JP2000294610A - 膜面状態検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 ２つの膜が相重なって形成されている多層膜
の膜面状態を検査する。 【解決手段】第１の光ビーム照射部２８は、フォトレジ
スト膜の表面で反射可能な所定の波長を有する光ビーム
Ｌaを検査位置Ｐに向けて第１の照射方位＜Ｔa＞から照
射する。第２の光ビーム照射部３０は、フォトレジスト
膜を透過可能で、かつ酸化膜の表面で反射可能な所定の
波長を有する光ビームＬbを検査位置Ｐに向けて第２の
照射方位＜Ｔb＞から照射する。第１の光検出部３２
は、検査位置Ｐに対して第１の照射方位＜Ｔa＞に対応
する第１の反射方位＜Ｒa＞にて光ビームＬaに対応する
反射光Ｌa’を受光してその光強度に応じた光検出信号
Ｓaを出力する。第２の光検出部３４は、検査位置Ｐに
対して第２の照射方位＜Ｔb＞に対応する第２の反射方
位＜Ｒb＞にて光ビームＬbに対応する反射光Ｌb’を受
光してその光強度に応じた光検出信号Ｓbを出力する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、相重なって形成さ
れた２つの膜の膜面状態を検査する技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイス製造のリソグラフィー工
程に用いられる縮小投影方式の光露光では、焦点深度
（露光の際に良好に焦点を結べる深さ）が浅いほど解像
度を高められ、ひいてはより微細なパターニングが可能
となる。

【０００３】浅い焦点深度で精度の高いパターンを形成
するには、フォトレジスト膜および下地膜（被加工膜）
の水平度または平坦度を高める必要がある。このため、
膜に異物が混入または付着しないようにすること、膜に
凹凸ができないようにすること、均一な膜厚に成膜する
こと等の様々なプロセス管理が要求される。

【０００４】したがって、フォトレジスト膜ないしその
下地膜の膜面状態を検査して、検査結果をプロセス管理
にフィードバックすることで、歩留まりを向上させるこ
とができる。生産管理の面でも、検査結果を基に、膜の
水平度が許容範囲内にないウエハは不良品とし、生産ラ
インからふるい落とすことで歩留まりを改善できる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来より、フォトレジ
スト膜の膜厚を光学的に測定する技術が知られている。
この膜厚測定法は、所定の波長を有する光をレジスト膜
に垂直に照射し、レジスト膜から返ってきた反射光の光
強度を測定して反射率を求め、反射率の波長依存特性か
らレジスト膜の膜厚を測定する。しかしながら、膜厚を
測定することはできても膜面の状態、たとえば膜の凹凸
やゆがみ、あるいは膜の内側の状態たとえば表層膜（レ
ジスト膜）と下地膜との間の界面に異物が混入している
か否か等を検出することはできない。

【０００６】また、被検査物の露出した表面の状態を光
学的に検査する技術も知られている。この種の表面検査
法は、膜の表面（露出面）上の各部の欠陥や異物等を検
出することは可能であるが、膜の反りや歪みを検出する
ことはできず、膜の内側の状態、特に表層膜（レジスト
膜）と下地膜との界面状態まで検査できるものでもな
い。

【０００７】このように、膜の表面状態や膜厚を測定す
るための技術は種々のものが知られているが、２つの膜
が重なって形成されている多層膜の膜面状態を、特に表
面と界面を同時に検査できる技法がなかった。このた
め、この種の成膜に対してプロセス管理や生産管理を十
全に行うことができなかった。

【０００８】本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み
てなされたものであり、２つの膜が相重なって形成され
ている多層膜の膜面状態を検査するための膜面状態検査
装置を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の膜面状態検査装置は、所定の基準面の上
に第１の膜が第２の膜を介して形成されている多層膜の
膜面状態を検査する膜面状態検査装置であって、前記第
１および第２の膜に対して膜厚方向でほぼ重なる共通の
検査位置を設定する検査位置設定手段と、前記第１の膜
の表面で反射可能な第１の光ビームを各検査位置に対し
て第１の照射方位から照射する第１の光ビーム照射手段
と、各検査位置に対して前記第１の照射方位に対応する
第１の反射方位にて前記第１の光ビームに対応する第１
の反射光を受光してその光強度を表す第１の電気信号を
出力する第１の光検出手段と、前記第１の膜を透過可能
で、かつ前記第２の膜の表面で反射可能な第２の光ビー
ムを各検査位置に対して第１の照射方位から照射する第
２の光ビーム照射手段と、各検査位置に対して前記第２
の照射方位に対応する第２の反射方位にて前記第２の光
ビームに対応する第２の反射光を受光してその光強度を
表す第２の電気信号を出力する第２の光検出手段と、前
記第１および第２の電気信号に基づいて前記第１および
第２の膜の膜面状態を判別する膜面状態判別手段とを具
備する構成とした。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、添付図を参照して本発明の
実施例を説明する。

【００１１】図１に、本発明の一実施例による膜面状態
検査装置の構成を示す。図２に、検査位置回りの要部を
拡大して示す。

【００１２】この膜面状態検査装置は、たとえば半導体
デバイス製造のフォトレジスト工程においてフォトレジ
スト膜と下地膜（被加工膜）の膜面状態を検査するのに
使用できる。

【００１３】この膜面状態検査装置は、検査対象物たと
えば半導体ウエハＷを水平に載置可能に、かつ水平方向
に移動可能に構成されたＸＹステージ１０と、このＸＹ
ステージ１０の上方に固定配置された光学的検査部１２
と、検査のための所要の制御および演算処理を行う処理
部１４とを備えている。

【００１４】ＸＹステージ１０は、水平支持台１６上で
水平面内のＸ方向に移動可能に構成されたＸステージ１
８と、このＸステージ１８上で水平面内のＸ方向と直交
するＹ方向に移動可能に構成されたＹステージ２０とを
有している。Ｙステージ２０の上面（載置面）２０ａの
上に半導体ウエハＷが水平に載置される。Ｘステージ１
８およびＹステージ２０の移動位置は、処理部１４から
の位置制御信号ＣX，ＣYによってそれぞれ制御される。
処理部１４は、ＸＹステージ１０を通じて半導体ウエハ
Ｗ上の検査位置Ｐを任意に設定または把握できるように
なっている。

【００１５】なお、図２に示すように、この例の半導体
ウエハＷにおいては、基準面であるシリコン基板２２の
主面の上に酸化膜（ＳiＯ2膜）２４が形成され、この酸
化膜２４の上にフォトレジスト膜２６が形成されてい
る。

【００１６】光学的検査部１２は、半導体ウエハＷ上に
設定された検査位置Ｐに向けて光ビームＬa，Ｌbをそれ
ぞれ照射する第１および第２の光ビーム照射部２８，３
０と、検査位置Ｐからの光ビームＬa，Ｌbにそれぞれ対
応する反射光Ｌa’，Ｌb’をそれぞれ検出する第１およ
び第２の光検出部３２，３４とを有している。

【００１７】第１の光ビーム照射部２８は、フォトレジ
スト膜２６の表面で反射可能な所定の波長を有する光ビ
ームＬaを検査位置Ｐに向けて第１の照射方位＜Ｔa＞か
ら出射するたとえば半導体レーザからなる発光素子３６
と、この発光素子３６からの光ビームＬaを検査位置Ｐ
付近に集光させる集光レンズ３８とで構成されている。
ここで、第１の照射方位＜Ｔa＞は、図２に示すよう
に、検査位置Ｐにおける垂直線すなわちＹステージ２０
の載置面２０ａの法線Ｎに対して所定の水平方向Ｇに所
定の角度θa傾いている方位として定義される。

【００１８】第２の光ビーム照射部３０は、フォトレジ
スト膜２６を透過可能で、かつ酸化膜２４の表面で反射
可能な所定の波長を有する光ビームＬbを検査位置Ｐに
向けて第２の照射方位＜Ｔb＞から出射するたとえば半
導体レーザまたは発光ダイオードからなる発光素子４０
と、この発光素子４０からの光ビームＬbを検査位置Ｐ
付近に集光させる集光レンズ４２とで構成されている。
ここで、第２の照射方位＜Ｔb＞は、図２に示すよう
に、上記法線Ｎに対して上記方向Ｇに所定の角度θb傾
いている方位として定義される。

【００１９】第１の光検出部３２は、検査位置Ｐに対し
て第１の照射方位＜Ｔa＞に対応する第１の反射方位＜
Ｒa＞にて光ビームＬaに対応する反射光Ｌa’を受光し
てその光強度に応じた電気信号（光検出信号）Ｓaを出
力するたとえばフォトダイオードからなる光電変換素子
４４と、反射光Ｌa’を光電変換素子４４の受光面に集
光させる集光レンズ４６とで構成される。ここで、第１
の反射方位＜Ｒa＞は、図２に示すように、上記法線Ｎ
に対して上記方向Ｇとは反対側の水平方向Ｈに上記角度
θa傾いている方位として定義される。

【００２０】第２の光検出部３４は、検査位置Ｐに対し
て第２の照射方位＜Ｔb＞に対応する第２の反射方位＜
Ｒb＞にて光ビームＬbに対応する反射光Ｌb’を受光し
てその光強度に応じた電気信号（光検出信号）Ｓbを出
力するたとえばフォトダイオードからなる光電変換素子
４８と、反射光Ｌb’を光電変換素子４８の受光面に集
光させる集光レンズ５０とで構成される。ここで、第２
の反射方位＜Ｒb＞は、図２に示すように、上記法線Ｎ
に対して上記方向Ｈに上記角度θb傾いている方位とし
て定義される。

【００２１】図１において、第１および第２の光ビーム
照射部２８，３０の発光素子３６，４０は、処理部１４
の制御の下で駆動回路５２より発光駆動電力を供給さ
れ、それぞれ一定の光強度で光ビームＬa，Ｌbを発光す
る。第１および第２の光検出部３２，３４の光電変換素
子４４，４８よりそれぞれ出力された電気信号（光検出
信号）Ｓa，Ｓbは、増幅回路５４で増幅され、図示しな
いアナログ−ディジタル変換器によりディジタル信号に
変換されたうえで、処理部１４に与えられる。

【００２２】処理部１４は、たとえばマイクロプロセッ
サ（ＣＰＵ）からなり、記憶部５６のプログラム記憶部
に格納されている各種プログラムにしたがって本装置で
必要とされる一切の制御および演算を実行する。記憶部
５６は、プログラム記憶部だけでなく、処理部１４の処
理に用いられる各種設定値や測定値および演算値等のデ
ータを格納するデータ記憶部も含み、さらには検査用の
データベースも含むものである。入力部５８は、たとえ
ばキーボードを有し、検査に必要な設定値や初期値等の
データを処理部１４に入力する。表示部６０は、ディス
プレイを有し、処理部１４における表示可能な処理内容
をディスプレイ画面に表示する。

【００２３】次に、図２、図３〜図６につき本実施例の
膜面検査装置における作用を説明する。

【００２４】図２に示すように、シリコン基板２２、酸
化膜２４およびフォトレジスト膜２６においては、それ
ぞれの板厚Ｄ22または膜厚Ｄ24，Ｄ26の寸法が一定の値
となるように、かつそれぞれの板面または膜面が異物、
凹凸またはゆがみ等のない水平面となるような加工が要
求される。

【００２５】検査点Ｐにおいて、そのような水平加工条
件が満たされているときは、図２に示すように、第１お
よび第２の光ビーム照射部２８，３０からの光ビームＬ
a，Ｌbがフォトレジスト膜２６および酸化膜２４に対し
て照射方位＜Ｔa＞，＜Ｔb＞から入射角θa，θbでそれ
ぞれ入射し、反射光Ｌa’，Ｌb’の殆どが反射角θa，
θbで反射方位＜Ｒa＞，＜Ｒb＞へそれぞれ反射する。
したがって、第１および第２の光検出部３２，３４の光
電変換素子４４，４８はそれぞれ極大値（標準値）近辺
の光強度で反射光Ｌa’，Ｌb’を受光し、ほぼ極大（基
準）レベルＥA，ＥBで光検出信号Ｓa，Ｓbを出力する。

【００２６】処理部１４は、位置制御信号ＣX，ＣYによ
りＸＹステージ１０をＸＹ方向で水平移動させて、半導
体ウエハＷ上の検査点Ｐを逐次移動させる。たとえば、
半導体ウエハＷのほぼ全面をスキャンするように検査点
Ｐを移動させることができる。その場合、半導体ウエハ
Ｗ上で両光ビームＬa，Ｌbのビームスポットを連続的に
スキャニングし、処理部１４が両光検出部３２，３４よ
り連続的に与えられる光検出信号Ｓa，Ｓbを一定の周期
またはピッチでサンプリングして各検査点Ｐの測定デー
タ（Ｓa，Ｓb）を取り込めばよい。

【００２７】処理部１４は、スキャニング終了後に、全
測定点における測定データを解析ないし統計処理して、
半導体ウエハＷの各部位ないし全面の膜面状態を判別す
る。そして、この検査結果を表示部６０に表示したり、
記憶部５６のデータベースに組み込む。

【００２８】図３〜図６には、シリコン基板２２、酸化
膜２４およびフォトレジスト膜２６に水平加工条件を満
たさない欠陥がある場合の幾つかの例を示す。

【００２９】図３は、シリコン基板２２と酸化膜２４と
の界面に比較的小さなパーティクルＱ1が混入している
例を示す。この例では、パーティクルＱ1の存在により
酸化膜２４が少し***しているが、フォトレジスト膜２
６には影響が及ばず、フォトレジスト膜２６の表面はほ
ぼ水平面を維持している。

【００３０】この場合、パーティクルＱ1付近の各検査
点Ｐにおいて、第１の光ビーム照射部２８からの光ビー
ムＬaはフォトレジスト膜２６の表面でほぼ鏡面反射す
る。したがって、この光ビームＬaに対応する反射方位
＜Ｒa＞への反射光Ｌa’は標準値近辺の光強度を有し、
光検出部３２からはほぼ基準レベルＥAの光検出信号Ｓa
が出力される。

【００３１】一方、第２の光ビーム照射部３０からの光
ビームＬbはフォトレジスト膜２６を透過して酸化膜２
４に入射し、その表面で散乱または乱反射（ｆ）する。
これにより、この光ビームＬbに対応する反射方位＜Ｒb
＞への反射光Ｌb’の光強度は鏡面反射のとき（標準
値）よりも低くなり、光検出部３４より出力される光検
出信号Ｓbの信号レベルは基準レベルＥＢからドロップ
（ｄ）する。

【００３２】フォトレジスト膜２６および酸化膜２４の
膜面状態を検査するうえで、シリコン基板２２の表面自
体の水平度は保証されているとみなすことができる。し
たがって、処理部１４は、上記のような両光検出信号Ｓ
a，Ｓbの信号レベルの特性を基に、当該検査点Ｐ付近に
おいてシリコン基板２２の表面に小さな異物が付着して
いることを判別することができる。酸化膜２４がゲート
絶縁膜として用いられる場合、このような検査結果は品
質管理のうえで有益である。

【００３３】なお、各光ビームＬa，Ｌbは、図解の便宜
上細線で示しているが、実際には相当の（小さなパーテ
ィクル以上の）ビーム径を有している。

【００３４】図４は、シリコン基板２２と酸化膜２４と
の界面に比較的大きなパーティクルＱ2が混入している
例を示す。この例では、パーティクルＱ2の存在により
酸化膜２４だけでなくフォトレジスト膜２６も***して
いる。

【００３５】この場合、パーティクルＱ2付近の各検査
点Ｐにおいて、第１および第２の光ビーム照射部２８，
３０からの光ビームＬa，Ｌbはそれぞれフォトレジスト
膜２６および酸化膜２４の表面で散乱または乱反射
（ｆ）する。したがって、両光ビームＬa，Ｌbにそれぞ
れ対応する反射方位＜Ｒa＞，＜Ｒb＞への反射光Ｌ
a’，Ｌb’の光強度が鏡面反射のときの値（標準値）よ
りも低くなり、両光検出部３２，３４よりそれぞれ出力
される光検出信号Ｓa，Ｓbの信号レベルが基準レベルＥ
Ａ，ＥＢからドロップ（ｄ）する。このことから、処理
部１４は、当該検査点Ｐ付近においてシリコン基板２２
の表面に比較的大きな異物が付着していることを判別す
ることができる。

【００３６】図５は、酸化膜２４とフォトレジスト膜２
６との界面にパーティクルＱ3が混入している例を示
す。この例では、酸化膜２４自体はほぼ水平な膜である
が、パーティクルＱ3の存在によりフォトレジスト膜２
６が***している。

【００３７】この場合にも、パーティクルＱ3付近の各
検査点Ｐにおいて、第１および第２の光ビーム照射部２
８，３０からの光ビームＬa，Ｌbはそれぞれフォトレジ
スト膜２６および酸化膜２４の表面で散乱または乱反射
（ｆ）する。したがって、両光ビームＬa，Ｌbにそれぞ
れ対応する反射方位＜Ｒa＞，＜Ｒb＞への反射光Ｌ
a’，Ｌb’の光強度が鏡面反射のときの値（標準値）よ
りも低くなり、両光検出部３２，３４よりそれぞれ出力
される光検出信号Ｓa，Ｓbの信号レベルが基準レベルＥ
Ａ，ＥＢからドロップ（ｄ）する。ただし、ドロップｄ
のパターンが、Ｓaでは比較的緩やかで浅いのに対し、
Ｓbでは急峻で深いという差異がある。このことから、
処理部１４は、当該検査点Ｐ付近において酸化膜２４と
フォトレジスト膜２６との界面に異物が混入しているこ
とを判別することができる。

【００３８】図６は、フォトレジスト膜２６の上にパー
ティクルＱ4が付着している例を示す。この例では、酸
化膜２４およびフォトレジスト膜２６自体はほぼ水平な
膜である。

【００３９】この場合、パーティクルＱ4付近の各検査
点Ｐにおいて、第１の光ビーム照射部２８からの光ビー
ムＬaはフォトレジスト膜２６表面のパーティクルＱ4に
よって散乱または乱反射（ｆ）する。このため、この光
ビームＬaに対応する反射方位＜Ｒa＞への反射光Ｌa’
の光強度が鏡面反射のときの値（標準値）よりも低くな
り、光検出部３４より出力される光検出信号Ｓaの信号
レベルは基準レベルＥＢからドロップ（ｄ）する。しか
も、このドロップｄは、急峻で深い。

【００４０】一方、第２の光ビーム照射部３０からの光
ビームＬbはフォトレジスト膜２６を透過して酸化膜２
４に入射し、その表面でほぼ鏡面反射する。このため、
この光ビームＬbに対応する反射方位＜Ｒb＞への反射光
Ｌb’の光強度はほぼ標準値であり、光検出部３４より
ほぼ基準レベルＥＢで光検出信号Ｓbが出力される。こ
のことから、処理部１４は、当該検査点Ｐ付近において
フォトレジスト膜２６の上に異物が付着していることを
判別することができる。

【００４１】上記した図３〜図６ではフォトレジスト膜
２６または酸化膜２４の膜面にパーティクルが付着また
は混入している例を示したが、フォトレジスト膜２６ま
たは酸化膜２４自体の凹凸、ゆがみ、反り、傾斜等も上
記と同様に各検査点Ｐにおける光検出信号Ｓa，Ｓbの信
号レベルの変化（特性）に基づいて検出することができ
る。

【００４２】このように、本実施例の膜面検査装置によ
れば、検査対象の半導体ウエハＷにおいてシリコン基板
２４のほぼ水平（平坦）な主面の上に重ねて形成された
酸化膜２４およびフォトレジスト膜２６に対して、フォ
トレジスト膜２６の表面で反射可能なレーザ光Ｌaと、
フォトレジスト膜２６を透過可能で酸化膜２４の表面で
反射可能なレーザ光Ｌbとを膜厚方向でほぼ重なる共通
の検査点Ｐにて所定の第１および第２の照射方位＜Ｔa
＞，＜Ｔb＞よりそれぞれ照射し、検査点Ｐから所定の
第１および第２の反射方位＜Ｒa＞，＜Ｒb＞へ反射した
反射光Ｌa’，Ｌb’の光強度を同時に、または対比して
測定することにより、フォトレジスト膜２６の表面だけ
でなく、フォトレジスト膜２６と酸化膜２４との界面の
状態あるいは酸化膜２４とシリコン基板２２との界面の
状態をも検査することができる。

【００４３】したがって、本装置による膜面状態検査結
果を基に、酸化膜形成（熱処理）工程やレジスト塗布工
程等のプロセスを改善したり、あるいは不良品を生産ラ
インから早期にふるい落とすことが可能となり、歩留ま
りを向上できる。

【００４４】上記した実施例では、シリコン基板２２の
主面を基準面とする例について述べた。しかし、任意の
水平面を本発明における基準面とすることができる。た
とえば、ＬＣＤ基板やガラス基板等の他の基板であって
もよく、あるいはＣＭＰ（化学的−機械的研磨）等によ
って平面化された膜または層を基準面とすることができ
る。また、本発明における第１、第２の膜も上記したフ
ォトレジスト膜２６、酸化膜に限るものではない。光透
過性または光反射性を有する任意の膜を被検査膜とする
ことができる。また、膜の一部だけを局所的に検査して
もよい。

【００４５】上記した実施例では、検査点Ｐを移動させ
るために、光学的検査部１２を固定したまま検査対象物
（半導体ウエハＷ）をＸＹステージ１０で水平方向に移
動させた。しかし、反対に、検査対象物を固定したまま
で、光学的検査部１２を適当な送り手段で水平方向に送
るようにしてもよく、あるいは光学的検査部１２と検査
対象物の双方をたとえばＸ方向およびＹ方向にそれぞれ
送るようにしてもよい。また、ＸＹステージ１０に代え
てスピンチャック（回転台）を使用することも可能であ
る。

【００４６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
２つの膜が相重なって形成されている多層膜の膜面状態
を、特に上層面の表面だけでなく上層面と下層面との界
面までも検査することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例による膜面状態検出装置の構
成を示す図である。

【図２】図２の検査点回りの要部を拡大して示す図であ
る。

【図３】膜面に欠陥がある場合の作用の一例を示す図で
ある。

【図４】膜面に欠陥がある場合の作用の一例を示す図で
ある。

【図５】膜面に欠陥がある場合の作用の一例を示す図で
ある。

【図６】膜面に欠陥がある場合の作用の一例を示す図で
ある。

【符号の説明】

１０ ＸＹステージ １２ 光学的検査部 １４ 処理部 ２８，３０ 光ビーム照射部 ３２，３４ 光検出部 ３６，４０ 発光素子 ３８，４２，４６，５０ 集光レンズ ４４，４８ 光電変換素子 ５６ 記憶部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F065 AA49 BB17 CC19 CC31 DD00 FF44 GG06 GG07 HH04 HH12 HH14 JJ01 JJ05 JJ18 MM03 QQ01 QQ03 QQ05 QQ25 SS13 2G051 AA51 AB20 BA01 BA10 BA20 CA02 CA07 CB01 DA07 EA02 EA12 EA14 EB01 EB02 FA10 4M106 AA01 AA12 AA20 BA04 CA41 CA42 CA43 CA45 CA46 CA70 DB01 DB02 DB11 DB12 DH04 DH11 DH12 DH31 DH37 DH38 DJ01 DJ03 DJ04

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定の基準面の上に第１の膜が第２の膜
   を介して形成されている多層膜の膜面状態を検査する膜
   面状態検査装置であって、 前記第１および第２の膜に対して膜厚方向でほぼ重なる
   共通の検査位置を設定する検査位置設定手段と、 前記第１の膜の表面で反射可能な第１の光ビームを前記
   検査位置に対して第１の照射方位から照射する第１の光
   ビーム照射手段と、 前記検査位置に対して前記第１の照射方位に対応する第
   １の反射方位にて前記第１の光ビームに対応する第１の
   反射光を受光してその光強度を表す第１の電気信号を出
   力する第１の光検出手段と、 前記第１の膜を透過可能で、かつ前記第２の膜の表面で
   反射可能な第２の光ビームを前記検査位置に対して第２
   の照射方位から照射する第２の光ビーム照射手段と、 前記検査位置に対して前記第２の照射方位に対応する第
   ２の反射方位にて前記第２の光ビームに対応する第２の
   反射光を受光してその光強度を表す第２の電気信号を出
   力する第２の光検出手段と、 前記第１および第２の電気信号に基づいて前記第１およ
   び第２の膜の膜面状態を判別する膜面状態判別手段とを
   具備することを特徴とする膜面状態検査装置。
2. 【請求項２】 前記検査位置設定手段が、前記検査位置
   を移動させるため、前記第１および第２の光ビーム照射
   手段ならびに前記第１および第２の光検出手段に対して
   前記第１および第２の膜を相対的に所定方向に送る送り
   手段を有することを特徴とする請求項１に記載の膜面状
   態検査装置。