JPH02126648A

JPH02126648A - 処理装置

Info

Publication number: JPH02126648A
Application number: JP63280915A
Authority: JP
Inventors: Masami Akumoto; 飽本　正己; Osamu Hirakawa; 修平河; Noriyuki Anai; 穴井　徳行; Yoshio Kimura; 義雄木村; Masanori Tateyama; 建山　正規
Original assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Kyushu Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Kyushu Ltd
Priority date: 1988-11-07
Filing date: 1988-11-07
Publication date: 1990-05-15
Anticipated expiration: 2012-11-05
Also published as: JP2673239B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は、被処理体の搬送経路に沿って複数の処理ユニ
ットを有する処理装置に関する。

（従来の技術）この種の処理装置として、半導体製造に使用されるもの
が挙げることができる。半導体ウェハは複数の処理工程
で各種の処理を受けるが、近年、上記半導体ウェハに形
成される半導体の集積度が高まるにつれ、処理工程は増
加し複雑化している。

例えば、半導体ウェハのレジスト処理工程もより微細化
されており、微細加工の使用例として、半導体ウェハに
塗布されたレジスト膜の上に更にＣＥＬ膜を塗布形成す
ることや、レジストの平坦化層を形成するための多層レ
ジスト膜形成が行われるなど、レジストの塗布現像工程
がより複雑化している。

一方、半導体製造の環境も上記微細化に伴ってダストの
付着による半導体素子の欠陥を防止するために、よりク
リーン度の高いものが要求されており、装置自体からの
発塵もより厳しく低減する必要がある。

このため、従来の半導体ウェハの搬送の一般的な使用で
あったＯリングを使用したベルト搬送は、上記の発塵の
問題が多く採用することができなくなっている。

上記の点を考慮した処理装置例えばレジスト処理装置の
一例として、下記のような構成の装置が実用化されてい
る。

すなわち、第５図に示すように、ウェハの搬送経路１に
沿ってピンセット２が同図の左右方向に移動可能になっ
ていて、この搬送経路１の両側に半導体ウェハ３を収納
したウェハキャリア４を備えたローラ装置５と、複数の
処理ユニット６とがそれぞれ配置されている。そして、
搬送経路１に沿って移動可能なピンセット２は、キャリ
アカセット４又は処理ユニット６と対向する位置にて停
止され、ピンセット２の面上に半導体ウェハ３を吸着例
えば真空吸着することで、半導体ウェハ３の受け渡しが
可能となっている。このように、半導体ウェハ３の搬送
に際して、従来のベルト搬送を採用せずピンセット２に
より実行することで、上述したダストの発生を大幅に低
減でき、しがち、上記構成によりたとえ処理ユニット６
の数が増大したとしても、−台のピンセット２を兼用す
ることで装置のコンパクト化が維持することができる。

（発明が解決しようとする問題点）上述した装置に採用される従来のピンセット、例えば真
空吸着方式のピンセットは、第６図に示すようにコ字状
の載置面１０の全面が半導体ウェハ４の裏面と接触する
ように形成されている。この載置面１０の所定領域に亘
って真空吸着部１２が形成されるようになっている。

ここで、半導体ウェハ４の裏面をミクロ的に考察すると
、この面は比較的ざらざらしており、山形の突起状部が
前記ピンセット２の載置面１ｏと接触することになる。

このように、比較的ざらざらしている半導体ウェハ３の
裏面が広範囲に亘ってピンセット２の載置面１ｏと接触
し、しがも、比較的広い開口面積を有する前記吸着部１
２にて半導体ウェハ３を吸着することにより、ウェハ３
の裏面の突起状部分が破損し、これがダストとして半導
体製造装置内に飛散してしまうという問題があった。

そこで、本発明の目的とするところは、被処理体の搬送
をピンセットを使用して行いながらも、ダストの発生を
より低減することができる微細処理に好適な処理装置を
提供することにある。

［発明の構成コ（問題点を解決するための手段）本発明は、被処理体の搬送経路に沿って複数の処理ユニ
ットを有する処理装置において、被処理体を吸着して前
記搬送経路に沿って移動可能であって、かつ、各処理ユ
ニットに対しテ被処理体の受け渡しが可能なピンセット
を設け、かつ、このピンセットはその平面よりも少なく
とも３箇所で突出して被処理体を支持する面を有し、こ
の突出面の少なくとも１箇所で被処理体を真空吸着可能
としたものである。

（作　用）本発明では、ピンセット上に被処理体を支持する際には
、このピンセットの平面よりも少なくとも３カ所で突出
している突出面にて被処理体を支持しているので、従来
のようにピンセットの全面にて被処理体を支持するもの
に比べれば、その接触面積は大幅に減少することになる
。しかも、この接触面の少ない前記突出面の少なくとも
１カ所にて被処理体を真空吸着しているので、この真空
吸着のための開口面積も少なく維持することができる。

このように、被処理体との接触面積が比較的小さく、し
かも真空吸着のための開口面積も小さくなるので、被処
理体のピンセットに対する接触面をミクロ的に考察した
場合の突起状部分の破損を従来よりも大幅に低減するこ
とができる。

このため、被処理体搬送時でのダストの発生を低減でき
、被処理体を微細化処理する場合にあってもその歩留り
を向上することができる。

（実施例）以下、本発明をレジスト塗布現像装置に適用した一実施
例について、図面を参照して説明する。

まず、実施例の全体概要を第４図を参照して説明する。

本体２１の中央部付近には、被処理体例えば半導体ウェ
ハ２２を保持する保持機構例えば吸着保持すると共に単
独動作が可能で上下に配置された２つのピンット２３．
２３　（一方は図示せず）を有し、かつこのピンセット
２３．２３　（一方は図示せず）をＸ（縦）方向、ｙ（
横）方向、２（垂直）方向、θ（回転）移動可能に構成
された第１の搬送機ｔｌｖ２４が配置されている。尚、
この第１の搬送機構２４は、例えばステッピングモータ
及びこれに連結されたボートスクリュー等の回転駆動機
構（図示せず）によって移動１回転される。

次に、上記第１の搬送機構２４の一方側の位置には、こ
の第１の搬送機構２４のＹ方向の移動経路２５に沿って
、複数の処理機構例えば半導体ウェハ２２とレジスト膜
との密着圧を向上させるために行うＨＭＤＳ処理機構２
６と、半導体ウェハ２２上に塗布され第１層目のレジス
ト中に残存する溶剤を加熱蒸発させるための第１のプリ
ベーク機構２７と、この第１のプリベーク機構２７で加
熱処理された半導体ウェハ２２を冷却する第１の冷却機
構２８とが、図の左から右へと並置されている。

一方、上記移動経路２５の上記各機構と対向する手前側
の位置には、半導体ウェハ２２の上面に第１層目のレジ
ストを回転塗布する第１の塗布機構２９と、半導体ウェ
ハ２２の上面に第２層目のレジストを回転塗布する第２
の塗布機構３０とが図の左から右へと並置されている。

尚、上記第１のプリベーク機構２７は、必要に応じて例
えば２〜４段と多段積みに配置構成される。そして、上
記第１の搬送機構２４により半導体ウェハ２２を上記各
機構に任意に搬送可能に設けられる。上記のように第１
の処理装置ユニット３１が構成されている。

次に、この第１の処理装置ユニット３１の右側には、半
導体ウェハ２２を一時的に待機させる載置台３２を有す
る待機機構３３が設けられている。

さらに、この待機機構３３の右側には、上記第１の処理
装置ユニット３１と同様の構成の第２の処理装置ユニッ
ト３４が設けられている。すなわち、半導体ウェハ２２
を保持する保持機構例えば吸着保持する共に単独動作が
可能で上下に配置された２つのピンセット３５．３５（
一方は図示せず）を有し、かつこのピンセット３５．３
５をＸ（縦）方向、Ｙ（横）方向、Ｚ（垂直）方向、θ
（回転）移動可能に構成され第２の搬送機構３６か配置
されている。尚、この第２の搬送機構３６は、例えばス
テッピングモータ及びこれに連結されたボールスクリュ
ー等の回転駆動機構（図示せず）によって移動１回転さ
れる。

次に、上記第２の搬送機構３６の一方側には、この第２
の搬送機構３６のＹ方向の移動経路３７に沿って、複数
の処理機構例えば、上記第１の処理装置ユニット３１の
第２の塗布機構３０によって半導体ウェハ２２の上面に
塗布された第２層目のレジスト中に残存する溶剤を加熱
蒸発させるための第２のプリベーク機構３８と、この第
２のプリベーク機構３８で加熱処理された半導体ウェハ
２２を冷却する第２の冷却機構３９とが、図の左から右
へと並置されている。一方、上記移動経路３７の上記各
機構と対向する手前側の位置には、例えば露光工程時の
光乱反射を防止するため、半導体ウェハ２２に塗布され
たレジストの上面にＣＥＬ膜等の表面被覆層を塗布形成
する表面被覆層塗布機構４０が配置されている。そして
、上記第１の処理装置ユニット３１．第２の処理装置ユ
ニット３４間、上記待機機構３３を経由して任意に半導
体ウェハ３５が搬送可能に構成されている。

次に、上記第１の処理装置ユニット３１の左側の位置に
は、処理前の半導体ウェハ２２を収納したウェハキャリ
ア４１と処理後の半導体ウェハ２２を収納するウェハキ
ャリア４２を備え、半導体ウェハ２２を吸着保持するピ
ンセット４３、及び半導体ウェハ２２を載置可能な載置
台４４を有する半導体ウェハの搬入搬出機構４５が配置
されている。また上記ウェハキャリア４１．４２を、昇
降機構（図示せず）により上下動可能に構成され、上記
ピンセット４３をＸ移動機構４６．Ｙ移動機構４７．θ
回転機構３８によりそれぞれＸ方向、Ｙ方向、θ移動可
能にも構成されている。そして、上記ピンセット４３に
より処理前の半導体ウェハ２２をウェハキャリア４１か
ら取出して載置台４４に載置し、またこの載置台４４に
載置された処理済みの半導体ウェハ２２をウェハキャリ
ア４２に収納可能に構成されている。

次に、上記ピンセット２３．３５の構造について第１図
を参照して説明する。なお、ピンセット２３．３５は共
に同一構成であるので、ここではピンセット２３につい
て説明する。

前記ピンセット２３は、その自由端がコ字状に形成され
た平板として構成され、その材質として、例えばテフロ
ンが含浸されるアルマイト処理されたアルミニウムを採
用している。

そして、このピンセット２３の特徴的構成として、前記
平板の面よりも所定高さ例えば０．５ｍ１１突出した第
１．第２の突起部５０．５１が、前記コ字状の２つの先
端位置に形成され、かっ、そのピンセットのセンターラ
イン上であって、前記第１第２の突起部５０．５１より
も離間した位置には、第３の突起部５２が、上記突起部
５０．５１の高さと同一高さにて形成されている。尚、
上記各突起部５０，５１．５２の材質としては、好まし
くはその摺動抵抗の少ないテフロンがよく、この他セラ
ミック、デルリンなどが採用することができ、本実施例
のように処理ユニットとして熱処理工程を実施する場合
には、耐熱性、断熱性のある材質を用いることが好まし
い。

上記ピンセット２３は、上記各突起部５０゜５１．５２
上に半導体ウェハ２２を３点支持するものであり、さら
に、このピンセント２３上で半導体ウェハ２２を移動し
ないように支持するために真空吸着方式を採用している
。そして、この半導体ウェハ２２を真空吸着するための
吸着用開口部５３が、前記第３の突起部５２にのみ形成
されている。

さらに、本実施例ではビンセット２３上で半導体ウェハ
２２のアライメントが実施可能となっていて、このため
に前記ピンセット２３上にはガイド部材５４が固定され
、さらにこのガイド部材５４と対向する位置であって、
このピンセット２３と共に前記移動経路２５に沿って移
動可能なベース５６上には、ストッパ一部材５５が配置
されている。

前記ガイド部材５４は、例えばデルリンにて円弧状に形
成され、その内径が前記半導体ウェハ２２の外径と路間
−となっている。そして、前記半導体ウェハ２２の一端
側が前記ガイド部材５４の円弧部分の内面と当接するこ
とで、このビンセット２３上にて半導体ウェハ２２をア
ライメント可能としている。そして、半導体ウェハ２２
を前記ガイド部材５４の円弧部分内面に当接させるため
に、前記ストッパ部材５５を設けている。

すなわち、このストッパ部材５５はベース５６に対して
上下動可能であって、半導体ウェハ２２をアライメント
する場合には半導体ウェハ２２の端面と当接する位置ま
で上昇させるようになってる。そして、このようにスト
ッパ部材５５を上昇させた後に、ピンセット２３を第１
図（Ａ）の図示右側に移動することで、半導体ウェハ２
２の一端側を前記ガイド部材５４に当接可能としている
。

尚、前記ストッパ部材５５は、第２図に示すように引張
りコイルスプリング５７にて同図の左方向に常時移動付
勢されており、この結果半導体ウェハ２２の一端側が前
記ガイド部材５４に当接した後には、このストッパ部材
５５は前記スプリング５７の付勢力に抗して第２図の右
方向に待避することができるようになっている。従って
、半導体ウェハ２２がガイド部材５４に当接した後の衝
撃を吸収できるようにしている。

次に、前記ピンセット２３の駆動機構について説明する
。

前述したように、第１の搬送機構２４及び第２の搬送機
構３６は、ダブルピンセット構造となっていて、従って
、第］の搬送機構２４について説明すれば上述したピン
セット２３Ｌｔ第１図（Ｂ）。

（Ｃ）に示すように上下にそれぞれ配置されている。そ
して、本実施例ではこの２つのピンセット２３．２３を
それぞれ独立して水平移動可能としている。

このために、上下の各ピンセット２３．２３をそれぞれ
独立して駆動するためのモータ６０゜６０（第１図（Ｂ
）では一つのみ図示）が設けられている。ここで、と下
の各ピンセット２３゜２３の駆動機構は共に同一構成を
有するので、上側のピンセット２３の駆動系についての
み説明すると、前記モータ６０の出力軸には第１のプー
リ６１が固定され、一方、この第１のプーリ６１の斜め
上方には第２のプーリ６２が回転自在に設けられている
。そして、この第１．第２のプーリ６１．６２に第１の
ベルト６３を掛は渡している。

一方、前記第２のプーリ６２に対して同軸にて一体的に
回転可能な第３のプーリ６４が前記ピンセット２３の搬
送経路の一端側に設けられ、この搬送経路の他端側には
第４のプーリ６５が回転可能に設けられている。そして
、この第３．第４のプーリ６４，６５に第２のベルト６
６を掛は渡している。

次に、上記ピンセット２３．２３と第２のベルト６６と
の連結構成について説明する。

上側のピンセット２３の連結について説明すると、この
ピンセット２３はその走行方向と直交する方向に形成さ
れた略コ字状のピンセット支持アーム７２に支持されて
いる。このピンセット支持アーム７２の内側には、被案
内体７１が固着されていて、この被案内体７１は前記ベ
ース部材５６上に形成したレール７２に沿って移動自在
となっている。尚、このレール７０には、第１図（Ａ）
に示すように、前記ピンセット２３の走行領域の両側で
あって、この走行方向と平行に形成されている。さらに
、前記被案内体７１の内側には、前記第２のベルト６６
を挟持する形でこのベルト６６に連結されたベルト連結
体７３を具備している。この結果、ピンセット２３は前
記レール７２に沿って移動自在であると共に、前記第２
のベルト６６が搬送駆動されることで、このベルト６６
に固着されたベルト連結体７３が共に移動することにな
るので、ピンセット２３の水平移動を実現することがで
きるようになっている。

尚、このピンセット２３の走行位置のリミット位置検出
を行うために、前記ベルト連結体７３には被検出体７４
が固着され、一方、前記ピンセット２３の走行領域両端
側には検出体７５．７５が配置されている。この被検出
体７４と検出体７５とはリミットスイッチを構成するも
のであり、この被検出体７４がいずれか一方の検出体７
５に検出されることによってエンド検出が可能となって
いる。尚、下側のピンセット２３の第２のベルト６６に
対する連結についても同様に（ｈ成されている。

次に、上記の２つのピンセット２３．２３を具備したベ
ース部材５６の駆動について説明すると、このベース部
材５６は搬送経路２５に沿って図示Ｙ方向に移動可能で
あり、さらに、ベース部材５６の高さ方向の位置を可変
するためにＺ方向にも移動自在となっている。また、ピ
ンセット２３の向を可変するために、ベース部材５６は
その回転方向であるθ方向に回動自在となっている。こ
のように、ベース部材５６をＹ方向に移動可能とするこ
とで、各処理ユニットに対してピンセット２３を配置す
ることができ、さらにベース部材５６を回転することで
、この各処理ユニットと対向する向きにピンセット２３
のコ字状部分を配置することができる。また、１つの処
理ユニットに対して２つのピンセット２３．２３を選択
的に使用するために、前記ベース部材５６の高さ位置を
変更し、処理ユニット内の半導体ウェハ２２の支持位置
にいずれか一方のピンセット２３を設定スることができ
るようになっている。尚、上記のベース部材５６のＹ方
向駆動、Ｚ方向駆動及びθ方向駆動の構造については、
種々の直線駆動方式あるいは回転駆動方式を採用するこ
とができ、ここではその詳細な説明を省略する。

次に、作用について説明する。

先ず、搬入搬出機構４５のＸ移動機構４６．Ｙ移動機構
４７．θ回転機構４８を動作させてピンセット４３をウ
ェハキャリア４２下に移動させる。

そして、昇降機構（図示せず）により上記ウエノ＼キャ
リア４２を下降させて収納している処理前の半導体ウェ
ハ２２を１枚上記ピンセット４３に載せて吸着保持する
。次に、このピンセット４３をＸ方向に移動させて半導
体ウェハ２２を取出した後、Ｙ方向に移動させて載置台
４４上に上記処理前の半導体ウェハ２２を載置する。

そして、第１の処理装置ユニット３１の第１の搬送機構
２４を図の左Ｙ方向に移動させて、搬入搬出機構４５の
載置台４４に載置されている処理前の半導体ウェハ２２
を例えば上側のピンセット２３が受取り吸着保持する。

ここで、前記半導体ウェハ２２のピンセット２３による
吸着保持及びアライメント動作について、第３図を参照
して説明する。

搬入搬出機構４５より受渡された半導体ウェハ２２は、
ピンセット２３の第１．第２．第３の突起部５０，５１
．５２にて３点支持されることになる。この際、このピ
ンセット２３上の半導体ウェハ２２は未だアライメント
動作が実行されてなく、従ってウェハ２２の一端面がガ
イド部材５４に当接しない状態となっている。

そこで、第３図（Ａ）に示すようにストッパ部材５５を
上昇させ、半導体ウェハ２２の端面と当接可能な位置に
て停止する。その後、ピンセット２３にて半導体ウェハ
を真空吸着せずに、このピンセット２３をストッパ部材
５５に向けて水平移動する。そして、半導体ウェハ２２
の端面がストッパ部材５５に当接後もさらにこのピンセ
ット２３を水平移動させると、半導体ウェハ２２はピン
セット２３の上記各突起部５０，５１．５２上でスライ
ドして、最終的に前記ガイド部材５４に当接した形で停
止されることになる。尚、この際第３図（Ｂ）に示すよ
うに、万一半導体ウェハ２２がピンセット２３上にてそ
の中心がずれた形で支持されている場合にあっても、ガ
イド部材５４の円弧状部分によって案内することで、そ
の正確な位置に位置決めすなわちアライメントすること
かできる。（第３図（Ｃ）参照）。

ここで、上記のクリアライメント動作を実施するに際し
て、半導体ウェハ２２は各突起部５０゜５１．５２上で
スライド移動することになるが、ピンセット２３の全面
にてウェハ２２を受けるものと比較すれば、ウェハ２２
との接触面積をかなり少なくすることができるので、こ
のアライメント時での発塵を極力押えることができる。

さらに、上記各突起部５０，５Ｌ　　５２の材質として
、例えば摺動抵抗の少ないテフロンなどを採用すること
により、ダストの発生をより低減することが可能である
。尚、半導体ウェハ２２のアライメント動作は、ストッ
パ部材５５とガイド部材５４との間に挾み込んで行うも
のであるが、この際ストッパ部材５５は第２図に示すよ
うに引張りコイルスプリング５７の付勢力に抗して退避
可能であるので、このウェハ２２の端面がガイド部材５
４に衝撃的に当接されることを防止することができる。

尚、通常半導体ウェハ２２は、その一部分に第１図（Ａ
）に示すようにオリエンテーションフラット２２ａを具
備するので、前記ストッパ部材５５はこのオリエンテー
ションフラット２２ａを押圧することになる。ただし、
オリエンテーションフラットがストッパ一部にこなくて
もアライメントは可能である。

上記のようにしてアライメント動作が終了した後に、ピ
ンセット２３上にて半導体ウェハ２２を真空吸着保持す
ることになる。この際、本実施例では真空吸着するため
の吸着用開口部５３が、第３の突起部５２にのみ形成さ
れているので、従来のピンセットのように吸着用開口部
が所定長さ領域に亘って形成されているものと比べれば
、バキューム吸引時での圧力によりウェハの裏面を破損
させるおそれを大幅に低減することができる。したがっ
て、このような構成によっても発塵の問題を解消するこ
とが可能となる。

次に、このピンセット２３を処理プロセスに応じて例え
ばＨＭＤＳ処理機構２６に向って移動させ、上記半導体
ウェハ２２を上記ＨＭＤＳ処理機構２６にセットしてＨ
ＭＤ　Ｓ　［（ＣＨ３）　３Ｓ　ｉ　ＮＨ８ｉ　　（Ｃ
Ｈ３）　３１　を蒸気状にして上記半導体ウェハ２２に
塗布する。同時に、搬入搬出機構４５を動作させ、次に
処理する半導体ウェハ２２をウェハキャリア４２から１
枚取出して載置台４４に載置する。以下、同様に動作さ
せる。

上記ＨＭＳＤ処理機構２６での処理が終了すると、第１
の搬送機構２４を移動させ例えば下側のピンセット２３
の独立した水平移動によりＨＭＤＳ処理が終了した半導
体ウェハ２２を上記ＨＭＤＳ処理機構２６から取出す。

ここで、上記ＨＭＳＤ処理機構２６にて処理している時
間を利用して、上記第１の搬送機構２４を移動して、載
置台４４に載置されている半導体ウエノ＼２２を上側の
ピンセット２３にて受取っていれば、下側のピンセット
２３を用いての処理済み半導体ウェハ２２の受取後に、
即座に上側のピンセット２３を用いて処理前の半導体ウ
ェハ２２をＨＭＤＳ処理機構２６にセットすることがで
き、スルーブツトを向上することができる。次に、前記
下側のピンセット２３に保持している処理済みの半導体
ウェハ２２を次の処理のため第１の塗布機構２９にセッ
トする。

上記第１の塗布機構２９では例えばスピンコーティング
法によりレジストを半導体ウェハ２２上面に所要量滴下
して半導体ウェハ２２を回転して塗布する。この第１の
塗布機構２９による塗布が終了した半導体ウェハ２２は
次の処理のための第１の搬送機構２４により第１のプリ
ベーク機構２７にセットして加熱する。

上記のようにして半導体ウェハ２２を順に、ＨＭＤＳ処
理機構２６＝第１の塗布機構２９−第１のプリベーク機
構２７−第１の冷却機構２８−第２の塗布機構２０に半
導体ウェハ２２を搬送セットしてそれぞれ処理を行う。

そして、上記第１の処理装置ユニット３１における最後
の処理である第２の塗布機構３０による塗布か終了する
と、第１の搬送機構２４を動作させて半導体ウェハ２２
を例えば上側のピンセット２３で取出しＸ方向、θ方向
、Ｙ方向、２方向に移動し、待機機構３３の載置台３２
に上記半導体ウェハ２２を載置する。この時、第１の冷
却機Ｉ■２８で処理を終えた半導体ウェハ２２を下側の
ピンセット２３で取出し、上記上側のピンセット２３で
第２の塗布が終了した半導体ウェハ２２を取出した後に
、上記下側のピンセット２３に保持している半導体ウェ
ハ２２を上記第２の塗布機構３０に直ちにセットするよ
うに動作することができる。また、上記第１の搬送機構
２４は、待機機構３３の載置８３２に半導体ウェハ２２
を載置した後は、第１の処理装置ユニット３１を自在に
動作できる。

次に、第２の処理装置ユニット３４の第２の搬送機構４
６を図の右Ｙ方向に移動し、例えば上側のピンセット３
５で待機機構３３の載置台３２に載置されている半導体
ウェハ２２を受取り、アライメント動作後に保持する。

この動作は、第１の搬送機構２４のピンセット２２と同
様に実施することができる。そして、第２の搬送機構３
６をＹ方向、Ｘ方向、Ｚ方向、θ方向に移動させ、上記
半導体ウェハ２２を次の処理機構である第２のプリベー
ク機構３８にセットする。この後、第２の処理装置ユニ
ット３１の第２の塗布機構３０による塗布処理が終了し
た半導体ウェハ２２があれば、この半導体ウェハ２２を
第１の搬送機構２４で、取出し搬送して載置台３２上に
載置する。

上記第２のプリベーク機構３８における処理が終了する
と、第２の搬送機構３６の例えば下側のピンセット３５
により処理終了した半導体ウェハ２２を取出す。この後
上側のピンセット３５にて保持している次の半導体ウェ
ハ２２を第２のプリベーク機構３８に受け渡した後に、
この下側のピンセット３５にて保持されている半導体ウ
ェハ２２を第２の冷却機構３９にセットする。この第２
の冷却機構３９の次には表面被覆層塗布機構４０にセッ
トして順に処理を行う。

そして、上記構成の実施例の最終処理である表面被覆層
塗布機構４０による処理が終了すると、第２の搬送機構
３６により上記表面被覆層塗布機（Ｒ４０から半導体ウ
ェハ２２を取出し待機機構３３の載置台３２に載置する
。

次に、第１の処理装置ユニット３１の第１の搬送機構２
４により上記載置台３２に載置されている半導体ウェハ
２２を受取り図の左Ｙ方向に搬送する。上記のように、
第１の処理装置ユニット３１と第２の処理装置ユニット
３４間の半導体ウェハ２２の搬送は、上記載置台３２す
なわち待機機構３３を経由して行う。

１把半導体ウニへ２２を第１の搬送機構２４により左端
まで搬送すると、半導体ウェハ２２を搬入搬出機構４５
の載置台４４に載置する。この時、この載置台４４に処
理前の半導体ウェハ２２がすでにある場合には、先にこ
の処理半導体ウェハ２２を上記載置台４４から受取って
おく。

次に、搬入搬出機構４５のピンセット４３で上記半導体
ウェハ２２を保持搬送し、ウェハキャリア４２内に処理
終了した半導体ウェハ２２を収納する。

上記のように、半導体ウェハ２２を、順に、搬入搬出機
構４５のウェハキャリア４２から搬出した後節１の処理
装置ユニット３１で処理をし、待機機構３３を経由して
第２の処理装置ユニット３４に送る。この第２の処理装
置ユニット３４での処理が終了すると再び待機機構３３
を経由して第１の処理ユニット３１に戻し搬送して、搬
入搬出機構４５のウェハキャリア４２内に収納する。

上記説明から理解されるように、第１の処理装置ユニッ
ト３１及び第２の処理装置ユニット３４の各処理機構の
構成は、必要とする処理プロセスと、各処理の所要時間
と、半導体ウェハの搬送所要時間等に基づいて、スルー
プットが最高になるように上記処理機構数を設定するこ
とができる。

また、処理機構数を増加するときには、上記のようにし
て構成した処理装置ユニットを待機機構３３により例え
ば図の右方向に連結して増設すればよい。したがって、
従来の装置のように、１つの搬送機構しか有していない
ため半導体ウェハの搬送がスムーズには行えず、各処理
機構での無駄な待機時間を必要とし搬送のための所要時
間が長くなり、その結果スループットが低下するような
ことはない。

すなわち、処理機構が増加したとしても増設は容易であ
り、また装置全体を最良の状態に動作設定することがで
きる。

尚、上記実施例では、処理装置ユニットを直線状に配置
した例について説明したが、待機機構３３にて連結され
、この待機機構３３を経由して半導体ウェハを搬送でき
れば何れの配置でもよく、例えば直角に折曲げたり並置
して構成してもよい。

尚、この、待機機構３３を実状に合せて変形するのは言
うまでもない。

また、上記実施例では、半導体ウェハ２２の搬入搬出機
構４５を装置の左端に設けたが、右側に設けてもよい。

また、上記実施例の例えば塗布機（ｈを現像機構に置き
かえて構成することにより現像装置として適用使用する
ことがてき、この細波処理体の搬送経路に沿って一連の
処理ユニットを有する種々の処理装置に適用可能である
。

そして、本発明の第１の特徴的構成としては、半導体ウ
ェハ２２などの被処理体をその接触面積を少なくした形
でピンセット２３上に支持するものであり、この際この
ような半導体ウェハ２２を安定して支持するためには、
３点以上の箇所に突起部゛を形成して支持可能とすれば
よい。また、本発明の第２の特徴的構成としては、上記
のように形成したピンセット上の突起部の少なくと１力
所以上に吸着用開口部５３を形成し、比較的狭い面積の
吸着用開口部５３にて半導体ウェハ２２を吸着支持する
ことで、従来よりも発塵の問題を大幅に解消することに
あり、この吸着用開口部５３を各突起部に形成するもの
であってもよい。

また、ピンセット２３上にてアライメント動作可能とす
る場合には、上記実施例のガイド部材５４及びストッパ
部材５５としては、例えばピンにて構成することも可能
であり、その形状についても種々の変形実施が可能であ
る。

さらに、処理のスループットを向上するためには、−台
の搬送機構に上記のように２つのビンセットを搭載する
ものが好ましいが、処理ニーズに応じて３つ以上のピン
セットを搭載することもできる。

［発明の効果コ以上説明したように本発明によれば、被処理体を比較的
少ない接触面積で載置保持することができ、さらに比較
的狭い面積の吸着用開口部にて被処理体を真空吸着する
ことで、この双方の構成の効果としてビンセットにて被
処理体を支持する際の発塵を大幅に低減でき、特に近年
の微細化処理に好適な処理装置を提供することが可能と
なる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明を半導体製造装置に適用した場合のビ
ンセット及びその駆動機構を説明するためのもので、同
図（Ａ）は搬送機構の平面図、同図（Ｂ）は搬送機構の
一部を切欠した側面図、同図（Ｃ）は搬送機構の一部を
省略した正面図、第２図は、ピンセット上にて被処理体
をアライメントする場合のガイド部材とストッパ部材と
の関係を説明するための概略説明図、第３図は、ピンセ
ット上での被処理体のアライメント動作を説明するため
の概略説明図、第４図は、実施例装置の全体構成を説明
するための概略説明図、第５図は、従来の処理装置での
被処理体搬送方法を説明するだめの概略説明図、第６図
は、被処理体を吸着保持する従来のピンセット構造を説
明するための概略説明図である。２２・・・被処理体、２３・・・ビンセット、５０〜５
２・・・突起部、５３・・・吸着用開口部、５４・・・
ガイド部材、５５・・・ストッパ部材、５７・・・付勢
部材。代理人　弁理士　井　　上　　　−（他１名）弔図・第図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）被処理体の搬送経路に沿って複数の処理ユニット
を有する処理装置において、被処理体を吸着して前記搬送経路に沿って移動可能であ
って、かつ、各処理ユニットに対して被処理体の受け渡
しが可能なピンセットを設け、かつ、このピンセットは
その平面よりも少なくとも３箇所で突出して被処理体を
支持する面を有し、この突出面の少なくとも１箇所で被
処理体を真空吸着可能としたことを特徴とする処理装置
。
（２）ピンセットには、被処理体の端部と当接すること
で被処理体を位置決め可能なガイド部材が形成され、こ
のガイド部材と対向する位置にて被処理体の他の端部と
当接可能なストッパーを設け、ピンセットに被処理体を
支持した非吸着状態でこのピンセットをストッパー側に
移動することで、被処理体をカイト部材に当接させるプ
リアライメント動作を可能としたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の処理装置。
（３）上記搬送経路に沿って一体的に移動されるピンセ
ットを複数設け、各ピンセットが独立して処理ユニット
との間で被処理体の受け渡しが可能である特許請求の範
囲第１項又は第２項記載の処理装置。