JP6556759B2 - プラズマダイシング中にウエハフレーム支持リングを冷却することによるダイシングテープ熱管理 - Google Patents
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Description
プラズマエッチングチャンバの上部領域内に配置されたプラズマ源を含む。冷却チャックはプラズマ源の下に配置され、冷却チャックは基板キャリアの第1部分を支持するためのものである。冷却同心リングは冷却チャックを囲んでおり、冷却同心リングは基板キャリアの第2部分を支持するためのものである。全体として、冷却チャックと冷却同心リングとは基板キャリアの裏側のほぼ全体を冷却するために一緒になる。
個片化プロセスにおけるプラズマエッチング中に基板キャリアのテープフレーム及び露出したテープ領域を冷却する、一又は複数の装置及び方法について、本書で説明している。例えば、フレームによって支持されたテープ上に薄型シリコンウエハを保持するために使用されるフィルムフレームを支持し、冷却するために、一装置が使用されうる。集積回路(IC)のパッケージングに関する製造プロセスでは、薄型シリコンウエハがダイ付着フィルムのようなフィルム上に支持され、載せられることが必要になりうる。一実施形態では、ダイ付着フィルムは更に、基板キャリアによって支持され、かつ、薄型シリコンウエハを基板キャリアに接着するために使用される。
本発明の一実施形態による、ダイシングされる半導体ウエハであって、その上に形成されたダイシングマスクを有する、半導体ウエハの上面図を示している。
上述のように冷却同心チャックリング又は冷却大型チャックと共に使用されうるか、又は、それらに適応するよう変更されうる、プラズマチャンバ内での熱拡散のための例示的な能動的に冷却されるシャドウリングについて、以下でより詳細に説明する。一実施形態では、能動的に冷却されるシャドウリングは、ウエハキャリアによって支持されたウエハの処理中にプロセスキットシャドウリングの温度を低下させるために、実装されうる。シャドウリングの温度を低下させることによって、そうしなければ上昇した温度において発生したはずのダイ個片化テープの損傷又は焼損が緩和されうる。例えば、損傷又は焼損したダイ個片化テープは通常、ウエハ又は基板を修復不能なものにする。更に、付着したテープは、テープフレームが高温に達すると損傷を受けうる。能動的に冷却されるシャドウリングの使用は、ダイ個片化のためのエッチング処理中のテープ及びフレームの保護という文脈で本書では説明されているが、スループットの増大を含みうる、他のプロセス利益も提供しうる。例えば、温度の低下は、他の方法では、RF電力の低減といったプロセス条件の緩和によって達成されうるが、このことで、スループットに悪影響を及ぼすプロセス時間の増大が必要になる。
位置付けを提供する。
一実施形態では、プラズマ熱シールド900は、プラズマ処理チャンバ内に含まれるシャドウリングに、例えばその上面の上に組み込まれることによって、適合するよう、サイズ決定され、形作られる。例えば、かかる一実施形態では、上面図に示すプラズマ熱シールド900の表面は、処理中にプラズマに曝露される表面である。上面図の表面は第1上方表面領域902を含み、第1上方表面領域902は、第2上方表面領域904の上方に上がっている。第1及び第2の上方表面902と904とはそれぞれ、傾斜領域906によって連結される。
基板又はウエハのキャリア1116を収容する領域の上方に含まれる。一実施形態では、シャドウリングアセンブリ1115は、テープフレームリフトを含む。一実施形態では、シャドウリングアセンブリ1115は、能動的に冷却されるシャドウリング、プラズマ熱シールドを上に有するシャドウリング、又は、プラズマ熱シールドを上に有する能動的に冷却されるシャドウリング、のうちの1つである。シャドウリングアクチュエータ1118は、シャドウリングを動かすために含まれうる。かかる一実施形態では、シャドウリングアクチュエータ1118は、テープフレームリフト及びシャドウリングに連結されている単一のリフトフープを動かす。アクチュエータ1116のような他のアクチュエータも含まれうる。
支持ピンの間から処理チャンバに出入りするように搬送されることを可能にするよう、位置付けられうる。
Claims (13)
- 複数の集積回路を備える半導体ウエハをダイシングする方法であって、
裏側を有する基板キャリアによって支持された基板であって、集積回路を覆い、かつ前記基板のストリートを露出させる、パターニングされたマスクを上に有する基板を、プラズマエッチングチャンバ内に導入することであって、前記基板キャリアは、外側テープフレームと支持ダイシングテープとを備える、導入することと、
前記プラズマエッチングチャンバのチャック上に前記基板キャリアの前記裏側の少なくとも一部分を支持することと、
前記チャックによって前記基板キャリアの前記裏側の少なくとも第1部分を冷却することを含む、前記基板キャリアの前記裏側のほぼ全体を冷却することであって、前記基板キャリアの前記裏側のほぼ全体を冷却することは、前記外側テープフレーム及び前記基板を冷却することを含む、冷却することと、
前記基板キャリアの前記裏側のほぼ全体の前記冷却を実行しつつ、前記ストリートを通じて前記基板をプラズマエッチングして、前記集積回路を個片化することであって、前記基板キャリアの前記裏側のほぼ全体を冷却することは、前記チャックを囲んでいる冷却同心チャックリングを用いて、前記基板キャリアの前記裏側の前記外側テープフレームを冷却することを更に含む、個片化すること、を含む方法。 - 前記プラズマエッチング中に、前記チャックは、少なくとも摂氏約−10度と同等の低温に維持され、前記冷却同心チャックリングは、摂氏約0〜−10度の範囲内の温度に維持される、請求項1記載の方法。
- 前記チャックは、前記基板キャリアの前記裏側と少なくとも同等の大きさの支持面積を有し、前記基板キャリアの前記裏側のほぼ全体を冷却することは、前記チャックを用いて前記基板キャリアの前記裏側のほぼ全体を冷却することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記プラズマエッチング中に、前記チャックは、少なくとも、摂氏約−10度と同等の低温に維持される、請求項3に記載の方法。
- 前記支持ダイシングテープは、前記外側テープフレームと、前記チャックを囲んでいる前記冷却同心チャックリングとの間に、かつ、前記基板と前記チャックとの間に配置される、請求項1に記載の方法。
- 前記支持ダイシングテープは、前記外側テープフレームと前記チャックとの間に、かつ、前記基板と前記チャックとの間に配置される、請求項1に記載の方法。
- 前記プラズマエッチング中に、前記基板キャリアの表側の一部分はシャドウリングによって保護される、請求項1に記載の方法。
- レーザスクライビングプロセスを用いて前記パターニングされたマスクを形成することを更に含む、請求項1に記載の方法。
- プラズマエッチングチャンバの上部領域内に配置されたプラズマ源と、
基板キャリアの第1部分を支持するための、前記プラズマ源の下に配置された冷却チャックと、
前記基板キャリアの第2部分を支持するための、前記冷却チャックを囲んでいる冷却同心リングであって、前記冷却チャックと前記冷却同心リングとは一緒になって前記基板キャリアの裏側のほぼ全体を冷却するためのものである、冷却同心リングと、を備え、
前記冷却チャックを囲んでいる冷却同心リングであって、テープフレームを支持し、前記冷却チャックと前記冷却同心リングとが共に前記基板キャリアの裏側のほぼ全体を冷却するためのものである、冷却同心リングをさらに備えた、プラズマエッチングチャンバ。 - 前記冷却チャックは、プラズマ処理中に、少なくとも摂氏約−10度と同等の低温に維持されるよう構成され、前記冷却同心リングは、プラズマ処理中に、摂氏約0〜−10度の範囲内の温度に維持されるよう構成される、請求項9に記載のプラズマエッチングチャンバ。
- プラズマ処理中に前記冷却チャックと前記プラズマ源との間に位置付けられるよう構成された、シャドウリングアセンブリを更に備える、請求項9に記載のプラズマエッチングチャンバ。
- 前記プラズマエッチングチャンバは、クラスタ処理ツール内に収納される、請求項9に記載のプラズマエッチングチャンバ。
- 前記冷却同心リングと前記冷却チャックとは一緒になって、外側テープフレームを有する前記基板キャリアの前記裏側と少なくとも同等の大きさの支持面積を備える、請求項9に記載のプラズマエッチングチャンバ。
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