JP6693575B2 - 窒化ケイ素粉末、多結晶シリコンインゴット用離型剤及び多結晶シリコンインゴットの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の窒化ケイ素粉末は、BET法により測定される比表面積が0.4m2/g以上5m2/g以下の窒化ケイ素粉末であって、β型窒化ケイ素の割合が70質量%以上であり、レーザ回折散乱法により測定される体積基準の50%粒子径をD50とし、90%粒子径をD90としたときに、D50が2μm以上20μm以下であり、D90が8μm以上60μm以下であり、Feの含有割合が100ppm以下であり、Alの含有割合が100ppm以下であり、FeおよびAl以外の金属不純物の含有割合の合計が100ppm以下であり、β型窒化ケイ素の粉末X線回折パターンよりWilliamson−Hall式を用いて算出されるβ型窒化ケイ素の結晶子径をDCとしたときに、DCが300nm以上であることを特徴とする。
本発明の多結晶シリコンインゴット用離型剤は、本発明の窒化ケイ素粉末を含む。本発明の多結晶シリコンインゴット用離型剤は、本発明の窒化ケイ素粉末が主成分であれば良く、窒化ケイ素以外の成分を含んでいても良いが、本発明の窒化ケイ素粉末のみからなっていても良い。
本発明の多結晶シリコンインゴットの製造方法を以下に説明する。本発明の多結晶シリコンインゴットの製造方法は、鋳型内に収容された溶融シリコンを凝固(特に一方向凝固)させる多結晶シリコンインゴットの製造方法であって、前記鋳型として、前記溶融シリコンとの接触面に本発明の窒化ケイ素粉末が塗布された鋳型を用いることを特徴とする。
本発明の窒化ケイ素粉末の製造方法の一例を以下に説明する。本発明の窒化ケイ素粉末は、例えば、シリコンの燃焼反応に伴う自己発熱および伝播現象を利用した燃焼合成法により窒化ケイ素を合成する窒化ケイ素の燃焼合成プロセスにおいて、特定の製造条件を用い、具体的には、原料のシリコン粉末に希釈剤として窒化ケイ素粉末を特定の割合で混合し、原料のシリコン粉末と希釈剤として窒化ケイ素粉末の金属不純物の含有割合を少なくし、シリコン粉末と窒化ケイ素粉末との混合物の充填密度を小さくして燃焼反応を行って圧壊強度が小さい燃焼生成物を作製し、得られた圧壊強度が小さい燃焼生成物を、粉砕エネルギーが小さくかつ金属不純物が混入し難い方法を用いて粉砕することによって、金属不純物の含有割合が少なく、β型窒化ケイ素の含有割合が大きく、本発明で特定する比表面積及び粒径分布を有し、結晶子径が大きく結晶歪が小さい等の特徴を有する窒化ケイ素粉末を製造することができる。以下、その製造方法の一例を具体的に説明する。
はじめに、シリコン粉末と、希釈剤の窒化ケイ素粉末とを混合して、混合原料粉末を調製する。燃焼合成反応は1800℃以上の高温となるため、燃焼反応する部分でシリコンの溶融・溶着が起こることがある。これを抑制する目的で、燃焼反応の自己伝播を妨げない範囲で、原料粉末に希釈剤として窒化ケイ素粉末を添加することが好ましい。希釈剤の添加率は、通常、10〜50質量%(シリコン:窒化ケイ素の質量比が90:10〜50:50)、さらには15〜40質量%である。また、燃焼合成反応で得られる燃焼生成物のβ型窒化ケイ素の割合を調整する上で、NH4ClやNaClなどを添加しても良い。これらの添加物は顕熱、潜熱および吸熱反応により反応温度を下げる効果がある。ここで、得られる混合原料粉末における、Feの含有割合、Alの含有割合、FeおよびAl以外の金属不純物の含有割合は、それぞれ100ppm以下、さらには50ppm以下、10ppm以下とすることが好ましい。したがって、シリコン粉末にも、希釈剤の窒化ケイ素粉末にも、金属不純物の含有割合が少ない高純度な粉末を用いることが好ましい。また、原料粉末の混合に用いる混合容器の内面と混合メディアなどの、原料粉末と接触する箇所は、AlおよびFeなどの含有割合が少ない非金属製の素材であることが好ましい。原料粉末の混合方法は特に制限されないが、例えばボールミル混合を採用する場合は、混合容器の内面は樹脂製であることが好ましく、混合メディアの外面は窒化ケイ素製であることが好ましい。また、混合原料粉末のかさ密度を0.5g/cm3未満とすることが好ましい。混合原料粉末のかさ密度を0.5g/cm3未満にするには、かさ密度が0.45g/cm3以下のシリコン粉末を原料粉末として用いることが好ましい。混合原料粉末のかさ密度が0.5g/cm3未満ならば、後述する<燃焼合成反応工程>にて得られる塊状の燃焼生成物の圧壊強度を4MPa以下にすることが容易である。
次いで、得られた混合原料粉末を窒素含有雰囲気にて燃焼させて、窒化ケイ素からなる塊状の燃焼生成物を作製する。例えば、混合原料粉末を黒鉛製などの容器に着火剤と一緒に収容し、燃焼合成反応装置内で、着火剤に着火し、着火剤の窒化燃焼熱によって混合原料粉末中のシリコンの窒化反応を開始させ、同反応をシリコン全体に自己伝播させて燃焼合成反応を完了させ、窒化ケイ素からなる塊状の燃焼生成物を得る。
次いで、得られた塊状の燃焼生成物を粗粉砕する。粗粉砕の粉砕手段に特に制限はないが、粉砕メディアとして、AlおよびFeなどの含有割合が少ない硬質な非金属製の素材を用いることが好ましく、窒化ケイ素製の粉砕メディアを用いることがさらに好ましい。燃焼生成物が塊状であることから、ロールクラッシャーによる粉砕が効率的であり、ロールクラッシャーとしては、窒化ケイ素などのセラミックス製のロールを供えていることが好ましい。
本発明の窒化ケイ素粉末の比表面積は、Mountech社製Macsorbを用いて、窒素ガス吸着によるBET1点法にて測定して求めた。
DBET=6/(ρS×S)・・・(1)
本発明の窒化ケイ素粉末のβ型窒化ケイ素粉末の割合は以下のようにして算出した。本発明の窒化ケイ素粉末について、銅の管球からなるターゲットおよびグラファイトモノクロームメーターを使用して、回折角(2θ)15〜80°の範囲を0.02°刻みでX線検出器をステップスキャンする定時ステップ走査法にてX線回折測定を行った。窒化ケイ素粉末が窒化ケイ素以外の成分を含む場合には、それらの成分のピークをそれらの成分の標準試料の対応するピークと対比することでそれらの成分の割合を求めることができる。以下のすべての実施例及び比較例では、得られた粉末X線回折パターンより、本発明の窒化ケイ素粉末がα型窒化ケイ素とβ型窒化ケイ素のみから構成されていることを確認した。その上で、本発明の窒化ケイ素粉末のβ型窒化ケイ素の割合は、G.P.Gazzara and D.P.Messier,“Determination of Phase Content of Si3N4 by X−ray Diffraction Analysis”,Am. Ceram.Soc.Bull.,56[9]777−80(1977)に記載されたGazzara & Messierの方法により、算出した。
本発明の窒化ケイ素粉末、本発明で原料として使用したシリコン粉末の粒度分布は、以下のようにして測定した。前記粉末を、ヘキサメタリン酸ソーダ0.2質量%水溶液中に投入して、直径26mmのステンレス製センターコーンを取り付けた超音波ホモジナイザーを用いて300Wの出力で6分間分散処理して希薄溶液を調製し、測定試料とした。レーザ回折/散乱式粒子径分布測定装置(日機装株式会社製マイクロトラックMT3000)を用いて測定試料の粒度分布を測定し、体積基準の粒度分布曲線とそのデータを得た。得られた粒度分布曲線とそのデータより、本発明の窒化ケイ素粉末のD50、D90およびD10と、本発明で原料として使用したシリコン粉末のD50を算出した。
本発明の窒化ケイ素粉末、本発明で原料として使用したシリコン粉末、および原料混合粉末のFeおよびAl、FeおよびAl以外の金属不純物の含有割合は、以下のようにして測定した。フッ酸と硝酸とを混合した液を収容した容器に、上記粉末を投入し密栓して、同容器にマイクロ波を照射して加熱し、窒化ケイ素またはシリコンを完全に分解し、得られた分解液を超純水で定容して検液とした。エスアイアイ・ナノテクノロジー社製ICP−AES(SPS5100型)を用いて、検出された波長とその発光強度から検液中のFe、Al、およびFeとAl以外の金属不純物を定量し、Fe、Al、およびFeとAl以外の金属不純物の含有割合を算出した。
本発明の窒化ケイ素粉末のβ型窒化ケイ素の結晶子径DCおよび結晶歪は、次のようにして測定した。本発明の窒化ケイ素粉末について、銅の管球からなるターゲットおよびグラファイトモノクロームメーターを使用して、回折角(2θ)15〜80°の範囲を0.02°刻みでX線検出器をステップスキャンする定時ステップ走査法にてX線回折測定を行った。得られた本発明の窒化ケイ素粉末のX線回折パターンより、β型窒化ケイ素の(101)、(110)、(200)、(201)および(210)面のそれぞれの積分幅を算出し、前記積分幅を下記の式(2)のWilliamson−Hall式に代入した。下記の式(2)における「2sinθ/λ」をx軸、「βcosθ/λ」をy軸としてプロットし、最小二乗法を用いて、このWilliamson−Hall式より得られる直線の切片および傾きを求めた。そして、前記切片よりβ型窒化ケイ素の結晶子径Dcを、また、前記傾きよりβ型窒化ケイ素の結晶歪を算出した。
βcosθ/λ=η×(2sinθ/λ)+(1/Dc)・・・(2)
(β;積分幅(rad)、θ;ブラッグ角(rad)、η;結晶歪、λ;X線源の波長(nm)、Dc;結晶子径(nm))
本発明で得られる混合原料粉末のかさ密度は、JIS R1628「ファインセラミックス粉末のかさ密度測定方法」に準拠した方法により求めた。
本発明で得られる燃焼生成物の圧壊強度は、以下のようにして測定した。燃焼生成物より、一辺が10mmの立方体を5個切り出して測定試料とした。手動式圧壊強度測定装置(アイコーエンジニアリング株式会社製、MODEL-1334型)を用いて前記測定試料の圧壊強度を測定した。台座に載置した測定試料に荷重を印加して圧縮試験を行い、測定された最大荷重より圧壊強度を算出した。本発明で得られる燃焼生成物の圧壊強度は、5個の測定試料の圧壊強度の平均値とした。
本発明においては、本発明の窒化ケイ素粉末を離型剤として塗布して作製した鋳型を用いて多結晶シリコンインゴットの一方向凝固実験を行い、多結晶シリコンインゴットを鋳型から離型して、以下のようにして本発明の窒化ケイ素粉末を評価した。多結晶シリコンインゴットが鋳型から離型でき、多結晶シリコンインゴットに離型層の付着が確認されない場合を○、多結晶シリコンインゴットが鋳型から離型できるものの、多結晶シリコンインゴットに離型層の付着が確認される場合を△、多結晶シリコンインゴットが鋳型から離型できないか、離型できても多結晶シリコンインゴットに割れまたは欠けが生じる場合を×とした。
一方向凝固実験にて得られた多結晶シリコンインゴットに含まれるFe、Al、およびFeとAl以外の金属不純物を、以下のようにして測定した。得られた多結晶シリコンインゴットを、切断面が凝固方向に対して平行になるように二分割し、その切断面の中心軸上で、底から1cm上の位置を測定位置として、飛行時間型二次イオン質量分析法(アルバック・ファイ社製(TRIFT V nano TOF型))にて表面分析を行った。Fe、Al、およびFeとAl以外の金属不純物の二次質量スペクトルの規格化二次イオン強度が1×10−4以上の場合を検出、1×10−4未満の場合を未検出とした。ここで、規格化二次イオン強度とは、各スペクトルの二次イオン強度を、検出された全スペクトルの二次イオン強度で除したものである。
D50が4.0μm、かさ密度が0.40g/cm3で、Feの含有割合が3ppm、Alの含有割合が4ppm、FeおよびAl以外の金属不純物の含有割合が3ppmのシリコン粉末に、希釈剤として、窒化ケイ素粉末(宇部興産株式会社製、製品名「SN−E10」(Feの含有割合;9ppm、Alの含有割合;2ppm、FeおよびAl以外の金属不純物の含有割合;4ppm))を、窒化ケイ素の添加率が20質量%(シリコン:窒化ケイ素の質量比が80:20)になるように添加して原料粉末とした。前記原料粉末を、窒化ケイ素製ボールが充填された、内壁面がウレタンでライニングされたナイロン製のポットに収容して、バッチ式振動ミルを用いて、振動数1200cpm、振幅8mmで0.5時間混合し、混合原料粉末を得た。
粗粉砕後の篩通しを、目開き120μmの篩を用いて行ったこと以外は実施例1−1と同様にして、実施例1−2の窒化ケイ素粉末を作製した。そして、実施例1−2の窒化ケイ素粉末を用いて実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコン鋳造用鋳型を2個作製した。1500℃および1525℃の二通りの炉内温度での一方向凝固実験を、それらの鋳型を用いて実施例1−1と同様の方法で行い、実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型を評価した。
粗粉砕後の篩通しを、目開き80μmの篩を用いて行ったこと以外は実施例1−1と同様にして、実施例1−3の窒化ケイ素粉末を作製した。そして、実施例1−3の窒化ケイ素粉末を用いて実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコン鋳造用鋳型を2個作製した。実施例1−1と同様の二通りの炉内温度での一方向凝固実験を、それらの鋳型を用いて実施例1−1と同様の方法で行い、実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型を評価した。
粗粉砕後の篩通しを、目開き125μmの篩を用いて行ったこと以外は実施例1−1と同様にして、実施例1−4の窒化ケイ素粉末を作製した。そして、実施例1−4の窒化ケイ素粉末を用いて実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコン鋳造用鋳型を3個作製した。1500℃、1525℃および1550℃の三通りの炉内温度での一方向凝固実験を、それらの鋳型を用いて実施例1−1と同様の方法で行い、実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型を評価した。
粗粉砕し篩通しして得られた窒化ケイ素粉末を、窒化ケイ素製ボールが充填された内壁面がウレタンでライニングされたナイロン製のポットに収容し、バッチ式振動ミルを用いて、振動数1780cpm、振幅5mm、で20分微粉砕したこと以外は実施例1−1と同様にして、実施例1−5の窒化ケイ素粉末を作製した。なお、バッチ式振動ミルでの粉砕の際には、粉砕助剤として燃焼生成物に対して1質量%のエタノールを添加した。そして、実施例1−5の窒化ケイ素粉末を用いて実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコン鋳造用鋳型を2個作製した。実施例1−1と同様の二通りの炉内温度での一方向凝固実験を、それらの鋳型を用いて実施例1−1と同様の方法で行い、実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型を評価した。
微粉砕の時間を40分にしたこと以外は実施例1−5と同様にして、実施例1−6の窒化ケイ素粉末を作製した。そして、実施例1−6の窒化ケイ素粉末を用いて実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコン鋳造用鋳型を2個作製した。実施例1−1と同様の二通りの炉内温度での一方向凝固実験を、それらの鋳型を用いて実施例1−1と同様の方法で行い、実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型を評価した。
微粉砕の時間を50分にしたこと以外は実施例1−5と同様にして、実施例1−7の窒化ケイ素粉末を作製した。そして、実施例1−7の窒化ケイ素粉末を用いて実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコン鋳造用鋳型を2個作製した。実施例1−1と同様の二通りの炉内温度での一方向凝固実験を、それらの鋳型を用いて実施例1−1と同様の方法で行い、実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型を評価した。
粗粉砕後の篩通しを、目開き20μmの篩を用いて行ったこと以外は実施例1−7と同様にして、実施例1−8の窒化ケイ素粉末を作製した。そして、実施例1−8の窒化ケイ素粉末を用いて実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコン鋳造用鋳型を2個作製した。実施例1−2と同様の二通りの炉内温度での一方向凝固実験を、それらの鋳型を用いて実施例1−2と同様の方法で行い、実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型を評価した。
粗粉砕して得られた窒化ケイ素粉末を、接吻部に窒化ケイ素製のライナーを備えた気流式粉砕機(日清エンジリング株式会社製SJ−1500型)を使用して、必要空気量3.0m3/分、原料供給速度250g/分程度の条件で粉砕し、実施例1−9の窒化ケイ素粉末を作製した。そして、実施例1−9の窒化ケイ素粉末を用いて実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコン鋳造用鋳型を2個作製した。実施例1−1と同様の二通りの炉内温度での一方向凝固実験を、それらの鋳型を用いて実施例1−1と同様の方法で行い、実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型を評価した。
原料粉末に、添加剤として、塩化アンモニウム(和光純薬製、純度99.9%)を、6.9質量%(シリコンと窒化ケイ素の混合粉末と塩化アンモニウムの質量比が93.1:6.9になるように)さらに添加したこと以外は実施例1−6と同様にして、実施例1−10の窒化ケイ素粉末を作製した。そして、実施例1−10の窒化ケイ素粉末を用いて実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコン鋳造用鋳型を2個作製した。実施例1−1と同様の二通りの炉内温度での一方向凝固実験を、それらの鋳型を用いて実施例1−1と同様の方法で行い、実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型を評価した。
添加剤の塩化アンモニウムの添加割合を、9.2質量%(シリコンと窒化ケイ素の混合粉末と塩化アンモニウムとの質量比が90.8:9.2となるように)としたこと以外は実施例1−10と同様にして、実施例1−11の窒化ケイ素粉末を作製した。そして、実施例1−11の窒化ケイ素粉末を用いて実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコン鋳造用鋳型を3個作製した。実施例1−4と同様の三通りの炉内温度での一方向凝固実験を、それらの鋳型を用いて実施例1−1と同様の方法で行い、実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型を評価した。
原料粉末のシリコン粉末を、D50が3.3μm、かさ密度が0.36g/cm3で、Feの含有割合が3ppmのシリコン粉末にし、Alの含有割合が3ppm、FeおよびAl以外の金属不純物の含有割合が3ppm、希釈剤を、SKW社製窒化ケイ素粉末(Feの含有割合;310ppm、Alの含有割合;145ppm、FeおよびAl以外の金属不純物の含有割合;42ppm)にしたこと以外は実施例1−1と同様にして、実施例1−12の窒化ケイ素粉末を作製した。そして、実施例1−12の窒化ケイ素粉末を用いて実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコン鋳造用鋳型を2個作製した。実施例1−1と同様の二通りの炉内温度での一方向凝固実験を、それらの鋳型を用いて実施例1−1と同様の方法で行い、実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型を評価した。
原料粉末のシリコン粉末を、D50が3.3μm、かさ密度が0.36g/cm3で、Feの含有割合が3ppm、Alの含有割合が3ppm、FeおよびAl以外の金属不純物の含有割合が3ppmのシリコン粉末にし、希釈剤を、VESTA Si社製製窒化ケイ素粉末(Feの含有割合;224ppm、Alの含有割合;500ppm、FeおよびAl以外の金属不純物の含有割合;174ppm)にしたこと以外は実施例1−7と同様にして、実施例1−13の窒化ケイ素粉末を作製した。そして、実施例1−13の窒化ケイ素粉末を用いて実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコン鋳造用鋳型を2個作製した。実施例1−1と同様の二通りの炉内温度での一方向凝固実験を、それらの鋳型を用いて実施例1−1と同様の方法で行い、実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型を評価した。
粗粉砕後の篩通しを行わなかったこと以外は実施例1−1と同様にして、比較例1−1の窒化ケイ素粉末を作製した。比較例1−1で得られた窒化ケイ素粉末は、表2に見られるように、比表面積が0.25m2/gと小さく、D10,D50,D90はそれぞれ15.50μm、26.34μm、62.34μmといずれも大きかった。そして、比較例1−1の窒化ケイ素粉末を用いて実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコン鋳造用鋳型を1個作製した。1500℃の炉内温度での一方向凝固実験のみを、その鋳型を用いて実施例1−1と同様の方法で行い、実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型を評価した。
微粉砕の時間を60分にしたこと以外は実施例1−5と同様の方法で、比較例1−2の窒化ケイ素粉末を作製した。比較例1−2で得られた窒化ケイ素粉末は、表2に見られるように、比表面積が5.70m2/g、D90が5.69μmであり、粒径が小さい粉末であった。そして、比較例1−2の窒化ケイ素粉末を用いて実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコン鋳造用鋳型を1個作製した。比較例1−1と同様の炉内温度での一方向凝固実験を、その鋳型を用いて比較例1−1と同様の方法で行い、実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型を評価した。
原料粉末に、添加剤として塩化アンモニウム(和光純薬製、純度99.9%)を、12.3質量%(シリコンと窒化ケイ素の混合粉末と塩化アンモニウムとの質量比が87.7:12.3となるように)さらに添加したこと以外は実施例1−7と同様にして、比較例1−3の窒化ケイ素粉末を作製した。比較例1−3で得られた窒化ケイ素粉末は、表2に見られるように、β型窒化ケイ素の割合が64%で少ない粉末であった。そして、比較例1−3の窒化ケイ素粉末を用いて実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコン鋳造用鋳型を1個作製した。比較例1−1と同様の炉内温度での一方向凝固実験を、その鋳型を用いて比較例1−1と同様の方法で行い、実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型を評価した。
原料粉末に、D50が6.0μm、かさ密度が0.60g/cm3で、Feの含有割合が4ppm、Alの含有割合が4ppm、FeおよびAl以外の金属不純物の含有割合が4ppmのシリコン粉末を用いたこと以外は実施例1−7と同様にして、比較例1−4の窒化ケイ素粉末を作製した。比較例1−4で得られた窒化ケイ素粉末は、表2に見られるように、結晶子径Dcが290nmと小さく、結晶歪が0.92×10−4と大きい粉末であった。そして、比較例1−4の窒化ケイ素粉末を用いて実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコン鋳造用鋳型を1個作製した。比較例1−1と同様の炉内温度での一方向凝固実験を、その鋳型を用いて比較例1−1と同様の方法で行い、実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型を評価した。
微粉砕の時間を100分にしたこと以外は比較例1−4と同様にして、比較例1−5の窒化ケイ素粉末を作製した。比較例1−5で得られた窒化ケイ素粉末は、表2に見られるように、結晶子径Dcが182nmと小さく、結晶歪が1.25×10−4と大きい粉末であった。そして、比較例1−5の窒化ケイ素粉末を用いて実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコン鋳造用鋳型を1個作製した。比較例1−1と同様の炉内温度での一方向凝固実験を、その鋳型を用いて比較例1−1と同様の方法で行い、実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型を評価した。
原料粉末に、D50が5.0μm、かさ密度が0.50g/cm3で、Feの含有割合が205ppm、Alの含有割合が220ppm、FeおよびAl以外の金属不純物の含有割合が503ppmのシリコン粉末を用いたこと以外は比較例1−4と同様にして、比較例1−6の窒化ケイ素粉末を作製した。比較例1−6で得られた窒化ケイ素粉末は、表2に見られるように、Feの含有割合が109ppm、Alの含有割合が127ppm、FeおよびAl以外の金属不純物の含有割合が271ppmと、金属不純物の含有割合が多い粉末であった。そして、比較例1−6の窒化ケイ素粉末を用いて実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコン鋳造用鋳型を1個作製した。比較例1−1と同様の炉内温度での一方向凝固実験を、その鋳型を用いて比較例1−1と同様の方法で行い、実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型を評価した。
原料粉末に、D50が8.5μm、かさ密度が0.70g/cm3で、Feの含有割合が2ppm、Alの含有割合が1ppm、FeおよびAl以外の金属不純物の含有割合が2ppmのシリコン粉末を用いたことと、原料粉末を、アルミナ製ボールが充填されたナイロン製のポットに収容してエタノールを溶媒として用いて24時間ボールミル混合したことと、燃焼生成物の粗粉砕を、アルミナ製ロールを備えたロールクラッシャーを用いて行ったことと、粗粉砕後の篩通しを、ステンレス製の目開き150μmの篩を用いて行ったこと以外は実施例1−1と同様にして、比較例1−7の窒化ケイ素粉末を作製した。比較例1−7で得られた窒化ケイ素粉末は、表2に見られるように、Alの含有割合が846ppmと、金属不純物の含有割合が多く、比表面積が0.21m2/gと小さく、D10,D50,D90はそれぞれ15.43μm、26.50μm、62.44μmといずれも大きい粉末であった。そして、比較例1−7の窒化ケイ素粉末を用いて実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコン鋳造用鋳型を1個作製した。比較例1−1と同様の炉内温度での一方向凝固実験を、その鋳型を用いて比較例1−1と同様の方法で行い、実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型を評価した。
原料粉末に、D50が5.0μm、かさ密度が0.50g/cm3で、Feの含有割合が205ppm、Alの含有割合が220ppm、FeおよびAl以外の金属不純物の含有割合が503ppmのシリコン粉末を用いたことと、原料粉末を、アルミナ製ボールが充填された遊星ボールミルにて1時間混合したこと以外は実施例1−6と同様にして、比較例1−8の窒化ケイ素粉末を作製した。比較例1−8で得られた窒化ケイ素粉末は、表2に見られるように、Feの含有割合が109ppm、Alの含有割合が420ppm、FeおよびAl以外の金属不純物の含有割合が312ppmと、金属不純物の含有割合が多く、結晶子径Dc290nmと小さい粉末であった。そして、比較例1−8の窒化ケイ素粉末を用いて実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコン鋳造用鋳型を1個作製した。比較例1−1と同様の炉内温度での一方向凝固実験を、その鋳型を用いて比較例1−1と同様の方法で行い、実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型を評価した。
D50が2.5μm、かさ密度が0.26g/cm3、Feの含有割合が2ppm、Alの含有割合が3ppm、FeおよびAl以外の金属不純物の含有割合が3ppmのシリコン粉末を、内径30mmの金型に充填し、1500kg/cm2の圧力で一軸成型し、シリコン粉末の一軸成型体を得た。前記成型体を黒鉛製容器に充填し、それをバッチ式窒化炉に収容して、炉内を窒素雰囲気に置換した後、窒素雰囲気下で、1450℃まで昇温し、3時間保持させた。室温まで冷却させた後に、窒化生成物を取り出した。得られた窒化生成物を、内面がウレタンコーティングされた、窒化ケイ素製ロールを備えたロールクラッシャーで粗粉砕して、目開きが100μmのナイロン製篩で篩通しし、篩下の粉末を回収した。次に、前記粉末を、窒化ケイ素製ボールが充填され、内面がウレタンでライニングされたアルミナ製のポットに収容して、バッチ式振動ミルで振動数1780cpm、振幅5mmで、30分間微粉砕することで、比較例1−9の窒化ケイ素粉末を作製した。燃焼合成でない直接窒化法である比較例1−9で得られた窒化ケイ素粉末は、表2に見られるように、比表面積が6.10m2/gと大きく、β型窒化ケイ素の割合が50%と少なく、D10、D50はそれぞれ0.40μm、1.60μmといずれも小さく、結晶子径Dcが55nmと小さく、結晶歪が3.01×10−4と大きく、DBET/Dcが5.6と大きい粉末であった。そして、比較例1−9の窒化ケイ素粉末を用いて実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコン鋳造用鋳型を1個作製した。比較例1−1と同様の炉内温度での一方向凝固実験を、その鋳型を用いて比較例1−1と同様の方法で行い、実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型を評価した。
微粉砕の時間を10分にしたこと以外は比較例1−9と同様にして比較例1−10の窒化ケイ素粉末を作製した。燃焼合成でない直接窒化法である比較例1−10で得られた窒化ケイ素粉末は、表2に見られるように、β型窒化ケイ素の割合が58%と少なく、D15,D90はそれぞれ1.60μm、5.90μmといずれも小さく、結晶子径Dcが88nmと小さく、結晶歪が1.90×10−4と大きく、DBET/Dcが6.7と大きい粉末であった。そして、比較例1−10の窒化ケイ素粉末を用いて実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコン鋳造用鋳型を1個作製した。比較例1−1と同様の炉内温度での一方向凝固実験を、その鋳型を用いて比較例1−1と同様の方法で行い、実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型を評価した。
以下に述べる手法で、実施例1−1の窒化ケイ素粉末を含む離型層を具えた多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型を作製し、多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型、およびシリコンインゴットの評価を実施した。
表4に示す窒化ケイ素粉末を用いたこと以外は実施例2−1と同様にして、窒化ケイ素スラリーを作製し、多結晶シリコン鋳造用鋳型を製造した。得られた各実施例および各比較例の多結晶シリコン鋳造用鋳型を用いて、実施例1−1と同様にして一方向凝固実験を行い、実施例1−1と同様の方法で多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型およびシリコンインゴットを評価した。その結果を表4に示す。
2 混合原料粉末
3 黒鉛製容器
4 着火剤
5 カーボンヒータ
6 耐圧性容器
7 真空ポンプ
8 窒素ボンベ
9 覗き窓
Claims (11)
- 窒化ケイ素粉末であって、
BET法により測定される比表面積が0.4m2/g以上5m2/g以下であり、
β型窒化ケイ素の割合が70質量%以上であり、
レーザ回折散乱法により測定される体積基準の50%粒子径をD50とし、90%粒子径をD90としたときに、D50が2μm以上20μm以下であり、D90が8μm以上60μm以下であり、
Feの含有割合が100ppm以下であり、
Alの含有割合が100ppm以下であり、
FeおよびAl以外の金属不純物の含有割合の合計が100ppm以下であり、
β型窒化ケイ素の粉末X線回折パターンよりWilliamson−Hall式を用いて算出されるβ型窒化ケイ素の結晶子径をDCとしたときに、DCが300nm以上であることを特徴とする窒化ケイ素粉末。 - β型窒化ケイ素の粉末X線回折パターンよりWilliamson−Hall式を用いて算出されるβ型窒化ケイ素の結晶歪が0.8×10−4以下であることを特徴とする請求項1記載の窒化ケイ素粉末。
- 前記比表面積より算出される比表面積相当径をDBETとしたときに、DBET/DC(nm/nm)が5以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の窒化ケイ素粉末。
- D50が3μm以上であることを特徴とする請求項1〜3いずれか一項に記載の窒化ケイ素粉末。
- D90が50μm以下であることを特徴とする請求項1〜4いずれか一項に記載の窒化ケイ素粉末。
- D90が13μm以上であることを特徴とする請求項1〜5いずれか一項に記載の窒化ケイ素粉末。
- β型窒化ケイ素の割合が80質量%より大きいことを特徴とする請求項1〜6いずれか一項に記載の窒化ケイ素粉末。
- Feの含有割合が20ppm以下であり、
Alの含有割合が20ppm以下であり、
Fe及びAl以外の金属不純物の含有割合の合計が20ppm以下であることを特徴とする請求項1〜7いずれか一項に記載の窒化ケイ素粉末。 - レーザ回折散乱法により測定される体積基準の10%粒子径をD10としたときに、D10が0.5μm以上8μm以下であることを特徴とする請求項1〜8いずれか一項に記載の窒化ケイ素粉末。
- 請求項1〜9いずれか一項に記載の窒化ケイ素粉末を含む多結晶シリコンインゴット用離型剤。
- 鋳型内に収容された溶融シリコンを凝固させるシリコンインゴットの製造方法であって、前記鋳型として、前記溶融シリコンとの接触面に請求項1〜9いずれか一項に記載の窒化ケイ素粉末が塗布された鋳型を用いることを特徴とするシリコンインゴットの製造方法。
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