際し、前記第２の電極を固定し、前記半導体ウェーハを
載置した前記第１の電極を移動させることにより前記半
導体ウェーハ上をＸ−Ｙ方向に走査させる手段とを備え
たものであるか、または静電容量を検出する第１の電極
を回転させながら一水平方向に移動させることにより螺
旋状に前記半導体ウェーハ上を走査させる手段を備えた
ものである 作用 本発明の異物検査装置によれば、静電容量の測定は高
精度が得やすく、かつ静電容量の変化は直線性があるた
め非常に微細な異物を検出できるとともに、異物の大き
さを直線性よく検出できる。また、従来の光による方式
では困難であった半導体ウェーハ上に各種の膜を有する
場合の異物の検査も可能となり、高感度かつ高精度の異
物検査装置を実現できる。
実 施 例 以下、静電容量検出器を固定し、半導体ウェーハを移
動させてウェーハ上を走査する場合の実施例を第１図に
示す装置構成図に基づいて記述する。
動させてウェーハ上を走査する場合の実施例を第１図に
示す装置構成図に基づいて記述する。
第１図において静電容量検出器１は支持アーム２の先
端に装備され半導体ウェーハ３上の100〜200μｍに固定
されている。一方、半導体ウェーハ３は導電性の支持台
４上に真空吸着されており、この支持台４はステップモ
ーター５によりそれ自身自転運動をしながら、Ｘ軸駆動
部６によりＸ方向に移動する。これによりウェーハを静
電容量検出器は螺旋状に走査する。もし、異物が静電容
量検出器と半導体ウェーハの間に存在すると、異物がな
い場合に比べ静電容量検出器とウェーハ間の静電容量が
変化し、この変化により異物が検出される。ウェーハの
回転は静電容量検出器とウェーハの間の線速度を一定に
保つため外周付近に比べ内周付近では回転数が速くな
る。一方、Ｘ方向にはウェーハが１回転するごとに約20
μｍステップで移動する。このようにして、半導体ウェ
ーハ上を走査する。一方、静電容量検出器で得られた容
量変化は静電容量演算器７および粒径換算器８を通して
異物の大きさの情報となる。また、同時に、ステップモ
ーターとＸ軸駆動部からは走査位置の情報が位置演算器
９に伝達され、異物の位置と大きさの情報がまとめて表
示部10に表示され、異物のウェーハ上マップおよび異物
の粒径ヒストグラムは表示される。
端に装備され半導体ウェーハ３上の100〜200μｍに固定
されている。一方、半導体ウェーハ３は導電性の支持台
４上に真空吸着されており、この支持台４はステップモ
ーター５によりそれ自身自転運動をしながら、Ｘ軸駆動
部６によりＸ方向に移動する。これによりウェーハを静
電容量検出器は螺旋状に走査する。もし、異物が静電容
量検出器と半導体ウェーハの間に存在すると、異物がな
い場合に比べ静電容量検出器とウェーハ間の静電容量が
変化し、この変化により異物が検出される。ウェーハの
回転は静電容量検出器とウェーハの間の線速度を一定に
保つため外周付近に比べ内周付近では回転数が速くな
る。一方、Ｘ方向にはウェーハが１回転するごとに約20
μｍステップで移動する。このようにして、半導体ウェ
ーハ上を走査する。一方、静電容量検出器で得られた容
量変化は静電容量演算器７および粒径換算器８を通して
異物の大きさの情報となる。また、同時に、ステップモ
ーターとＸ軸駆動部からは走査位置の情報が位置演算器
９に伝達され、異物の位置と大きさの情報がまとめて表
示部10に表示され、異物のウェーハ上マップおよび異物
の粒径ヒストグラムは表示される。
発明の効果 以上のように、本発明の異物検査装置によれば、半導
体ウェーハ上の異物を高感度かつ高精度に検査すること
が可能となる。
体ウェーハ上の異物を高感度かつ高精度に検査すること
が可能となる。
第１図は本発明による異物検査装置の構造図を示したも
のである。 １……静電容量検出器、２……静電容量検出器支持アー
ム、３……半導体ウェーハ、４……支持台、５……ステ
ップモーター、６……Ｘ軸駆動部、７……静電容量演算
部、８……粒径演算部、９……位置演算部、10……表示
部、11……シャフト、12……異物。
のである。 １……静電容量検出器、２……静電容量検出器支持アー
ム、３……半導体ウェーハ、４……支持台、５……ステ
ップモーター、６……Ｘ軸駆動部、７……静電容量演算
部、８……粒径演算部、９……位置演算部、10……表示
部、11……シャフト、12……異物。
Claims (2)
- 【請求項１】測定対象の半導体ウェーハを載置する台を
兼ねた第１の電極と前記半導体ウェーハの上に設置され
た平板型の第２の電極とにより静電容量を検出する検出
器と、前記半導体ウェーハと前記検出器との間の静電容
量の変化により前記半導体ウェーハ上の異物を検出する
に際し、前記第２の電極を固定し、前記半導体ウェーハ
を載置した前記第１の電極を移動させることにより前記
半導体ウェーハ上をＸ−Ｙ方向に走査させる手段とを備
えたことを特徴とする異物検査装置。 - 【請求項２】静電容量を検出する第１の電極を回転させ
ながら一水平方向に移動させることにより螺旋状に前記
半導体ウェーハ上を走査させる手段を備えたことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の異物検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1165928A JP2563589B2 (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | 異物検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1165928A JP2563589B2 (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | 異物検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0330448A JPH0330448A (ja) | 1991-02-08 |
| JP2563589B2 true JP2563589B2 (ja) | 1996-12-11 |
Family
ID=15821674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1165928A Expired - Fee Related JP2563589B2 (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | 異物検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2563589B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004330162A (ja) * | 2003-05-12 | 2004-11-25 | Hugle Electronics Inc | 除塵装置用目詰まり検知装置 |
| US7986146B2 (en) * | 2006-11-29 | 2011-07-26 | Globalfoundries Inc. | Method and system for detecting existence of an undesirable particle during semiconductor fabrication |
| WO2011117943A1 (ja) * | 2010-03-25 | 2011-09-29 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 検査装置、及び検査方法 |
| KR20170051514A (ko) | 2014-09-11 | 2017-05-11 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 방사선 소스를 모니터링하는 디바이스, 방사선 소스, 방사선 소스를 모니터링하는 방법, 디바이스 제조 방법 |
| US10083883B2 (en) * | 2016-06-20 | 2018-09-25 | Applied Materials, Inc. | Wafer processing equipment having capacitive micro sensors |
| WO2024134777A1 (ja) * | 2022-12-20 | 2024-06-27 | Ｊｓｗアクティナシステム株式会社 | 観察装置、観察方法、及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6373635A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-04 | Toshiba Corp | 半導体ウエハ表面検査用レ−ザビ−ムの走査方法および走査装置 |
| JPS63177002A (ja) * | 1987-01-17 | 1988-07-21 | Shinichi Tamura | 表面の検出方法およびそれに用いる顕微鏡 |
| JPS63223555A (ja) * | 1987-03-12 | 1988-09-19 | Sakabe Seigyo Giken:Kk | 静電容量形検出器 |
| JPH0524005Y2 (ja) * | 1987-07-10 | 1993-06-18 |
-
1989
- 1989-06-28 JP JP1165928A patent/JP2563589B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0330448A (ja) | 1991-02-08 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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