JP7183625B2 - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Description
ダイシングフレーム14は例えばSUS(Steel Use Stainless:ステンレス鋼)によって作製する。半導体ウェハ10の搭載は、半導体ウェハ10の裏面をダイシングテープに貼り付けて行う。なお、この際の半導体ウェハ10の厚さは一例として約500μmとされている。
個片ウェハ20とは後述するように、半導体ウェハ10の取り扱いの容易化のために半導体ウェハ10を複数に分割したものである。ハーフダイシングは、図1(c)に示すように半導体ウェハ10のおもて(素子)面側から溝15を形成して行う。溝15の深さは、例えば最終的な半導体ウェハ10の厚さに20μm程度加えた深さとする。なお、本実施の形態における半導体ウェハ10の最終的な厚さは、一例として約120μmとされている。
グラインドとは半導体ウェハ10の厚さを最終的な厚さとするための裏面研削をいう。図1(d)に示すように、グラインド部材はリング状のフレームであるグラインドフレーム17にグラインドテープ16が貼られた構成となっている。グラインドフレーム17は例えばSUSによって作製する。グラインド部材への転写は半導体ウェハ10のおもて面をグラインドテープ16に埋設させて行う。
本工程におけるダイシングは個片ウェハ20をさらに半導体素子21に個片化するためのダイシングである。本ダイシング部材はリング状のダイシングフレーム23およびダイシングテープ22を含み、ダイシングテープ22はダイシングフレーム23に貼られている。本工程は個片ウェハ20の個数分行う。
ダイシングは例えばダイシングブレード等を用いて行う。
図2(a)に示すように、グラインドテープ16およびグラインドフレーム17を含むグラインド部材に、溝15によって4個の個片ウェハ20に分割された半導体ウェハ10が搭載されている。
11 半導体基板
12 素子パターン
13 ダイシングテープ
14 ダイシングフレーム
15 溝
16 グラインドテープ
17 グラインドフレーム
18 裏面電極
19 溝
20 個片ウェハ
21 半導体素子
22 ダイシングテープ
23 ダイシングフレーム
24 カメラ
25 トレイ
26 支持部材
27 恒温槽
28 真空ステージ
29 探針
30 貫通孔
31 凹部
32 オリフラ位置合わせ部
OF オリエンテーションフラット
Claims (6)
- 複数の半導体素子が形成されたおもて面を接触させてウェハを支持部材に固定し、前記複数の半導体素子の一部が含まれる複数の個片ウェハに分割する工程と、
前記複数の半導体素子が形成されていない裏面が搬送部材側となるように前記複数の個片ウェハを当該搬送部材に配置し、前記複数の個片ウェハから前記支持部材を除去する工程と、
前記支持部材が除去された前記複数の個片ウェハを前記搬送部材に配置した状態で熱処理する工程と、
を含み、
前記搬送部材の前記個片ウェハを配置する面には複数の貫通孔が形成されており、
前記複数の個片ウェハから前記支持部材を除去する工程は、前記複数の貫通孔を介して前記複数の個片ウェハを配置した前記搬送部材を吸着し吸着台に固定した状態で前記複数の個片ウェハから前記支持部材を除去する工程である
半導体素子の製造方法。 - 前記支持部材の耐熱温度が前記搬送部材の耐熱温度より低い
請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記複数の貫通孔は、分割された前記個片ウェハの形状に対応して設けられている
請求項1又は請求項2に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記複数の個片ウェハに分割する工程は、前記ウェハの分割予定線に沿って前記おもて面側から前記裏面に至らない分割溝を形成した後、前記裏面を研削して前記複数の個片ウェハに分割する工程である
請求項1から請求項3いずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記支持部材に固定された前記複数の個片ウェハの裏面に金属層を形成する工程をさらに含む
請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記個片ウェハが前記複数の半導体素子の複数個を含む
請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。
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