JP2005523583A - パルスレーザを用いる、基板のプログラム制御ダイシング - Google Patents
パルスレーザを用いる、基板のプログラム制御ダイシング Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005523583A JP2005523583A JP2003586917A JP2003586917A JP2005523583A JP 2005523583 A JP2005523583 A JP 2005523583A JP 2003586917 A JP2003586917 A JP 2003586917A JP 2003586917 A JP2003586917 A JP 2003586917A JP 2005523583 A JP2005523583 A JP 2005523583A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- die
- substrate
- layer
- pulse
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/12—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure
- B23K26/126—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure in an atmosphere of gases chemically reacting with the workpiece
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
- B23K26/0648—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising lenses
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/12—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure
- B23K26/123—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure in an atmosphere of particular gases
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Dicing (AREA)
- Laser Surgery Devices (AREA)
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
Abstract
Description
本発明の第1の態様によれば、
少なくとも一層を含む基板のプログラム制御ダイシングのためにパルスレーザを用いる方法であって、
前記パルスレーザを制御するために、プログラム制御手段及び関連データ記憶手段を提供するステップと、
前記基板で前記レーザが生じさせるパルスのパルスレート、パルスエネルギー及びパルス空間オーバーラップの、少なくとも1つの、選択された組合せのレーザカットストラテジファイルを前記関連データ記憶手段に与えて、少なくとも一層についての加工速度を最大にしながら、それぞれの前記少なくとも一層に対する損傷を制限するステップと、
前記レーザカットストラテジファイルに格納された、前記それぞれの少なくとも1つの組合せによって前記パルスレーザが操作されているとき、前記それぞれの少なくとも一層を切断するのに必要な前記パルスレーザによって、前記それぞれの少なくとも一層の少なくとも1の選択された複数スキャンを表わすデータを、前記レーザカットストラテジファイルに与えるステップと、
前記レーザカットストラテジファイルにより駆動される前記プログラム制御手段の制御下で前記レーザを用いて、前記それぞれの少なくとも1の選択された複数スキャンで前記少なくとも一層をスキャンし、その結果得られるダイが少なくとも所定のダイ強度を有し、かつ、使用できるダイの歩留りが少なくとも所定の最低歩留りに等しいような前記基板のダイシングを少なくとも容易にするステップと、
を含む方法が提供される。
レーザカットストラテジファイルを提供するステップは、前記少なくとも一層のそれぞれに対して、
パルスレート、パルスエネルギー及びパルス空間オーバーラップの組合せの少なくとも1つを変更して、それぞれの組合せを提供するステップと、
前記それぞれの組合せを用いて前記それぞれの層の切断速度を測定するステップと、
前記層を検査して、損傷が所定の範囲に制限されるかどうか判定するステップと、
前記基板をダイスして、その結果得られるダイの歩留りを測定するステップと、
前記その結果得られるダイのダイ強度を測定するステップと、
使用できるダイが、少なくとも前記所定の最低歩留りを有し、かつ、少なくとも前記所定のダイ強度を有するようにしながら、切断速度を最大にする、選択された組合せのレーザカットストラテジファイルを生成するステップと、
前記選択された組合せを用いて前記少なくとも一層をスキャンして、前記層を切り抜けるのに必要な複数のスキャンを決定するステップと、
前記選択された複数のスキャンを前記レーザカットストラテジファイルに格納するステップと、
を含む。
前記レーザを用いて前記少なくとも一層をスキャンするステップは、前記レーザからのレーザビームを、前記基板を横切ってスキャンするためのテレセントリックスキャンレンズの提供を含み、
レーザカットストラテジファイルを提供するステップは、
前記テレセントリックスキャンレンズの焦点面で受けられたレーザエネルギー密度をマッピングして、前記選択された、パルスのパルスレート、パルスエネルギー及びパルス空間オーバーラップの組合せを用いて、前記テレセントリックレンズの視野のレーザエネルギー密度マップを生成するステップと、
前記レーザエネルギー密度マップをアレイとして前記記憶手段に格納するステップと、
前記レーザエネルギー密度マップを用いて、前記選択された組合せの前記パルスレート及び前記パルスエネルギーの少なくとも一方を、前記制御手段で修正して、前記基板における前記視界内のスキャンポイントに一定のレーザエネルギー密度を生じさせるステップと、
を備える。
カットされるべき層を加工するために、前記選択された組合せが、前記選択された組合せに対応する、前記選択された複数スキャン未満で用いられ、カットされるべき層を切り抜けた後に前記レーザが前記基板をスキャンし続けても前記下層の加工が実質上起こらないように、下層を大きくは加工しない組合せを用いて、前記選択された複数までさらなるスキャンのために前記層をスキャンする。
環境温度における熱衝撃による著しいクラック伝播を生じない初期速度で前記レーザが前記基板を加工する初期組合せであって、前記レーザによる、前記基板の所定の複数スキャンの後に前記加工によって、前記基板の温度が、環境温度よりも高い温度まで上昇させる初期組合せを提供するステップと、
前記高くされた温度における熱衝撃による著しいクラック伝播を生じさせず、前記初期速度よりも高い加工速度で前記基板をレーザ加工する加工組合せを提供するステップと、
を含み、
前記基板を切削するステップは、
少なくとも前記所定の複数スキャンに対して、前記初期組合せを用いて、前記基板の初期深さまで加工する処理と、
前記加工組合せを用いて前記基板の残りの深さの少なくとも一部まで加工する処理と、
を含む。
前記基板にガス環境を提供するガス処理手段を用意するステップと、
前記ガス環境を用いて、前記基板のダイシングの前、間及び後の少なくとも1における、前記基板との化学反応を制御して、結果として得られるダイの強度を向上させるステップと、
をさらに含む。
好ましくは、前記テープが、実質上、紫外線に対して透明である。
少なくとも一層を有する基板のプログラム制御ダイシング用の装置であって、
パルスレーザと、
前記レーザが基板に発生させるパルスのパルスレート、パルスエネルギー及びパルス空間オーバーラップの少なくとも1つのそれぞれの選択された組合せと、それぞれの少なくとも一層を切断するのに必要な前記パルスレーザによる、前記それぞれの少なくとも一層の少なくとも一のそれぞれの選択された複数のスキャンを表わすデータとの、レーザカットストラテジファイルを用いて前記パルスレーザを制御するプログラム制御手段及び関連データ記憶手段と、
を備え、
前記レーザカットストラテジファイルは、関連データ記憶手段に格納され、
使用時に、結果として得られるダイが少なくとも所定のダイ強度を有し、使用できるダイの歩留りが少なくとも所定の最低歩留りに等しくなる装置が提供される。
好ましくは、前記レーザは、Qスイッチレーザ素子である。
(発明を実施するための形態)
レーザビームは、半導体ウェハ10をダイスするために用いられ、それにより、ガルバノメータ型システム内の回転ミラーを用いてウェハ表面全体にわたってQスイッチレーザビームを走査て、Fig.1に示すようなパターンを形成することにより、ウェハから素子11をシンギュレートすることもある。テレセントリックタイプのスキャンレンズを用いて、レーザビームの焦点を合わせることもある。
パワーが秒(s)当りのパルスエネルギー(ジュールの単位で表わすE)に等しい場合には、
P=E/s
例として、Fig.2の上半分に見られるように視野の下端縁から10mmにあるライン21に沿った距離に対する、縦座標としてのパルスエネルギーのプロットである、Fig.2の下半分は、テレセントリックレンズによる伝達レーザ強度の変化を補償するために、スキャンレンズの視野を横切ってレーザをスキャンしながら、基板における一定のパワー密度を維持するために必要なレーザパルスエネルギーの修正を明示している。この例においては、長さ40mm、レンズの中心から10mmにある直線21に沿って、レーザをスキャンする。Fig.2の上半分では、レンズの視野は、所与の領域内のそれぞれの点における強度が、その領域内のあらゆる点の±5%内である複数領域に分けられる。この例における、レーザによってスキャンされた40mmのライン21について、スキャンライン21の6つの部分22,23,24,25,26,27に対応する、異なる六領域を横切り、その結果、レーザエネルギーが、レーザカットストラテジファイルの制御下において、5回、変更される。このレーザパルスエネルギーは、スキャンライン21の第1の部分22に関する領域1内のE4の値221からスタートする。領域1内の加工物における伝達レーザ強度は、スキャンレンズに入射するレーザ強度の80%〜85%であり、領域1が、すべての領域2〜6と比較してもっとも入射レーザ強度の低い領域を表わすから、その結果、領域1内の1レーザパルス当りのエネルギーE4がもっとも大きい。領域1から、スキャンライン21の第2の部分23に対応する領域2までレーザをスキャンするとき、伝達レーザ強度は、スキャンレンズに入射するレーザ強度の85%〜90%に強まり、加工物の表面において一定のパワー密度を維持するために、ここで、レーザパルスエネルギーをE3の値231まで減少させる。この場合、E3は、E4よりもエネルギーが5%小さい。加工物表面において、ダイスレーン21の全長40mmに沿って、一定値のパワー密度(φ)を維持するために、レーザビームが領域から領域へ通過するときに、レーザカットストラテジファイルの制御下において、「いそいで」(必要であれば、1パルスからパルスベースまでにおいて)、レーザパルスエネルギーを変更する。
Claims (52)
- 少なくとも一層を含む基板のプログラム制御ダイシングのためにパルスレーザを用いる方法であって、
a.前記パルスレーザを制御するために、プログラム制御手段及び関連データ記憶手段を提供するステップと、
b.前記基板で前記レーザが生じさせるパルスのパルスレート、パルスエネルギー及びパルス空間オーバーラップの、少なくとも1つの、選択された組合せのレーザカットストラテジファイルを前記関連データ記憶手段に与えて、少なくとも一層についての加工速度を最大にしながら、それぞれの前記少なくとも一層に対する損傷を制限するステップと、
c.前記レーザカットストラテジファイルに格納された、前記それぞれの少なくとも1つの組合せによって前記パルスレーザが操作されているとき、前記それぞれの少なくとも一層を切断するのに必要な前記パルスレーザによって、前記それぞれの少なくとも一層の少なくとも1の選択された複数スキャンを表わすデータを、前記レーザカットストラテジファイルに与えるステップと、
d.前記レーザカットストラテジファイルにより駆動される前記プログラム制御手段の制御下で前記レーザを用いて、前記それぞれの少なくとも1の選択された複数スキャンで前記少なくとも一層をスキャンし、その結果得られるダイが少なくとも所定のダイ強度を有し、かつ、使用できるダイの歩留りが少なくとも所定の最低歩留りに等しいような前記基板のダイシングを少なくとも容易にするステップと、
を含む方法。 - 請求項1記載の方法であって、
レーザカットストラテジファイルを提供するステップb及びcは、前記少なくとも一層のそれぞれに対して、
b1.パルスレート、パルスエネルギー及びパルス空間オーバーラップの組合せの少なくとも1つを変更して、それぞれの組合せを提供するステップと、
b2.前記それぞれの組合せを用いて前記それぞれの層の切断速度を測定するステップと、
b3.前記層を検査して、損傷が所定の大きさに制限されるかどうか判定するステップと、
b4.前記基板をダイスして、その結果得られるダイの歩留りを測定するステップと、
b5.前記その結果得られるダイのダイ強度を測定するステップと、
b6.使用できるダイが、少なくとも前記所定の最低歩留りを有し、かつ、少なくとも前記所定のダイ強度を有するようにしながら、切断速度を最大にする、選択された組合せのレーザカットストラテジファイルを作成するステップと、
c1.前記選択された組合せを用いて前記少なくとも一層をスキャンして、前記層を切り抜けるのに必要な複数のスキャンを決定するステップと、
c2.前記選択された複数のスキャンを前記レーザカットストラテジファイルに格納するステップと、
を含む方法。 - 前記ダイ強度は、ワイブルダイ強度テストを用いて測定される、請求項2記載の方法。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の方法であって、
前記レーザを用いて前記少なくとも一層をスキャンするステップdは、ガルバノメータベースのスキャナの用意を含む方法。 - 請求項1〜4のいずれかに記載の方法であって、
前記レーザを用いて前記少なくとも一層をスキャンするステップdは、前記レーザからのレーザビームを、前記基板を横切ってスキャンするためのテレセントリックスキャンレンズの提供を含み、
レーザカットストラテジファイルを提供するステップは、
d1.前記テレセントリックスキャンレンズの焦点面で受けられたレーザエネルギー密度をマッピングして、前記選択された、パルスのパルスレート、パルスエネルギー及びパルス空間オーバーラップの組合せを用いて、前記テレセントリックレンズの視野のレーザエネルギー密度マップを生成するステップと、
d2.前記レーザエネルギー密度マップをアレイとして前記記憶手段に格納するステップと、
d3.前記レーザエネルギー密度マップを利用して、前記選択された組合せの前記パルスレート及び前記パルスエネルギーの少なくとも一方を、前記制御手段を用いて修正して、前記基板における前記視界内のスキャンポイントに一定のレーザエネルギー密度を生じさせるステップと、
を有する方法。 - 請求項5記載の方法であって、
前記レーザエネルギー密度をマッピングするステップは、レーザパワーメータを用いて、前記テレセントリックレンズの視界内の代表位置でレーザエネルギー密度を測定する処理を含む方法。 - 先行する請求項のいずれかに記載の方法であって、
前記選択された組合せを提供するステップは、前記それぞれの層の材料の熱負荷を制限して機械的応力を所定の最大値に制限する、選択された組合せを提供する処理を有する方法。 - 先行する請求項のいずれかに記載の方法であって、
カットすべき層を加工するために、前記選択された組合せが、前記選択された組合せに対応する、前記選択された複数スキャン未満で用いられ、カットすべき層を切り抜けた後に前記レーザが前記基板をスキャンし続けても下層の加工が実質上起こらないような、下層を大きくは加工しないであろう組合せを用いて、前記選択された複数までさらなるスキャンのために前記層をスキャンする方法。 - 請求項8記載の方法であって、
続けて前記基板を機械的にダイスするために、カットされるべき前記層を介した前記基板のスクライブに利用される方法。 - 先行する請求項のいずれかに記載の方法であって、
前記基板が能動層を含み、
前記選択された組合せを提供して前記少なくとも一層への損傷を制限するステップは、前記能動層内の能動素子のその後の動作に著しい影響を及ぼさない、選択された組合せを提供する処理を含む方法。 - 請求項10記載の方法であって、
前記能動層中の能動素子のその後の動作に著しい影響を及ぼさない選択された組合せを提供するステップは、著しいクラックを前記能動層に広がらせない組合せを提供する処理を含む方法。 - 先行する請求項のいずれかに記載の方法であって、
前記選択された組合せを提供するステップは、
b7.環境温度における熱衝撃による著しいクラック伝播を生じない初期速度で前記レーザが前記基板を加工する初期組合せであって、前記レーザによる、前記基板の所定の複数スキャンの後に前記加工によって、前記基板の温度が、環境温度よりも高い温度まで上昇させる初期組合せを提供するステップと、
b8.前記高くされた温度における熱衝撃による著しいクラック伝播を生じさせず、前記初期速度よりも高い加工速度で、前記基板をレーザ加工する加工組合せを提供するステップと、
を含み、
前記基板を切削するステップdは、
d4.少なくとも前記所定の複数スキャンに対して、前記初期組合せを用いて、前記基板の初期深さまで加工する処理と、
d5.前記加工組合せを用いて前記基板の残りの深さの少なくとも一部まで加工する処理と、
を含む方法。 - 先行する請求項のいずれかに記載の方法であって、
表面マイクロクラックの発生が、他の方法では生じるはずのものよりも少ないように、前記複数のスキャンの少なくとも最初のスキャンのエネルギーが、前記複数のスキャンの後続スキャンのエネルギーよりも低い方法。 - 先行する請求項のいずれかに記載の方法であって、
前記基板の裏側のチッピングが、他の方法では生じるはずのものよりも少なくなるように、前記複数回スキャンの少なくとも最終スキャンのエネルギー前記複数スキャンのうちの先行スキャンのエネルギーよりも低い方法。 - 先行する請求項のいずれかに記載の方法であって、
ダイスレーンを得るためのデブリを除去するために、適宜に加工深さを増すにつれてレーザエネルギーを高めることにより、前記複数のスキャンのエネルギーをスキャンの間で変更して、前記基板のダイシング中に発生するデブリの除去を容易にする方法。 - 先行する請求項のいずれかに記載の方法であって、
e.前記基板にガス環境を提供するガス処理手段を用意するステップと、
f.前記ガス環境を用いて、前記基板のダイシングの前、間及び後の少なくとも1における、前記基板との化学反応を制御して、結果として得られるダイの強度を高めるステップと、
をさらに含む方法。 - 請求項16記載の方法であって、
ガス処理手段を用意する前記ステップは、前記基板のカット領域にガスをほぼ一様に吐き出して、前記基板のほぼ一様なカットを容易にするガス吐出ヘッド手段を用意する処理を含む方法。 - 請求項16または17記載の方法であって、
ガス処理手段を用意する前記ステップは、流量、濃度、温度、ガスの種類及びガスの種類の混合の少なくとも1を制御する手段を用意する処理を含む方法。 - 請求項16〜18のいずれかに記載の方法であって、
ガス環境を提供する前記ステップは、加工中にダイの壁面の酸化を事実上防止する不動態の不活性ガス環境の提供を含むことを含む方法。 - 請求項16〜18のいずれかに記載の方法であって、
ガス環境を提供する前記ステップは活性ガス環境の提供を含む方法。 - 請求項20記載の方法であって、
活性ガス環境を提供する前記ステップは、前記活性ガスでダイの壁面を、前記壁面の表面粗さを小さくするためにエッチングして、それにより前記ダイ強度を向上させる処理を有する方法。 - 請求項20または21記載の方法であって、
活性ガス環境を提供する前記ステップは、加工中に生じた熱影響部を事実上除去するために、前記活性ガスでダイの壁面をエッチングして、それにより前記ダイ強度を向上させる処理を有する方法。 - 請求項20〜22のいずれかに記載の方法であって、
活性ガス環境を提供する前記ステップは、加工中に生じ、加工されたダイの表面に付着したデブリを減少させる処理を有する方法。 - 先行する請求項のいずれかに記載の方法であって、
結果として得られるダイのエッジを、前記ダイの側壁を加熱するのに充分なエネルギーを有するレーザでスキャンして、その表面粗さを小さくし、それにより前記ダイのダイ強度を向上させる、ダイシング後のステップをさらに含む方法。 - 先行する請求項のいずれかに記載の方法であって、
ガルバノメータベースのスキャナを用いて、前記レーザビームを、前記ダイのコーナで曲線軌道に沿ってスキャンすることにより、コーナの丸いダイを生成し、そこにおいて、連続するレーザパルス間の、前記選択されたパルス空間オーバーラップを、前記ダイの全周の周りに維持するように、前記選択された組合せを変更する方法。 - 先行する請求項のいずれかに記載の方法であって、
前記ダイの弓形部分またはコーナに、実質上、前記弓形ダイエッジまたはコーナに欠陥を発生させるオーバーカットまたはアンダーカットが起きないようなパルスを送り出すように、前記選択された組合せを変更する方法。 - 先行する請求項のいずれかに記載の方法であって、
前記レーザが前記基板を通ってスキャンするときに、前記ダイスレーンの幅を変えることにより、前記レーザビームから遠ざかる方向に内向きに細くなる弓形壁面を有するテーパー付きダイスレーンを形成し、そこにおいて、前記選択された組合せを修正して、微調整されるテーパー及び滑らかなダイ側壁を与え、それにより、結果として得られるダイのダイ強度を向上させる方法。 - 先行する請求項のいずれかに記載の方法であって、
前記レーザがQスイッチレーザ素子である方法。 - 先行する請求項のいずれかに記載の方法であって、
前記レーザからのレーザビームは、回転可能なミラーにより方向付けられる方法。 - 先行する請求項のいずれかに記載の方法であって、
前記基板がテープ上に取り付けられ、前記レーザの最終スキャンのエネルギーが、実質上、前記テープへの損傷を防止するために制御される方法。 - 請求項30記載の方法であって、
前記テープが、実質上、紫外線に対して透明である方法。 - 請求項31記載の方法であって、
前記テープはポリオレフィンをベースとしている方法。 - 少なくとも一層を有する基板のプログラム制御ダイシング用の装置であって、
パルスレーザと、
前記レーザが基板に発生させるパルスのパルスレート、パルスエネルギー及びパルス空間オーバーラップの少なくとも1つのそれぞれの選択された組合せと、それぞれの少なくとも一層を切断するのに必要な前記パルスレーザによる、前記それぞれの少なくとも一層の少なくとも一のそれぞれの選択された複数のスキャンを表わすデータとのレーザカットストラテジファイルを用いて前記パルスレーザを制御するプログラム制御手段及び関連データ記憶手段と、
を備え、
前記レーザカットストラテジファイルは、関連データ記憶手段に格納され、
使用時に、結果として得られるダイが少なくとも所定のダイ強度を有し、使用できるダイの歩留りが少なくとも所定の最低歩留りに等しくなる装置。 - 請求項33記載の装置であって、
前記プログラム制御手段は、前記少なくとも1つのそれぞれの選択された組合せを条件として前記レーザを制御するために、パルスレート、パルスエネルギー及びパルス空間オーバーラップの少なくとも1つを変更する制御手段を含む装置。 - 請求項33または34記載の装置であって、
前記レーザからのレーザビームを、前記基板を横切ってスキャンするテレセントリックスキャンレンズ手段を含む装置。 - 請求項35記載の装置であって、
前記テレセントリックスキャンレンズの焦点面内で受けたレーザエネルギー密度をマッピングして、パルスのパルスレート、パルスエネルギー及びパルス空間オーバーラップの、前記選択された組合せを用いて前記テレセントリックレンズの視野のレーザエネルギー密度マップを、当該レーザエネルギー密度マップをアレイとして前記データ記憶手段に格納するために生成し、前記少なくとも1つのそれぞれの選択された組合せを修正して、前記テレセントリックレンズによって生じる、前記基板におけるレーザエネルギー密度の乱れを補償するレーザパワー測定手段を含む装置。 - 請求項33〜36のいずれかに記載の装置であって、
前記基板のダイシングの前、間及び後の少なくとも1において、前記基板との化学反応を制御するために、前記基板にガス環境を提供して、結果として得られるダイの強度を強めるガス処理手段をさらに備える装置。 - 請求項37記載の装置であって、
前記ガス処理手段は、前記基板のカット領域にガスを一様に放出するガス吐出ヘッド手段を含む装置。 - 請求項37または38に記載の装置であって、
前記ガス処理手段は、流量、濃度、温度、ガスの種類、及び、ガスの種類の混合の少なくとも1つを制御する制御手段を備える装置。 - 請求項37〜39のいずれかに記載であって、
前記ガス処理手段は、加工中にダイの壁面の酸化を実質上防止するために、不活性ガス環境を提供するように用意されている装置。 - 請求項37〜39のいずれかに記載の装置であって、
前記ガス処理手段は、活性ガス環境を提供するために準備されている装置。 - 請求項41記載の装置であって、
前記ガス処理手段は、ダイの壁面を前記活性ガスでエッチングして、前記側壁の表面粗さを小さくし、それによりダイ強度を強めるために用意されている装置。 - 請求項41記載の装置であって、
前記ガス処理手段は、ダイの壁面を前記活性ガスでエッチングして、加工中に生じた熱影響部を実質上除去し、それにより前記ダイ強度を強めるために用意されている装置。 - 請求項41記載の装置であって、
前記ガス処理手段は、ダイの壁面を前記活性ガスでエッチングして、加工中に生じ、加工されたダイの表面に付着したデブリを少なくするために用意されている装置。 - 請求項33〜44のいずれかに記載の装置であって、
レーザビームを、前記ダイのコーナで曲線軌道に沿ってスキャンすることにより、コーナの丸いダイを生成するガルバノメータベースのスキャナをさらに備え、そこにおいて、前記選択された組合せは、連続するレーザパルス間の、前記選択されたパルス空間オーバーラップを、前記ダイの全周の周りに維持するように決定される装置。 - 請求項33〜45のいずれかに記載の装置であって、
ダイエッジに欠陥を生じさせるオーバーカットまたはアンダーカットが実質上生じないような、前記ダイエッジの弓形部分またはコーナへのレーザパルス送出を制御するように、前記選択された組合せが決定される装置。 - 請求項33〜46のいずれかに記載の装置であって、
前記レーザが前記基板を貫いてスキャンするときに、ダイスレーンの幅を変えることで、前記レーザビームから遠ざかる方向に内向きに細くなる弓形壁面を有するテーパー付きダイスレーンを形成するように準備され、そこにおいて、前記選択された組合せを修正して、滑らかなダイ壁面とともに、微調整されたテーパーを与え、それにより、結果として得られるダイのダイ強度を強める装置。 - 請求項33〜47のいずれかに記載の装置であって、
前記レーザは、Qスイッチレーザ素子である装置。 - 請求項33〜48のいずれかに記載の装置であって、
前記レーザからのレーザビームを前記基板に導く回転可能なミラーを含む装置。 - 請求項33〜49のいずれかに記載の装置であって、
テープ上に取り付けられた基板のために用意され、そこにおいて、前記基板の最終スキャンにおいてレーザが制御されて、実質的に前記テープに損傷を及ぼさない装置。 - 請求項50記載の装置であって、
前記テープは、紫外線に対して実質上透明である装置。 - 請求項51記載の装置であって、
前記テープはポリオレフィンをベースとする装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IE20020289 | 2002-04-19 | ||
GB0225033A GB0225033D0 (en) | 2002-10-28 | 2002-10-28 | Program-controlled dicing of a substrate using a pulsed laser |
PCT/EP2003/004069 WO2003090258A2 (en) | 2002-04-19 | 2003-04-17 | Laser machining |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005523583A true JP2005523583A (ja) | 2005-08-04 |
JP2005523583A5 JP2005523583A5 (ja) | 2006-06-01 |
Family
ID=29252466
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003586917A Pending JP2005523583A (ja) | 2002-04-19 | 2003-04-17 | パルスレーザを用いる、基板のプログラム制御ダイシング |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US7776720B2 (ja) |
EP (1) | EP1497851B1 (ja) |
JP (1) | JP2005523583A (ja) |
KR (1) | KR101037142B1 (ja) |
CN (1) | CN1663038A (ja) |
AT (1) | ATE316691T1 (ja) |
AU (1) | AU2003224098A1 (ja) |
DE (1) | DE60303371T2 (ja) |
MY (1) | MY134401A (ja) |
TW (1) | TWI227179B (ja) |
WO (1) | WO2003090258A2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007329358A (ja) * | 2006-06-08 | 2007-12-20 | Apic Yamada Corp | 半導体切断装置および半導体切断方法 |
JP2007329359A (ja) * | 2006-06-08 | 2007-12-20 | Apic Yamada Corp | 半導体切断装置および半導体切断方法 |
JP2009212108A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レーザ発振方法、レーザ、レーザ加工方法、及びレーザ測定方法 |
JP2012160758A (ja) * | 2012-05-14 | 2012-08-23 | Apic Yamada Corp | 半導体切断装置および半導体切断方法 |
JP2012195543A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-11 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014147974A (ja) * | 2008-03-21 | 2014-08-21 | Imra America Inc | レーザベースの材料加工方法及びシステム |
JP2014523113A (ja) * | 2011-06-15 | 2014-09-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | マルチステップ・非対称形状レーザビームスクライビング |
JP2015153874A (ja) * | 2014-02-13 | 2015-08-24 | セイコーインスツル株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2018116950A (ja) * | 2017-01-16 | 2018-07-26 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法及び粘着テープ |
Families Citing this family (150)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1497851B1 (en) | 2002-04-19 | 2006-01-25 | Xsil Technology Limited | Program-controlled dicing of a substrate using a pulsed laser |
GB2404280B (en) * | 2003-07-03 | 2006-09-27 | Xsil Technology Ltd | Die bonding |
WO2005036601A2 (en) * | 2003-10-07 | 2005-04-21 | Midwest Research Institute | Wafer characteristics via reflectomeytry and wafer processing apparatus and method |
JP4422463B2 (ja) * | 2003-11-07 | 2010-02-24 | 株式会社ディスコ | 半導体ウエーハの分割方法 |
DE102004039023A1 (de) * | 2004-08-11 | 2006-02-23 | Siemens Ag | Verfahren zur Bearbeitung eines Werkstücks mittels Laserstrahlung, Laserbearbeitungssystem |
EP1630729B1 (en) * | 2004-08-31 | 2007-12-26 | STMicroelectronics S.r.l. | A method for manufacturing a moulded MMC multi media card package obtained with laser cutting |
KR20070073764A (ko) | 2004-10-05 | 2007-07-10 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 회로기판의 레이저 다이싱 방법 |
GB2420443B (en) * | 2004-11-01 | 2009-09-16 | Xsil Technology Ltd | Increasing die strength by etching during or after dicing |
JP2006159254A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
JP4908936B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2012-04-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2007095952A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | レーザーダイシング装置及びレーザーダイシング方法 |
KR100699246B1 (ko) * | 2006-04-03 | 2007-03-28 | 주식회사 고려반도체시스템 | 웨이퍼 레이저 쏘잉 장치 및 레이저 세기 제어방법 |
SG188829A1 (en) * | 2006-06-08 | 2013-04-30 | Apic Yamada Corp | Semiconductor cutting device, semiconductor cutting method, semiconductor cutting system, laser cutting device and laser cutting method |
KR100817823B1 (ko) * | 2006-11-22 | 2008-03-31 | 주식회사 이오테크닉스 | 메모리 카드 기판 절단방법 |
GB2444037A (en) * | 2006-11-27 | 2008-05-28 | Xsil Technology Ltd | Laser Machining |
US7648891B2 (en) * | 2006-12-22 | 2010-01-19 | International Business Machines Corporation | Semiconductor chip shape alteration |
US20080220590A1 (en) * | 2007-03-06 | 2008-09-11 | Texas Instruments Incorporated | Thin wafer dicing using UV laser |
JP5142565B2 (ja) * | 2007-03-20 | 2013-02-13 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
WO2008141118A1 (en) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Linde, Inc. | Laser activated fluorine treatment of silicon substrates |
JP5553397B2 (ja) * | 2007-07-19 | 2014-07-16 | 日東電工株式会社 | レーザー加工方法 |
US8067256B2 (en) * | 2007-09-28 | 2011-11-29 | Intel Corporation | Method of making microelectronic package using integrated heat spreader stiffener panel and microelectronic package formed according to the method |
JP5160868B2 (ja) * | 2007-12-06 | 2013-03-13 | 株式会社ディスコ | 基板への改質層形成方法 |
GB2458475B (en) * | 2008-03-18 | 2011-10-26 | Xsil Technology Ltd | Processing of multilayer semiconductor wafers |
US8426250B2 (en) * | 2008-10-22 | 2013-04-23 | Intel Corporation | Laser-assisted chemical singulation of a wafer |
US20100129984A1 (en) * | 2008-11-26 | 2010-05-27 | George Vakanas | Wafer singulation in high volume manufacturing |
US10307862B2 (en) | 2009-03-27 | 2019-06-04 | Electro Scientific Industries, Inc | Laser micromachining with tailored bursts of short laser pulses |
DE102009026410A1 (de) * | 2009-05-20 | 2011-03-17 | Carl Baasel Lasertechnik Gmbh & Co. Kg | Verfahren zum Vereinzeln von Silizium-Solarzellen |
JP5473414B2 (ja) * | 2009-06-10 | 2014-04-16 | 株式会社ディスコ | レーザ加工装置 |
US8444850B2 (en) * | 2009-08-17 | 2013-05-21 | Exxonmobil Research And Engineering Company | Operating method for hydrodenitrogenation |
US8378458B2 (en) * | 2010-03-22 | 2013-02-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Semiconductor chip with a rounded corner |
KR20110114028A (ko) * | 2010-04-12 | 2011-10-19 | 삼성전자주식회사 | 시편 가공 장치 및 방법 |
CN102218607B (zh) * | 2010-04-15 | 2014-11-05 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 块体非晶合金的脉冲激光切割方法 |
TW201134596A (en) * | 2010-04-15 | 2011-10-16 | Epileds Technologies Inc | Laser processing method |
US8642448B2 (en) | 2010-06-22 | 2014-02-04 | Applied Materials, Inc. | Wafer dicing using femtosecond-based laser and plasma etch |
WO2012037468A1 (en) | 2010-09-16 | 2012-03-22 | Raydiance, Inc. | Singulation of layered materials using selectively variable laser output |
US9023461B2 (en) * | 2010-10-21 | 2015-05-05 | Electro Scientific Industries, Inc. | Apparatus for optically laser marking articles |
US8912077B2 (en) | 2011-06-15 | 2014-12-16 | Applied Materials, Inc. | Hybrid laser and plasma etch wafer dicing using substrate carrier |
US9129904B2 (en) | 2011-06-15 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Wafer dicing using pulse train laser with multiple-pulse bursts and plasma etch |
US8598016B2 (en) | 2011-06-15 | 2013-12-03 | Applied Materials, Inc. | In-situ deposited mask layer for device singulation by laser scribing and plasma etch |
US9029242B2 (en) | 2011-06-15 | 2015-05-12 | Applied Materials, Inc. | Damage isolation by shaped beam delivery in laser scribing process |
US8507363B2 (en) | 2011-06-15 | 2013-08-13 | Applied Materials, Inc. | Laser and plasma etch wafer dicing using water-soluble die attach film |
US8703581B2 (en) | 2011-06-15 | 2014-04-22 | Applied Materials, Inc. | Water soluble mask for substrate dicing by laser and plasma etch |
US8759197B2 (en) | 2011-06-15 | 2014-06-24 | Applied Materials, Inc. | Multi-step and asymmetrically shaped laser beam scribing |
US8557682B2 (en) * | 2011-06-15 | 2013-10-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-layer mask for substrate dicing by laser and plasma etch |
US9126285B2 (en) | 2011-06-15 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Laser and plasma etch wafer dicing using physically-removable mask |
US8673741B2 (en) | 2011-06-24 | 2014-03-18 | Electro Scientific Industries, Inc | Etching a laser-cut semiconductor before dicing a die attach film (DAF) or other material layer |
US8951819B2 (en) | 2011-07-11 | 2015-02-10 | Applied Materials, Inc. | Wafer dicing using hybrid split-beam laser scribing process with plasma etch |
US8399281B1 (en) * | 2011-08-31 | 2013-03-19 | Alta Devices, Inc. | Two beam backside laser dicing of semiconductor films |
US8361828B1 (en) * | 2011-08-31 | 2013-01-29 | Alta Devices, Inc. | Aligned frontside backside laser dicing of semiconductor films |
DE102011054891B4 (de) | 2011-10-28 | 2017-10-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Durchtrennen eines Halbleiterbauelementverbunds |
US8940618B2 (en) * | 2012-03-13 | 2015-01-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and device for cutting semiconductor wafers |
CN102615281B (zh) * | 2012-04-09 | 2013-10-16 | 西安交通大学 | 一种用于激光快速成形技术的分区域移动式光源扫描*** |
US8652940B2 (en) | 2012-04-10 | 2014-02-18 | Applied Materials, Inc. | Wafer dicing used hybrid multi-step laser scribing process with plasma etch |
US8946057B2 (en) | 2012-04-24 | 2015-02-03 | Applied Materials, Inc. | Laser and plasma etch wafer dicing using UV-curable adhesive film |
US9266192B2 (en) | 2012-05-29 | 2016-02-23 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for processing workpieces |
US8969177B2 (en) | 2012-06-29 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Laser and plasma etch wafer dicing with a double sided UV-curable adhesive film |
US9048309B2 (en) | 2012-07-10 | 2015-06-02 | Applied Materials, Inc. | Uniform masking for wafer dicing using laser and plasma etch |
US8993414B2 (en) | 2012-07-13 | 2015-03-31 | Applied Materials, Inc. | Laser scribing and plasma etch for high die break strength and clean sidewall |
US8859397B2 (en) | 2012-07-13 | 2014-10-14 | Applied Materials, Inc. | Method of coating water soluble mask for laser scribing and plasma etch |
US8845854B2 (en) | 2012-07-13 | 2014-09-30 | Applied Materials, Inc. | Laser, plasma etch, and backside grind process for wafer dicing |
US8940619B2 (en) | 2012-07-13 | 2015-01-27 | Applied Materials, Inc. | Method of diced wafer transportation |
CN103568139A (zh) * | 2012-07-18 | 2014-02-12 | 飞思卡尔半导体公司 | 半导体晶片切片方法 |
CN104541317B (zh) * | 2012-08-08 | 2016-11-23 | 住友化学株式会社 | 光学显示器件的生产方法以及光学显示器件的生产*** |
US9159574B2 (en) | 2012-08-27 | 2015-10-13 | Applied Materials, Inc. | Method of silicon etch for trench sidewall smoothing |
US9610653B2 (en) * | 2012-09-21 | 2017-04-04 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for separation of workpieces and articles produced thereby |
US9252057B2 (en) | 2012-10-17 | 2016-02-02 | Applied Materials, Inc. | Laser and plasma etch wafer dicing with partial pre-curing of UV release dicing tape for film frame wafer application |
US8975162B2 (en) | 2012-12-20 | 2015-03-10 | Applied Materials, Inc. | Wafer dicing from wafer backside |
US8980726B2 (en) | 2013-01-25 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate dicing by laser ablation and plasma etch damage removal for ultra-thin wafers |
US9236305B2 (en) | 2013-01-25 | 2016-01-12 | Applied Materials, Inc. | Wafer dicing with etch chamber shield ring for film frame wafer applications |
WO2014130830A1 (en) | 2013-02-23 | 2014-08-28 | Raydiance, Inc. | Shaping of brittle materials with controlled surface and bulk properties |
TWI619165B (zh) | 2013-03-14 | 2018-03-21 | 應用材料股份有限公司 | 以雷射及電漿蝕刻進行的基板切割所用的含非光可界定雷射能量吸收層的多層遮罩 |
US20140263211A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Apple Inc. | Methods for Trimming Display Polarizers Using Lasers |
WO2014167745A1 (ja) | 2013-04-10 | 2014-10-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法 |
US8883614B1 (en) | 2013-05-22 | 2014-11-11 | Applied Materials, Inc. | Wafer dicing with wide kerf by laser scribing and plasma etching hybrid approach |
DE102013212577A1 (de) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | Verfahren zum Abtragschneiden eines Werkstücks mittels eines gepulsten Laserstrahls |
US9105710B2 (en) | 2013-08-30 | 2015-08-11 | Applied Materials, Inc. | Wafer dicing method for improving die packaging quality |
US9224650B2 (en) | 2013-09-19 | 2015-12-29 | Applied Materials, Inc. | Wafer dicing from wafer backside and front side |
US9460966B2 (en) | 2013-10-10 | 2016-10-04 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for dicing wafers having thick passivation polymer layer |
US9349645B2 (en) * | 2013-10-16 | 2016-05-24 | Nxp B.V. | Apparatus, device and method for wafer dicing |
KR102103502B1 (ko) * | 2013-10-21 | 2020-04-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 절단 방법 |
US9041198B2 (en) | 2013-10-22 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Maskless hybrid laser scribing and plasma etching wafer dicing process |
US9312177B2 (en) | 2013-12-06 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Screen print mask for laser scribe and plasma etch wafer dicing process |
US9299614B2 (en) | 2013-12-10 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Method and carrier for dicing a wafer |
US9293304B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-03-22 | Applied Materials, Inc. | Plasma thermal shield for heat dissipation in plasma chamber |
US9018079B1 (en) | 2014-01-29 | 2015-04-28 | Applied Materials, Inc. | Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with intermediate reactive post mask-opening clean |
US9299611B2 (en) | 2014-01-29 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Method of wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with mask plasma treatment for improved mask etch resistance |
US9012305B1 (en) | 2014-01-29 | 2015-04-21 | Applied Materials, Inc. | Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with intermediate non-reactive post mask-opening clean |
US8927393B1 (en) | 2014-01-29 | 2015-01-06 | Applied Materials, Inc. | Water soluble mask formation by dry film vacuum lamination for laser and plasma dicing |
US9236284B2 (en) | 2014-01-31 | 2016-01-12 | Applied Materials, Inc. | Cooled tape frame lift and low contact shadow ring for plasma heat isolation |
US8991329B1 (en) | 2014-01-31 | 2015-03-31 | Applied Materials, Inc. | Wafer coating |
US20150255349A1 (en) | 2014-03-07 | 2015-09-10 | JAMES Matthew HOLDEN | Approaches for cleaning a wafer during hybrid laser scribing and plasma etching wafer dicing processes |
US9130030B1 (en) | 2014-03-07 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Baking tool for improved wafer coating process |
US9275902B2 (en) | 2014-03-26 | 2016-03-01 | Applied Materials, Inc. | Dicing processes for thin wafers with bumps on wafer backside |
US9728518B2 (en) | 2014-04-01 | 2017-08-08 | Ati Technologies Ulc | Interconnect etch with polymer layer edge protection |
US9076860B1 (en) | 2014-04-04 | 2015-07-07 | Applied Materials, Inc. | Residue removal from singulated die sidewall |
US8975163B1 (en) | 2014-04-10 | 2015-03-10 | Applied Materials, Inc. | Laser-dominated laser scribing and plasma etch hybrid wafer dicing |
US8932939B1 (en) | 2014-04-14 | 2015-01-13 | Applied Materials, Inc. | Water soluble mask formation by dry film lamination |
US8912078B1 (en) | 2014-04-16 | 2014-12-16 | Applied Materials, Inc. | Dicing wafers having solder bumps on wafer backside |
US8999816B1 (en) | 2014-04-18 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Pre-patterned dry laminate mask for wafer dicing processes |
US9159621B1 (en) | 2014-04-29 | 2015-10-13 | Applied Materials, Inc. | Dicing tape protection for wafer dicing using laser scribe process |
US8912075B1 (en) | 2014-04-29 | 2014-12-16 | Applied Materials, Inc. | Wafer edge warp supression for thin wafer supported by tape frame |
US8980727B1 (en) | 2014-05-07 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate patterning using hybrid laser scribing and plasma etching processing schemes |
US9112050B1 (en) | 2014-05-13 | 2015-08-18 | Applied Materials, Inc. | Dicing tape thermal management by wafer frame support ring cooling during plasma dicing |
US9034771B1 (en) | 2014-05-23 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Cooling pedestal for dicing tape thermal management during plasma dicing |
US9666522B2 (en) * | 2014-05-29 | 2017-05-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Alignment mark design for packages |
US9130057B1 (en) | 2014-06-30 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Hybrid dicing process using a blade and laser |
US9165832B1 (en) | 2014-06-30 | 2015-10-20 | Applied Materials, Inc. | Method of die singulation using laser ablation and induction of internal defects with a laser |
US9093518B1 (en) | 2014-06-30 | 2015-07-28 | Applied Materials, Inc. | Singulation of wafers having wafer-level underfill |
US9142459B1 (en) | 2014-06-30 | 2015-09-22 | Applied Materials, Inc. | Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with mask application by vacuum lamination |
US9349648B2 (en) | 2014-07-22 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Hybrid wafer dicing approach using a rectangular shaped two-dimensional top hat laser beam profile or a linear shaped one-dimensional top hat laser beam profile laser scribing process and plasma etch process |
US9196498B1 (en) | 2014-08-12 | 2015-11-24 | Applied Materials, Inc. | Stationary actively-cooled shadow ring for heat dissipation in plasma chamber |
US9117868B1 (en) | 2014-08-12 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Bipolar electrostatic chuck for dicing tape thermal management during plasma dicing |
US9281244B1 (en) | 2014-09-18 | 2016-03-08 | Applied Materials, Inc. | Hybrid wafer dicing approach using an adaptive optics-controlled laser scribing process and plasma etch process |
US9177861B1 (en) | 2014-09-19 | 2015-11-03 | Applied Materials, Inc. | Hybrid wafer dicing approach using laser scribing process based on an elliptical laser beam profile or a spatio-temporal controlled laser beam profile |
US11195756B2 (en) | 2014-09-19 | 2021-12-07 | Applied Materials, Inc. | Proximity contact cover ring for plasma dicing |
US9196536B1 (en) | 2014-09-25 | 2015-11-24 | Applied Materials, Inc. | Hybrid wafer dicing approach using a phase modulated laser beam profile laser scribing process and plasma etch process |
US9130056B1 (en) | 2014-10-03 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Bi-layer wafer-level underfill mask for wafer dicing and approaches for performing wafer dicing |
US9245803B1 (en) | 2014-10-17 | 2016-01-26 | Applied Materials, Inc. | Hybrid wafer dicing approach using a bessel beam shaper laser scribing process and plasma etch process |
US10692765B2 (en) | 2014-11-07 | 2020-06-23 | Applied Materials, Inc. | Transfer arm for film frame substrate handling during plasma singulation of wafers |
US20160184926A1 (en) * | 2014-12-30 | 2016-06-30 | Suss Microtec Photonic Systems Inc. | Laser ablation system including variable energy beam to minimize etch-stop material damage |
US9355907B1 (en) | 2015-01-05 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Hybrid wafer dicing approach using a line shaped laser beam profile laser scribing process and plasma etch process |
US9330977B1 (en) | 2015-01-05 | 2016-05-03 | Applied Materials, Inc. | Hybrid wafer dicing approach using a galvo scanner and linear stage hybrid motion laser scribing process and plasma etch process |
US9159624B1 (en) | 2015-01-05 | 2015-10-13 | Applied Materials, Inc. | Vacuum lamination of polymeric dry films for wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach |
US9601375B2 (en) | 2015-04-27 | 2017-03-21 | Applied Materials, Inc. | UV-cure pre-treatment of carrier film for wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach |
US9721839B2 (en) | 2015-06-12 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Etch-resistant water soluble mask for hybrid wafer dicing using laser scribing and plasma etch |
US9478455B1 (en) | 2015-06-12 | 2016-10-25 | Applied Materials, Inc. | Thermal pyrolytic graphite shadow ring assembly for heat dissipation in plasma chamber |
US10328529B2 (en) | 2015-08-26 | 2019-06-25 | Electro Scientific Industries, Inc | Laser scan sequencing and direction with respect to gas flow |
CN107210207A (zh) * | 2015-11-09 | 2017-09-26 | 古河电气工业株式会社 | 半导体芯片的制造方法和用于该制造方法的掩模一体型表面保护带 |
KR102636469B1 (ko) * | 2015-12-18 | 2024-02-15 | 킴벌리-클라크 월드와이드, 인크. | 웹 구조의 레이저 절단 방법 |
US9972575B2 (en) | 2016-03-03 | 2018-05-15 | Applied Materials, Inc. | Hybrid wafer dicing approach using a split beam laser scribing process and plasma etch process |
JP6666173B2 (ja) * | 2016-03-09 | 2020-03-13 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
US9852997B2 (en) | 2016-03-25 | 2017-12-26 | Applied Materials, Inc. | Hybrid wafer dicing approach using a rotating beam laser scribing process and plasma etch process |
US9793132B1 (en) | 2016-05-13 | 2017-10-17 | Applied Materials, Inc. | Etch mask for hybrid laser scribing and plasma etch wafer singulation process |
US11158540B2 (en) | 2017-05-26 | 2021-10-26 | Applied Materials, Inc. | Light-absorbing mask for hybrid laser scribing and plasma etch wafer singulation process |
US10363629B2 (en) | 2017-06-01 | 2019-07-30 | Applied Materials, Inc. | Mitigation of particle contamination for wafer dicing processes |
US10535561B2 (en) | 2018-03-12 | 2020-01-14 | Applied Materials, Inc. | Hybrid wafer dicing approach using a multiple pass laser scribing process and plasma etch process |
US20190363018A1 (en) * | 2018-05-24 | 2019-11-28 | Semiconductor Components Industries, Llc | Die cleaning systems and related methods |
US11355394B2 (en) | 2018-09-13 | 2022-06-07 | Applied Materials, Inc. | Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with intermediate breakthrough treatment |
DE102018217526A1 (de) | 2018-10-12 | 2020-04-16 | Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg | Verfahren zum Ermitteln einer Kenngröße eines Bearbeitungsprozesses und Bearbeitungsmaschine |
JP7239298B2 (ja) * | 2018-10-23 | 2023-03-14 | 株式会社ディスコ | レーザー加工方法 |
JP2020066015A (ja) | 2018-10-23 | 2020-04-30 | 株式会社ディスコ | レーザー加工方法 |
JP7291501B2 (ja) * | 2019-03-11 | 2023-06-15 | 株式会社フジクラ | レーザ加工装置 |
US11011424B2 (en) | 2019-08-06 | 2021-05-18 | Applied Materials, Inc. | Hybrid wafer dicing approach using a spatially multi-focused laser beam laser scribing process and plasma etch process |
US11342226B2 (en) | 2019-08-13 | 2022-05-24 | Applied Materials, Inc. | Hybrid wafer dicing approach using an actively-focused laser beam laser scribing process and plasma etch process |
US10903121B1 (en) | 2019-08-14 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Hybrid wafer dicing approach using a uniform rotating beam laser scribing process and plasma etch process |
US11600492B2 (en) | 2019-12-10 | 2023-03-07 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with reduced current leakage for hybrid laser scribing and plasma etch wafer singulation process |
US11211247B2 (en) | 2020-01-30 | 2021-12-28 | Applied Materials, Inc. | Water soluble organic-inorganic hybrid mask formulations and their applications |
KR20210135128A (ko) | 2020-05-04 | 2021-11-12 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
KR20220008501A (ko) | 2020-07-14 | 2022-01-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 |
CN114178710A (zh) | 2020-08-24 | 2022-03-15 | 奥特斯(中国)有限公司 | 部件承载件及其制造方法 |
Family Cites Families (58)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3866398A (en) * | 1973-12-20 | 1975-02-18 | Texas Instruments Inc | In-situ gas-phase reaction for removal of laser-scribe debris |
US4190488A (en) | 1978-08-21 | 1980-02-26 | International Business Machines Corporation | Etching method using noble gas halides |
JPS56103447A (en) | 1980-01-22 | 1981-08-18 | Toshiba Corp | Dicing method of semiconductor wafer |
US4355457A (en) | 1980-10-29 | 1982-10-26 | Rca Corporation | Method of forming a mesa in a semiconductor device with subsequent separation into individual devices |
US4399345A (en) | 1981-06-09 | 1983-08-16 | Analog Devices, Inc. | Laser trimming of circuit elements on semiconductive substrates |
US4478677A (en) | 1983-12-22 | 1984-10-23 | International Business Machines Corporation | Laser induced dry etching of vias in glass with non-contact masking |
US4639572A (en) * | 1985-11-25 | 1987-01-27 | Ibm Corporation | Laser cutting of composite materials |
US5322988A (en) * | 1990-03-29 | 1994-06-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Laser texturing |
JPH05291398A (ja) * | 1992-04-08 | 1993-11-05 | Sony Corp | 素子基板及び液晶表示装置の製造方法 |
US5265114C1 (en) | 1992-09-10 | 2001-08-21 | Electro Scient Ind Inc | System and method for selectively laser processing a target structure of one or more materials of a multimaterial multilayer device |
JPH06238478A (ja) | 1993-02-15 | 1994-08-30 | Nippon Steel Corp | 厚金属板のレーザー溶接方法 |
US5685995A (en) | 1994-11-22 | 1997-11-11 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method for laser functional trimming of films and devices |
US6969635B2 (en) | 2000-12-07 | 2005-11-29 | Reflectivity, Inc. | Methods for depositing, releasing and packaging micro-electromechanical devices on wafer substrates |
KR970008386A (ko) * | 1995-07-07 | 1997-02-24 | 하라 세이지 | 기판의 할단(割斷)방법 및 그 할단장치 |
US6498074B2 (en) | 1996-10-29 | 2002-12-24 | Tru-Si Technologies, Inc. | Thinning and dicing of semiconductor wafers using dry etch, and obtaining semiconductor chips with rounded bottom edges and corners |
GB2320615B (en) | 1996-12-19 | 2001-06-20 | Lintec Corp | Process for producing a chip and pressure sensitive adhesive sheet for said process |
US6162367A (en) | 1997-01-22 | 2000-12-19 | California Institute Of Technology | Gas-phase silicon etching with bromine trifluoride |
JP2000031115A (ja) | 1998-06-29 | 2000-01-28 | Lucent Technol Inc | ウェハからチップを形成する方法 |
KR100283415B1 (ko) * | 1998-07-29 | 2001-06-01 | 구자홍 | 레이저를이용한투명매질의가공방법및장치 |
JP2000091274A (ja) | 1998-09-17 | 2000-03-31 | Hitachi Ltd | 半導体チップの形成方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2000114204A (ja) | 1998-10-01 | 2000-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハシート及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体製造装置 |
US6413839B1 (en) * | 1998-10-23 | 2002-07-02 | Emcore Corporation | Semiconductor device separation using a patterned laser projection |
JP3447602B2 (ja) | 1999-02-05 | 2003-09-16 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
DE19919471A1 (de) | 1999-04-29 | 2000-11-09 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Beseitigung von Defekten von Siliziumkörpern durch selektive Ätzung |
AU5122800A (en) * | 1999-05-24 | 2000-12-12 | Potomac Photonics, Inc. | Material delivery system for miniature structure fabrication |
US6792326B1 (en) * | 1999-05-24 | 2004-09-14 | Potomac Photonics, Inc. | Material delivery system for miniature structure fabrication |
US6420245B1 (en) | 1999-06-08 | 2002-07-16 | Kulicke & Soffa Investments, Inc. | Method for singulating semiconductor wafers |
JP4387007B2 (ja) * | 1999-10-26 | 2009-12-16 | 株式会社ディスコ | 半導体ウェーハの分割方法 |
US6290864B1 (en) | 1999-10-26 | 2001-09-18 | Reflectivity, Inc. | Fluoride gas etching of silicon with improved selectivity |
US6531681B1 (en) | 2000-03-27 | 2003-03-11 | Ultratech Stepper, Inc. | Apparatus having line source of radiant energy for exposing a substrate |
JP2002050670A (ja) * | 2000-08-04 | 2002-02-15 | Toshiba Corp | ピックアップ装置及びピックアップ方法 |
US6676878B2 (en) * | 2001-01-31 | 2004-01-13 | Electro Scientific Industries, Inc. | Laser segmented cutting |
US7157038B2 (en) | 2000-09-20 | 2007-01-02 | Electro Scientific Industries, Inc. | Ultraviolet laser ablative patterning of microstructures in semiconductors |
US20020071818A1 (en) | 2000-10-02 | 2002-06-13 | Cole Curtis A. | Skin cleanser containing anti-aging active |
EP1328372B1 (en) * | 2000-10-26 | 2006-11-29 | Xsil Technology Limited | Control of laser machining |
GB0102154D0 (en) | 2001-01-27 | 2001-03-14 | Ibm | Decimal to binary coder/decoder |
US6770544B2 (en) * | 2001-02-21 | 2004-08-03 | Nec Machinery Corporation | Substrate cutting method |
US6465344B1 (en) | 2001-03-09 | 2002-10-15 | Indigo Systems Corporation | Crystal thinning method for improved yield and reliability |
EP1433195B1 (en) * | 2001-10-01 | 2006-05-24 | Xsil Technology Limited | Method and apparatus for machining substrates |
US6642127B2 (en) | 2001-10-19 | 2003-11-04 | Applied Materials, Inc. | Method for dicing a semiconductor wafer |
JP2003197569A (ja) | 2001-12-28 | 2003-07-11 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体チップの製造方法 |
US20040137700A1 (en) | 2002-02-25 | 2004-07-15 | Kazuma Sekiya | Method for dividing semiconductor wafer |
MXPA04008789A (es) | 2002-03-11 | 2004-11-26 | Becton Dickinson Co | Sistema y metodo para la fabricacion de cuchillas quirurgicas. |
EP1497851B1 (en) | 2002-04-19 | 2006-01-25 | Xsil Technology Limited | Program-controlled dicing of a substrate using a pulsed laser |
US6817776B2 (en) | 2002-11-19 | 2004-11-16 | International Business Machines Corporation | Method of bonding optical fibers and optical fiber assembly |
TWI238444B (en) | 2002-12-10 | 2005-08-21 | Seiko Epson Corp | Method for manufacturing optoelectronic device, optoelectronic device and electronic machine |
JP4474834B2 (ja) | 2003-02-27 | 2010-06-09 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
GB2399311B (en) | 2003-03-04 | 2005-06-15 | Xsil Technology Ltd | Laser machining using an active assist gas |
US7087452B2 (en) | 2003-04-22 | 2006-08-08 | Intel Corporation | Edge arrangements for integrated circuit chips |
JP2005051007A (ja) | 2003-07-28 | 2005-02-24 | Tokyo Electron Ltd | 半導体チップの製造方法 |
GB2420443B (en) * | 2004-11-01 | 2009-09-16 | Xsil Technology Ltd | Increasing die strength by etching during or after dicing |
US7265034B2 (en) | 2005-02-18 | 2007-09-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of cutting integrated circuit chips from wafer by ablating with laser and cutting with saw blade |
WO2007025039A2 (en) | 2005-08-23 | 2007-03-01 | Xactix, Inc. | Pulsed etching cooling |
JP4819513B2 (ja) | 2006-01-26 | 2011-11-24 | 株式会社日立国際電気 | テレビジョンカメラおよびベースステーション装置 |
JP2007273068A (ja) | 2006-03-10 | 2007-10-18 | Sony Corp | ホログラム記録および再生装置 |
JP4840174B2 (ja) * | 2007-02-08 | 2011-12-21 | パナソニック株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
JP5636226B2 (ja) | 2010-08-16 | 2014-12-03 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路およびその動作方法 |
US8652940B2 (en) * | 2012-04-10 | 2014-02-18 | Applied Materials, Inc. | Wafer dicing used hybrid multi-step laser scribing process with plasma etch |
-
2003
- 2003-04-17 EP EP03720496A patent/EP1497851B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-04-17 DE DE60303371T patent/DE60303371T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-04-17 JP JP2003586917A patent/JP2005523583A/ja active Pending
- 2003-04-17 WO PCT/EP2003/004069 patent/WO2003090258A2/en active IP Right Grant
- 2003-04-17 AT AT03720496T patent/ATE316691T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-04-17 US US10/511,743 patent/US7776720B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-04-17 CN CN03814249XA patent/CN1663038A/zh active Pending
- 2003-04-17 AU AU2003224098A patent/AU2003224098A1/en not_active Abandoned
- 2003-04-17 KR KR1020047016842A patent/KR101037142B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-04-18 TW TW092109096A patent/TWI227179B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-04-18 MY MYPI20031480A patent/MY134401A/en unknown
-
2010
- 2010-08-13 US US12/856,374 patent/US20110029124A1/en not_active Abandoned
-
2012
- 2012-04-17 US US13/448,604 patent/US20120264238A1/en not_active Abandoned
-
2013
- 2013-09-17 US US14/029,664 patent/US9352417B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007329358A (ja) * | 2006-06-08 | 2007-12-20 | Apic Yamada Corp | 半導体切断装置および半導体切断方法 |
JP2007329359A (ja) * | 2006-06-08 | 2007-12-20 | Apic Yamada Corp | 半導体切断装置および半導体切断方法 |
JP2009212108A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レーザ発振方法、レーザ、レーザ加工方法、及びレーザ測定方法 |
JP2014147974A (ja) * | 2008-03-21 | 2014-08-21 | Imra America Inc | レーザベースの材料加工方法及びシステム |
JP2012195543A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-11 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014523113A (ja) * | 2011-06-15 | 2014-09-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | マルチステップ・非対称形状レーザビームスクライビング |
KR20150001829A (ko) * | 2011-06-15 | 2015-01-06 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 다중 단계 및 비대칭적으로 성형된 레이저 빔 스크라이빙 |
KR101962456B1 (ko) | 2011-06-15 | 2019-03-26 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 다중 단계 및 비대칭적으로 성형된 레이저 빔 스크라이빙 |
JP2012160758A (ja) * | 2012-05-14 | 2012-08-23 | Apic Yamada Corp | 半導体切断装置および半導体切断方法 |
JP2015153874A (ja) * | 2014-02-13 | 2015-08-24 | セイコーインスツル株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2018116950A (ja) * | 2017-01-16 | 2018-07-26 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法及び粘着テープ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110029124A1 (en) | 2011-02-03 |
DE60303371T2 (de) | 2006-08-10 |
ATE316691T1 (de) | 2006-02-15 |
US9352417B2 (en) | 2016-05-31 |
AU2003224098A1 (en) | 2003-11-03 |
DE60303371D1 (de) | 2006-04-13 |
KR101037142B1 (ko) | 2011-05-26 |
US20140231393A1 (en) | 2014-08-21 |
EP1497851A2 (en) | 2005-01-19 |
WO2003090258A2 (en) | 2003-10-30 |
MY134401A (en) | 2007-12-31 |
US20120264238A1 (en) | 2012-10-18 |
US7776720B2 (en) | 2010-08-17 |
AU2003224098A8 (en) | 2003-11-03 |
KR20050007320A (ko) | 2005-01-17 |
TWI227179B (en) | 2005-02-01 |
WO2003090258A3 (en) | 2004-02-05 |
US20050236378A1 (en) | 2005-10-27 |
TW200306241A (en) | 2003-11-16 |
CN1663038A (zh) | 2005-08-31 |
EP1497851B1 (en) | 2006-01-25 |
IE20030295A1 (en) | 2003-10-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2005523583A (ja) | パルスレーザを用いる、基板のプログラム制御ダイシング | |
EP2898982B1 (en) | Method for laser processing of silicon by filamentation of burst ultrafast laser pulses | |
JP2005523583A5 (ja) | ||
US7134943B2 (en) | Wafer processing method | |
Bärsch et al. | Ablation and cutting of planar silicon devices using femtosecond laser pulses | |
US6841482B2 (en) | Laser machining of semiconductor materials | |
KR100894088B1 (ko) | 레이저 기계 가공 시스템 및 방법 | |
KR101283228B1 (ko) | 레이저 가공 방법 및 가공 대상물 | |
US7989320B2 (en) | Die bonding | |
US20060035411A1 (en) | Laser processing method | |
US20050059325A1 (en) | Wafer processing method | |
JP2005268752A (ja) | レーザ割断方法、被割断部材および半導体素子チップ | |
CN102615432A (zh) | 使用经倾斜的雷射扫描来加工工作件的方法和设备 | |
JP2016015463A (ja) | SiC材料の加工方法及びSiC材料 | |
JP2005294325A (ja) | 基板製造方法及び基板製造装置 | |
Domke et al. | Ultrafast-laser dicing of thin silicon wafers: strategies to improve front-and backside breaking strength | |
JP7217426B2 (ja) | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 | |
JP2016030288A (ja) | レーザ加工方法、および、板ガラスブランクスの製造方法 | |
KR100887245B1 (ko) | 레이저 빔 분할을 이용한 레이저 가공 장치 및 방법 | |
IE83589B1 (en) | Program-controlled dicing of a substrate using a pulsed laser | |
KR101012332B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 절단 시스템 | |
JP7246919B2 (ja) | レーザ加工方法、半導体部材製造方法及びレーザ加工装置 | |
IES20010945A2 (en) | Laser machining of semiconductor material |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060404 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060404 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081028 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090120 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090126 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090127 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090202 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090721 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20091020 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20091027 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091124 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100209 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100526 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100526 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100820 |