JP6295353B2 - 物体の欠陥を検出するための方法および装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 52
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims description 36
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 60
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 56
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 56
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 55
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 32
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 37
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000023077 detection of light stimulus Effects 0.000 description 1
- 230000009365 direct transmission Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000032696 parturition Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
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- B60P1/00—Vehicles predominantly for transporting loads and modified to facilitate loading, consolidating the load, or unloading
- B60P1/44—Vehicles predominantly for transporting loads and modified to facilitate loading, consolidating the load, or unloading having a loading platform thereon raising the load to the level of the load-transporting element
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- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
- G01N21/9505—Wafer internal defects, e.g. microcracks
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R39/00—Rotary current collectors, distributors or interrupters
- H01R39/02—Details for dynamo electric machines
- H01R39/32—Connections of conductor to commutator segment
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02K—DYNAMO-ELECTRIC MACHINES
- H02K13/00—Structural associations of current collectors with motors or generators, e.g. brush mounting plates or connections to windings; Disposition of current collectors in motors or generators; Arrangements for improving commutation
- H02K13/04—Connections between commutator segments and windings
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N2021/845—Objects on a conveyor
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
12 検出領域での光の検出
14 欠陥の識別
20 シリコンブロックから切断又は鋸引きして酸性オーバーエッチングした多結 晶のシリコンディスク
22 割れ目
24 粒界
40 線光源
41 線光源の光軸/光平面
42 ラインカメラ
43 ラインカメラの光軸/検出器平面
44 評価装置
45a コンベヤベルト
45b コンベヤベルト
46 支持平面
47 検出領域
48 直接透過光部分
49 射出領域
50 照射光
51 照明領域
53a 1回反射した光部分
53b 1回反射した光部分
55 光平面と光平面の交線
56 支持平面と検出器平面の交線
60 線光源
61 線光源の光軸/光平面
Claims (8)
- 物体(20)を透過する波長の光(50)を照射することによって物体(20)を局部的に照明し、物体(20)の検出器(42)の方を向いた側又は物体(20)のその逆側を局部的に照明するステップ(10)を備えた、粒状組織(24)を有する不均質な多結晶の物体(20)の欠陥(22)を検出するための方法において、
直接透過した照射光部分(48)の検出を少なくとも部分的に回避しつつ、かつ1回反射した照射光(50)の部分(53a、53b)の検出を少なくとも部分的に回避しつつ、複数回反射した照射光(50)の部分を検出し、この照射光(50)の複数回反射されて検出される部分は、その反射がランバートの多数回反射と解釈することができて、等方性の光が物体(20)内に生じるように検出前に複数回反射される部分であるステップ(12)と、
検出した照射光(50)の検出部分内の明暗特性を画像処理アルゴリズムにより評価することによって欠陥(22)を識別するステップ(14)と、
を備える方法。 - 複数回反射した照射光(50)の部分が、検出器(42)の検出領域(47)で検出されて(12)、この検出領域(47)が、物体(20)を局部的に照明する(10)照明領域(51)と直接透過する照射光の部分(48)の射出領域(49)とから離隔されていることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- シリコン体(20)、好ましくはシリコンディスク(20)内の欠陥(22)が検出されることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
- シリコン材料部材から切断されたシリコン体(20)内の欠陥(22)が検出されることを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 直接透過した照射光(50)の部分(48)の検出を完全に回避しつつ、かつ1回反射した照射光(50)の部分(53a、53b)の検出を完全に回避しつつ、複数回反射した照射光(50)の部分を検出することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 直接透過した照射光(50)の部分(48)の検出を少なくとも部分的に回避しつつ、かつ1回反射した照射光(50)の部分(53a、53b)の検出を少なくとも部分的に回避しつつ、複数回反射した照射光(50)の部分を検出するために、検出領域(47)において光が検出され、この検出領域が局部的に照射される物体(20)の照明領域(51)と直接透過する光部分(48)の射出領域(49)とから離隔されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 局部的な照明(10)のために、光が物体(20)の一方の側の一部に照射され、物体(20)の同じ側で複数回反射した照射光(50)の部分が検出されることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- 局部的な照明(10)のために、光が物体(20)の第1側の一部に照射され、複数回反射した照射光(50)の部分が第1側とは反対の物体(20)の第2側で検出されることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102009039685.3 | 2009-09-02 | ||
DE102009039685.3A DE102009039685B4 (de) | 2009-09-02 | 2009-09-02 | Verfahren und Vorrichtung zur Detektion von Defekten in einem Objekt |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010195271A Division JP2011053213A (ja) | 2009-09-02 | 2010-09-01 | 物体の欠陥を検出するための方法および装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017102129A JP2017102129A (ja) | 2017-06-08 |
JP6295353B2 true JP6295353B2 (ja) | 2018-03-14 |
Family
ID=43525202
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010195271A Withdrawn JP2011053213A (ja) | 2009-09-02 | 2010-09-01 | 物体の欠陥を検出するための方法および装置 |
JP2017041391A Active JP6295353B2 (ja) | 2009-09-02 | 2017-03-06 | 物体の欠陥を検出するための方法および装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010195271A Withdrawn JP2011053213A (ja) | 2009-09-02 | 2010-09-01 | 物体の欠陥を検出するための方法および装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8400630B2 (ja) |
JP (2) | JP2011053213A (ja) |
CN (1) | CN102004107B (ja) |
DE (2) | DE102009039685B4 (ja) |
SG (1) | SG169314A1 (ja) |
TW (1) | TWI528027B (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010003112A1 (de) * | 2010-03-22 | 2011-09-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Kontrolle einer zwischen einer Metallschicht und einer Halbleiterschicht ausgebildeten Grenzfläche |
WO2012143753A1 (en) | 2011-04-18 | 2012-10-26 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus for illuminating substrates in order to image micro cracks, pinholes and inclusions in monocrystalline and polycrystalline substrates and method therefore |
JP5791101B2 (ja) * | 2011-05-16 | 2015-10-07 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 貼り合せ板状体検査装置及び方法 |
FR2977182B1 (fr) * | 2011-07-01 | 2013-07-12 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un composant optique pour supprimer des defauts de surface |
CN102388549B (zh) * | 2011-09-27 | 2014-03-12 | 华为技术有限公司 | 无源光网络中光纤链路的检测方法、***和装置 |
DE102012213793B3 (de) | 2012-08-03 | 2013-10-24 | Solarworld Innovations Gmbh | Untersuchung eines Siliziumsubstrats für eine Solarzelle |
US10315275B2 (en) * | 2013-01-24 | 2019-06-11 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Reducing surface asperities |
JP2014190797A (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Tokushima Densei Kk | シリコンウェハの欠陥検査装置 |
TW201530121A (zh) * | 2014-01-27 | 2015-08-01 | Utechzone Co Ltd | 面板亮點檢測方法及系統 |
JP6248819B2 (ja) * | 2014-06-12 | 2017-12-20 | 株式会社島津製作所 | 検査装置及び検査方法 |
DE102016223306A1 (de) | 2016-11-24 | 2018-05-24 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Vorrichtung und Verfahren zur Detektion von Defekten eines Prüfobjekts |
DE102016224767B4 (de) | 2016-12-13 | 2019-08-08 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Vorrichtung und Verfahren zur Detektion von Defekten eines Prüfobjekts |
CN109425619B (zh) * | 2017-08-31 | 2021-12-28 | 深圳中科飞测科技股份有限公司 | 光学测量***及方法 |
US10724965B2 (en) * | 2018-02-09 | 2020-07-28 | Massachusetts Institute Of Technology | Systems and methods for crack detection |
CN109297984B (zh) * | 2018-11-13 | 2021-02-19 | 正大天晴药业集团股份有限公司 | 一种泡罩包装缺陷检测方法、装置及设备 |
CN112179916B (zh) * | 2020-08-19 | 2024-04-19 | 宁波赫兹光电科技有限公司 | 一种太阳能硅片光学隐裂检测装置 |
TWI797689B (zh) * | 2021-05-24 | 2023-04-01 | 馬來西亞商正齊科技有限公司 | 檢查電子元件內部缺陷的裝置及方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0424541A (ja) * | 1990-05-21 | 1992-01-28 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 内部欠陥測定方法および装置 |
DE4139094A1 (de) * | 1991-11-28 | 1993-06-03 | Wolf & Beck Gmbh Dr | Messverfahren und messgeraet zur erkennung von stoerstellen bei flachglaesern |
JPH06294749A (ja) * | 1993-04-09 | 1994-10-21 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 板ガラスの欠点検査方法 |
JPH09145611A (ja) * | 1995-11-24 | 1997-06-06 | Fujitsu Ltd | 半導体ウェーハの分析方法及び装置 |
JP3187759B2 (ja) * | 1997-12-09 | 2001-07-11 | 株式会社アドバンテスト | 有機汚染検出・除去装置及びその有機汚染検出・除去方法並びに化学汚染検出・除去装置及びその化学汚染検出・除去方法 |
JP3261362B2 (ja) * | 1998-05-28 | 2002-02-25 | 株式会社アドバンテスト | 表面状態測定方法及び装置 |
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JP2002168774A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-06-14 | Advantest Corp | 表面状態測定方法及び装置 |
JP2003156440A (ja) * | 2001-11-21 | 2003-05-30 | Advantest Corp | 化学物質検出方法及び装置 |
WO2005064321A1 (en) * | 2003-12-30 | 2005-07-14 | Agency For Science, Technology And Research | Method and apparatus for detection of inclusions in glass |
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JP4792267B2 (ja) * | 2005-09-21 | 2011-10-12 | 株式会社アドバンテスト | 表面状態測定方法及び装置 |
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JP4575886B2 (ja) * | 2006-02-14 | 2010-11-04 | シャープ株式会社 | 多結晶半導体ウエハの割れ検査装置および割れ検査方法 |
JP2008058270A (ja) * | 2006-09-04 | 2008-03-13 | Mitsubishi Electric Corp | 多結晶シリコン基板の検査方法および太陽電池セルの検査方法、並びに赤外線検査装置 |
DE102007006525B4 (de) * | 2007-02-06 | 2009-05-14 | Basler Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Detektierung von Defekten |
JP2009210476A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Sharp Corp | クラック検査装置およびクラック検査方法 |
CN101299016A (zh) * | 2008-05-23 | 2008-11-05 | 厦门大学 | 一种基于多重内反射红外光谱的混凝土渗透性的检测方法 |
DE102009050711A1 (de) * | 2009-10-26 | 2011-05-05 | Schott Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Detektion von Rissen in Halbleitersubstraten |
-
2009
- 2009-09-02 DE DE102009039685.3A patent/DE102009039685B4/de not_active Revoked
- 2009-09-02 DE DE202009017691U patent/DE202009017691U1/de not_active Expired - Lifetime
-
2010
- 2010-08-13 TW TW099127089A patent/TWI528027B/zh active
- 2010-08-26 CN CN201010262848.3A patent/CN102004107B/zh active Active
- 2010-08-31 SG SG201006324-6A patent/SG169314A1/en unknown
- 2010-09-01 JP JP2010195271A patent/JP2011053213A/ja not_active Withdrawn
- 2010-09-02 US US12/874,516 patent/US8400630B2/en active Active
-
2017
- 2017-03-06 JP JP2017041391A patent/JP6295353B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102004107A (zh) | 2011-04-06 |
JP2017102129A (ja) | 2017-06-08 |
TW201118369A (en) | 2011-06-01 |
TWI528027B (zh) | 2016-04-01 |
US8400630B2 (en) | 2013-03-19 |
DE202009017691U1 (de) | 2010-05-20 |
JP2011053213A (ja) | 2011-03-17 |
DE102009039685A8 (de) | 2011-06-01 |
US20110058161A1 (en) | 2011-03-10 |
CN102004107B (zh) | 2015-06-24 |
DE102009039685A1 (de) | 2011-03-03 |
DE102009039685B4 (de) | 2015-07-16 |
SG169314A1 (en) | 2011-03-30 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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