JPH03141545A - ウエハ搬送装置 - Google Patents

ウエハ搬送装置

Info

Publication number
JPH03141545A
JPH03141545A JP1278400A JP27840089A JPH03141545A JP H03141545 A JPH03141545 A JP H03141545A JP 1278400 A JP1278400 A JP 1278400A JP 27840089 A JP27840089 A JP 27840089A JP H03141545 A JPH03141545 A JP H03141545A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
contact
electrostatic
contacts
support
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1278400A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0828205B2 (ja
Inventor
Takashi Yamazaki
隆 山崎
Toshitaka Kobayashi
敏孝 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP27840089A priority Critical patent/JPH0828205B2/ja
Priority to US07/602,679 priority patent/US5092729A/en
Publication of JPH03141545A publication Critical patent/JPH03141545A/ja
Publication of JPH0828205B2 publication Critical patent/JPH0828205B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はウェハ搬送装置、特に半導体製造または検査用
電子線測定装置、電子線描画装置、電子線表面ll!察
装型装置において用いられるのに好適なウェハ搬送装置
に関する。
〔従来の技術〕
従来の装置として次の(1)〜(3)が存在する。
(1)、ウェハを固定ピンに可動ピンで押しつけてウェ
ハを保持装置に固定し、ウェハ表面より接触子がウェハ
上のレジスト、酸化膜等を突き破り、ウェハと電気的接
続を形成する。
(2)、実開昭62−172149号、実願昭55−1
20534号に示されるように、ウェハの外周部を裏面
よりばね力を利用して挾んで保持し、ウェハ表面側の押
え板に内蔵されたウェハの接地用接触子として、板ばね
で押えられた針を保有する。
(3)、静電保持力によりウェハを保持する。ただし、
大気中よりウェハの測定、描画、WA察などの作業を行
う真空中のX−Yステージ上までの搬送の間も静電保持
用電力を供給し、ウェハを保持する。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記(1)の従来技術によれば、ウェハ外周部のみが固
定されているためウェハ全体の平坦度が維持されがたく
、したがってウェハの平坦度変化による測定、描画時の
場所よる寸法誤差が大きく発生する問題がある。また接
地用接触子がウェハ表面に異物付着をさせる問題もある
上記(2)の従来技術もウェハの平坦度維持が困鑑であ
り、同様にウェハの平坦度変化による測定。
描画時の場所による寸法誤差が大きく発生する問題があ
る。
上記(3)の静電保持によるウェハ固定の場合は。
大気より真空内のステージ上ヘウエハ搬送途中も直流電
力の供給が必要であるため、搬送機構の簡素化に難があ
り、絶縁、給電の機構を搬送機構の中に組み入れた複雑
な搬送機構となる。
本発明の一つの目的はウェハ搬送機構を簡素にすること
ができるウェハ搬送装置を提供することにある。
本発明のもう一つの目的はウェハの作業精度の場所によ
る誤差を軽減することができるウェハ搬送装置を提供す
ることにある。
本発明の更にもう一つの目的はウェハ表面への異物の付
着を防止することができるウェハ搬送装置を提供するこ
とにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明によれば、ウェハと接触する接触面をもつ静電吸
着体と、ウェハを接触面と接触させるように静電吸着体
に関連した予め定められた位置に保持する手段と、ウェ
ハの静電吸着体への静電吸着を作業位置において実行し
、ウェハ搬送中は解除する手段とが備えられる。
〔作用〕
ウェハは作業位置においては静電吸着されるが。
搬送中はウェハ保持手段により保持されるだけで、静電
吸着から解放される。このため、従来技術にみられるよ
うなウェハ搬送機構の複雑化が避けられ、その簡素化が
図られる。
〔実施例〕
第1図および第2図を参照するに、電子線描画装置の本
体1は鏡体2および試料室3を含む。鏡体2内の電子銃
からは電子ビームが放出され、この電子ビームはレンズ
系により集束され、試料室3内の試料である後述のウェ
ハを参照する。
ウェハを電子ビームの垂直面内で2次元的に移動し、か
つ電子ビームによるウェハの照射をオン−オフしたり、
ウェハを照射する電子ビームの断面の大きさを変えるこ
とによりウェハに任意所望パターンを形成することがで
きる。すなわち、描画という作業を行うことができる。
なお、この作業は描画に限られるものではなく、ウェハ
表面のam、エツチングのような処理などであってもよ
い。
本体1は高真空に維持されている。その中の試料室3の
真空度は大体10−’Torrである。試料室3には試
料室3と同じ10”−’Torr程度の高真空に維持さ
れている高真空室4および10″−”Torrpj度の
真空度にされている低真空室5がそれぞれバルブ6およ
び7を介して順次接続されている。
大気圧中に存在する台8にはロボット9およびプリアラ
イメント装置1oが取付けられ1.更に2つのウェハカ
セット11および12が載置されている、低真空室5に
はロボット9のアーム9aが出入りする部分にバルブ(
図示せず)が取付けられている。このバルブは以下ロボ
ット側バルブと呼ばれる。
低真空室5にはウェハ支持装置ないしはウェハユニット
が存在する。これは、第3〜8図に示されているように
、ウェハ13aを静電吸着する静電吸着体14およびこ
れを支持する支持台15を含んでいる。ウェハ13aの
外周に接触してウェハを位置決めする接触子である回転
(自転)自在な固定ピン16および可動ピン17が存在
する。
固定ピン16は支持台15の上面に固定されている。可
動ビン17は自由に動き得るように支持台15を貫通し
、支持台15の下面に揺動可能に取付けられたレバー1
8に固定されている。ばね19は可動ビン17をウェハ
14の外周に常時押付けるようにするためのもので、ア
ーム18と支持台15の間に取付けられている。
レバー18をばね19の引張り力に抗して動かすと可動
ビン17がウェハ13aの外周からはなれ、ウェハ13
aはその固定から解放される。このウェハ固定解除は第
6図に示されるレバー駆動装置20により行われる。同
図において、取付は台21は低真空室5に取付けられ、
この取付は台にはモータが取付けられている。モータに
°は駆動軸23が連結され、この駆動軸にはレバー駆動
アーム24が取付けられている。駆動軸23には更にセ
ンサスリット板25が設けられ、また取付は台21には
センサスリット板25のスリットを検出するホトセンサ
26および27が取付けられている。これらのホトセン
サは互いに直交しており、スリットが図示の位置のとき
はレバー駆動アーム24は(1)の位置に、駆動軸23
、したがってセンサスリット板25が90″′だけ回転
したときはレバー駆動アーム24は(2)の位置を経由
して(3)の位置に切換えられる。レバー駆動アーム2
4が(1)の位置にあるときは可動ビン17がウェハ1
3aの外周に接触し、(3)の位置にあるときはレバー
17がレバー駆動アーム24により押され、可動ビン1
7がウェハ13aの外周から離れる。
支持台15の下面には一端に針状の接触子をもつ接触子
保持用板ばね28の他端がねじ止めされ、板ばね28と
支持台15の下面の間には電歪素子29が取付けられて
いる。電歪素子29に電歪素子電源30(第9図)から
電圧が印加されると。
電歪素子29が縮み、これによって板ばね28の一端に
取付けられた接触子が支持台15の上面、すなわち静電
吸着体14の上面から突出しようとしてウェハ13a下
面と接触し、ウェハ13aの電気的導通が与えられる。
支持台14の端部には4つの接点31が互いに絶縁され
る形で固定されている。これらのうちの2つは電歪素子
29に接続され、残りの2つは静電吸着体14に接続さ
れる。
静電吸着体14はこれに静電吸着電源31から電圧が印
加されることにより上面にウェハ13aを静電吸着保持
する。静電吸着装置としては、たとえば特開昭59−2
9435号に記載されているものを用いることができる
。静電吸着についてその詳細を省略したのはこのためで
ある。
動作を説明するに、バルブ開閉装置40によりバルブ7
が閉じられた後、低真空室5にはN2ガス源制御装置4
1(第9図)によりN2ガス源(図示せず)からN2ガ
スが導入され、そしてロボット側バルブがバルブ開閉装
置40(第9図)により開かれる。この状態でレバー駆
動装置20によりウェハ13aの固定が解除される。す
なわち、可動ビン17がウェハ13aの外周から離され
る(第10図ステップ1)、ロボット9はそのアーム9
aによりウェハ13aを保持して支持台15からロボッ
ト側バルブを介してカセット11に移す(第10図ステ
ップ2)、ウェハ13aは作業済のもので、以前ロボッ
ト9によりカセット11のある場所から取り出したもの
である。したがって、ロボット9がウェハ13aをカセ
ット11に収納するときには、以前にこれを取出したと
ころに収納することになる。ロボット9としては株式会
社メツクス社製モデルUTL−80を用いるのが好まし
い。
ロボット9はそのアーム9aによりカセット11内の別
の場所にある新しいウェハを取出し、プリアライメント
装置10に移される。ここで、その新しいウェハは、そ
のオリエンテーションフラット部が所定方向を向くよう
にプリアライメントされる(第10図ステップ3)。プ
リアライメント装置としては株式会社メツクス社製モデ
ル0F−100を用いるのが好ましい、プリアライメン
トされた新しいウェハはロボット9により支持台15の
静電吸着体14の表面に移動され、そしてウェハは固定
される。つまり、レバー駆動装置20により可動ピン1
7をウェハの外周に押付け、この可動ピンおよび固定ピ
ン16によりウェハをはさむ形で固定する(第10図の
ステップ4)。
ロボット9のアーム9aを低真空室5から退出後口ボッ
ト側バルブが閉じられる。Nzガスの低真空室5への導
入はもちろん停止され、排気装置50により低真空室5
が10 ””Torr程度の真空度に排気される。
バルブ開閉装置40によりバルブ7が開かれ。
ロッド駆動装置42′ (第9図)により駆動されるロ
ッド42により、新しいウェハを支持体15により支持
した新ウェハユニットは低真空室5内のステーションか
ら高真空室4内のステーションへ移される。高真空室4
内のステーションには上段ウェハ受部43および下段ウ
ェハ受部44を有するエレベータ45があって、このエ
レベータはエレベータ駆動装置46により昇降するよう
になっている。
低真空室5からの新ウェハユニットは上段ウェハ受部4
3に移される(第10図ステップ5)。
下段ウェハ受部44に作業済ウェハユニット(これは新
ウェハユニットと同じで、ちがう点は作業済である点の
み)があるとすれば、その作業済ウェハユニットはロッ
ド42により低真空室5のステーションに移される(第
10図ステップ6)。
もちろん、ステップ5の場合は上段ウェハ受部43がバ
ルブ7の高さ位置に、ステップ6の場合は下段受部44
がバルブ7の高さ位置に移動される。
バルブ7が閉じられる。高真空室4は排気装置50によ
り継続的に排気されているので、しばらくすると、高真
空室4内は10−”Torrオーダーの定常状態となる
。この状態において、バルブ開閉装置40によりバルブ
6が開かれる。試料室3内の作業位置、すなわち描画位
置での描画という作業が終った作業済ウェハユニット(
これは新ウェハユニットと同じで、相違するのはウェハ
が作業済であるのみ)がウェハ移送用のステーションに
あるとすれば、この作業済ウェハユニットはロッド駆動
装置42′により駆動されるロッド52により高真空室
4内の下段ウェハ受部44に移され(ステップ7)、そ
して上段ウェハ受部43にある新ウェハユニットはロッ
ド52により試料室3内の移送用ステーションに移され
る(ステップ8)。
もちろん、ステップ7においては下段ウェハ受部がバル
ブ6の高さ位置に、ステップ8においては上段ウェハ受
部43がバルブ6の高さ位置にそれぞれ位置づけられる
試料室3内の移送用ステーションに移された新ウェハユ
ニットはロッド52により更に作業位置、すなわち描画
位置に移される。この状態は第7および8図に示されて
いる。同図において、ウェハ2次元移動台60に固定さ
れたピン固定台61に、支持台15に設けられたピン6
2がはまって新ウェハユニットが作業位置にセットされ
る。この状態において4つの接点31は2次元移動台6
0に固定された各々の接点ばね65とそれぞれ接触し、
これによって初めて静電吸着電源30および電歪素子電
源31から静電吸着体14および電歪素子29にそれぞ
れ電圧が印加される。これによって新ウェハが静電吸着
体に静電吸着され、かつこの状態で新ウェハに電気的導
通が与えられる。
接点ばね65は常時静電吸着電源31および電歪素子電
源30に接続されていてもよいが、新ウェハユニットが
作業位置に第7および8図のようにセットされたときに
接続されるようにしてもよい。その制御やロボット9.
プリアライメント装@10.バルブ開閉装置40.ロッ
ド駆動装置42′、エレベータ駆動装置46.ウェハ2
次元移動台恥動装置70.排気装置50.レバー駆動装
置20およびNzガス源制御装置41の制御は制御装置
71によって制御される。
新ウェハユニットが作業位置にセットされると、ロッド
52は退去され、バルブ6は閉じられ、作業、すなわち
描画が行われる(ステップ9)。
以後は以上のステップがくり返され、これによりカセッ
ト11内のウェハ全部の作業を自動的に行うことができ
る。カセット11内のウェハの作業が終った後はカセッ
ト12内のウェハの作業を行うことができる。そのステ
ップは以上説明したそれらと同じである。
ロッド42の先端には1字形の係合部が設けられている
。これは支持台15の凹状係合部に係合され、この係合
は第11図に示されるようにロッド42をロッド駆動装
置42により90”回転することにより解除される。ロ
ッド52の場合も同様である。
以上説明した実施例によれば、ウェハ搬送中はウェハは
固定ピンおよび可動ピンにより一定位置に保持され、静
電吸着はなされないので、ウェハ搬送機構の簡素化が図
られる。また、ウェハの作業中は静電吸着も働くので、
ウェハの平坦度が強制的に向上されることになる。更に
、平坦度を変化させずに、静電吸着中にウェハ表面に接
触子である針が突きささる形になってウェハの電気的導
通が与えられると共にウェハ表面への異物の付着が防止
される。加えて、高真空室中のステーションにおいて、
新ウェハは作業済ウェハの上側にあるので、新ウェハの
異物付着がより効果的に防止される。
〔発明の効果〕 本発明によれば、ウェハ搬送機構を簡素にすることがで
きるウェハ搬送装置が提案される。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明にもとづくウェハ搬送装置を適用した電
子線描画装置の一実施例の平面図、第2図は第1図の■
〜■線に沿う概略拡大断面図、第3図は第1および2図
中のウェハユニットの拡大平面図、第4図は第3図の■
〜■線に沿う主要部の概略断面図、第5図は第3図の一
部の拡大断面図、第6図は第3図の一部の拡大断面図、
第7図は作業位置におけるウェハユニット付近の平面図
。 第8図は第7図の一部の拡大断面図、第9図は制御系の
ブロック図、第10図は動作フローチャートを示す図、
第11図は第2図の■〜■線に沿う断面図である。 3・・・試料室、4・・・高真空室、5・・・低真空室
、9・・・ロボット、11,12・・・ウェハカセット
、1o・・・プリアライメント装置、14・・・静電吸
着体、28第1図 第 3 図 第 図 第 図 7 第 図 t) 61 第 図 第 図 第 図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、ウェハを支持する手段と、そのウェハを予め定めら
    れた位置とこれとは異なる作業位置に選択的に位置づけ
    るように前記ウェハ支持手段を前記ウェハと共に搬送す
    るウェハ搬送装置であって、前記ウェハ支持手段は前記
    ウェハと接触する接触面をもつ静電吸着体と、前記ウェ
    ハを前記接触面と接触させるように前記静電吸着体に関
    連した予め定められた位置に保持する手段と、前記ウェ
    ハの前記静電吸着体への静電吸着を前記作業位置におい
    て実行し、前記ウェハを搬送している間は解除する手段
    とを備えているウェハ搬送装置。 2、前記作業位置において前記ウェハに電気的導通を与
    える手段を備えている請求項1にもとづくウェハ搬送装
    置。 3、前記ウェハの前記静電吸着体への静電吸着実行中に
    前記ウェハの電気的導通を与える手段を備えている請求
    項1にもとづくウェハ搬送装置。 4、前記ウェハ保持手段は前記ウェハの外周と接触する
    複数の接触子を有し、これらの接触子により前記ウェハ
    を前記予め定められた位置に保持することを特徴とする
    請求項1、2または3にもとづくウェハ搬送装置。 5、前記接触子のうちの一つを前記ウェハの外周と弾性
    的に接触させたり、その接触を解除させたりする手段を
    備え、前記接触子のうちの一つの前記ウェハの外周への
    接触の解除によって前記ウェハが前記予め定められた位
    置から取出され得ることを特徴とする請求項4にもとづ
    くウェハ搬送装置。 6、前記接触子の各々はピン状であることを特徴とする
    請求項5にもとづくウェハ搬送装置。 7、ウェハを支持する手段と、そのウェハを予め定めら
    れた位置とこれとは異なる作業位置に選択的に位置づけ
    るように前記ウェハを搬送するウェハ搬送装置であって
    、前記ウェハ支持手段は前記ウェハと接触する接触面を
    もつ静電吸着体と、この静電吸着体が支持されるウェハ
    支持体と、前記ウェハを前記接触面に接触させるように
    前記静電吸着体に関連した予め定められた位置に保持す
    る手段と、前記ウェハの前記静電吸着体への静電吸着を
    前記作業位置において実行し、前記ウェハを搬送してい
    る間は解除する手段を備え、前記ウェハ保持手段は前記
    ウェハの外周と接触する、前記ウェハ支持体に設けられ
    た複数個の接触子を備えているウェハ搬送装置。 8、前記複数の接触子のうちの一つを前記ウェハの外周
    に弾性的に接触させたり、その接触を解除したりする手
    段を備え、その一つの接触子の前記ウェハの外周への接
    触の解除によって前記ウェハが前記予め定められた位置
    から取出され得ることを特徴とする請求項7にもとづく
    ウェハ搬送装置。 9、前記作業位置において前記ウェハに電気的導通を与
    える手段を備えている請求項8にもとづくウェハ搬送装
    置。 10、前記電気的導通を与える手段は前記ウェハに前記
    接触面側から接触し得る電気的導通子とこの電気的導通
    子が取付けられる電歪素子とを有し、この電歪素子に電
    気信号を与えてこれを歪ませることにより前記電気的導
    通子を前記ウェハに接触させることを特徴とする請求項
    9にもとづくウェハ搬送装置。 11、ウェハと接触する接触面をもつ静電吸着体と、こ
    の静電吸着体が支持される支持体と、前記ウェハを前記
    接触面に接触させるように前記静電吸着体に関連して予
    め定められた位置に保持する手段とを備え、この保持手
    段は前記ウェハの外周と接触する、前記ウェハ支持体に
    設けられた複数の接触子を備えているウェハ支持装置。 12、前記複数の接触子のうちの一つを前記ウェハの外
    周に弾性的に接触させたり、その接触を解除したりする
    手段を備え、その一つの接触子の前記ウェハの外周への
    接触の解除によって前記ウェハが前記予め定められた位
    置から取出され得ることを特徴とする請求項11にもと
    づくウェハ支持装置。 13、第1、第2および第3のステーションと、その第
    2のステーションに配置された上段ウェハ受部と下段ウ
    ェハ受部を有するエレベータと、第1のウェハユニット
    を前記第1のステーションから前記上段ウェハ受部に移
    動し、第2のウェハユニットを前記下段ウェハ受部から
    前記第1のステーションに移動する手段と、第3のウェ
    ハユニットを前記第3のステーションから前記下段ウェ
    ハ受部に移動し、前記第1のウェハユニットを前記上段
    ウェハ受部から前記第3のステーションに移動する手段
    とを備え、前記第1、第2および第3のウェハユニット
    の各々はウェハと接触する接触面をもつ静電吸着体と、
    この静電吸着体が支持される支持体と、前記ウェハを前
    記接触面に接触させるように前記静電吸着体に関連した
    予め定められた位置に保持する手段と、前記ウェハの前
    記静電吸着体への静電吸着を前記第3のステーションに
    おいて実行し、前記ウェハを搬送している間は解除する
    手段とを備え、前記ウェハ保持手段は前記ウェハと接触
    する、前記支持体に設けられた複数個の接触子を備え、
    前記エレベータは前記第1、第2および第3のウェハユ
    ニットの前記第1および第3のステーションに対する受
    け渡しに当り昇降可能にされていることを特徴とするウ
    ェハ搬送装置。 14、前記第3のステーションにおいて前記静電吸着実
    行中に前記ウェハに電気的導通を与える手段を備えてい
    る請求項13にもとづくウェハ搬送装置。 15、前記電気的導通を与える手段は前記ウェハに前記
    接触面側から接触し得る電気的導通子とこれが取付けら
    れる電歪素子とを有することを特徴とする請求項14に
    もとづくウェハ搬送装置。
JP27840089A 1989-10-27 1989-10-27 ウエハ搬送装置 Expired - Fee Related JPH0828205B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27840089A JPH0828205B2 (ja) 1989-10-27 1989-10-27 ウエハ搬送装置
US07/602,679 US5092729A (en) 1989-10-27 1990-10-24 Apparatus for transporting a wafer and a carrier used for the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27840089A JPH0828205B2 (ja) 1989-10-27 1989-10-27 ウエハ搬送装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03141545A true JPH03141545A (ja) 1991-06-17
JPH0828205B2 JPH0828205B2 (ja) 1996-03-21

Family

ID=17596821

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP27840089A Expired - Fee Related JPH0828205B2 (ja) 1989-10-27 1989-10-27 ウエハ搬送装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5092729A (ja)
JP (1) JPH0828205B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003083933A1 (fr) * 2002-03-29 2003-10-09 Tokyo Electron Limited Dispositif de traitement d'un element a traiter et procede de traitement associe

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06103683B2 (ja) * 1990-08-07 1994-12-14 株式会社東芝 静電吸着方法
US5516732A (en) * 1992-12-04 1996-05-14 Sony Corporation Wafer processing machine vacuum front end method and apparatus
US6177023B1 (en) * 1997-07-11 2001-01-23 Applied Komatsu Technology, Inc. Method and apparatus for electrostatically maintaining substrate flatness
US6689264B1 (en) * 1997-09-04 2004-02-10 Cypress Semiconductor Corp. Semiconductor wafer clamp retainer
DE19823196A1 (de) 1998-05-23 2000-01-13 Deutsch Zentr Luft & Raumfahrt Verfahren und Einrichtung zur Durchführung von Arbeitsschritten an miniaturisierten Baugruppen
US6183564B1 (en) 1998-11-12 2001-02-06 Tokyo Electron Limited Buffer chamber for integrating physical and chemical vapor deposition chambers together in a processing system
US6256555B1 (en) 1998-12-02 2001-07-03 Newport Corporation Robot arm with specimen edge gripping end effector
WO2000033359A2 (en) 1998-12-02 2000-06-08 Kensington Laboratories, Inc. Specimen holding robotic arm end effector
JP3019260B1 (ja) * 1999-03-26 2000-03-13 株式会社日立製作所 電子ビ―ム描画装置
US6350097B1 (en) 1999-04-19 2002-02-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for processing wafers
US6357996B2 (en) 1999-05-14 2002-03-19 Newport Corporation Edge gripping specimen prealigner
JP2004022980A (ja) * 2002-06-19 2004-01-22 Hitachi High-Technologies Corp 電子線検査装置
GB2392309B (en) * 2002-08-22 2004-10-27 Leica Microsys Lithography Ltd Substrate loading and unloading apparatus
US6724001B1 (en) * 2003-01-08 2004-04-20 International Business Machines Corporation Electron beam lithography apparatus with self actuated vacuum bypass valve
US7479210B2 (en) * 2005-04-14 2009-01-20 Tango Systems, Inc. Temperature control of pallet in sputtering system
JP4740799B2 (ja) * 2006-06-07 2011-08-03 Okiセミコンダクタ株式会社 薄板収納容器の検査装置およびその検査方法
US8215890B2 (en) * 2009-03-12 2012-07-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor wafer robot alignment system and method
KR20170124620A (ko) 2013-08-05 2017-11-10 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 인-시츄 제거 가능한 정전 척
PT3309279T (pt) * 2016-10-14 2020-09-08 Atotech Deutschland Gmbh Método, aparelho de processamento de substrato do tipo bolacha e sua utilização

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3874525A (en) * 1973-06-29 1975-04-01 Ibm Method and apparatus for handling workpieces
US4278380A (en) * 1979-04-30 1981-07-14 Varian Associates, Inc. Lock and elevator arrangement for loading workpieces into the work chamber of an electron beam lithography system
JPS5744543A (en) * 1980-08-28 1982-03-13 Isuzu Motors Ltd Tail lamp of automobile
JPS5929435A (ja) * 1982-08-11 1984-02-16 Hitachi Ltd 試料支持装置
US4676193A (en) * 1984-02-27 1987-06-30 Applied Magnetics Corporation Stabilized mask assembly for direct deposition of a thin film pattern onto a substrate
JPH0787084B2 (ja) * 1985-02-06 1995-09-20 株式会社日立製作所 真空装置の試料交換機構
JPH0697676B2 (ja) * 1985-11-26 1994-11-30 忠弘 大見 ウエハサセプタ装置
JPS62172149A (ja) * 1986-01-24 1987-07-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd ガス自動風呂釜の制御装置
US4776745A (en) * 1987-01-27 1988-10-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Substrate handling system

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003083933A1 (fr) * 2002-03-29 2003-10-09 Tokyo Electron Limited Dispositif de traitement d'un element a traiter et procede de traitement associe

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0828205B2 (ja) 1996-03-21
US5092729A (en) 1992-03-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH03141545A (ja) ウエハ搬送装置
JP4489904B2 (ja) 真空処理装置及び基板保持方法
TWI226097B (en) Method and apparatus for transferring a thin plate, and manufacturing method of substrate using the same
JPH07297118A (ja) 基板および基板保持方法ならびにその装置
US20070125491A1 (en) Method of removing particle on substrate, apparatus therefor, and coating and development apparatus
JP3642696B2 (ja) 基板保持装置およびそれを用いた基板処理装置
JP2804664B2 (ja) 試料の静電吸着機構及び電子線描画装置
US7032287B1 (en) Edge grip chuck
WO1992018401A1 (en) Ultraclean robotic material transfer method
JPH02126648A (ja) 処理装置
JPH07321176A (ja) 基板搬送方法
JP3942318B2 (ja) 基板保持機構
JPH1041376A (ja) 基板保持装置、基板保持方法及び露光装置
TWI423374B (zh) 常溫接合裝置
JP4745536B2 (ja) 表示用基板の搬送装置
JPH1174182A (ja) マスク搬送装置及びマスクステージ
TWI679160B (zh) 搬送裝置及其控制方法,以及基板處理系統
JPH11145266A (ja) 静電吸着装置および静電吸着方法、ならびにそれを用いた基板搬送装置および基板搬送方法
JP2002160187A (ja) 保持装置、搬送装置、ic検査装置、保持方法、搬送方法及びic検査方法
JP3223291B2 (ja) 静電チャック試料台
JPH0410452A (ja) 基板の縦型搬送装置
KR100333362B1 (ko) 웨이퍼 고정 장치
JPH1126549A (ja) 半導体ウェハ搬送装置
JP2002307343A (ja) 薄板材の移載方法および装置
JPH046849A (ja) ウェーハ把持装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090321

Year of fee payment: 13

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees