JPH09145611A - 半導体ウェーハの分析方法及び装置 - Google Patents
半導体ウェーハの分析方法及び装置Info
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- JPH09145611A JPH09145611A JP30561795A JP30561795A JPH09145611A JP H09145611 A JPH09145611 A JP H09145611A JP 30561795 A JP30561795 A JP 30561795A JP 30561795 A JP30561795 A JP 30561795A JP H09145611 A JPH09145611 A JP H09145611A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】製造プロセス段階の半導体ウェーハに付着した
不純物を、検出感度よくその場観察によって分析できる
半導体ウェーハの分析方法及び装置を提供する。 【解決手段】 半導体ウェーハ１０の表面を赤外反射吸
収分光法により分析する半導体ウェーハの分析方法にお
いて、半導体ウェーハ１０の表面側に赤外線が反射する
ミラー１２を配置し、半導体ウェーハ１０の裏面より赤
外線を入射し、半導体ウェーハ１０の表面側でミラー１
２により赤外線を反射し、半導体ウェーハ１０の裏面よ
り射出される赤外線を検出して赤外反射吸収分析を行
う。
不純物を、検出感度よくその場観察によって分析できる
半導体ウェーハの分析方法及び装置を提供する。 【解決手段】 半導体ウェーハ１０の表面を赤外反射吸
収分光法により分析する半導体ウェーハの分析方法にお
いて、半導体ウェーハ１０の表面側に赤外線が反射する
ミラー１２を配置し、半導体ウェーハ１０の裏面より赤
外線を入射し、半導体ウェーハ１０の表面側でミラー１
２により赤外線を反射し、半導体ウェーハ１０の裏面よ
り射出される赤外線を検出して赤外反射吸収分析を行
う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハに
付着した有機物等の分析を行う半導体ウェーハの分析方
法及び装置に関する。
付着した有機物等の分析を行う半導体ウェーハの分析方
法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造プロセスは、通常の部
屋に比べて室内の浮遊塵埃濃度を低減させた、いわゆる
クリーンルーム内で行われる。しかしながら、製造プロ
セスにおいて発生する塵埃等を完全に防ぐことは困難で
あり、これら不純物が半導体ウェーハに付着する場合が
ある。半導体ウェーハに付着した不純物は、半導体装置
の歩留りを低下させ、又は信頼性の低下等をもたらす虞
があるため、付着した不純物とその影響を分析すること
は極めて重要である。
屋に比べて室内の浮遊塵埃濃度を低減させた、いわゆる
クリーンルーム内で行われる。しかしながら、製造プロ
セスにおいて発生する塵埃等を完全に防ぐことは困難で
あり、これら不純物が半導体ウェーハに付着する場合が
ある。半導体ウェーハに付着した不純物は、半導体装置
の歩留りを低下させ、又は信頼性の低下等をもたらす虞
があるため、付着した不純物とその影響を分析すること
は極めて重要である。
【０００３】半導体ウェーハ表面に吸着した不純物を分
析するための従来の方法としては、例えば、不純物を気
相状態にすることにより各成分を分離し、質量分析によ
り成分の検出や同定を行うガスクロマトグラフィー／質
量分析法（ＧＣ／ＭＳ）、半導体ウェーハに吸着した不
純物を熱脱着により放出させ、このときに放出されるガ
スの同定を行うサーマルディソープション分析法（ＴＤ
Ｓ）、試料に単色のＸ線束を照射した際に放出される光
電子のエネルギーを測定することにより不純物を同定す
るＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）、赤外光を半導体ウェー
ハに垂直入射したときの吸光度を測定することにより半
導体ウェーハに吸着した不純物を同定する透過型赤外吸
収分光法、内部全反射を利用して半導体ウェーハ表面に
吸着した不純物を同定する減衰全反射（ＡＴＲ）法、半
導体ウェーハの被測定面側より赤外光を斜め入射したと
きに得られる反射−吸収スペクトルより表面に吸着した
不純物を同定する反射吸収分光（ＲＡＳ）法等が用いら
れていた。
析するための従来の方法としては、例えば、不純物を気
相状態にすることにより各成分を分離し、質量分析によ
り成分の検出や同定を行うガスクロマトグラフィー／質
量分析法（ＧＣ／ＭＳ）、半導体ウェーハに吸着した不
純物を熱脱着により放出させ、このときに放出されるガ
スの同定を行うサーマルディソープション分析法（ＴＤ
Ｓ）、試料に単色のＸ線束を照射した際に放出される光
電子のエネルギーを測定することにより不純物を同定す
るＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）、赤外光を半導体ウェー
ハに垂直入射したときの吸光度を測定することにより半
導体ウェーハに吸着した不純物を同定する透過型赤外吸
収分光法、内部全反射を利用して半導体ウェーハ表面に
吸着した不純物を同定する減衰全反射（ＡＴＲ）法、半
導体ウェーハの被測定面側より赤外光を斜め入射したと
きに得られる反射−吸収スペクトルより表面に吸着した
不純物を同定する反射吸収分光（ＲＡＳ）法等が用いら
れていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のＧＣ／ＭＳ、ＴＤＳを用いた半導体ウェーハの分析
方法では分析する際に半導体ウェーハを加熱する必要が
あり、ＸＰＳを用いた分析方法では真空中で測定する必
要があった。その上、これらの分析方法では半導体ウェ
ーハを適切な大きさに切り出して分析用の試料を作成す
る必要がある場合が多く、実際に半導体製造プロセスが
行われている状態の半導体ウェーハ表面を分析すること
は困難であった。
来のＧＣ／ＭＳ、ＴＤＳを用いた半導体ウェーハの分析
方法では分析する際に半導体ウェーハを加熱する必要が
あり、ＸＰＳを用いた分析方法では真空中で測定する必
要があった。その上、これらの分析方法では半導体ウェ
ーハを適切な大きさに切り出して分析用の試料を作成す
る必要がある場合が多く、実際に半導体製造プロセスが
行われている状態の半導体ウェーハ表面を分析すること
は困難であった。
【０００５】また、ＡＴＲ法による分析はプリズム状に
加工されたシリコン基板やＧｅプリズムを半導体ウェー
ハに密着させることが必要であるため、製造プロセス段
階において行う、いわゆるその場観察（in-situ）には
適していなかった。また、通常のＲＡＳ法による分析で
は、金属表面に吸着した単分子層程度の微量な化学種の
その場観察は可能であるが、半導体ウェーハの表面に吸
着した単分子層程度の微量な有機物の検出は困難であっ
た。
加工されたシリコン基板やＧｅプリズムを半導体ウェー
ハに密着させることが必要であるため、製造プロセス段
階において行う、いわゆるその場観察（in-situ）には
適していなかった。また、通常のＲＡＳ法による分析で
は、金属表面に吸着した単分子層程度の微量な化学種の
その場観察は可能であるが、半導体ウェーハの表面に吸
着した単分子層程度の微量な有機物の検出は困難であっ
た。
【０００６】また、通常の透過型赤外吸収分光法では半
導体ウェーハを切り出したりする必要はないが、検出感
度がＡＴＲ法やＲＡＳ法よりも劣るため、半導体ウェー
ハ表面に吸着した単分子層程度の微量な有機物を分析す
ることは困難であった。さらに、クリーンルーム内では
数種類の不純物が同時に半導体ウェーハ表面に付着する
ことが多いため、半導体装置の製造プロセスに対してど
の不純物がどのように影響するのかを定量的に調査する
ことが困難であった。
導体ウェーハを切り出したりする必要はないが、検出感
度がＡＴＲ法やＲＡＳ法よりも劣るため、半導体ウェー
ハ表面に吸着した単分子層程度の微量な有機物を分析す
ることは困難であった。さらに、クリーンルーム内では
数種類の不純物が同時に半導体ウェーハ表面に付着する
ことが多いため、半導体装置の製造プロセスに対してど
の不純物がどのように影響するのかを定量的に調査する
ことが困難であった。
【０００７】本発明の目的は、製造プロセス段階の半導
体ウェーハに付着した不純物を、検出感度よくその場観
察によって分析できる半導体ウェーハの分析方法及び装
置を提供することにある。また、本発明の他の目的は、
数種類の不純物が同時に半導体ウェーハ表面に付着して
いる場合にも、半導体装置の製造プロセスに対してどの
不純物がどのように影響するのかを定量的に調査するこ
とができる半導体ウェーハの分析方法及び装置を提供す
ることにある。
体ウェーハに付着した不純物を、検出感度よくその場観
察によって分析できる半導体ウェーハの分析方法及び装
置を提供することにある。また、本発明の他の目的は、
数種類の不純物が同時に半導体ウェーハ表面に付着して
いる場合にも、半導体装置の製造プロセスに対してどの
不純物がどのように影響するのかを定量的に調査するこ
とができる半導体ウェーハの分析方法及び装置を提供す
ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的は、半導体ウェ
ーハの表面を赤外反射吸収分光法により分析する半導体
ウェーハの分析方法において、前記半導体ウェーハの表
面側に赤外線が反射するミラーを配置し、前記半導体ウ
ェーハの裏面より赤外線を入射し、前記半導体ウェーハ
の前記表面側で前記ミラーにより前記赤外線を反射し、
前記半導体ウェーハの前記裏面より射出される前記赤外
線を検出して赤外反射吸収分析を行うことを特徴とする
半導体ウェーハの分析方法によって達成される。これに
より、半導体ウェーハに付着した単分子層程度の微量化
学種を、その場観察によって定性的且つ定量的に分析す
ることができる。
ーハの表面を赤外反射吸収分光法により分析する半導体
ウェーハの分析方法において、前記半導体ウェーハの表
面側に赤外線が反射するミラーを配置し、前記半導体ウ
ェーハの裏面より赤外線を入射し、前記半導体ウェーハ
の前記表面側で前記ミラーにより前記赤外線を反射し、
前記半導体ウェーハの前記裏面より射出される前記赤外
線を検出して赤外反射吸収分析を行うことを特徴とする
半導体ウェーハの分析方法によって達成される。これに
より、半導体ウェーハに付着した単分子層程度の微量化
学種を、その場観察によって定性的且つ定量的に分析す
ることができる。
【０００９】また、上記の半導体ウェーハの分析方法に
おいて、前記ミラーは、前記半導体ウェーハの前記表面
より離間して、前記表面と平行に配置することが望まし
い。これによりミラーが半導体ウェーハに接触して不純
物がミラーに付着することがなくなり、また、半導体ウ
ェーハの表面とミラーとの間で赤外線が多重反射される
ので、検出感度を向上することができる。
おいて、前記ミラーは、前記半導体ウェーハの前記表面
より離間して、前記表面と平行に配置することが望まし
い。これによりミラーが半導体ウェーハに接触して不純
物がミラーに付着することがなくなり、また、半導体ウ
ェーハの表面とミラーとの間で赤外線が多重反射される
ので、検出感度を向上することができる。
【００１０】また、外気から隔離された容器内において
前記半導体ウェーハの前記表面に任意の化学種を吸着
し、上記の半導体ウェーハの分析方法により、前記半導
体ウェーハの前記表面に吸着した前記化学種を前記容器
内において分析することを特徴とする半導体ウェーハの
分析方法によっても達成される。これにより任意の化学
種を任意の量だけ吸着させた、いわゆる故意汚染した半
導体ウェーハを作成することができるので、この半導体
ウェーハを用いることにより、吸着化学種の製造プロセ
スに与える影響を調査することができる。
前記半導体ウェーハの前記表面に任意の化学種を吸着
し、上記の半導体ウェーハの分析方法により、前記半導
体ウェーハの前記表面に吸着した前記化学種を前記容器
内において分析することを特徴とする半導体ウェーハの
分析方法によっても達成される。これにより任意の化学
種を任意の量だけ吸着させた、いわゆる故意汚染した半
導体ウェーハを作成することができるので、この半導体
ウェーハを用いることにより、吸着化学種の製造プロセ
スに与える影響を調査することができる。
【００１１】また、半導体ウェーハの表面を赤外反射吸
収分光法により分析する半導体ウェーハの分析装置であ
って、前記半導体ウェーハの裏面より赤外線を照射する
照射手段と、前記半導体ウェーハの表面側に配置され、
前記半導体ウェーハを透過した前記赤外線を反射するミ
ラーと、前記半導体ウェーハの裏面側に配置され、前記
ミラーにより反射された前記赤外線を検出する検出手段
とを有することを特徴とする半導体ウェーハの分析装置
によっても達成される。これにより、半導体ウェーハに
付着した単分子層程度の微量化学種を、その場観察によ
って定性的且つ定量的に分析することができる。
収分光法により分析する半導体ウェーハの分析装置であ
って、前記半導体ウェーハの裏面より赤外線を照射する
照射手段と、前記半導体ウェーハの表面側に配置され、
前記半導体ウェーハを透過した前記赤外線を反射するミ
ラーと、前記半導体ウェーハの裏面側に配置され、前記
ミラーにより反射された前記赤外線を検出する検出手段
とを有することを特徴とする半導体ウェーハの分析装置
によっても達成される。これにより、半導体ウェーハに
付着した単分子層程度の微量化学種を、その場観察によ
って定性的且つ定量的に分析することができる。
【００１２】また、上記の半導体ウェーハの分析装置に
おいて、前記ミラーは、前記半導体ウェーハの前記表面
より離間して、前記表面と平行に配置されていることが
望ましい。これにより半導体ウェーハの表面とミラーと
の間で赤外線が多重反射されるので、検出感度を向上す
ることができる。また、上記の半導体ウェーハの分析装
置において、少なくとも前記半導体ウェーハと前記ミラ
ーを収納して外気より遮断する容器と、前記容器に設け
られ、前記容器内部に化学種を含むガスを導入するガス
導入手段とを更に有し、前記ガス導入手段により前記容
器内に前記化学種を導入することにより、前記化学種を
前記半導体ウェーハに吸着し、前記容器内において赤外
反射吸収分光法により前記化学種を分析することが望ま
しい。これにより、任意の化学種を任意の量だけ半導体
ウェーハに吸着することができる。
おいて、前記ミラーは、前記半導体ウェーハの前記表面
より離間して、前記表面と平行に配置されていることが
望ましい。これにより半導体ウェーハの表面とミラーと
の間で赤外線が多重反射されるので、検出感度を向上す
ることができる。また、上記の半導体ウェーハの分析装
置において、少なくとも前記半導体ウェーハと前記ミラ
ーを収納して外気より遮断する容器と、前記容器に設け
られ、前記容器内部に化学種を含むガスを導入するガス
導入手段とを更に有し、前記ガス導入手段により前記容
器内に前記化学種を導入することにより、前記化学種を
前記半導体ウェーハに吸着し、前記容器内において赤外
反射吸収分光法により前記化学種を分析することが望ま
しい。これにより、任意の化学種を任意の量だけ半導体
ウェーハに吸着することができる。
【００１３】また、上記の半導体ウェーハの分析装置に
おいて、前記ミラーを収納するミラー室と、前記ミラー
室を、前記半導体ウェーハが載置された測定室とを隔離
するシャッターとを更に有することが望ましい。こうす
ることにより、ミラーに化学種が付着することを防止す
ることができる。
おいて、前記ミラーを収納するミラー室と、前記ミラー
室を、前記半導体ウェーハが載置された測定室とを隔離
するシャッターとを更に有することが望ましい。こうす
ることにより、ミラーに化学種が付着することを防止す
ることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の第１実施形態による半導
体ウェーハの分析方法及び装置について、図１乃至図３
を用いて説明する。図１は、本実施形態による半導体ウ
ェーハの分析方法及び装置を説明する概略図、図２は本
実施形態による半導体ウェーハの分析方法により得られ
た赤外吸収スペクトルである。図３は本実施形態の変形
例による半導体ウェーハの分析方法及び装置を説明する
図である。
体ウェーハの分析方法及び装置について、図１乃至図３
を用いて説明する。図１は、本実施形態による半導体ウ
ェーハの分析方法及び装置を説明する概略図、図２は本
実施形態による半導体ウェーハの分析方法により得られ
た赤外吸収スペクトルである。図３は本実施形態の変形
例による半導体ウェーハの分析方法及び装置を説明する
図である。
【００１５】始めに、本実施形態による半導体ウェーハ
の分析装置について説明する。半導体ウェーハ１０の被
測定面上には、例えば、金ミラーよりなる赤外線反射率
がほぼ１００％のミラー１２が配置されている。ミラー
１２を設置する際には、半導体ウェーハ１０の表面に単
に置いておくだけであってもよい。ミラー１２を半導体
ウェーハ１０に直接接触することにより入射した赤外光
のもれが少なくなるので、検出感度を向上することがで
きる。半導体ウェーハ１０の裏面側には、赤外光源１４
が、半導体ウェーハ１０に対して約８０°の入射角をも
って赤外光を入射できるように配置されている。赤外光
源１４より照射される赤外光の光路上には偏光子１６が
配置されており、ｐ偏光された赤外光が半導体ウェーハ
１０に入射されるようになっている。半導体ウェーハ１
０によって反射される赤外光の光路上には検出器１８が
設けられており、反射された赤外光を検出できるように
なっている。
の分析装置について説明する。半導体ウェーハ１０の被
測定面上には、例えば、金ミラーよりなる赤外線反射率
がほぼ１００％のミラー１２が配置されている。ミラー
１２を設置する際には、半導体ウェーハ１０の表面に単
に置いておくだけであってもよい。ミラー１２を半導体
ウェーハ１０に直接接触することにより入射した赤外光
のもれが少なくなるので、検出感度を向上することがで
きる。半導体ウェーハ１０の裏面側には、赤外光源１４
が、半導体ウェーハ１０に対して約８０°の入射角をも
って赤外光を入射できるように配置されている。赤外光
源１４より照射される赤外光の光路上には偏光子１６が
配置されており、ｐ偏光された赤外光が半導体ウェーハ
１０に入射されるようになっている。半導体ウェーハ１
０によって反射される赤外光の光路上には検出器１８が
設けられており、反射された赤外光を検出できるように
なっている。
【００１６】次に、本実施形態による半導体ウェーハの
分析方法について説明する。まず、半導体ウェーハ１０
上にミラー１２を載置した後、赤外光源１４より発した
赤外光を半導体ウェーハ１０の裏面より照射する。半導
体ウェーハ１０の裏面に照射された赤外光は、半導体ウ
ェーハ１０の内部を透過して被測定面である表面に達す
る。このとき、半導体ウェーハ１０の表面に有機物等の
化学種が付着していた場合には、その化学種特有の赤外
吸収が生じる。
分析方法について説明する。まず、半導体ウェーハ１０
上にミラー１２を載置した後、赤外光源１４より発した
赤外光を半導体ウェーハ１０の裏面より照射する。半導
体ウェーハ１０の裏面に照射された赤外光は、半導体ウ
ェーハ１０の内部を透過して被測定面である表面に達す
る。このとき、半導体ウェーハ１０の表面に有機物等の
化学種が付着していた場合には、その化学種特有の赤外
吸収が生じる。
【００１７】半導体ウェーハ１０表面に達した赤外光
は、ミラー１２により反射されて再び半導体ウェーハ１
０内部を透過し、裏面より出射される。裏面より出射さ
れた赤外光は検出器１８によって検出され、このように
検出された赤外光をフーリエ変換して赤外吸収分光（Ｆ
Ｔ−ＩＲ）する。なお、上記ＦＴ−ＩＲ測定に際して
は、予め測定しておいたリファレンスウェーハにおける
測定結果と、サンプルウェーハにおける測定結果とを比
較し、リファレンスウェーハに対するサンプルウェーハ
の反射率変化から赤外吸収スペクトルを得る。
は、ミラー１２により反射されて再び半導体ウェーハ１
０内部を透過し、裏面より出射される。裏面より出射さ
れた赤外光は検出器１８によって検出され、このように
検出された赤外光をフーリエ変換して赤外吸収分光（Ｆ
Ｔ−ＩＲ）する。なお、上記ＦＴ−ＩＲ測定に際して
は、予め測定しておいたリファレンスウェーハにおける
測定結果と、サンプルウェーハにおける測定結果とを比
較し、リファレンスウェーハに対するサンプルウェーハ
の反射率変化から赤外吸収スペクトルを得る。
【００１８】図２は、抵抗率が約１０±１．５［Ω・ｃ
ｍ］、直径６インチのベアーシリコンウェーハ上に吸着
させた有機物を、前記測定手順によって分析して得られ
た赤外吸収スペクトルである。なお、ＧＣ／ＭＳ分析に
より測定した結果、サンプルウェーハに付着していた有
機物の総量は数ｎｇ（ナノグラム）程度であった。測定
にあたっては、検出器１８として、ＨｇＣｄＴｅよりな
る検出器（ＭＣＴ検出器）を用いた。測定分解能は４ｃ
ｍ-1であり、１０２４回繰り返し測定した。
ｍ］、直径６インチのベアーシリコンウェーハ上に吸着
させた有機物を、前記測定手順によって分析して得られ
た赤外吸収スペクトルである。なお、ＧＣ／ＭＳ分析に
より測定した結果、サンプルウェーハに付着していた有
機物の総量は数ｎｇ（ナノグラム）程度であった。測定
にあたっては、検出器１８として、ＨｇＣｄＴｅよりな
る検出器（ＭＣＴ検出器）を用いた。測定分解能は４ｃ
ｍ-1であり、１０２４回繰り返し測定した。
【００１９】図２に示すように、スペクトルの２９７０
ｃｍ-1、２９２０ｃｍ-1付近において赤外吸収がみられ
た。これらの波数に対応する吸収は、それぞれＣ−ＣＨ
3、−ＣＨ2−によるものであり、サンプルウェーハの表
面にはこれらの有機物が吸着していることが判った。な
お、同様なサンプルを、全反射ミラーを用いない通常の
ＲＡＳ法により測定した結果、上述したような有機物に
よる吸収を検出することはできなかった。
ｃｍ-1、２９２０ｃｍ-1付近において赤外吸収がみられ
た。これらの波数に対応する吸収は、それぞれＣ−ＣＨ
3、−ＣＨ2−によるものであり、サンプルウェーハの表
面にはこれらの有機物が吸着していることが判った。な
お、同様なサンプルを、全反射ミラーを用いない通常の
ＲＡＳ法により測定した結果、上述したような有機物に
よる吸収を検出することはできなかった。
【００２０】このように、本実施形態によれば、分析す
る半導体ウェーハ１０の表面にミラー１２を載置し、半
導体ウェーハ１０裏面から赤外光を入射し、ミラー１２
によって反射された赤外光を検出することにより半導体
ウェーハ１０表面に付着した不純物を分析するので、不
純物の検出感度を大幅に向上することができる。これに
より、通常のＲＡＳ法により検出できない微量な不純物
をも検出することができる。
る半導体ウェーハ１０の表面にミラー１２を載置し、半
導体ウェーハ１０裏面から赤外光を入射し、ミラー１２
によって反射された赤外光を検出することにより半導体
ウェーハ１０表面に付着した不純物を分析するので、不
純物の検出感度を大幅に向上することができる。これに
より、通常のＲＡＳ法により検出できない微量な不純物
をも検出することができる。
【００２１】なお、上記実施形態では、半導体ウェーハ
１０の表面上にミラー１２を載置したが、図３（ａ）に
示すように、半導体ウェーハ１０表面と平行に、半導体
ウェーハ１０表面からわずかに離間してミラー１２を配
置してもよい。このようにミラー１２を配置することに
より、ウェーハ表面とミラー１２との間で赤外光が多重
反射する（図３（ｂ））。これにより、赤外光の吸収量
が増加し、不純物の検出感度を向上することができる。
１０の表面上にミラー１２を載置したが、図３（ａ）に
示すように、半導体ウェーハ１０表面と平行に、半導体
ウェーハ１０表面からわずかに離間してミラー１２を配
置してもよい。このようにミラー１２を配置することに
より、ウェーハ表面とミラー１２との間で赤外光が多重
反射する（図３（ｂ））。これにより、赤外光の吸収量
が増加し、不純物の検出感度を向上することができる。
【００２２】また、ミラー１２を離間して配置した場
合、ミラー１２を直接半導体ウェーハ１０に接触するこ
とがないので、ミラー１２への不純物の付着をも防止す
ることができる。なお、上記実施形態では、半導体ウェ
ーハ１０に付着した有機物を例に説明したが、他の化学
種が付着した半導体ウェーハの分析に適用することもで
きる。
合、ミラー１２を直接半導体ウェーハ１０に接触するこ
とがないので、ミラー１２への不純物の付着をも防止す
ることができる。なお、上記実施形態では、半導体ウェ
ーハ１０に付着した有機物を例に説明したが、他の化学
種が付着した半導体ウェーハの分析に適用することもで
きる。
【００２３】次に、本発明の第２実施形態による半導体
ウェーハの分析方法及び装置について図４及び図５を用
いて説明する。図４は本実施形態による半導体ウェーハ
の分析方法及び装置を示す概念図、図５は本実施形態に
よる半導体ウェーハの分析装置におけるミラー室の概念
図である。
ウェーハの分析方法及び装置について図４及び図５を用
いて説明する。図４は本実施形態による半導体ウェーハ
の分析方法及び装置を示す概念図、図５は本実施形態に
よる半導体ウェーハの分析装置におけるミラー室の概念
図である。
【００２４】始めに、本実施形態による半導体ウェーハ
の分析装置について図５及び図６を用いて説明する。装
置内部を大気から隔離するための容器２０には、容器２
０内部に赤外光を導入し、又は出射するための光学窓２
２、２４が設けられている。装置２０内部には、測定す
べき半導体ウェーハ１０がリフトピン２６により持ち上
げられて載置されている。半導体ウェーハ１０下には、
光学窓２２から入射した赤外光を反射して半導体ウェー
ハ１０に照射し、また、半導体ウェーハ１０裏面より出
射した赤外光を反射して光学窓２４より容器２０外部に
出射させるための反射板３０が設けられている。
の分析装置について図５及び図６を用いて説明する。装
置内部を大気から隔離するための容器２０には、容器２
０内部に赤外光を導入し、又は出射するための光学窓２
２、２４が設けられている。装置２０内部には、測定す
べき半導体ウェーハ１０がリフトピン２６により持ち上
げられて載置されている。半導体ウェーハ１０下には、
光学窓２２から入射した赤外光を反射して半導体ウェー
ハ１０に照射し、また、半導体ウェーハ１０裏面より出
射した赤外光を反射して光学窓２４より容器２０外部に
出射させるための反射板３０が設けられている。
【００２５】半導体ウェーハ１０上の容器２０内には、
ミラー室３２が設けられている。ミラー室３２は、シャ
ッター３４によって半導体ウェーハ１０の載置された測
定室３６から隔離できるようになっている。ミラー室３
２内には、半導体ウェーハ１０を透過した赤外光を反射
するミラー１２が設けられている。ミラー１２は回転軸
３８を中心に回転する回転体４０の上下にそれぞれ設け
られており、分光測定中に一方のミラー表面に有機物等
が付着した場合に、他方のミラーを使用できるようにな
っている（図６）。回転体４０は、それ自体を上下させ
る上下機構（図示せず）を有しており、ミラー１２と被
測定面との距離を調整できるようになっている。上下機
構には更に衝撃吸収機構（図示せず）が設けられてお
り、ミラー１２を半導体ウェーハ１０に密着できるよう
にもなっている。
ミラー室３２が設けられている。ミラー室３２は、シャ
ッター３４によって半導体ウェーハ１０の載置された測
定室３６から隔離できるようになっている。ミラー室３
２内には、半導体ウェーハ１０を透過した赤外光を反射
するミラー１２が設けられている。ミラー１２は回転軸
３８を中心に回転する回転体４０の上下にそれぞれ設け
られており、分光測定中に一方のミラー表面に有機物等
が付着した場合に、他方のミラーを使用できるようにな
っている（図６）。回転体４０は、それ自体を上下させ
る上下機構（図示せず）を有しており、ミラー１２と被
測定面との距離を調整できるようになっている。上下機
構には更に衝撃吸収機構（図示せず）が設けられてお
り、ミラー１２を半導体ウェーハ１０に密着できるよう
にもなっている。
【００２６】このように、本実施形態による半導体ウェ
ーハの分析装置では、半導体ウェーハ１０はリフトピン
２６で持ち上げられており、光学窓２２を通って入射し
た赤外光が反射板３０によって反射されて半導体ウェー
ハ１０の裏面より入射し、半導体ウェーハ１０表面とミ
ラー１２との間で複数回反射した後、再度半導体ウェー
ハ１０裏面へ放出され、反射板３０によって検出器１８
へ導かれるような光学系が構成されている。
ーハの分析装置では、半導体ウェーハ１０はリフトピン
２６で持ち上げられており、光学窓２２を通って入射し
た赤外光が反射板３０によって反射されて半導体ウェー
ハ１０の裏面より入射し、半導体ウェーハ１０表面とミ
ラー１２との間で複数回反射した後、再度半導体ウェー
ハ１０裏面へ放出され、反射板３０によって検出器１８
へ導かれるような光学系が構成されている。
【００２７】また、容器２０には有機性の気体と純粋空
気、純粋Ｎ2等を混合した気体を圧力及び流量の制御を
しながら供給するガス供給配管４２が設けられている。
容器２０内に導入する有機物、純粋空気、純粋Ｎ2の濃
度と流量は予め制御できるようになっている。ミラー室
３２、光学窓２２、２４は、常にＮ2ガスによりパージ
されており、測定室３６内に導入した有機物等がミラー
１２、光学窓２２、２４に付着しないようになってい
る。
気、純粋Ｎ2等を混合した気体を圧力及び流量の制御を
しながら供給するガス供給配管４２が設けられている。
容器２０内に導入する有機物、純粋空気、純粋Ｎ2の濃
度と流量は予め制御できるようになっている。ミラー室
３２、光学窓２２、２４は、常にＮ2ガスによりパージ
されており、測定室３６内に導入した有機物等がミラー
１２、光学窓２２、２４に付着しないようになってい
る。
【００２８】次に、本実施形態による半導体ウェーハの
分析方法について説明する。まず、測定室３６とミラー
室３２とを純粋Ｎ2によりパージしておき、そこへ洗浄
処理した半導体ウェーハ１０を載置する。次いで、測定
室３６とミラー室３２とを仕切るシャッター３４を開
き、ミラー１２を半導体ウェーハ１０と所定の間隔を開
けて平行に配置する。なお、ミラー１２は図１に示す第
１実施形態と同様に、半導体ウェーハ１０表面に密着さ
せてもよい。この場合、回転体４０に設けられた衝撃吸
収機構により、半導体ウェーハ１０を痛めることはな
い。
分析方法について説明する。まず、測定室３６とミラー
室３２とを純粋Ｎ2によりパージしておき、そこへ洗浄
処理した半導体ウェーハ１０を載置する。次いで、測定
室３６とミラー室３２とを仕切るシャッター３４を開
き、ミラー１２を半導体ウェーハ１０と所定の間隔を開
けて平行に配置する。なお、ミラー１２は図１に示す第
１実施形態と同様に、半導体ウェーハ１０表面に密着さ
せてもよい。この場合、回転体４０に設けられた衝撃吸
収機構により、半導体ウェーハ１０を痛めることはな
い。
【００２９】この状態で、第１実施形態による半導体ウ
ェーハの分析方法を用い、ＦＴ−ＩＲ測定を行う。この
ようにして測定した測定結果は、リファレンスとして後
に用いる。続いて、シャッター３４を閉じて測定室３６
とミラー室３２とを仕切った後、測定室３６内に所定の
濃度と流量に制御された有機物とＮ2との混合ガスを導
入し、半導体ウェーハ１０をその混合気体に曝す。この
状態で所定の時間半導体ウェーハ１０を混合気体に曝
し、半導体ウェーハ１０表面に有機物を吸着させる。
ェーハの分析方法を用い、ＦＴ−ＩＲ測定を行う。この
ようにして測定した測定結果は、リファレンスとして後
に用いる。続いて、シャッター３４を閉じて測定室３６
とミラー室３２とを仕切った後、測定室３６内に所定の
濃度と流量に制御された有機物とＮ2との混合ガスを導
入し、半導体ウェーハ１０をその混合気体に曝す。この
状態で所定の時間半導体ウェーハ１０を混合気体に曝
し、半導体ウェーハ１０表面に有機物を吸着させる。
【００３０】こうして半導体ウェーハ１０表面に有機物
を吸着させた後、再び測定室内を純粋Ｎ2によりパージ
する。次いで、測定室３６とミラー室３２とを仕切るシ
ャッター３４を開き、リファレンス測定と同様にして、
有機物が付着した半導体ウェーハ１０をＦＴ−ＩＲ測定
する。
を吸着させた後、再び測定室内を純粋Ｎ2によりパージ
する。次いで、測定室３６とミラー室３２とを仕切るシ
ャッター３４を開き、リファレンス測定と同様にして、
有機物が付着した半導体ウェーハ１０をＦＴ−ＩＲ測定
する。
【００３１】このようにして半導体ウェーハ１０を測定
することにより、洗浄処理直後の半導体ウェーハ１０表
面をリファレンスとして、任意の有機物を任意の時間吸
着させた後の半導体ウェーハ１０表面の赤外反射吸収ス
ペクトルを得ることができる。このスペクトルを解析す
ることにより、半導体ウェーハ１０に吸着された有機物
を定性的、定量的に測定することができる。
することにより、洗浄処理直後の半導体ウェーハ１０表
面をリファレンスとして、任意の有機物を任意の時間吸
着させた後の半導体ウェーハ１０表面の赤外反射吸収ス
ペクトルを得ることができる。このスペクトルを解析す
ることにより、半導体ウェーハ１０に吸着された有機物
を定性的、定量的に測定することができる。
【００３２】このように、本実施形態による半導体ウェ
ーハの分析方法では、任意の有機物材料を半導体ウェー
ハ１０に吸着させ、その直後の観察によって吸着させた
有機物の定性的、定量的な測定を行うことができる。本
実施形態による半導体ウェーハの分析方法及び装置は、
半導体ウェーハ１０に付着した有機物の影響を調べるう
えで有用なものである。
ーハの分析方法では、任意の有機物材料を半導体ウェー
ハ１０に吸着させ、その直後の観察によって吸着させた
有機物の定性的、定量的な測定を行うことができる。本
実施形態による半導体ウェーハの分析方法及び装置は、
半導体ウェーハ１０に付着した有機物の影響を調べるう
えで有用なものである。
【００３３】すなわち、本実施形態による半導体ウェー
ハの分析装置を用いることにより、任意の有機物を半導
体ウェーハ１０に吸着させることができ、且つその有機
物の定性的、定量的な測定を行うことができる。従っ
て、吸着した有機物とその吸着量が明らかな半導体ウェ
ーハを作成することができる。このように故意汚染した
半導体ウェーハを用いて通常の半導体装置の製造プロセ
スを行うことにより、その有機物の製造プロセスや製品
への影響について定量的な調査を行うことができる。
ハの分析装置を用いることにより、任意の有機物を半導
体ウェーハ１０に吸着させることができ、且つその有機
物の定性的、定量的な測定を行うことができる。従っ
て、吸着した有機物とその吸着量が明らかな半導体ウェ
ーハを作成することができる。このように故意汚染した
半導体ウェーハを用いて通常の半導体装置の製造プロセ
スを行うことにより、その有機物の製造プロセスや製品
への影響について定量的な調査を行うことができる。
【００３４】また、本実施形態による半導体ウェーハの
分析装置は、装置内部に任意の有機物を導入しつつ、半
導体ウェーハ１０表面の状態をその場的に観察すること
ができるので、大気圧下で半導体ウェーハ１０に吸着、
又は半導体ウェーハ１０と反応する有機物や化学種の経
時変化を測定するうえで適している。なお、上記実施形
態では、回転体４０に２枚のミラー１２を設けることに
より、一方のミラーに有機物が吸着した際にも他方を使
用することができるようにしたが、その目的からも明ら
かなように、２枚以上のミラー１２を設けてもよい。
分析装置は、装置内部に任意の有機物を導入しつつ、半
導体ウェーハ１０表面の状態をその場的に観察すること
ができるので、大気圧下で半導体ウェーハ１０に吸着、
又は半導体ウェーハ１０と反応する有機物や化学種の経
時変化を測定するうえで適している。なお、上記実施形
態では、回転体４０に２枚のミラー１２を設けることに
より、一方のミラーに有機物が吸着した際にも他方を使
用することができるようにしたが、その目的からも明ら
かなように、２枚以上のミラー１２を設けてもよい。
【００３５】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、半導体ウ
ェーハの表面側に赤外線が反射するミラーを配置し、半
導体ウェーハの裏面より赤外線を入射し、半導体ウェー
ハの表面側でミラーにより赤外線を反射し、半導体ウェ
ーハの裏面より射出される赤外線を検出して赤外反射吸
収分析を行うことにより半導体ウェーハの表面を分析す
るので、半導体ウェーハに付着した単分子層程度の微量
化学種を、その場観察によって定性的且つ定量的に分析
することができる。
ェーハの表面側に赤外線が反射するミラーを配置し、半
導体ウェーハの裏面より赤外線を入射し、半導体ウェー
ハの表面側でミラーにより赤外線を反射し、半導体ウェ
ーハの裏面より射出される赤外線を検出して赤外反射吸
収分析を行うことにより半導体ウェーハの表面を分析す
るので、半導体ウェーハに付着した単分子層程度の微量
化学種を、その場観察によって定性的且つ定量的に分析
することができる。
【００３６】また、上記の半導体ウェーハの分析方法に
おいて、ミラーを半導体ウェーハの表面より離間して、
表面と平行に配置すれば、ミラーが半導体ウェーハに接
触して不純物がミラーに付着することがなくなる。ま
た、半導体ウェーハの表面とミラーとの間で赤外線が多
重反射されるので、検出感度を向上することができる。
また、外気から隔離された容器内において半導体ウェー
ハの表面に任意の化学種を吸着し、上記の半導体ウェー
ハの分析方法により半導体ウェーハの表面に吸着した化
学種を容器内において分析すれば、任意の化学種を任意
の量だけ吸着させた、いわゆる故意汚染した半導体ウェ
ーハを作成することができるので、この半導体ウェーハ
を用いることにより、吸着化学種の製造プロセスに与え
る影響を調査することができる。
おいて、ミラーを半導体ウェーハの表面より離間して、
表面と平行に配置すれば、ミラーが半導体ウェーハに接
触して不純物がミラーに付着することがなくなる。ま
た、半導体ウェーハの表面とミラーとの間で赤外線が多
重反射されるので、検出感度を向上することができる。
また、外気から隔離された容器内において半導体ウェー
ハの表面に任意の化学種を吸着し、上記の半導体ウェー
ハの分析方法により半導体ウェーハの表面に吸着した化
学種を容器内において分析すれば、任意の化学種を任意
の量だけ吸着させた、いわゆる故意汚染した半導体ウェ
ーハを作成することができるので、この半導体ウェーハ
を用いることにより、吸着化学種の製造プロセスに与え
る影響を調査することができる。
【００３７】また、半導体ウェーハの表面を赤外反射吸
収分光法により分析する半導体ウェーハの分析装置であ
って、半導体ウェーハの裏面より赤外線を照射する照射
手段と、半導体ウェーハの表面側に配置され、半導体ウ
ェーハを透過した赤外線を反射するミラーと、半導体ウ
ェーハの裏面側に配置され、ミラーにより反射された赤
外線を検出する検出手段とにより半導体ウェーハの分析
装置を構成すれば、半導体ウェーハに付着した単分子層
程度の微量化学種を、その場観察によって定性的且つ定
量的に分析することができる。
収分光法により分析する半導体ウェーハの分析装置であ
って、半導体ウェーハの裏面より赤外線を照射する照射
手段と、半導体ウェーハの表面側に配置され、半導体ウ
ェーハを透過した赤外線を反射するミラーと、半導体ウ
ェーハの裏面側に配置され、ミラーにより反射された赤
外線を検出する検出手段とにより半導体ウェーハの分析
装置を構成すれば、半導体ウェーハに付着した単分子層
程度の微量化学種を、その場観察によって定性的且つ定
量的に分析することができる。
【００３８】また、上記の半導体ウェーハの分析装置に
おいて、ミラーを半導体ウェーハの表面より離間して、
表面と平行に配置すれば、検出感度を向上することがで
きる。また、上記の半導体ウェーハの分析装置に、少な
くとも半導体ウェーハとミラーを収納して外気より遮断
する容器と、容器に設けられ、容器内部に化学種を含む
ガスを導入するガス導入手段とを更に設け、ガス導入手
段により容器内に化学種を導入することにより、化学種
を半導体ウェーハに吸着し、容器内において赤外反射吸
収分光法により化学種を分析すれば、任意の化学種を任
意の量だけ半導体ウェーハに吸着することができる。
おいて、ミラーを半導体ウェーハの表面より離間して、
表面と平行に配置すれば、検出感度を向上することがで
きる。また、上記の半導体ウェーハの分析装置に、少な
くとも半導体ウェーハとミラーを収納して外気より遮断
する容器と、容器に設けられ、容器内部に化学種を含む
ガスを導入するガス導入手段とを更に設け、ガス導入手
段により容器内に化学種を導入することにより、化学種
を半導体ウェーハに吸着し、容器内において赤外反射吸
収分光法により化学種を分析すれば、任意の化学種を任
意の量だけ半導体ウェーハに吸着することができる。
【００３９】また、上記の半導体ウェーハの分析装置に
おいて、ミラーを収納するミラー室と、ミラー室を、半
導体ウェーハが載置された測定室とを隔離するシャッタ
ーとを更に設ければ、ミラーに化学種が付着することを
防止することができる。
おいて、ミラーを収納するミラー室と、ミラー室を、半
導体ウェーハが載置された測定室とを隔離するシャッタ
ーとを更に設ければ、ミラーに化学種が付着することを
防止することができる。
【図１】本発明の第１実施形態による半導体ウェーハの
分析方法及び装置を説明する概略図である。
分析方法及び装置を説明する概略図である。
【図２】本発明の第１実施形態による半導体ウェーハの
分析方法により得られた赤外吸収スペクトルである。
分析方法により得られた赤外吸収スペクトルである。
【図３】本発明の第１実施形態の変形例による半導体ウ
ェーハの分析方法及び装置を説明する図である。
ェーハの分析方法及び装置を説明する図である。
【図４】本発明の第２実施形態による半導体ウェーハの
分析方法及び装置を示す概念図である。
分析方法及び装置を示す概念図である。
【図５】本発明の第２実施形態による半導体ウェーハの
分析装置におけるミラー室の概念図である。
分析装置におけるミラー室の概念図である。
１０…半導体ウェーハ １２…ミラー １４…赤外光源 １６…偏光子 １８…検出器 ２０…容器 ２２…光学窓 ２４…光学窓 ２６…リフトピン ３０…反射板 ３２…ミラー室 ３４…シャッター ３６…測定室 ３８…回転軸 ４０…回転体 ４２…ガス供給配管
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体ウェーハの表面を赤外反射吸収分
光法により分析する半導体ウェーハの分析方法におい
て、 前記半導体ウェーハの表面側に赤外線が反射するミラー
を配置し、前記半導体ウェーハの裏面より赤外線を入射
し、前記半導体ウェーハの前記表面側で前記ミラーによ
り前記赤外線を反射し、前記半導体ウェーハの前記裏面
より射出される前記赤外線を検出して赤外反射吸収分析
を行うことを特徴とする半導体ウェーハの分析方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体ウェーハの分析方
法において、 前記ミラーは、前記半導体ウェーハの前記表面より離間
して、前記表面と平行に配置することを特徴とする半導
体ウェーハの分析方法。 - 【請求項３】 外気から隔離された容器内において前記
半導体ウェーハの前記表面に任意の化学種を吸着し、請
求項１又は２記載の半導体ウェーハの分析方法により、
前記半導体ウェーハの前記表面に吸着した前記化学種を
前記容器内において分析することを特徴とする半導体ウ
ェーハの分析方法。 - 【請求項４】 半導体ウェーハの表面を赤外反射吸収分
光法により分析する半導体ウェーハの分析装置であっ
て、 前記半導体ウェーハの裏面より赤外線を照射する照射手
段と、 前記半導体ウェーハの表面側に配置され、前記半導体ウ
ェーハを透過した前記赤外線を反射するミラーと、 前記半導体ウェーハの裏面側に配置され、前記ミラーに
より反射された前記赤外線を検出する検出手段とを有す
ることを特徴とする半導体ウェーハの分析装置。 - 【請求項５】 請求項４記載の半導体ウェーハの分析装
置において、 前記ミラーは、前記半導体ウェーハの前記表面より離間
して、前記表面と平行に配置されていることを特徴とす
る半導体ウェーハの分析装置。 - 【請求項６】 請求項４又は５記載の半導体ウェーハの
分析装置において、 少なくとも前記半導体ウェーハと前記ミラーを収納して
外気より遮断する容器と、 前記容器に設けられ、前記容器内部に化学種を含むガス
を導入するガス導入手段とを更に有し、 前記ガス導入手段により前記容器内に前記化学種を導入
することにより、前記化学種を前記半導体ウェーハに吸
着し、前記容器内において赤外反射吸収分光法により前
記化学種を分析することを特徴とする半導体ウェーハの
分析装置。 - 【請求項７】 請求項６記載の半導体ウェーハの分析装
置において、 前記ミラーを収納するミラー室と、 前記ミラー室を、前記半導体ウェーハが載置された測定
室とを隔離するシャッターとを更に有することを特徴と
する半導体ウェーハの分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30561795A JPH09145611A (ja) | 1995-11-24 | 1995-11-24 | 半導体ウェーハの分析方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30561795A JPH09145611A (ja) | 1995-11-24 | 1995-11-24 | 半導体ウェーハの分析方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09145611A true JPH09145611A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=17947300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30561795A Withdrawn JPH09145611A (ja) | 1995-11-24 | 1995-11-24 | 半導体ウェーハの分析方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09145611A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002057754A1 (fr) * | 2001-01-19 | 2002-07-25 | Advantest Corporation | Procede et systeme pour la detection d'une substance chimique |
| JP2003042951A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-13 | Fujitsu Ltd | 吸着ガス成分の簡易分析方法 |
| JP2005156228A (ja) * | 2003-11-21 | 2005-06-16 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 反射率測定装置 |
| JP2008541120A (ja) * | 2005-05-18 | 2008-11-20 | コミサリア、ア、レネルジ、アトミク | 偏光解析法によって多孔度を測定する方法、および１つのそのような方法を実施するためのデバイス |
| JP2011053213A (ja) * | 2009-09-02 | 2011-03-17 | Gp Inspect Gmbh | 物体の欠陥を検出するための方法および装置 |
| JP2011237246A (ja) * | 2010-05-10 | 2011-11-24 | Mitsui Chemicals Inc | 多重外部反射赤外分光装置および方法、その基板配置治具 |
| JP2013247195A (ja) * | 2012-05-24 | 2013-12-09 | Sumco Corp | Ｓｏｉウェーハの製造方法 |
| CN104568962A (zh) * | 2014-12-16 | 2015-04-29 | 苏州凯锝微电子有限公司 | 一种晶圆切割切口检测设备 |
| JP2020181897A (ja) * | 2019-04-25 | 2020-11-05 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの分析方法、半導体ウェーハ製造工程評価方法および半導体ウェーハの製造方法 |
-
1995
- 1995-11-24 JP JP30561795A patent/JPH09145611A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002057754A1 (fr) * | 2001-01-19 | 2002-07-25 | Advantest Corporation | Procede et systeme pour la detection d'une substance chimique |
| US7265369B2 (en) | 2001-01-19 | 2007-09-04 | Advantest Corp. | Method and system for detecting chemical substance |
| JP2003042951A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-13 | Fujitsu Ltd | 吸着ガス成分の簡易分析方法 |
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| JP2008541120A (ja) * | 2005-05-18 | 2008-11-20 | コミサリア、ア、レネルジ、アトミク | 偏光解析法によって多孔度を測定する方法、および１つのそのような方法を実施するためのデバイス |
| JP2011053213A (ja) * | 2009-09-02 | 2011-03-17 | Gp Inspect Gmbh | 物体の欠陥を検出するための方法および装置 |
| JP2011237246A (ja) * | 2010-05-10 | 2011-11-24 | Mitsui Chemicals Inc | 多重外部反射赤外分光装置および方法、その基板配置治具 |
| JP2013247195A (ja) * | 2012-05-24 | 2013-12-09 | Sumco Corp | Ｓｏｉウェーハの製造方法 |
| CN104568962A (zh) * | 2014-12-16 | 2015-04-29 | 苏州凯锝微电子有限公司 | 一种晶圆切割切口检测设备 |
| JP2020181897A (ja) * | 2019-04-25 | 2020-11-05 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの分析方法、半導体ウェーハ製造工程評価方法および半導体ウェーハの製造方法 |
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