JP6270525B2 - 半導体の製造方法及び半導体製造装置 - Google Patents
半導体の製造方法及び半導体製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6270525B2 JP6270525B2 JP2014029117A JP2014029117A JP6270525B2 JP 6270525 B2 JP6270525 B2 JP 6270525B2 JP 2014029117 A JP2014029117 A JP 2014029117A JP 2014029117 A JP2014029117 A JP 2014029117A JP 6270525 B2 JP6270525 B2 JP 6270525B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- tape
- back grinding
- divided
- grinding tape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 45
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 444
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 45
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 22
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 21
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 12
- 238000002679 ablation Methods 0.000 claims description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000007306 turnover Effects 0.000 description 7
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Dicing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
(1)グラインディングを終えて薄化されたウェーハをアライメント工程において、そのウェーハの中心位置、回転方向、スクライブライン、カット位置等のアライメントを行う。
(2)次いで、アブレーション加工工程において、ウェーハの表面に貼り付けられているバックグラインディングテープに、ウェーハを少なくとも3等分するようにレーザを照射し、該バックグラインディングテープを少なくとも3つ以上に分断する。これにより、分断されたバックグラインディングテープ間には、その分断によりライン状の隙間ができ、その隙間の部分ではバックグラインディングテープがウェーハの表面から無くなり、ウェーハの表面が略露出する。
(3)次いで、ウェーハカットライン形成工程において、ウェーハの表面にレーザを前記バックグラインディングテープの分断されたテープ分断ライン、すなわち隙間に沿って照射し、該ウェーハにウェーハカット用の分割ラインを形成する。この際、前のバックグラインディングテープの切断により、バックグラインディングテープの分断されたテープ分断ラインと対応しているウェーハの表面部分では、ウェーハの表面からバックグラインディングテープがほぼ取り除かれて露出した状態にある。したがって、テープ分断ラインに沿ってウェーハの表面に照射されたレーザは、ウェーハのほぼ同じ深さ位置まで照射され、同じ深さの改質部でなるウェーハカット用分割ラインをウェーハの表面側に形成する。これにより、ウェーハをウェーハカット用分割ラインに沿って精度良く割断(分割)することが可能になる。
(4)次いで、ウェーハ分割工程において、ウェーハをバックグラインディングテープが貼り付けられていない裏面側を上側にしてセパレートテーブル上にセットし、そのウェーハをウェーハカット用分割ラインに沿ってそれぞれ折り曲げると、3つ以上の小片化されたウェーハに分割することができる。また、分割後、ウェーハ裏返し工程において、3つ以上に分割された前記ウェーハをセパレートテーブルと共に裏返し、バックグラインディングテープが貼り付けられている表面側がそれぞれ上側(セパレートテーブル側)となる状態にする。
(5)次いで、ウェーハマウント工程において、ダイシングテープが貼られたリングフレームを、3つ以上に小片化されたウェーハ(以下、「分割ウェーハ」という)のうちの、いずれか1つの分割ウェーハの裏面の略真下に配置するとともに、ダイシングテープ越しに膨らまされたバルーンをその分割ウェーハの裏面略中心に向けて押し付ける。この押し付けにより、ダイシングテープが分割ウェーハの該裏面に貼り付けられ、その分割ウェーハをリングフレームにマウントすることができる。ここでは、膨らまされたバルーン(後から
膨らまされるバルーンも含む)を使用し、その膨らまされたバルーンが分割ウェーハの略
中心位置に向けて押し付けられると、バルーンとの接触は分割ウェーハの略中心位置から外側に向かって放射状に徐々に発生する。したがって、ダイシングテープも分割ウェーハの略中心位置から外側に向かって、分割ウェーハとダイシングテープとの間の空気を排出しながら徐々に貼り付けられて行き、分割ウェーハとダイシングテープを確実に貼り合わせて、該分割ウェーハをリングフレーム上にマウントすることができる。
(6)次いで、バックグラインディングテープ剥離工程において、分割ウェーハの表面に貼り付けられているバックグラインディングテープを剥離すると、その小さく分割されたウェーハを小径用のダイサーを使用してダイシングし、IC等のチップに分割することができる状態になる。
(1)バックグラインディング装置でグラインディングを終えて薄化されたウェーハをアライメント部において、そのウェーハの中心位置、回転方向、スクライブライン、カット位置等のアライメントを行う。
(2)次いで、レーザ照射部において、ウェーハの表面に貼り付けられているバックグラインディングテープに、レーザ照射手段によりレーザを、ウェーハを少なくとも3等分するように照射して、該バックグラインディングテープを少なくとも3つ以上に分断する。これにより、分断されたバックグラインディングテープ間には、その分断によりライン状の隙間ができ、その隙間の部分ではバックグラインディングテープがウェーハの表面から無くなり、ウェーハの表面が露出する。
(3)続いて、同じくレーザ照射部において、ウェーハの表面に、レーザ照射手段によりレーザを、前記バックグラインディングテープの分断されたライン、すなわち隙間に沿って照射し、該ウェーハにウェーハカット用分割ラインを形成する。この際、前のバックグラインディングテープの切断により、テープ分断ラインと対応しているウェーハの表面部分では、ウェーハの表面からバックグラインディングテープがほぼ取り除かれて露出した状態にある。したがって、テープ分断ラインに沿ってウェーハの表面に照射されたレーザは、ウェーハのほぼ同じ深さ位置まで照射され、同じ深さの改質部でなるウェーハカットラインをウェーハの表面側に形成する。これにより、ウェーハをウェーハカットラインに沿って精度良く割断することが可能になる。
(4)次いで、ウェーハ分割部において、ウェーハをセパレートテーブル上にセットし、分割テーブル部を他の分割テーブル部に対してそれぞれ変位させると、3つ以上の小片化されたウェーハに分割することができる。また、分割後、ウェーハ裏返し保持手段において、3つ以上に分割された前記ウェーハをセパレートテーブルと共に裏返し、バックグラインディングテープが貼り付けられている表面側がそれぞれ上側となる状態にする。
(5)次いで、リングフレーム配置手段において、ダイシングテープが貼られたリングフレームを、3つ以上に小片化された分割ウェーハのうちの、いずれか1つの分割ウェーハの裏面の略真下に配置する。
(6)次いで、ウェーハマウント手段において、ダイシングテープ越しに膨らまされたバルーンを分割ウェーハの裏面略中心に向けて押し付ける。この押し付けにより、ダイシングテープが分割ウェーハの該裏面に貼り付けられ、その分割ウェーハをリングフレームにマウントすることができる。ここでは、膨らまされたバルーン(後から膨らまされるバルー
ンも含む)を使用し、その膨らまされたバルーンが分割ウェーハの略中心位置に向けて押
し付けられると、バルーンとの接触は分割ウェーハの略中心位置から外側に向かって放射状に徐々に発生する。したがって、ダイシングテープも分割ウェーハの略中心位置から外側に向かって、分割ウェーハとダイシングテープとの間の空気を排出しながら徐々に貼り付けられて行き、分割ウェーハとダイシングテープを確実に貼り合わせて、その小さく分割された分割ウェーハを小径用のリングフレーム上にマウントすることができる。
(7)次いで、バックグラインディングテープ剥離部において、分割ウェーハの表面に貼り付けられているバックグラインディングテープを剥離し、表面のダイシングテープを取り除いてフレームキャリア等に収納保管し、その後、小径用のダイサーを使用してダイシングし、IC等のチップに分割することができる状態になる。
(1)レーザは加工単位が微小のため、バックグラインディングテープGTとウェーハWをそれぞれ効率良く加工することが可能である。これに対して、ブレードはバックグラインディングテープGTとウェーハWを同時に切断するため、品質への影響が懸念される。
(2)レーザはドライプロセスが可能なため、加工環境の制約を受けにくい。これに対してブレードは水が必要なため、水を使用する環境(機能)を整える必要がある。
(3)ブレードは加工対象に合わせてブレードの選定が必要で手間がかかるが、レーザは出力等をパラメータで可変できるため、手間が省ける。
11 制御部
111 メモリ
12 バックグラインディング装置
121 真空チャックテーブル
13 アライメント部
131 アライメントユニット
14 レーザ照射部
141 レーザユニット(レーザ照射手段)
15 ウェーハ分割部
151 セパレートテーブル
151a〜151d 分割セパレートテーブル部
151X 折り曲げライン
151Y 折り曲げライン
152 吸着機構
153 傾き動作機構
154 X/Y軸動作機構
155 Z軸動作機構
16 ウェーハ裏返し保持手段
161 回転軸
162 モータ
17 リングフレーム配置手段
171 リングフレーム
18 ウェーハマウント手段
181 バルーン
19 バックグラインディングテープ剥離部
191 吸着ステージ
192 バックグラインディングテープ剥離手段
21 ウェーハ搬送手段
211 搬送チャック
22 フレームキャリア
221 棚
DT ダイシングテープ
GT バックグラインディングテープ
RT 剥離テープ
W ウェーハ
WA、WB ウェーハ半体
Wa、Wb、Wc、Wd 小片化されたウェーハ
151X、151Y 折り曲げライン
L2X、L2Y ウェーハカット用分割ライン
L1X、L1Y テープ分断ライン
Claims (6)
- 表面側にバックグラインディングテープを貼り付けた状態で裏面側のグラインディングを終えたウェーハを、バックグラインディング装置から取り出し、前記バックグラインディングテープ越しに前記ウェーハのアライメントを行うアライメント工程と、
前記アライメントを終えた前記ウェーハ上の前記バックグラインディングテープに対して記ウェーハを少なくとも三等分するようにレーザを照射し、該バックグラインディングテープを3つ以上に分断するアブレーション加工工程と、
前記ウェーハの表面にレーザを前記バックグラインディングテープの分断されたテープ分断ラインに沿って照射し、該ウェーハにウェーハカット用分割ラインを形成するウェーハカットライン形成工程と、
前記バックグラインディングテープが貼り付けられた表面を下側に向けて前記ウェーハをセパレートテーブル上にセットし、前記ウェーハカット用分割ラインを基準にして前記ウェーハを折損して少なくとも3つ以上の小片化されたウェーハに分割するウェーハ分割工程と、
前記3つ以上に分割された前記ウェーハを前記セパレートテーブルと共に裏返し、前記バックグラインディングテープが貼り付けられた表面側がそれぞれ上側となる状態で保持するウェーハ裏返し工程と、
ダイシングテープが貼られたリングフレームを、前記3つ以上に小片化して裏返されたウェーハのうちの、いずれか1つの小片化されたウェーハの裏面真下に配置するとともに、前記ダイシングテープ越しに膨らまされたバルーンを前記小片化されたウェーハの前記裏面略中心に向けて押し付け、前記ダイシングテープを前記小片化されたウェーハの該裏面に貼り付けて該小片化されたウェーハをリングフレームにマウントするウェーハマウント工程と、
前記リングフレームにマウントされた前記小片化されたウェーハの表面に貼り付けられている前記バックグラインディングテープを剥離するバックグラインディングテープ剥離工程と、を含む、
ことを特徴とする半導体の製造方法。 - 前記テープ分断ライン及び前記ウェーハカット用分割ラインは、互いに前記ウェーハの略中心を通って略十字状に形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体の製造方法。
- 前記バックグラインディングテープ剥離工程は、前記バックグラインディングテープに熱圧着テープを接着させて一体化し、該熱圧着テープの剥離と一体に前記バックグラインディングテープを前記ウェーハから剥離することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体の製造方法。
- 表面側にバックグラインディングテープが貼り付けられたウェーハの裏面側をグラインディングするバックグラインディング装置と、
前記バックグラインディング装置から取り出された前記ウェーハのアライメントを前記バックグラインディングテープ越しに行うアライメント部と、
レーザ照射手段を有して、該レーザ照射手段により前記ウェーハ上の前記バックグラインディングテープに対し前記ウェーハを少なくとも三等分以上に分割するようにレーザを照射して該バックグラインディングテープを3つ以上に分断するとともに、該バックグラインディングテープの分断されたラインに沿って前記ウェーハの表面にレーザを照射し、該ウェーハにウェーハカット用の分割ラインを形成するレーザ照射部と、
前記ウェーハの3つ以上に分断された部分にそれぞれ対応して3つ以上の分割セパレートテーブル部に分割され、かつ、該分割セパレートテーブル部の位置が個々に変位可能なセパレートテーブルを有し、該セパレートテーブル上にセットされた前記ウェーハを前記ウェーハカット用の分割ラインを基準に前記3つ以上の小片化されたウェーハに分割するウェーハ分割部と、
前記3つ以上に分割されたウェーハを前記セパレートテーブルと共に裏返し、前記バックグラインディングテープが貼り付けられた表面側がそれぞれ上側となる状態で保持するウェーハ裏返し保持手段と、
ダイシングテープが貼られたリングフレームを有し、前記ダイシングテープを前記リングフレームと共に前記3つ以上に小片化されて裏返されたウェーハのうちの、いずれか1つのウェーハの略裏面真下に配置するリングフレーム配置手段と、
膨張可能なバルーンを有し、該膨張されたバルーンを前記1つの小片化されたウェーハの前記裏面略中心に向けて前記ダイシングテープの下側から前記ダイシングテープ越しに押し付け、前記小片化されたウェーハの一つを該ダイシングテープ上に貼り付けて取り付けるウェーハマウント手段と、
前記ダイシングテープ上に貼り付けられた前記ウェーハ上のバックグラインディングテープを剥がすバックグラインディングテープ剥離部と、
前記ウェーハを前記各手段に向けて順に搬送するウェーハ搬送手段と、
決められた手順で装置全体を制御するプログラムを有し、該プログラムに基づいて前記各部の動作を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする半導体製造装置。 - 前記バックグラインディングテープ剥離部は、前記バックグラインディングテープに熱圧着テープを接着させて一体化し、該熱圧着テープの剥離と一体に前記バックグラインディングテープを前記ウェーハから剥離することを特徴とする請求項4に記載の半導体の製造装置。
- 前記ウェーハカット用分割ラインは、前記ウェーハの略中心を通って十字状に形成され、
前記ウェーハ分割部は、前記十字状に形成されている前記ウェーハカット用分割ラインの1つの分割ラインを基準にして前記ウェーハを2つのウェーハ半体に分割し、その後、該2つのウェーハ半体をそれぞれ、該2つのウェーハ半体と交差しているウェーハカット用分割ラインを基準に更に2つのウェーハ半体に分割して4つの小片化されたウェーハに形成する、ことを特徴とする請求項4又は5に記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014029117A JP6270525B2 (ja) | 2014-02-19 | 2014-02-19 | 半導体の製造方法及び半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014029117A JP6270525B2 (ja) | 2014-02-19 | 2014-02-19 | 半導体の製造方法及び半導体製造装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017248771A Division JP6427654B2 (ja) | 2017-12-26 | 2017-12-26 | 半導体の製造方法及び半導体製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015154024A JP2015154024A (ja) | 2015-08-24 |
JP6270525B2 true JP6270525B2 (ja) | 2018-01-31 |
Family
ID=53895947
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014029117A Active JP6270525B2 (ja) | 2014-02-19 | 2014-02-19 | 半導体の製造方法及び半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6270525B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6483541B2 (ja) * | 2015-06-16 | 2019-03-13 | 株式会社ディスコ | パッケージ基板の加工方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09148275A (ja) * | 1995-11-17 | 1997-06-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | 大口径ウェーハのダイシングシステム |
JP2003197567A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP4471632B2 (ja) * | 2003-11-18 | 2010-06-02 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2007281343A (ja) * | 2006-04-11 | 2007-10-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハ支持方法及びウェーハ支持装置 |
JP5583098B2 (ja) * | 2011-09-28 | 2014-09-03 | 古河電気工業株式会社 | 脆性ウェハ加工用粘着テープ及びそれを用いた脆性ウェハの加工方法 |
-
2014
- 2014-02-19 JP JP2014029117A patent/JP6270525B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015154024A (ja) | 2015-08-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6367084B2 (ja) | 半導体チップの接合方法及び半導体チップの接合装置 | |
JP4401322B2 (ja) | 支持板分離装置およびこれを用いた支持板分離方法 | |
JP6189700B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
KR20200012732A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP6429388B2 (ja) | 積層デバイスの製造方法 | |
CN108022876B (zh) | 晶片的加工方法 | |
TWI703625B (zh) | 晶圓的加工方法 | |
KR20160006109A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP2007242787A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
CN108015650B (zh) | 晶片的加工方法 | |
JP5975763B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2015191993A (ja) | 半導体製造装置及び半導体の製造方法 | |
JP6228058B2 (ja) | 半導体製造装置及び半導体の製造方法 | |
JP2014007217A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2005109155A (ja) | 半導体ウェーハの加工方法 | |
JP6518405B2 (ja) | 半導体製造装置及び半導体の製造方法 | |
JP6298699B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP6616029B2 (ja) | 半導体製造装置及び半導体の製造方法 | |
JP6270525B2 (ja) | 半導体の製造方法及び半導体製造装置 | |
JP6427654B2 (ja) | 半導体の製造方法及び半導体製造装置 | |
JP4768963B2 (ja) | ウェハの転写方法 | |
CN107316833B (zh) | 晶片的加工方法 | |
CN115706052A (zh) | 晶片的加工方法 | |
JP2013219245A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN110197794B (zh) | 剥离方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161130 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170829 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170912 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171012 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171128 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171226 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6270525 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |