KR20140136875A

KR20140136875A - 레이저 가공 장치

Info

Publication number: KR20140136875A
Application number: KR20140057621A
Authority: KR
Inventors: 겐 도가시
Original assignee: 가부시기가이샤 디스코
Priority date: 2013-05-21
Filing date: 2014-05-14
Publication date: 2014-12-01
Also published as: DE102014209555A1; JP2014229702A

Abstract

본 발명은, 레이저 가공이 실시된 피가공물로부터 표면 보호 부재를 제거 가능한 레이저 가공 장치를 제공하는 것이다.
표면에 표면 보호 부재가 설치되며 이면에 접착 테이프가 접착되고, 상기 접착 테이프의 외주가 환형 프레임에 접착된 피가공물의 이면에 상기 접착 테이프를 통해 레이저 빔을 조사하여 피가공물에 레이저 가공을 실시하는 레이저 가공 장치로서, 피가공물의 상기 표면 보호 부재측을 유지하고 상기 접착 테이프의 이면을 노출시키는 유지 수단과, 상기 유지 수단에 유지된 피가공물의 이면에 상기 접착 테이프를 통해 레이저 빔을 조사하여, 피가공물에 레이저 가공을 실시하는 레이저 빔 조사 수단과, 레이저 가공이 실시된 피가공물로부터 상기 표면 보호 부재를 제거하는 표면 보호 부재 제거 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

레이저 가공 장치{LASER MACHINING APPARATUS}

본 발명은 레이저 가공 장치에 관한 것으로서, 특히, 표면 보호 부재 박리 기능을 구비한 레이저 가공 장치에 관한 것이다.

반도체 웨이퍼나 광 디바이스 웨이퍼 등의 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할하는 방법으로서, 일본 특허 제3408805호 공보에 개시된 바와 같이, 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장(예컨대, 1064 ㎚)의 레이저 빔의 집광점을 분할 예정 라인에 대응하는 웨이퍼의 내부에 위치시켜, 레이저 빔을 분할 예정 라인을 따라 조사하여 웨이퍼 내부에 개질층을 형성하고, 그 후 웨이퍼에 외력을 부여하여 개질층을 분할 기점으로 하여 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할하는 방법이 있다.

일본 특허 공개 제2010-034250호 공보에는, 내부에 개질층이 형성된 웨이퍼에 접착된 테이프를 확장시킴으로써, 웨이퍼에 외력을 부여하여 개질층을 분할 기점으로 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할하는 방법이 개시되어 있다.

일반적으로 웨이퍼 표면측에는 여러가지 재질의 막이 적층되어 있거나 요철이 형성되어 있기 때문에, 웨이퍼의 내부에 레이저 빔의 집광점을 위치시켜 웨이퍼의 표면측으로부터 레이저 빔을 조사할 수 없어, 웨이퍼의 이면측으로부터 레이저 빔을 조사하여 웨이퍼 내부에 개질층을 형성하는 것이 일반적이다.

이 경우, 웨이퍼의 표면측을 접착 테이프에 접착하고, 접착 테이프의 외주부를 환형 프레임에 접착하여, 레이저 가공 장치의 척 테이블에서 접착 테이프를 통해 웨이퍼를 흡인 유지하며, 웨이퍼의 이면측으로부터 레이저 빔을 조사하는 방법이 자주 사용되고 있다(예컨대, 일본 특허 공개 제2004-179302호 공보 참조).

그러나, 이 방법에서는, 웨이퍼에 외력을 부여하여 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할한 후, 칩을 이면측으로부터 픽업하기 때문에, 이후의 핸들링에서 칩의 표리를 반전시킬 필요가 있다.

이 문제를 해결하기 위해, 일본 특허 공개 제2010-029927호 공보에서는, 웨이퍼의 이면측을 접착 테이프에 접착하여, 웨이퍼의 표면측을 레이저 가공 장치의 척 테이블에서 흡인 유지하면서 접착 테이프를 통해 웨이퍼의 이면측으로부터 레이저 빔을 조사하여, 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하는 방법이 제안되어 있다. 이 경우, 핸들링을 용이하게 하기 위해, 접착 테이프의 외주부는 환형 프레임에 접착된 상태로 레이저 가공이 실시된다.

특허문헌 1: 일본 특허 제3408805호 공보 특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2010-034250호 공보 특허문헌 3: 일본 특허 공개 제2004-179302호 공보 특허문헌 4: 일본 특허 공개 제2005-116739호 공보 특허문헌 5: 일본 특허 공개 제2010-029927호 공보

레이저 가공 장치로 웨이퍼의 이면측으로부터 레이저 빔을 조사하여 웨이퍼에 레이저 가공을 실시하기 전에, 웨이퍼의 이면측이 연삭 장치에 의해 연삭되어 웨이퍼는 정해진 두께로 박화된다. 웨이퍼를 연삭하기 전에는, 웨이퍼의 표면측에 형성된 디바이스를 보호하기 위해, 웨이퍼의 표면측에는 표면 보호 테이프 등의 표면 보호 부재가 접착된다.

웨이퍼의 이면 연삭 후에, 레이저 가공 장치로 웨이퍼에 레이저 가공을 실시할 때에는, 이면 연삭 시에 표면에 접착된 표면 보호 부재를 박리하지 않고 레이저 가공 장치의 척 테이블에서 표면 보호 부재측을 흡인 유지하며, 웨이퍼의 이면측으로부터 접착 테이프를 통해 레이저 빔을 조사하여 웨이퍼에 레이저 가공을 실시하는 것이 행해지고 있다. 이 경우, 레이저 가공 장치 내에서 레이저 가공이 실시된 웨이퍼로부터 표면 보호 부재를 제거하고자 하는 요망이 있다.

본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로서, 그 목적으로 하는 바는, 레이저 가공이 실시된 피가공물로부터 표면 보호 부재를 제거할 수 있는 레이저 가공 장치를 제공하는 것이다.

본 발명에 따르면, 표면에 표면 보호 부재가 설치되며 이면에 접착 테이프가 접착되고, 상기 접착 테이프의 외주가 환형 프레임에 접착된 피가공물의 이면에 상기 접착 테이프를 통해 레이저 빔을 조사하여 피가공물에 레이저 가공을 실시하는 레이저 가공 장치로서, 피가공물의 상기 표면 보호 부재측을 유지하여 상기 접착 테이프의 이면을 노출시키는 유지 수단과, 상기 유지 수단에 유지된 피가공물의 이면에 상기 접착 테이프를 통해 레이저 빔을 조사하여, 피가공물에 레이저 가공을 실시하는 레이저 빔 조사 수단과, 레이저 가공이 실시된 피가공물로부터 상기 표면 보호 부재를 제거하는 표면 보호 부재 제거 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치가 제공된다.

본 발명에 따르면, 레이저 가공이 실시된 피가공물로부터 표면 보호 부재를 자동으로 제거할 수 있는 레이저 가공 장치가 제공된다.

도 1은 본 발명 실시형태에 따른 레이저 가공 장치의 사시도이다.
도 2는 반도체 웨이퍼의 표면에 표면 보호 테이프를 접착하는 모습을 도시하는 사시도이다.
도 3은 웨이퍼가 접착 테이프를 통해 환형 프레임에 지지된 웨이퍼 유닛의 사시도이다.
도 4는 레이저 빔 발생 유닛의 블록도이다.
도 5는 레이저 가공 공정을 설명하는 일부 단면 측면도이다.
도 6은 자외선 조사 공정을 도시하는 일부 단면 정면도이다.
도 7은 표면 보호 테이프 박리 공정을 도시하는 일부 단면 측면도이다.

이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 도 1을 참조하면, 웨이퍼를 레이저 가공하여 웨이퍼 내부에 개질층을 형성할 수 있는 레이저 가공 장치(2)의 사시도가 도시되어 있다.

레이저 가공 장치(2)의 전면측에는 오퍼레이터가 가공 조건 등의 장치에 대한 지시를 입력하기 위한 조작 패널(4)이 설치되어 있다. 장치 상부에는, 오퍼레이터에 대한 안내 화면이나 촬상 유닛에 의해 촬상된 화상이 표시되는 CRT 등의 표시 모니터(6)가 설치되어 있다.

도 2에 도시하는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 웨이퍼라고 약칭하는 경우가 있음)(11)의 표면(11a)에는, 복수의 분할 예정 라인(스트리트)(13)이 격자형으로 형성되어 있으며, 상기 복수의 분할 예정 라인(13)에 의해 구획된 각 영역에 IC, LSI 등의 디바이스(15)가 형성되어 있다.

이와 같이 구성된 웨이퍼(11)는, 디바이스(15)가 형성되어 있는 디바이스 영역(17)과, 디바이스 영역(17)을 위요하는 외주 잉여 영역(19)을, 그 표면(11a)에 구비하고 있다. 또한, 웨이퍼(11)의 외주에는 실리콘 웨이퍼의 결정(結晶) 방위를 나타내는 마크로서의 노치(21)가 형성되어 있다.

웨이퍼(11)에 레이저 가공을 실시하기 전에, 웨이퍼(11)는 그 이면(11b)이 연삭 장치에 의해 연삭되어 정해진 두께로 박화된다. 웨이퍼(11)의 표면(11a)에는 복수의 디바이스(15)가 형성되어 있기 때문에, 웨이퍼(11)의 표면(11a)을 연삭 장치의 척 테이블로 흡인 유지하면 디바이스(15)에 상처가 날 우려가 있다.

그래서, 웨이퍼(11)의 이면(11b)의 연삭에 앞서, 웨이퍼(11)의 표면(11a)에는 디바이스(15)를 보호하기 위한 표면 보호 테이프(23)가 접착된다. 표면 보호 테이프(23) 대신에, 강체의 표면 보호 부재를 접착하도록 하여도 좋다. 본 실시형태의 표면 보호 테이프(23)는 자외선 경화형 표면 보호 테이프이다.

이면 연삭 공정에서는, 연삭 장치의 척 테이블에서 표면 보호 테이프(23)측을 흡인 유지하여, 웨이퍼(11)의 이면(11b)을 노출시킨다. 그리고, 연삭 휠의 연삭 지석을 웨이퍼(11)의 이면(11b)에 접촉시켜 연삭 휠을 정해진 연삭 이송 속도로 연삭 이송함으로써, 웨이퍼(11)의 이면(11b)을 연삭하여 웨이퍼(11)를 정해진 두께(예컨대, 100 ㎛)로 박화시킨다.

본 실시형태의 레이저 가공 장치(2)로 웨이퍼(11)에 레이저 가공을 실시하는 데 있어서, 도 3에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(11)의 이면측을 접착 테이프(T)에 접착하고, 접착 테이프(T)의 외주부를 환형 프레임(F)에 접착하여 웨이퍼 유닛(25)을 형성한다. 웨이퍼(11)의 표면(11a)에는 표면 보호 테이프(23)가 접착된 상태이다. 접착 테이프(T)는 폴리올레핀 등의 기재 시트 상에 고무계 또는 아크릴계의 접착층을 설치하여 구성된다.

웨이퍼 유닛(25)에서는, 웨이퍼(11)는 접착 테이프(T)를 통해 환형 프레임(F)에 지지된 상태가 되고, 도 1에 도시된 웨이퍼 카세트(8) 중에 웨이퍼 유닛(25)이 복수매 수용된다. 웨이퍼 카세트(8)는 상하 이동 가능한 카세트 엘리베이터(9) 상에 배치된다.

카세트 엘리베이터(9)의 후방에는, 웨이퍼 카세트(8)로부터 레이저 가공 전의 웨이퍼 유닛(25)을 반출하며, 레이저 가공 후의 웨이퍼 유닛(25)을 웨이퍼 카세트(8)에 반입하는 웨이퍼 반송 로봇(10)이 설치되어 있다.

웨이퍼 반송 로봇(10)은, 다관절의 링크 기구(12)와, 링크 기구(12)의 선단부에 탑재된 헤드(14)와, 헤드(14)에 회전 가능하게 부착된 프레임 파지 유닛(16)으로 구성된다.

링크 기구(12)를 한껏 늘리면, 헤드(14)에 회전 가능하게 부착된 프레임 파지 유닛(16)이 웨이퍼 카세트(8) 내에 수용된 웨이퍼 유닛(25)의 환형 프레임(F)을 파지할 수 있는 구성으로 되어 있다.

도면 부호 18은 센터링 가이드로서, 웨이퍼 반송 로봇(10)에 의해 웨이퍼 카세트(8)로부터 인출된 웨이퍼 유닛(25)은, 한쌍의 센터링 가이드(18) 상에 배치된다. 그리고, 센터링 가이드(18)가 서로 근접하는 방향으로 이동함으로써, 웨이퍼 유닛(25)의 중심 위치 잡기가 행해진다.

한쌍의 센터링 가이드(18) 사이에 흡인 유지 테이블(22)이 설치되어 있다. 이 흡인 유지 테이블(22)은, 웨이퍼(11)의 이면(11b)측을 접착 테이프(T)를 통해 흡인 유지하기 위해 사용된다.

도면 부호 24는 자외선 조사 유닛으로서, 도 6에 도시하는 바와 같이, 복수의 자외선 램프(58)를 포함하고 있다. 자외선 램프(58) 대신에, 자외선을 출사하는 LED를 이용하도록 하여도 좋다.

도면 부호 26은 테이프 박리 헤드로서, 웨이퍼(11)의 표면(11a)에 접착된 표면 보호 테이프(23)를 파지하여 박리하기 위해 사용된다. 테이프 박리 헤드(26)는, Y축 방향으로 연장된 홈(29)을 따라 Y축 방향으로 이동되며, 높이 방향(Z축 방향)으로도 이동 가능하게 구성되어 있다.

한쌍의 센터링 가이드(18) 상에 인출되어 중심 위치 맞춤이 행해진 웨이퍼 유닛(25)은 반송 유닛(20)으로 흡착되고, 반송 유닛(20)이 선회함으로써 척 테이블(30)까지 반송되어, 척 테이블(30)에 의해 흡인 유지된다. 도면 부호 32는 프레임 유닛(25)의 환형 프레임(F)을 클램핑하는 클램프이다.

척 테이블(30)은, 회전 가능하면서 X축 방향 및 Y축 방향으로 왕복 운동 가능하게 구성되어 있고, 척 테이블(30)의 X축 방향의 이동 경로의 위쪽에는, 웨이퍼(11)의 레이저 가공하여야 하는 분할 예정 라인(13)을 검출하는 얼라이먼트 유닛(34)이 설치되어 있다.

얼라이먼트 유닛(34)은, 웨이퍼(11)의 표면을 촬상하는 촬상 유닛(36)을 구비하고 있다. 촬상 유닛(36)은, 가시광에 의해 반도체 웨이퍼(11)의 가공 영역을 촬상하는 통상의 CCD 등의 촬상 소자를 포함하고 있다.

또한, 촬상 유닛(36)은 웨이퍼(11)에 적외선을 조사하는 적외선 조사 수단과, 적외선 조사 수단에 의해 조사된 적외선을 포착하는 광학계와, 이 광학계에 의해 포착된 적외선에 대응한 전기 신호를 출력하는 적외선 CCD 등의 적외선 촬상 소자로 구성되는 적외선 촬상 수단을 포함하고 있고, 촬상한 화상 신호는 레이저 가공 장치(2)의 컨트롤러에 송신된다.

얼라이먼트 유닛(34)의 좌측에는, 척 테이블(30)에 유지된 웨이퍼(11)에 대하여 레이저 빔을 조사하는 레이저 빔 조사 유닛(38)이 설치되어 있다.

레이저 빔 조사 유닛(38)은, 케이싱(40) 내에 수용된, 도 4에 도시하는 레이저 빔 발생 유닛(42)과, 케이싱(40)의 선단에 부착된 집광기(레이저 헤드)(44)로 구성된다.

레이저 빔 발생 유닛(42)은, 도 4에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(11)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 YAG 레이저 또는 YVO4 레이저를 발진하는 레이저 발진기(50)와, 반복 주파수 설정 수단(52)과, 펄스폭 조정 수단(54)과, 파워 조정 수단(56)을 포함하고 있다.

레이저 가공이 종료한 웨이퍼(11)는, 척 테이블(30)이 X축 방향으로 이동되어 오리지널 포지션에 복귀된 후, 반송 유닛(48)으로 흡착되어 스피너 세정 유닛(46)까지 반송되며, 스피너 세정 유닛(46)으로 스핀 세정 및 스핀 건조된다.

이하, 전술한 레이저 가공 장치(2)에 의해, 웨이퍼 유닛(25)의 반도체 웨이퍼(11)의 내부에 개질층을 형성하는 레이저 가공 방법에 대해서 설명한다. 웨이퍼 카세트(8) 중에 수용된 웨이퍼 유닛(25)은, 웨이퍼 반송 로봇(10)의 프레임 파지 유닛(16)으로 환형 프레임(F)이 파지되어 웨이퍼 카세트(8)로부터 인출되어 한쌍의 센터링 가이드(18) 상에 배치된다.

센터링 가이드(18)가 서로 근접하는 방향으로 이동함으로써 중심 위치 잡기가 행해진 웨이퍼 유닛(25)은, 반송 유닛(20)으로 흡착되어 척 테이블(30)까지 반송되고, 도 5에 도시하는 바와 같이, 척 테이블(30)에서 표면 보호 테이프(23)를 통해 웨이퍼(11)가 흡인 유지되며, 환형 프레임(F)이 클램프(32)에 의해 클램핑되어 고정된다. 척 테이블(30)에 흡인 유지된 상태에서는 웨이퍼(11)는 이면(11b)이 상측이 되어 접착 테이프(T)의 이면이 노출된다.

척 테이블(30)에 유지된 웨이퍼(11)를 촬상 유닛(36)의 바로 아래로 이동시키고, 촬상 유닛(36)의 적외선 촬상 소자로 웨이퍼(11)를 그 이면(11b)측으로부터 접착 테이프(T)를 통과하여 촬상하며, 분할 예정 라인(13)에 대응하는 영역을 집광기(44)와 X축 방향으로 정렬시키는 얼라이먼트를 실시한다. 이 얼라이먼트에는, 잘 알려져 있는 패턴 매칭 등의 화상 처리를 이용한다.

제1 방향으로 연장되는 분할 예정 라인(13)의 얼라이먼트 실시 후, 척 테이블(30)을 90도 회전시키고 나서, 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 연장되는 분할 예정 라인(13)의 얼라이먼트를 실시한다.

얼라이먼트 실시 후, 도 5에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(11)의 내부에 레이저 빔의 집광점(P)을 위치시키고, 척 테이블(30)을 화살표 X1 방향으로 가공 이송하면서 웨이퍼(11)의 이면(11b)측으로부터 접착 테이프(T)를 통과하여 레이저 빔을 제1 방향으로 연장되는 분할 예정 라인(13)을 따라 조사하여, 웨이퍼(11)의 내부에 분할 기점이 되는 개질층(27)을 형성하는 레이저 가공 공정을 실시한다.

도 1에서 Y축 방향으로 척 테이블(30)을 인덱싱 이송하면서 제1 방향으로 연장되는 모든 분할 예정 라인(13)에 대응하는 웨이퍼(11)의 내부에 개질층(27)을 형성한다. 계속해서, 척 테이블(30)을 90도 회전시키고 나서, 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 연장되는 모든 분할 예정 라인(13)에 대응하는 웨이퍼(11)의 내부에 동일한 개질층(27)을 형성한다.

개질층(27)은, 밀도, 굴절률, 기계적 강도나 그 외의 물리적 특성이 주위와는 상이한 상태가 된 영역을 말한다. 예컨대, 용융 재경화 영역, 크랙 영역, 절연 파괴 영역, 굴절률 변화 영역 등을 포함하고, 이들 영역이 혼재한 영역도 포함하는 것이다.

이 레이저 가공 공정에 있어서의 가공 조건은, 예컨대 다음과 같이 설정되어 있다.

광원: LD 여기 Q 스위치 Nd: YVO4 펄스 레이저

파장: 1064 ㎚

반복 주파수: 100 ㎑

펄스 출력: 10 μJ

집광 스폿 직경: φ1 ㎛

가공 이송 속도: 100 ㎜/초

레이저 가공 공정이 종료한 웨이퍼 유닛(25)은, 척 테이블(30)이 오리지널 포지션에 복귀된 후, 반송 유닛(48)으로 흡착되어 스피너 세정 유닛(46)까지 반송되며, 스피너 세정 유닛(46)으로 스핀 세정 및 스핀 건조된다.

스핀 건조 종료 후, 웨이퍼 유닛(25)은 반송 유닛(20)으로 흡인 유지되어, 한쌍의 센터링 가이드(18) 상에 배치된다.

그리고, 도 6에 도시하는 바와 같이, 자외선 조사 유닛(24)의 자외선 램프(58)를 점등하고, 표면 보호 테이프(23)에 자외선을 조사하여, 표면 보호 테이프(23)의 접착력을 저하시킨다. 또한, 이 경우, 웨이퍼 반송 로봇(10)의 프레임 파지 유닛(16)으로 환형 프레임(F)을 파지하여, 웨이퍼 반송 로봇(10)으로 웨이퍼 유닛(25)를 Y축 방향으로 이동시키면서 자외선 조사 유닛(24)으로 표면 보호 테이프(23)의 전체면에 자외선을 조사하여, 표면 보호 테이프(23)의 접착력을 저하시킨다.

한편, 표면 보호 테이프(23)가 자외선 경화 타입인 경우, 미리 표면 보호 테이프(23)에 자외선을 조사해 두고 나서, 레이저 가공 장치(2)의 웨이퍼 카세트(8)를 공급하도록 하여도 좋다. 이 경우에는, 자외선 조사 유닛(24)을 생략할 수 있다.

자외선 조사 공정 종료 후, 웨이퍼 반송 로봇(10)의 프레임 파지 유닛(26)으로 환형 프레임(F)을 파지하여 웨이퍼 유닛(25)의 표리를 반전하고, 표면 보호 테이프(23)의 이면을 위로 한 상태로 흡인 유지 테이프(22) 상에 배치하며, 웨이퍼(11)를 접착 테이프(T)를 통하여 흡인 유지한다.

계속해서, 도 7에 도시하는 바와 같이, 테이프 박리 헤드(26)의 하측 파지 클로(26a)를 표면 보호 테이프(23)와 웨이퍼(11)의 계면에 침입시켜, 하측 파지 클로(26a)와 상측 파지 클로(26b)로 표면 보호 테이프(23)의 외주부를 파지한다.

그 후, 테이프 박리 헤드(26)를 화살표 Y1 방향으로 이동시켜 표면 보호 테이프(23)를 웨이퍼(11)로부터 박리한다. 표면 보호 테이프(23)가 박리된 웨이퍼 유닛(25)은, 웨이퍼 반송 로봇(10)에 의해 웨이퍼(11)의 표면(11a)이 상향인 상태로 웨이퍼 카세트(8) 내에 복귀된다.

표면 보호 테이프(23)의 박리 방법은 전술한 실시형태에 한정되는 것이 아니며, 예컨대 필 테이프를 표면 보호 테이프(23)에 접착하여, 필 테이프를 파지하여 표면 보호 테이프(23)를 박리하도록 하여도 좋다.

본 발명의 레이저 가공 장치에 따르면, 레이저 가공 장치 내에서 표면 보호 테이프(23)를 박리할 수 있기 때문에, 표면 보호 테이프(23)가 박리된 웨이퍼 유닛(25)을 익스펜드 장치(분할 장치)에 반송하여, 웨이퍼(11)를 효율적으로 개개의 디바이스 칩으로 분할할 수 있다. 특히, 레이저 가공 장치와 익스펜드 장치를 인라인 접속한 시스템으로서는 그 효과가 크다.

전술한 실시형태에서는, 피가공물로서 반도체 웨이퍼(11)를 채용한 예에 대해서 설명하였지만, 피가공물은 반도체 웨이퍼에 한정되는 것이 아니며, 본 발명은 광 디바이스 웨이퍼, 세라믹 기판 등의 다른 판형 피가공물에도 동일하게 적용할 수 있다.

10 : 웨이퍼 반송 로봇 11 : 반도체 웨이퍼
18 : 센터링 가이드 20 : 반송 유닛
22 : 흡인 유지 테이블 24 : 자외선 조사 유닛
25 : 웨이퍼 유닛 26 : 테이프 박리 헤드
27 : 개질층 38 : 레이저 빔 조사 유닛
44 : 집광기(레이저 헤드) T : 접착 테이프
F : 환형 프레임

Claims

표면에 표면 보호 부재가 설치되며 이면에 접착 테이프가 접착되고, 상기 접착 테이프의 외주가 환형 프레임에 접착된 피가공물의 이면에 상기 접착 테이프를 통해 레이저 빔을 조사하여 피가공물에 레이저 가공을 실시하는 레이저 가공 장치로서,
피가공물의 상기 표면 보호 부재측을 유지하고 상기 접착 테이프의 이면을 노출시키는 유지 수단과,
상기 유지 수단에 유지된 피가공물의 이면에 상기 접착 테이프를 통해 레이저 빔을 조사하여, 피가공물에 레이저 가공을 실시하는 레이저 빔 조사 수단, 그리고
레이저 가공이 실시된 피가공물로부터 상기 표면 보호 부재를 제거하는 표면 보호 부재 제거 수단
을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.