TWI528027B - Object defect detection method and device - Google Patents

Description

物件缺陷偵測方法及裝置

本發明關於一種如申請專利範圍第1項所述之用於探測物件中缺陷的方法、以及一種如申請專利範圍第9項所述之用於執行此方法的裝置。

在製造產品時，通常力爭盡可能少生產次品。因而致力於，在原材料或者半成品進入生產之前，檢查原材料或者半成品可能的缺點或者缺陷。以這種方式，可以在最後的檢驗之前或者在稍後確定所製造的產品有缺陷之前，阻止這些有缺陷的原材料或者半成品進入製造過程，且減少由此帶來的成本和花費。例如，尤其是在製造太陽能電池這樣的半導體元件時，將矽片作為原材料。矽片一般又稱之為矽晶片，其厚度最高為幾百微米，且相對較薄而易碎。當這種矽片進入相應加工程式時，有時候已經有了微小裂縫或者其他形式的機械損傷。由於用肉眼通常很難看出這種缺陷，因而首先嘗試用光透射矽片並以這種方式識別可能的缺陷。

然而，在不均質的物件中，有時候只能以非常不可靠的方式探測缺陷，這是因為存在的不均質性妨礙了對缺陷的探測。例如，在多晶半導體材料，尤其是多晶矽片中，由於結構的覆蓋而阻礙了對裂縫、微小裂縫、夾雜等的識別。

因此，本發明之主要目的是提供一種方法，透過該方法能夠可靠地探測物件中的缺陷。

為解決上述目的，本發明係提供一種如申請專利範圍第1項所述之方法。此外，本發明之另一目的係在提供一種執行上述方法的裝置。

為解決上述目的，本發明係提供一種如申請專利範圍第9項所述之裝置。

附屬項則為本發明較佳實施方式。

在本發明的方法中，使具有一定波長的入射光照射物件，所述物件對於所述波長係具有穿透性。此外，在至少部分地避免探測所述入射光的直接透射的部分，且至少部分地避免探測所述入射光的一次反射的部分的情況下，探測所述入射光的多次反射的部分。因此在探測入射光的多次反射的部分同時，並不探測入射光的至少一部分直接透射的部分、以及入射光的至少一部分直接反射的部分。此外，透過分析所述入射光的被探測到的部分中的強度差來識別缺陷。在此，所述光在原則上可以被理解為任意類型的電磁輻射，只要其具有一波長，且所述物件對於所述波長係具有穿透性。根據本發明的含義，入射光的直接透射的部分，不包括先前的反射而透射穿過物件的光部分。在本發明中，缺陷不可以理解為通常的晶體缺陷(其中例如 包括晶界)，而是理解為物件的機械損傷，例如裂縫、微小裂縫、裂口、機械張緊或者夾雜。

在物件中，只要入射光被反射，那麽入射光大部分在物件界面上反射，也就是在其上表面和下表面上反射。這種多次反射光與直接透射或者僅一次反射光相比，多次反射在物件內經過更長的路徑。在此，關於物件的不均質結構的資訊，例如關於多晶半導體物件(尤其是多晶矽晶片)的晶體結構的資訊消失。而且，對於探測到的訊號而言，係取決於界面的特性，也就是表面的特性。如果表面相對粗糙，那麽所述多次散射則類似於朗伯輻射體(lambertsche Strahler)。所述多次反射可以理解為朗伯多次反射，在物件中在局部造成較為均勻的光。探測到的直接透射光或者僅一次反射光越少，那麽探測到的光就越頻繁地被散射，探測訊號就越不易探測到晶體結構訊號訊號。如果將探測到的訊號轉換為圖像，那麽在圖像中晶體結構相應變得更模糊。

反之，例如在多晶半導體片中有裂口，該裂口沿著那裏存在的晶體結構形成。裂口的表面可以假設是非常平滑的，以致於在其上發生全反射。朝向裂口方向傳播的入射光在裂口的鏡面上全反射，也就是鏡面反射。該鏡面原則上可以任意取向，從而在裂口處的全反射就會在矽片上表面上或者下表面上形成“明部”。在形成“明部”的一側，相應地形成“暗部”。在相應的圖像處理演算法中可以充分利用由此產生的明暗特性，以可靠地識別裂口。在 此，僅分析入射光被探測到的部分的強度差，並由此識別缺陷，尤其是所謂的裂口。例如，若在所檢查的物件中沒有裂口而是有夾雜，那麽在較亮的背景前該夾雜顯現為暗色，並且同樣可以借助於適當的圖像處理演算法識別該夾雜。

圖1至圖3示意地顯示了所述缺陷。圖1係多晶矽片20的圖像之示意圖，該圖像是根據現有技術，利用紅外探測器，以直接透射光方法記錄的。在該圖像中能夠看到多個晶界24。斷裂面通常沿著這些晶界延伸。在圖1中在圓圈處示出這種裂口22。裂口22的曲線係使用較粗的線條強調出來。若未強調，裂口22實際上不能與晶界24區別開來。這妨礙了在這種材料或者類似材料的情況下探測缺陷。如前所述，在直接透射光情況下形成圖1的照片。也就是說，矽片在一側被在局部照射，而在另一側使用探測器探測直接透射的光。為了生成矽片20的完整圖像，利用探測器以及所用的光源對矽片進行掃描。

反之，如果根據本發明的方案，至少部分地避免探測直接透射光和一次反射光，那麽所獲得的矽片20的圖像大致相當於圖2的視圖。如該圖所示，以這種方式可以遮蔽大部分的結構24，從而明顯更容易地識別裂口22。在裂口22的周邊仍可以看出晶體結構24，但是比圖1所示更淡，這是因為此處部分地探測了直接透射光和/或一次反射光。

然而，當完全避免探測入射光的直接透射的部分並且也完全避免探測入射光的一次反射的部分時，同樣也可以 遮蔽在圖2中仍可見的結構24。在這種情況下，可獲得例如圖3所示的圖像。在此可以清楚看到裂口22，因為結構24被完全遮蔽。而且，圖3所顯示的圖像是由矽片20的表面粗糙度決定的。尤其是在由矽塊鋸切得到的、用酸性蝕刻材料表面處理的多晶矽片20情況下，可以很近似地實現朗伯多次反射，進而實現局部等向性的照射。

在本發明方法的一個較佳實施方式中，入射光被聚焦到物件的表面上。由此可以非常強烈地局部照射所述物件。

為了照射物件，較佳入射線形光，尤其較佳入射聚焦到物件表面上的線形光，並且沿著一條直線探測入射光的多次反射的部分。這種探測例如可以借助於線條式感測器，尤其借助於線型探測器實現。

在本發明方法的一個較佳實施方式中，係對不均勻物件中的缺陷進行探測。根據本發明，不均質的物件可以理解為這樣的物件，即，其不具有統一的基本結構，例如不具有統一的晶體結構。因此多晶物件，尤其是多晶半導體材料，具有這種不均質對象。

更具體而言，在探測矽體，較佳地是矽片，特別較佳地是多晶矽片中的缺陷的情況下，本發明的方法已經被證實是有效的。根據本發明，矽片可以一方面是僅透過鋸切得到的矽片、鋸切後經過表面處理的矽片，或者，也可以是完成的或者經過局部處理的矽太陽能電池。

根據本發明的一個實施方式，在探測矽體中的缺陷時，入射光是波長為1100nm至5000nm的光，較佳地是波長為1100nm至2000nm的光。

在本發明方法的一個較佳實施方式中，在這種矽體中探測缺陷，所述矽體係透過鋸切而與原始矽體分離。因而，矽體具有至少一個局部粗鋸的表面，由此在矽介面上可以造成入射光有統計學特性的散射。利用朗伯輻射體可以相對良好地說明該散射的統計學特性。

如果在探測缺陷之前至少在局部對矽體進行表面處理時，就利用本發明方法探測缺陷而言，較佳係使用酸性蝕刻材料表面處理矽體。反之，使用鹼性蝕刻材料表面處理不利於對缺陷的探測。

根據本發明方法的一個實施方式，為了達到在局部照射的目的，係使光入射到所述物件的一側的局部，並且在所述物件的同一側探測所述入射光的多次反射的部分。這是所謂的入射光法。當在物件的一側設置所用的光不可穿透的層(例如金屬覆層)時，較佳係使用入射光方法，這是因為用於在局部照射的光源、以及用於探測多次反射光的探測器，均可以設置在物件的非金屬側。

在本發明一較佳實施方式中，光係傾斜於物件的表面入射。由此，光將在物件內經過更長的路徑，這對於晶體結構的消失或者其他不均質性而言被證實是有利的。

為了達到在局部照射的目的，所述入射光方法的另一較佳實施方式，係使光入射到所述物件的第一側的局部， 並且在所述物件與所述第一側相對的第二側探測所述入射光的多次反射的部分。這種方法通常被稱為透射光法。

在透射光法的情況下，光亦較佳地傾斜於物件的表面入射。這種方式(已經結合入射光方法對其進行了說明)將對缺陷探測產生有利影響。

根據本發明方法的一個較佳實施方式，為了在局部照射，係使入射光移動經過物件表面的至少一部分，較佳移動經過物件的整個側面。這種移動可以連續進行或者分段地進行。以這種方式可以形成物件的完整的圖像。使入射光移動經過物件表面的至少一部分的一種具體實現方式是，使物件相對於探測器和光源運動。

根據本發明的裝置包括：光源，其利用具有一波長的光對物件進行局部照射，所述物件對於所述波長具有穿透性；探測器，其用於探測由所述光源發射的光。此外，探測器和光源之設置方式，係將照射區域的至少一部分和直接透射部分光的出射區域的至少一部分設置於探測器的檢測區域之外，且在照射區域中能夠藉由光源對物件進行局部照射。在此，直接透射光的出射區域可以理解為物件的一個表面區域，且在該出射區域中，入射光的直接透射部分係從物件出射。探測器的檢測區域是物件的能夠利用探測器進行檢測的區域。

在本發明裝置的一實施方式中，光源可發射頻率為1100nm至5000nm的光，較佳地發射頻率為1100nm至2000nm的光。

相應地，探測器之探測範圍較佳地在1100nm至5000nm的波長範圍內，更佳在1100nm至2000nm的波長範圍內。

本發明裝置的一個較佳實施方式包括光學器件，其用於將由光源發射的光聚焦到物件表面上。由此可以局部加強由光源發射且入射到物件上的光。

本發明的裝置的一個較佳實施方式，係包括輸送裝置，且透過此輸送裝置可以把物件輸送經過探測器的檢測區域。這種裝置較佳地是連續運行的，這種運行方式通常被描述為“在線”工作方式。以這種方式可以在節約成本的前提下對大量的物件進行檢查。

在一個較佳實施方式中，本發明裝置包括分析裝置，其用於分析入射光的被探測到的部分中的強度差。

根據本發明的一個實施方式，探測器的檢測區域與照射區域以及直接透射光的出射區域係彼此隔開。以這種方式可以在大幅地且輕鬆地避免探測直接透射光以及一次反射光。

在本發明的一個實施方式中，光源和探測器被設置在一個安放面的同一側，且物件可設置在安放面處。這種配置方式可以入射光方法探測缺陷。在另一實施方式中，所述光源和所述探測器被設置在所述安放面的彼此相對的兩側，故可以透射光方法探測缺陷。

在本發明裝置的一個較佳實施方式中，用至少一個線形光源為光源，並且將至少一個線形感測器的裝置作為探測器。較佳地，是將線型探測器用作為線形感測器。

在本發明裝置的所有變形實施方式中，探測器較佳地包括透鏡，該透鏡在光源的波長範圍內工作。較佳為，所述透鏡和探測器等可能的其他光學構件之設置方式，係將物件設置於探測器檢測區域中的區域投影至探測器的感測器上，例如在其線形感測器上。

在一個較佳實施方式中，線形感測器和可能的透鏡和可能的其他光學構件以這樣的方式取向，即，在待測物件(例如矽片)被輸送經過探測器的檢測區域時，能夠完整地檢測所述矽片。因而，藉由將待測物件(例如矽片)輸送經過檢測區域，即可以生成物件(例如矽片)的完整圖像。

在本發明裝置的一個實施方式中，所述線形光源和所述線形感測器以這樣的方式取向，即，由所述線形光源和其光軸的縱向延伸方向形成的光平面、以及由所述線形感測器和其光軸的縱向延伸方向形成的探測器平面，分別與所述安放面形成交線，且所述交線彼此平行。由於探測器是線形感測器，光源是線形光源，故也可以用光學平面來代替光軸。在這種情況下，光平面相當於線形光源的光學平面，探測器平面相當於線形感測器的光學平面。

在一個較佳實施方式中，由輸送裝置(例如輸送帶)至少在局部構成安放面。這些輸送帶的上表面為物件的安放面。

在本發明的裝置的一個具體較佳實施方式中，探測器，特別是線形感測器，以這樣的方式取向，即，其光軸平行於安放面延伸。

在本發明的裝置的一個實施方式中，所述裝置以這樣的方式設計，即，彼此平行的所述交線的間距是能夠改變的。由此能夠以簡單方式調節：在何種範圍內避免探測直接透射光或者避免探測一次反射光。

在本發明的裝置的一較佳實施方式中，由光源及探測器所組成的群組中之至少一個元件係以可移動方式設置。所述元件更以可轉動和/或樞轉的方式設置。因此，光源和探測器的相對取向的輕鬆調整。在本發明的一個較佳實施方式中，探測器的交線或者光平面的交線與安放面可以輕鬆地彼此平行地取向。

圖4係本發明方法的第一實施例之示意圖。根據該第一實施例，利用紅外線光在局部照射多晶矽體(步驟10)。此外，在檢測區域內探測光(步驟12)，該檢測區域與照射區域和出射區域彼此隔開，在該照射區域中矽體在局部被照射；而在該出射區域中，局部照射矽體之入射的紅外線光直接從該出射區域透射出來。以這種方式，可以大幅避免探測入射的紅外線光的直接透射光，或者避免探測該紅外線光的一次反射光。如上所述，遺留的缺陷、尤其是裂口或者夾雜，可以利用入射光的被探測到的部分中的特 徵強度差以識別。因此，分析這種強度差，並結合該強度差，可以識別缺陷(步驟14)。

圖5顯示了本發明的裝置的第一實施例。該裝置包括光源，該光源在此為線形光源40的形式。透過該光源40，使光入射到從矽塊鋸切得到的、酸洗後的多晶矽片20上。該實施例示出了線形光源40的光軸41，如上所述，光軸41也可以看做為光學平面。多晶矽片20被安放在輸送帶45a、45b的上表面上，因而輸送帶45a、45b係構成一安放面46。在安放面46與線光源40相對的一側設置有探測器，該探測器在此為線形探測器42的形式。例如，結合其光軸43(該光軸43也可以被理解為光學平面)，可以認為線形探測器42向下面對矽片20的表面。線形光源40和線形探測器42相對於安放面46的設置方式，可以以透射光法實現缺陷識別。

線形探測器42與分析裝置44連接，分析裝置44可以通過分析入射光的被探測到的部分中的強度差來識別缺陷。

圖6顯示了根據圖5的裝置的局部放大圖，並用於說明可利用圖5的裝置執行的本發明的方法。如圖6所示，照射區域51中的入射光50從線形光源40沿著光軸41照射到多晶矽片20上。在此，入射光50按照有利的方式通過設置在線形光源40中的光學器件聚焦到照射區域51上。

入射光50在照射區域51中在多晶矽片20的表面上被局部反射。在圖6中，為了清楚顯示，省略了該一次反射光。剩餘光貫穿多晶矽片20並且其一部分在矽片20的上界面從矽片20出射，即直接透射光48。在所有圖式中簡明起見均 忽略了由臨界面處的光折射造成的一定程度上的平行偏移的光出射。

剩餘的、不直接透射的部分光在臨界面上朝向周邊反射。這些一次反射光一部分在矽片20的下表面上從矽片20出射，因而不再能夠到達探測器42。剩餘的部分光反射第二次，因而是多次反射光。在介面上的這種反射過程多次發生。由於入射光50的傾斜入射，光在傳播中得到多次反射(在圖6朝向左側)，從而光最終到達探測器的檢測區域47，並在那裏在從矽片20出射之後可以被探測到。

對光路徑的這種說明是經過簡化的，並且這種方式對於具有相對平滑表面的物件肯定是足夠的。反之，當待測物件存在或多或少粗糙表面的情況下，在物件的界面上或多或少存在散射。這種散射恰好使得本發明方法有效率。例如，當入射光50可平行於線型探測器的光軸43入射時，檢測區域47中仍可以探測到部分光。之所以如此，是因為矽片20表面上的散射導致在矽片的平面中出現光傳播；而在矽片表面為理想平滑的情況下，假如入射光50為平行入射，那麽這種情況是不可能出現的。雖然如此，在本發明的方法中，即使在入射光50在物件的表面上強烈散射的情況下，以矽片20的現有情況下，透過入射光的傾斜入射(也就是說，如圖6和圖5所示地傾斜照射)，也可增加矽片中的部分光的傳播(也就是說，在圖5和圖6中水平朝向左側)。

多次反射造成光線在所檢查物件內部(在本實施例中是在等向性良好的矽片20內部)傳播。此外，平行於因採用線形光源40而線形延伸的照射區域51，可得到良好均勻的光傳播。因為光在物件(尤其是在矽的情況下)內部傳播具有長的自由路徑，所以多晶矽片20的晶體結構在由線形探測器42生成的圖像中消失的越多，檢測區域47離開照射線49就越遠。由線形探測器獲取的圖像與物件(此處是矽片20)的表面粗糙度有關。在圖5和圖6的實施例中，矽片20由矽塊鋸切得到，因而具有較大的表面粗糙度。此表面粗糙度加強了本發明多次反射的效果。

如果在所檢查的物件中(在本實施例中是在矽片20中)存在夾雜或者裂口，那麽這造成在探測到的部分光中出現特有的強度差，結合該強度差，可以借助圖像處理演算法，在分析裝置44中識別這些缺陷。

如圖6所示，在所示的實施例中，線形探測器42的檢測區域47與照射區域51以及直接透射光48的出射區域49彼此隔開。由此能夠以簡單方式避免探測入射光50的直接透射光48，並且避免探測入射光50的一次反射部分。

在圖5的實施例中，線形光源40和線形探測器42的縱向延伸方向垂直於圖式平面。因而線形光源40和其光軸41的縱向延伸方向形成光平面，該光平面垂直於圖式平面延伸，並且其位置在圖式平面中透過線形光源40的光軸41來示出。此外圖式標記41也充當光平面的表示。相應地，線形探測器42和其光軸43的縱向延伸方向形成探測器平面， 該探測器平面同樣垂直於圖式平面延伸，且透過線形探測器的光軸43示出探測平面在圖式平面中的位置。因而圖式標記43在下文中也被用作為該探測器平面的表示。

光平面41和探測器平面43分別與安放面46相交，並形成交線55和56。交線55和56垂直於圖式平面延伸，並且彼此平行。

在圖5的實施例中，線形光源40以可移動的方式佈置。線形光源40以能夠圍繞垂直於圖式平面延伸的軸線轉動的方式佈置，此外能夠圍繞位於圖式平面中的軸線轉動。以這種方式，可以輕鬆地使交線55、56彼此平行。此外，平行的交線55、56的間距可以改變。為此目的，僅需要使線形光源圍繞垂直於圖式平面延伸的軸線轉動。透過改變平行的交線55、56的間距，可以輕鬆地調節：在何種範圍內避免探測直接透射光和避免探測一次反射光。

圖7顯示了本發明的裝置的另一實施例，同時顯示了本發明的方法的一個實施例。圖7的裝置與圖5的裝置的區別僅在於線形光源60或者40的設置方式不同，且造成線光源60的光軸61的方向、或線光源60的光平面61的方向不同。

例如，從圖7可以得悉，光源60和探測器42設置在安放面46的同一側。因而本發明的裝置的所示的變形實施方式適於執行入射光方法。一個特別的優點是，矽片20的一側可具有所用的光不可穿透的覆層，例如金屬層。該金屬層在圖7的實施例中被設置在矽片20的面對輸送帶45a、45b的一側。

線形光源60的縱向延伸方向仍然垂直於圖7的圖式平面，故由線形光源60和其光軸61的縱向延伸方向所形成的光平面一方面垂直於圖式平面延伸，另一方面透過光軸61標示出該光平面在圖式平面之內的位置。因而圖式標記61同時被用作為該光平面的表示。

圖8顯示了根據圖7的局部放大視圖。例如，從圖8可知，在圖7的實施例中，線形探測器42的檢測區域47也與照射區域51以及直接透射光48的出射區域49彼此隔開。如前所述，以這種方式可以簡單且盡可能地避免探測直接透射光48或避免一次反射光。

圖9顯示了檢測區域47與照射區域51或者出射區域49的間距影響避免探測一次反射光的程度。圖9顯示了同圖8一樣的局部放大圖，但是還顯示了一次反射光53a、53b。結合該圖明顯看出，在檢測區域和出射區域49具有所選擇的間距的情況下，可極大地避免了對一次反射光53a、53b的探測。然而，如果檢測區域47靠近照射區域51，那麽會有部分一次反射光53b被探測，且在靠近照射區域51情況下也探測到了一次反射光53a。相比之下，在入射方式下，也就是在線形光源60和線形探測器42被設置在同一側的情況下，不易探測到直接透射光48。

如圖8所示，在圖7的實施例中，光平面61和探測器平面41分別與安放面46的交線55、56再次彼此平行地延伸。線形光源60仍然以可移動的方式佈置。尤其是線形光源60可以相對於垂直於圖式平面延伸的軸線轉動，並且可以相 對於在圖式平面中延伸的軸線樞轉，故線形光源60和線形探測器42、或光平面61和探測器平面41可以輕鬆地彼此對準。此外交線55、56的間距能夠類似於結合圖5所述的方式輕鬆改變。

在本發明裝置的一個特別較佳變形實施方式中，在安放面46的兩側設置用於光源且尤其是用於線形探測器40、60的容納裝置，故本發明的裝置不僅可以按照入射光法運行，而且還可以按照透射光法運行。因此，用同一個裝置就可以實現圖5和圖7的結構。

上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已，本發明所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非僅限於上述實施例。

20‧‧‧多晶矽片

22‧‧‧裂口

24‧‧‧晶界

40‧‧‧線形光源

41,43‧‧‧光軸

42‧‧‧探測器

44‧‧‧分析裝置

45a,45b‧‧‧輸送帶

46‧‧‧安放面

47‧‧‧檢測區域

48‧‧‧直接透射光

49‧‧‧出射區域

50‧‧‧入射光

51‧‧‧照射區域

53a,53b‧‧‧一次反射光

55,56‧‧‧交線

60‧‧‧線形光源

61‧‧‧光軸/光平面

下面將結合圖式對本發明進行進一步說明。在圖式中，對作用相同的元件採用相同的圖式標記。圖式中：

圖l係具有裂口的多晶矽片的圖像之示意圖，該圖像是用以現有技術的方法為探測缺陷而獲得的。

圖2係根據圖1的多晶矽片的圖像之示意圖，該圖像是用根據本發明的方法，在至少部分地避免探測直接透射光，且至少部分地避免探測一次反射光的情況下獲得的。

圖3係根據圖1的多晶矽片的圖像之示意圖，該圖像是用根據本發明的方法在完全避免探測直接透射光，且完全避免探測一次反射光的情況下捕捉的。

圖4係本發明的方法的一個實施例的示意圖。

圖5係本發明的裝置的第一實施例之示意圖。

圖6係圖5的細節的放大圖。

圖7係本發明的裝置的第二實施例的示意圖。

圖8係圖7的細節的放大視圖。

圖9係圖8相同的局部區域之放大圖，其中示意說明了一次反射光。

20‧‧‧多晶矽片

40‧‧‧光源

41,43‧‧‧光軸

42‧‧‧探測器

44‧‧‧分析裝置

45a,45b‧‧‧輸送帶

46‧‧‧安放面

Claims (15)

1. 一種用於探測物件中缺陷之方法，該方法包括下列步驟：透過入射具有一波長的光，對該物件進行局部照射，其中該物件對於該波長係具有穿透性，其中被定位朝向一探測器之該物件之一表面或被定位在一相對方向之該物件之一表面係被局部照射者；其中，在至少部分地避免探測該入射光的直接透射部分且至少部分地避免探測該入射光的一次反射部分的情況下，探測該入射光的多次反射部分；以及透過分析該入射光的被探測到的部分中的強度差，識別該缺陷。
2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，係探測不均質對象中的缺陷。
3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，係探測矽體中的缺陷，尤其是矽片中的缺陷。
4. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中，係探測矽體中的缺陷，且該矽體係透過鋸切與原始矽體分離。
5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，在完全避免探測該入射光的直接透射部分且完全避免探測該入射光的一次反射部分的情況下，探測該入射光的多次反射部分。
6. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，係在檢測區域內探測光，且該檢測區域與該物件被局部照射的照射區域以及直接透射光的出射區域係彼此隔開，以在至少部分地避免探測該入射光的直接透射部分且至少部分地避免探測該入射光的一次反射部分的情況下，探測該入射光的多次反射部分。
7. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，係使光入射到該物件的一側的局部，並且在該物件的同一側探測該入射光的多次反射部分，以進行局部照射。
8. 如申請專利範圍第1至6項之任一項所述之方法，其中，係使光入射到該物件的第一側的局部，並且在該物件與該第一側相對的第二側探測該入射光的多次反射部分，以進行局部照射。
9. 一種用於執行如申請專利範圍第1至8項之任一項所述之方法的裝置，該裝置具有：一光源，其用於利用具有一波長的光對物件進行局部照射，其中該物件對於該波長係具有穿透性；以及一探測器，其用於探測由該光源發射的光；其中該光源以及該探測器經設置且安排之方式為被定位朝向該探測器之該物件之一表面或被定位在一相對方向之該物件之一表面係可藉由該光源被局部照射者；其中，該探測器以及該光源經設置之方式為照射區域的至少一部分及直接透射光的出射區域的至少一部分，係 位於該探測器的檢測區域之外，且在該照射區域中係使用該光源對該物件進行局部照射。
10. 如申請專利範圍第9項所述之裝置，其中，該探測器的該檢測區域與該照射區域以及直接透射光的該出射區域係彼此隔開。
11. 如申請專利範圍第9項所述之裝置，其中，該光源及該探測器係設置在與一安放面之同一側、或設置在該安放面彼此相對之兩側，且該物件係設置在該安放面處。
12. 如申請專利範圍第9項所述之裝置，其中，該光源係為至少一個線形光源，且該探測器係為至少一個包括線形感測器的裝置。
13. 如申請專利範圍第12項所述之裝置，其中，由該線形光源及其光軸的縱向延伸所形成的光平面、及由該線形感測器及其光軸的縱向延伸方向形成的探測器平面，係分別與該安放面形成交線，且該交線彼此平行。
14. 如申請專利範圍第13項所述之裝置，其中，彼此平行的該交線的間距是可改變的。
15. 如申請專利範圍第9項所述之裝置，其中，由該光源及該探測器所組成之群組中之至少一個元件係以可移動方式配置。