JPH01135082A - 半導体レーザ制御装置 - Google Patents
半導体レーザ制御装置Info
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- JPH01135082A JPH01135082A JP62293608A JP29360887A JPH01135082A JP H01135082 A JPH01135082 A JP H01135082A JP 62293608 A JP62293608 A JP 62293608A JP 29360887 A JP29360887 A JP 29360887A JP H01135082 A JPH01135082 A JP H01135082A
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- Japan
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- semiconductor laser
- signal
- comparator
- output
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 33
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000013459 approach Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
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- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Laser Beam Printer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は光デイスク装置、レーザビームプリンタ等の光
源として用いられる半導体レーザを制御する半導体レー
ザ制御装置に関する。
源として用いられる半導体レーザを制御する半導体レー
ザ制御装置に関する。
（従来技術）
半導体レーザを光デイスク装置、レーザビームプリンタ
等の光源として用いる場合半導体レーザの光出力を安定
化する技術は光デイスク装置における記録、再生、消去
、レーザビームプリンタにおける光書き込み等を安定に
行うために必要不可欠な技術である。
等の光源として用いる場合半導体レーザの光出力を安定
化する技術は光デイスク装置における記録、再生、消去
、レーザビームプリンタにおける光書き込み等を安定に
行うために必要不可欠な技術である。
従来は半導体レーザの光出力を安定化するために第３図
に示すような半導体レーザ制御装置が用いられていた。
に示すような半導体レーザ制御装置が用いられていた。
この半導体レーザ制御装置では半導体レーザ１から出射
された光が受光素子２により受光されて光電変換された
後に増Ｎｌ！ＩＩ３で増幅され、比較器４により基準電
圧Ｖｒｅｆと比較されてこの比較結果（２値信号）がア
ップダウンカウンタ５ヘアツブダウン信号として出力さ
れる。このアップダウン信号は半導体レーザ１の光出力
の受光素子２及び増幅器３による光電変換後の電圧が基
準電圧Ｖｒｅｆより低い場合にはアップ信号となり、逆
に半導体レーザ１の光出力の受光素子２及び増幅器３に
よる光電変換後の電圧が基準電圧Ｖｒｅｆより高い場合
にはダウン信号となる。このアップダウン信号によりア
ップダウンカウンタ５は発振器６からの一定周波数のク
ロックをカウントアツプあるいはカウントダウンする。
された光が受光素子２により受光されて光電変換された
後に増Ｎｌ！ＩＩ３で増幅され、比較器４により基準電
圧Ｖｒｅｆと比較されてこの比較結果（２値信号）がア
ップダウンカウンタ５ヘアツブダウン信号として出力さ
れる。このアップダウン信号は半導体レーザ１の光出力
の受光素子２及び増幅器３による光電変換後の電圧が基
準電圧Ｖｒｅｆより低い場合にはアップ信号となり、逆
に半導体レーザ１の光出力の受光素子２及び増幅器３に
よる光電変換後の電圧が基準電圧Ｖｒｅｆより高い場合
にはダウン信号となる。このアップダウン信号によりア
ップダウンカウンタ５は発振器６からの一定周波数のク
ロックをカウントアツプあるいはカウントダウンする。
このアップダウンカウンタ５のカウント結果はディジタ
ル／アナログ変換器７によりアナログ信号に変換されて
半導体レーザ駆動回路８に入力され、半導体レーザ駆動
回路８がその入力信号に比例した電流を半導体レーザ１
に流す、これにより半導体レーザ１の光出力が基準電圧
Ｖｒｅｆに対応した値に安定化される。
ル／アナログ変換器７によりアナログ信号に変換されて
半導体レーザ駆動回路８に入力され、半導体レーザ駆動
回路８がその入力信号に比例した電流を半導体レーザ１
に流す、これにより半導体レーザ１の光出力が基準電圧
Ｖｒｅｆに対応した値に安定化される。
しかしこの半導体レーザ制御装置では例えば光デイスク
装置における光源の制御回路に用いた場合法のような欠
点が生ずる。光ディスクの再生時にはアップダウンカウ
ンタ５がカウントアツプとカウントダウンを繰り返すの
で、アップダウンカウンタ５に入力されるクロックの周
波数の１／２の周波数で半導体レーザ１の光出力に第４
図に示すようにリップルが生じ、これが光ディスクの再
生信号にノイズとしてのってしまう。そこで発振器６と
して再生信号の周波数帯域（数１０ＫＨ２〜数ＭＨ７）
をさけた周波数で発振する発振器、例えば数ＫＨ２で発
振する発振器を用いた場合には半導体レーザ１の点灯時
の立上りが非常に遅くなり、また数１０ＭＨ２で発振す
る発振器を用いた場合には増幅器３による遅れで半導体
レーザ１の光出力にさらに大きなリップルが生ずる可能
性がある。
装置における光源の制御回路に用いた場合法のような欠
点が生ずる。光ディスクの再生時にはアップダウンカウ
ンタ５がカウントアツプとカウントダウンを繰り返すの
で、アップダウンカウンタ５に入力されるクロックの周
波数の１／２の周波数で半導体レーザ１の光出力に第４
図に示すようにリップルが生じ、これが光ディスクの再
生信号にノイズとしてのってしまう。そこで発振器６と
して再生信号の周波数帯域（数１０ＫＨ２〜数ＭＨ７）
をさけた周波数で発振する発振器、例えば数ＫＨ２で発
振する発振器を用いた場合には半導体レーザ１の点灯時
の立上りが非常に遅くなり、また数１０ＭＨ２で発振す
る発振器を用いた場合には増幅器３による遅れで半導体
レーザ１の光出力にさらに大きなリップルが生ずる可能
性がある。
またアップダウンカウンタを用いた半導体レーザ制御装
置は特開昭５９−１８９６４号公報等により知られてい
る他のものもあるが、上記第３図のものと同様な欠点を
有する。
置は特開昭５９−１８９６４号公報等により知られてい
る他のものもあるが、上記第３図のものと同様な欠点を
有する。
（目 的）
本発明は上記欠点を解決し、半導体レーザの光出力をよ
り安定に制御できて半導体レーザの点灯時に速い立上り
を示す半導体レーザ制御装置を提供することを目的とす
る。
り安定に制御できて半導体レーザの点灯時に速い立上り
を示す半導体レーザ制御装置を提供することを目的とす
る。
（構 成）
本発明は受光素子、増幅器、比較器、２値化回路、絶対
値回路、可変発振器、アップダウンカウンタ、ディジタ
ル／アナログ変換器及び半導体レーザ駆動回路を有する
。
値回路、可変発振器、アップダウンカウンタ、ディジタ
ル／アナログ変換器及び半導体レーザ駆動回路を有する
。
半導体レーザの光出力は受光素子及び増幅器により検出
され、この増幅器の出力信号が比較器により基準信号と
比較される。比較器の出力信号は２値化回路により２値
化され、また絶対値回路により比較器の出力信号の絶対
値がとられる。可変発振器は絶対値回路の出力信号に応
じて発振周波数が変化し、アップダウンカウンタはその
可変発振器の出力がクロックとして入力されるとともに
２値化回路の出力信号がアップダウン信号として入力さ
れる。ディジタル／アナログ変換器はアップダウンカウ
ンタの出力信号をアナログ量に変換し、半導体レーザ駆
動回路はディジタル／アナログ変換器の出力信号に比例
した電流を半導体レーザに流す、従って比較器から出力
される誤差信号の絶対値の大きさに応じて前記アップダ
ウンカウンタに入力されるクロックの周波数が変化する
。
され、この増幅器の出力信号が比較器により基準信号と
比較される。比較器の出力信号は２値化回路により２値
化され、また絶対値回路により比較器の出力信号の絶対
値がとられる。可変発振器は絶対値回路の出力信号に応
じて発振周波数が変化し、アップダウンカウンタはその
可変発振器の出力がクロックとして入力されるとともに
２値化回路の出力信号がアップダウン信号として入力さ
れる。ディジタル／アナログ変換器はアップダウンカウ
ンタの出力信号をアナログ量に変換し、半導体レーザ駆
動回路はディジタル／アナログ変換器の出力信号に比例
した電流を半導体レーザに流す、従って比較器から出力
される誤差信号の絶対値の大きさに応じて前記アップダ
ウンカウンタに入力されるクロックの周波数が変化する
。
第１図は本発明の一実施例を示す。
半導体レーザ１１より出射された光は受光素子１２によ
り受光されて光電変換され、増幅器１３により増幅され
る。この増幅器１３の出力信号は比較器１４により基準
電圧Ｖｒｅｆと比較されて誤差信号（増幅器１３の出力
信号と基準電圧Ｖｒｅｆとの差の信号）が得られる。こ
の比較器１４の出力信号は２値化回路１５により２値化
され、アップダウンカウンタ１６にアップダウン信号と
して入力される。このアップダウン信号は半導体レーザ
１１の光出力が目標とする光パワーより低い場合にはア
ップ信号となり、逆に半導体レーザ１の光出力が目標と
する光パワーより高い場合にはダウン信号となる。この
アップダウン信号によりアップダウンカウンタ１６は発
振器１８からのクロックをカウントアツプあるいはカウ
ントダウンする。このアップダウンカウンタ１６のカウ
ント結果はディジタル／アナログ（Ｄ／Ａ）変換器１９
によりアナログ信号に変換されて半導体レーザ駆動回路
２゜に入力され、半導体レーザ駆動回路２０がその入力
信号に比例した電流を半導体レーザ１１に流す。
り受光されて光電変換され、増幅器１３により増幅され
る。この増幅器１３の出力信号は比較器１４により基準
電圧Ｖｒｅｆと比較されて誤差信号（増幅器１３の出力
信号と基準電圧Ｖｒｅｆとの差の信号）が得られる。こ
の比較器１４の出力信号は２値化回路１５により２値化
され、アップダウンカウンタ１６にアップダウン信号と
して入力される。このアップダウン信号は半導体レーザ
１１の光出力が目標とする光パワーより低い場合にはア
ップ信号となり、逆に半導体レーザ１の光出力が目標と
する光パワーより高い場合にはダウン信号となる。この
アップダウン信号によりアップダウンカウンタ１６は発
振器１８からのクロックをカウントアツプあるいはカウ
ントダウンする。このアップダウンカウンタ１６のカウ
ント結果はディジタル／アナログ（Ｄ／Ａ）変換器１９
によりアナログ信号に変換されて半導体レーザ駆動回路
２゜に入力され、半導体レーザ駆動回路２０がその入力
信号に比例した電流を半導体レーザ１１に流す。
また比較器１４からの誤差信号は絶対値回路１７で絶対
値がとられ、この絶対値回路１７の出力信号により可変
発振器１８の発振周波数が可変されてこの可変発振器１
８の出力信号がアップダウンカウンタ１６にクロックと
して入力される。これにより比較器１４からの誤差信号
が大きい時（半導体レーザ１１の光出力が目標とする光
パワーと大きく異なる時）には可変発振器１８は発振周
波数が高くなるように構成されているから、素早く半導
体レーザ１１の光出力が目標とする光パワーに近づく。
値がとられ、この絶対値回路１７の出力信号により可変
発振器１８の発振周波数が可変されてこの可変発振器１
８の出力信号がアップダウンカウンタ１６にクロックと
して入力される。これにより比較器１４からの誤差信号
が大きい時（半導体レーザ１１の光出力が目標とする光
パワーと大きく異なる時）には可変発振器１８は発振周
波数が高くなるように構成されているから、素早く半導
体レーザ１１の光出力が目標とする光パワーに近づく。
また比較器１４からの誤差信号が十分に小さい時（半導
体レーザ１１の光出力が目標とする光パワーに十分に近
づいた時）には可変発振器１８は発振周波数が十分に低
くなる（あるいは発振を停止する）ように構成されてい
ることにより、リップルのない安定な光出力が半導体レ
ーザ１１より得られる。
体レーザ１１の光出力が目標とする光パワーに十分に近
づいた時）には可変発振器１８は発振周波数が十分に低
くなる（あるいは発振を停止する）ように構成されてい
ることにより、リップルのない安定な光出力が半導体レ
ーザ１１より得られる。
第２図は本発明の他の実施例を示す。
この実施例は光磁気ディスク装置において光源として用
いられている半導体レーザを＃御する例であり、第１図
と同一部分には同一符号が付しである。光磁気ディスク
装置における光源としては再生パワー、消去パワー、記
録パワーを出す必要があり、半導体レーザ１１が再生パ
ワーを出す再生時には上記実施例と同様に動作して半導
体レーザ駆動回路２１がディジタル／アナログ変換器１
９の出力信号に比例した電流を半導体レーザ１１に流す
。半導体レーザ１１が消去パワーを出す消去時にはアッ
プダウンカウンタ１６が図示しない回路からのコントロ
ール信号により停止し、半導体レーザ駆動回路２１はデ
ィジタル／アナログ変換器１９の出力信号に比例した電
流を半導体レーザ１１に流すだけでなく、図示しない回
路からあらかじめ決められた基準電圧Ｖｒｅｆ２が印加
されてこれに比例した電流を半導体レーザ１１に更に流
して半導体レーザ１１より消去パワーを出力させる。
いられている半導体レーザを＃御する例であり、第１図
と同一部分には同一符号が付しである。光磁気ディスク
装置における光源としては再生パワー、消去パワー、記
録パワーを出す必要があり、半導体レーザ１１が再生パ
ワーを出す再生時には上記実施例と同様に動作して半導
体レーザ駆動回路２１がディジタル／アナログ変換器１
９の出力信号に比例した電流を半導体レーザ１１に流す
。半導体レーザ１１が消去パワーを出す消去時にはアッ
プダウンカウンタ１６が図示しない回路からのコントロ
ール信号により停止し、半導体レーザ駆動回路２１はデ
ィジタル／アナログ変換器１９の出力信号に比例した電
流を半導体レーザ１１に流すだけでなく、図示しない回
路からあらかじめ決められた基準電圧Ｖｒｅｆ２が印加
されてこれに比例した電流を半導体レーザ１１に更に流
して半導体レーザ１１より消去パワーを出力させる。
また半導体レーザ１１が記録パワーを出す記録時にはア
ップダウンカウンタ１６が図示しない回路からのコント
ロール信号により停止する。そして半導体レーザ駆動回
路２１はディジタル／アナログ変換器１９の出力信号に
比例した電流を半導体レーザ１１に流すだけでなく１図
示しない回路からあらかじめ決められた基準電圧Ｖｒｅ
ｆ３が印加されてこれに比例した電流を半導体レーザ１
１に更に流して半導体レーザ１１より記録パワーを出力
させ、かつ変調信号により半導体レーザ１１を変調する
。
ップダウンカウンタ１６が図示しない回路からのコント
ロール信号により停止する。そして半導体レーザ駆動回
路２１はディジタル／アナログ変換器１９の出力信号に
比例した電流を半導体レーザ１１に流すだけでなく１図
示しない回路からあらかじめ決められた基準電圧Ｖｒｅ
ｆ３が印加されてこれに比例した電流を半導体レーザ１
１に更に流して半導体レーザ１１より記録パワーを出力
させ、かつ変調信号により半導体レーザ１１を変調する
。
（効 果）
以上のように本発明によれば半導体レーザの光出力を検
出する受光素子及び増幅器と、この増幅器の出力信号を
基準信号と比較する比較器と、この比較器の出力信号を
２値化する２値化回路と、前記比較器の出力信号の絶対
値をとる絶対値回路と、この絶対値回路の出力信号に応
じて発振周波数が変化する可変発振器と、この可変発振
器の出力がクロックとして入力され前記２値化回路の出
力信号がアップダウン信号として入力されるアップダウ
ンカウンタと、このアップダウンカウンタの出力信号を
アナログ量に変換するディジタル／アナログ変換器と、
このディジタル／アナログ変換器の出力信号に比例した
電流を前記半導体レーザに流す半導体レーザ駆動回路と
を有し、前記比較器から出力される誤差信号の絶対値の
大きさに応じて前記アップダウンカウンタに入力される
クロックの周波数を変化させるので、半導体レーザの光
出力をより安定に制御できて半導体レーザの点灯時の立
上りも速くできる。
出する受光素子及び増幅器と、この増幅器の出力信号を
基準信号と比較する比較器と、この比較器の出力信号を
２値化する２値化回路と、前記比較器の出力信号の絶対
値をとる絶対値回路と、この絶対値回路の出力信号に応
じて発振周波数が変化する可変発振器と、この可変発振
器の出力がクロックとして入力され前記２値化回路の出
力信号がアップダウン信号として入力されるアップダウ
ンカウンタと、このアップダウンカウンタの出力信号を
アナログ量に変換するディジタル／アナログ変換器と、
このディジタル／アナログ変換器の出力信号に比例した
電流を前記半導体レーザに流す半導体レーザ駆動回路と
を有し、前記比較器から出力される誤差信号の絶対値の
大きさに応じて前記アップダウンカウンタに入力される
クロックの周波数を変化させるので、半導体レーザの光
出力をより安定に制御できて半導体レーザの点灯時の立
上りも速くできる。
第１図及び第２図は本発明の各実施例を示すブロック図
、第３図は従来の半導体レーザ制御装置を示すブロック
図、第４図は同半導体レーザ制御装置により制御された
半導体レーザの光出力を示す図である。 １１・・・半導体レーザ、１２・・・受光素子、１３・
・・増幅器、１４・・・比較器、１５・・・２値化回路
、１６・・・アップダウンカウンタ、１７・・・絶対値
回路、１８・・・可変発振器、１９・・・ディジタル／
アナログ変換器、２０．２１・・・半導体レーザ駆動回
路。 第４図
、第３図は従来の半導体レーザ制御装置を示すブロック
図、第４図は同半導体レーザ制御装置により制御された
半導体レーザの光出力を示す図である。 １１・・・半導体レーザ、１２・・・受光素子、１３・
・・増幅器、１４・・・比較器、１５・・・２値化回路
、１６・・・アップダウンカウンタ、１７・・・絶対値
回路、１８・・・可変発振器、１９・・・ディジタル／
アナログ変換器、２０．２１・・・半導体レーザ駆動回
路。 第４図
Claims (1)
- 半導体レーザの光出力を検出する受光素子及び増幅器
と、この増幅器の出力信号を基準信号と比較する比較器
と、この比較器の出力信号を２値化する２値化回路と、
前記比較器の出力信号の絶対値をとる絶対値回路と、こ
の絶対値回路の出力信号に応じて発振周波数が変化する
可変発振器と、この可変発振器の出力がクロックとして
入力され前記２値化回路の出力信号がアップダウン信号
として入力されるアップダウンカウンタと、このアップ
ダウンカウンタの出力信号をアナログ量に変換するディ
ジタル／アナログ変換器と、このディジタル／アナログ
変換器の出力信号に比例した電流を前記半導体レーザに
流す半導体レーザ駆動回路とを有し、前記比較器から出
力される誤差信号の絶対値の大きさに応じて前記アップ
ダウンカウンタに入力されるクロックの周波数を変化さ
せることを特徴とした半導体レーザ制御装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62293608A JPH01135082A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 半導体レーザ制御装置 |
| US07/270,523 US4853934A (en) | 1987-11-20 | 1988-11-14 | Semiconductor laser control apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62293608A JPH01135082A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 半導体レーザ制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01135082A true JPH01135082A (ja) | 1989-05-26 |
Family
ID=17796913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62293608A Pending JPH01135082A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 半導体レーザ制御装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4853934A (ja) |
| JP (1) | JPH01135082A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN113422277A (zh) * | 2021-06-23 | 2021-09-21 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种激光器输出功率自动实时校准的装置及方法 |
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| JPH03276782A (ja) * | 1990-03-27 | 1991-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パルス光源 |
| JPH0590691A (ja) * | 1991-09-26 | 1993-04-09 | Sharp Corp | レーザ光出力制御装置 |
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-
1987
- 1987-11-20 JP JP62293608A patent/JPH01135082A/ja active Pending
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1988
- 1988-11-14 US US07/270,523 patent/US4853934A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004273663A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Hitachi Printing Solutions Ltd | 自動光出力制御装置 |
| JP2009135138A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-18 | Texas Instr Japan Ltd | Ｌｅｄ駆動回路 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4853934A (en) | 1989-08-01 |
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