JP6228058B2 - 半導体製造装置及び半導体の製造方法 - Google Patents
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Description
(1)ブレードがバックグラインディングテープとウェーハを同時に切断するため、品質への影響が懸念される。
(2)ブレードによる加工では、加工部に冷却水等を供給して加工を行う必要があるため、水を使用する環境(機能)を整える必要があり、コストがかかる。
(3)ブレードによる加工では、加工対象に合わせてブレードの選定が必要で手間がかかる。
(2)次いで、同じくレーザ照射部に設けられたレーザ照射手段によりレーザを、ウェーハにバックグラインディングテープの分断されたテープ分断ライン、すなわち隙間に沿って照射し、該ウェーハにウェーハカット用の分割ラインを形成する。その際、前のバックグラインディングテープの切断により、バックグラインディングテープの分断されたテープ分断ラインと対応しているウェーハの表面部分では、ウェーハの表面からバックグラインディングテープがほぼ取り除かれて露出した状態にある。
(3)したがって、テープ分断ラインに沿ってウェーハの表面に照射されたレーザは、ウェーハのほぼ同じ深さ位置まで照射され、同じ深さの改質部でなるウェーハカット用分割ラインをウェーハの表面側に形成する。これにより、ウェーハをウェーハカット用分割ラインに沿って精度良く割断(分割)することが可能になる。
(4)また、この割断により、ウェーハの径が大口径化したとしても、大口径化に対応したダイサーを使用せずに、従前の小径用のダイサーを使用してダイシングすることが可能になる。
半導体製造装置を提供する。
(2)次いで、ウェーハカットライン形成工程において、ウェーハの表面にレーザを前記バックグラインディングテープの分断されたテープ分断ライン、すなわち隙間に沿って照射し、該ウェーハにウェーハカット用の分割ラインを形成する。この際、前のバックグラインディングテープの切断により、バックグラインディングテープの分断されたテープ分断ラインと対応しているウェーハの表面部分では、ウェーハの表面からバックグラインディングテープがほぼ取り除かれて露出した状態にある。
(3)したがって、テープ分断ラインに沿ってウェーハの表面に照射されたレーザは、ウェーハのほぼ同じ深さ位置まで照射され、同じ深さの改質部でなるウェーハカット用分割ラインをウェーハの表面側に形成する。これにより、ウェーハをウェーハカット用分割ラインに沿って精度良く割断(分割)して小片化することが可能になる。
(4)また、この割断により、ウェーハの径が大口径化したとしても、大口径化に対応したダイサーを使用せずに、従前の小径用のダイサーを使用してダイシングすることが可能になる。
(1)レーザは加工単位が微小のため、バックグラインディングテープGTとウェーハWをそれぞれ効率良く加工することが可能である。これに対して、ブレードはバックグラインディングテープGTとウェーハWを同時に切断するため、品質への影響が懸念される。
(2)レーザはドライプロセスが可能なため、加工環境の制約を受けにくい。これに対してブレードは水が必要なため、水を使用する環境(機能)を整える必要がある。
(3)ブレードは加工対象に合わせてブレードの選定が必要で手間がかかるが、レーザは出力等をパラメータで可変できるため、手間が省ける。
11 制御部
111 メモリ
12 バックグラインディング装置
121 真空チャックテーブル
13 アライメント部131 アライメントユニット
14 レーザ照射部
141 レーザユニット(レーザ照射手段)
15 ウェーハ分割部
151 セパレートテーブル
151a〜151d 分割セパレートテーブル部
151X 折り曲げライン
151Y 折り曲げライン
152 吸着機構
153 傾き動作機構
154 X/Y軸動作機構
155 Z軸動作機構
16 ウェーハ裏返し保持手段
161 回転軸
162 モータ
17 リングフレーム配置手段
171 リングフレーム
18 ウェーハマウント手段
181 バルーン
19 バックグラインディングテープ剥離部
191 吸着ステージ
192 バックグラインディングテープ剥離手段
21 ウェーハ搬送手段
211 搬送チャック
22 フレームキャリア
221 棚
DT ダイシングテープ
GT バックグラインディングテープ
RT 剥離テープ
W ウェーハ
WA、WB ウェーハ半体
Wa、Wb、Wc、Wd 小片化されたウェーハ
151X、151Y 折り曲げライン
L2X、L2Y ウェーハカット用分割ライン
L1X、L1Y テープ分断ライン
Claims (8)
- 表面側にバックグラインディングテープを貼り付けて裏面側のグラインディングを終えたウェーハを複数個に分割する半導体製造装置において、
レーザ照射手段を有して、該レーザ照射手段により前記ウェーハ上の前記バックグラインディングテープにレーザを照射して該バックグラインディングテープを複数個に分断し、かつ、該バックグラインディングテープの分断されたテープ分断ラインに沿って前記ウェーハの表面にレーザを照射して該ウェーハにウェーハカット用分割ラインを形成するレーザ照射部を備える、ことを特徴とする半導体製造装置。 - 前記テープ分断ライン及び前記ウェーハカット用分割ラインは、互いに前記ウェーハの略中心を通って略十字状に形成する、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。
- 前記レーザ照射手段は、前記バックグラインディングテープ及びウェーハに短波長のレーザを照射する、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体製造装置。
- 前記ウェーハは前記表面側を下側に向けてセットされ、前記レーザ照射手段は前記レーザを前記ウェーハの下側から照射する、ことを特徴とする請求項1、2又は3に記載の半導体製造装置。
- 表面側にバックグラインディングテープを貼り付けて裏面側のグラインディングを終えたウェーハを複数個に分割する半導体の製造方法において、
前記バックグラインディングテープに対してレーザを照射し、該バックグラインディングテープを少なくとも3つ以上の複数個に分断するアブレーション加工工程と、
前記ウェーハの表面に対してレーザを前記バックグラインディングテープのテープ分断ラインに沿って照射し、該ウェーハにウェーハカット用分割ラインを形成するウェーハカットライン形成工程と、
前記ウェーハカット用分割ラインに沿って前記ウェーハを折損して複数個の小片化されたウェーハに分割するウェーハ分割工程と、を含む、
ことを特徴とする半導体の製造方法。 - 前記テープ分断ライン及び前記ウェーハカット用分割ラインは、互いに前記ウェーハの略中心を通って略十字状に形成する、ことを特徴とする請求項5に記載の半導体の製造方法。
- 前記アブレーション加工工程でのレーザとウェーハカットライン形成工程でのレーザは、短波長である、ことを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体の製造方法。
- 前記ウェーハの表面側を下側に向けてセットし、前記レーザを前記ウェーハの下側から照射する、ことを特徴とする請求項5、6又は7に記載の半導体の製造方法。
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