JP5726784B2 - 処理液交換方法および基板処理装置 - Google Patents
処理液交換方法および基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5726784B2 JP5726784B2 JP2012038597A JP2012038597A JP5726784B2 JP 5726784 B2 JP5726784 B2 JP 5726784B2 JP 2012038597 A JP2012038597 A JP 2012038597A JP 2012038597 A JP2012038597 A JP 2012038597A JP 5726784 B2 JP5726784 B2 JP 5726784B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circulation line
- liquid
- storage tank
- line
- processing liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 225
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 45
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 97
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 60
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 28
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 12
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 11
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 56
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 20
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65B—MACHINES, APPARATUS OR DEVICES FOR, OR METHODS OF, PACKAGING ARTICLES OR MATERIALS; UNPACKING
- B65B3/00—Packaging plastic material, semiliquids, liquids or mixed solids and liquids, in individual containers or receptacles, e.g. bags, sacks, boxes, cartons, cans, or jars
- B65B3/04—Methods of, or means for, filling the material into the containers or receptacles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
12 循環ライン
12a 接続領域
12b 第1位置(供給位置)
12c 第2位置(排出位置)
14 循環ポンプ
16b,16c,16d パージガス供給部
16f,16g (循環ラインの)ドレン部
19,19a (貯留タンクの)ドレン部
22 分岐管路
25 処理液供給ノズル
W 基板
Claims (17)
- 処理液を貯留する貯留タンクと、前記貯留タンクにその両端が接続されて処理液が循環する循環ラインとを備え、前記循環ラインに接続された分岐管路を介して処理液により基板に液処理を施す基板処理装置の処理液を交換する処理液交換方法において、
前記貯留タンク内の処理液を排液する処理液排液工程と、
前記循環ラインにパージガスを供給して、前記循環ライン内に残存する処理液を前記循環ラインから排出するガスパージ工程と、
前記貯留タンク内に処理液を供給する処理液供給工程と、
を備え、
前記ガスパージ工程において、流れ方向で見て、前記循環ラインに対する前記分岐管路の接続領域よりも下流側であってかつ前記貯留タンクよりも上流側の排出位置から前記処理液を前記パージガスに乗せて排出する、処理液交換方法。 - 前記ガスパージ工程において、流れ方向で見て、前記循環ラインに対する前記分岐管路の接続領域よりも上流側の供給位置からパージガスを前記循環ラインに供給する、請求項1記載の処理液交換方法。
- 処理液を前記循環ラインに循環させる循環ポンプが前記循環ラインに設けられており、前記供給位置は、前記循環ポンプよりも下流側の位置である、請求項2記載の処理液交換方法。
- 前記処理液排液工程において、前記貯留タンク内の処理液は、前記貯留タンクに設けられたドレン部を介して排出される、請求項1〜3のうちのいずれか一項に記載の処理液交換方法。
- 処理液を前記循環ラインに循環させる循環ポンプが前記循環ラインに設けられており、前記処理液排液工程において、前記貯留タンク内の処理液は、前記循環ポンプにより前記貯留タンクから送り出されて、前記循環ラインを流れた後、前記排出位置から排出される、請求項1記載の処理液交換方法。
- 前記貯留タンクおよび循環ラインをDIW(純水)で洗浄するDIW洗浄工程をさらに備えた、請求項1〜5のうちのいずれか一項に記載の処理液交換方法。
- 前記DIW洗浄工程は、前記貯留タンクにDIWを供給し、この供給したDIWを、前記排出位置から排出する工程を含む、請求項6記載の処理液交換方法。
- 前記DIW洗浄工程は、前記貯留タンクにDIWを供給し、この供給したDIWを、前記循環ライン内で循環させる工程を含む、請求項6または7記載の処理液交換方法。
- 前記DIW洗浄工程の後に、前記循環ラインにパージガスを供給して、前記循環ライン内に残存するDIWを前記循環ラインから排出する工程をさらに備えた、請求項6〜8のうちのいずれか一項に記載の処理液交換方法。
- 前記処理液供給工程にて前記貯留タンクに供給された処理液を用いて前記貯留タンクおよび循環ラインを洗浄する処理液洗浄工程をさらに備えた、請求項1〜5のうちのいずれか一項に記載の処理液交換方法。
- 前記処理液洗浄工程は、前記貯留タンクに供給された処理液を、前記排出位置から排出する工程を含む、請求項10記載の処理液交換方法。
- 前記処理液洗浄工程は、前記貯留タンクに供給された処理液を、前記循環ライン内で循環させる工程を含む、請求項10または11記載の処理液交換方法。
- 前記処理液洗浄工程の後に、前記循環ラインにパージガスを供給して、前記循環ライン内に残存する処理液を前記循環ラインから排出する工程をさらに備えた、請求項10〜12のうちのいずれか一項に記載の処理液交換方法。
- 処理液を貯留する貯留タンクと、
前記貯留タンクにその両端が接続された循環ラインと、
前記循環ラインに介設された循環ポンプと、
前記循環ラインに分岐管路を介して接続された処理液供給ノズルと、
前記循環ラインに対する前記分岐管路の接続領域よりも上流側の供給位置において前記循環ラインにパージガスを供給するパージガス供給部と、
流れ方向で見て、前記循環ラインに対する前記分岐管路の接続領域よりも下流側であって前記貯留タンクよりも上流側の排出位置において前記循環ラインに接続されたドレン部と、
を備えた基板処理装置。 - 前記供給位置は、前記循環ポンプより下流側の位置である、請求項14記載の基板処理装置。
- 前記貯留タンク内にある液を排液するために貯留タンクにドレン部を設けた、請求項14または15記載の基板処理装置。
- 前記循環ラインを流れる液体が貯留タンクに流れる状態とドレン部に流れる状態とを切り替える開閉弁を前記循環ラインに設けた、請求項14〜16のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012038597A JP5726784B2 (ja) | 2012-02-24 | 2012-02-24 | 処理液交換方法および基板処理装置 |
TW102101378A TWI523068B (zh) | 2012-02-24 | 2013-01-14 | 處理液更換方法及基板處理裝置 |
KR1020130005789A KR101916474B1 (ko) | 2012-02-24 | 2013-01-18 | 처리액 교환 방법 및 기판 처리 장치 |
US13/774,091 US9278768B2 (en) | 2012-02-24 | 2013-02-22 | Process liquid changing method and substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012038597A JP5726784B2 (ja) | 2012-02-24 | 2012-02-24 | 処理液交換方法および基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013175552A JP2013175552A (ja) | 2013-09-05 |
JP5726784B2 true JP5726784B2 (ja) | 2015-06-03 |
Family
ID=49001558
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012038597A Active JP5726784B2 (ja) | 2012-02-24 | 2012-02-24 | 処理液交換方法および基板処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9278768B2 (ja) |
JP (1) | JP5726784B2 (ja) |
KR (1) | KR101916474B1 (ja) |
TW (1) | TWI523068B (ja) |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6346447B2 (ja) * | 2014-01-28 | 2018-06-20 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
TWI630652B (zh) | 2014-03-17 | 2018-07-21 | 斯克林集團公司 | 基板處理裝置及使用基板處理裝置之基板處理方法 |
JP6385714B2 (ja) | 2014-05-16 | 2018-09-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、基板液処理装置の洗浄方法及び記憶媒体 |
JP6223906B2 (ja) * | 2014-05-19 | 2017-11-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液交換方法および液処理装置 |
US9659794B2 (en) * | 2014-08-08 | 2017-05-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Particle improvement for single wafer apparatus |
JP6499414B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2019-04-10 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP6383254B2 (ja) * | 2014-11-04 | 2018-08-29 | 株式会社東芝 | 処理装置および処理方法 |
JP6330624B2 (ja) * | 2014-11-04 | 2018-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置及び処理液供給装置の洗浄方法 |
KR102343634B1 (ko) * | 2014-12-30 | 2021-12-29 | 세메스 주식회사 | 액 공급 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치 |
JP6605394B2 (ja) * | 2016-05-17 | 2019-11-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、タンク洗浄方法及び記憶媒体 |
JP6813378B2 (ja) * | 2017-01-26 | 2021-01-13 | 株式会社Kelk | 流体加熱装置 |
JP6940958B2 (ja) * | 2017-02-23 | 2021-09-29 | オルガノ株式会社 | 配管のフラッシング方法 |
JP2018134608A (ja) * | 2017-02-23 | 2018-08-30 | オルガノ株式会社 | 配管のフラッシング方法及びフィルターユニット |
WO2018186211A1 (ja) * | 2017-04-06 | 2018-10-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 液供給装置および液供給方法 |
CN108962781B (zh) * | 2017-05-23 | 2020-12-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种药液供给*** |
KR102264002B1 (ko) * | 2017-10-20 | 2021-06-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 |
JP7130388B2 (ja) * | 2018-02-28 | 2022-09-05 | 株式会社Kelk | 液体加熱装置及び洗浄システム |
JP7089902B2 (ja) * | 2018-02-28 | 2022-06-23 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、基板処理装置における処理液排出方法、基板処理装置における処理液交換方法、基板処理装置における基板処理方法 |
JP7023763B2 (ja) * | 2018-03-23 | 2022-02-22 | 株式会社Screenホールディングス | 処理液供給装置、基板処理装置および処理液供給方法 |
JP7122140B2 (ja) * | 2018-04-02 | 2022-08-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 |
JP7019494B2 (ja) * | 2018-04-05 | 2022-02-15 | 株式会社荏原製作所 | 洗浄液供給システム、基板処理装置および基板処理システム |
JP6697055B2 (ja) * | 2018-11-30 | 2020-05-20 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理装置の配管洗浄方法 |
GB201821018D0 (en) * | 2018-12-21 | 2019-02-06 | Realmthree Ltd | Ultrasonic cleaning apparatus |
KR102346529B1 (ko) * | 2019-06-24 | 2021-12-31 | 세메스 주식회사 | 액 공급 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법 |
JP7382164B2 (ja) * | 2019-07-02 | 2023-11-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
JP7412134B2 (ja) * | 2019-11-01 | 2024-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
TW202135914A (zh) * | 2020-02-05 | 2021-10-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 過濾器洗淨系統及過濾器洗淨方法 |
JP7376424B2 (ja) * | 2020-04-30 | 2023-11-08 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理用の処理液の交換方法および基板処理装置 |
JP7486372B2 (ja) * | 2020-07-29 | 2024-05-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
TWI799172B (zh) | 2021-03-19 | 2023-04-11 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
JP2022148186A (ja) * | 2021-03-24 | 2022-10-06 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および配管着脱パーツ洗浄方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002168551A (ja) | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置の電極用冷却装置 |
FR2826294B1 (fr) * | 2001-06-25 | 2003-09-26 | Inst Francais Du Petrole | Dispositif et procede optimisant la circulation d'une suspension dans une installation comprenant un reacteur fischer-tropsch |
JP2006269743A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Seiko Epson Corp | 薬液処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP4849958B2 (ja) * | 2006-05-26 | 2012-01-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理ユニットおよび基板処理方法 |
JP4815274B2 (ja) | 2006-06-08 | 2011-11-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、および記録媒体 |
JP5471886B2 (ja) | 2010-06-25 | 2014-04-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 高温、高圧処理方法及び高温、高圧処理装置並びに記憶媒体 |
-
2012
- 2012-02-24 JP JP2012038597A patent/JP5726784B2/ja active Active
-
2013
- 2013-01-14 TW TW102101378A patent/TWI523068B/zh active
- 2013-01-18 KR KR1020130005789A patent/KR101916474B1/ko active IP Right Grant
- 2013-02-22 US US13/774,091 patent/US9278768B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20130097650A (ko) | 2013-09-03 |
KR101916474B1 (ko) | 2018-11-07 |
US9278768B2 (en) | 2016-03-08 |
TW201344745A (zh) | 2013-11-01 |
US20130220478A1 (en) | 2013-08-29 |
JP2013175552A (ja) | 2013-09-05 |
TWI523068B (zh) | 2016-02-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5726784B2 (ja) | 処理液交換方法および基板処理装置 | |
JP6385714B2 (ja) | 基板液処理装置、基板液処理装置の洗浄方法及び記憶媒体 | |
JP2015220318A5 (ja) | ||
JP5401255B2 (ja) | 洗浄装置、洗浄方法、および記憶媒体 | |
TWI690979B (zh) | 基板處理裝置、基板處理裝置的洗淨方法 | |
JP2008291312A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2009260245A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP6278808B2 (ja) | 液供給装置およびフィルタ洗浄方法 | |
JP6223906B2 (ja) | 処理液交換方法および液処理装置 | |
JP2739419B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6203489B2 (ja) | 基板処理装置及びその洗浄方法 | |
JP3138901B2 (ja) | 基板の浸漬処理装置 | |
KR102314052B1 (ko) | 필터 세정 방법, 액처리 장치 및 기억 매체 | |
JP2000058492A (ja) | 基板の浸漬処理装置 | |
JPH0684872A (ja) | クリーン洗浄装置 | |
JP7122140B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 | |
JP4037178B2 (ja) | 洗浄装置、および洗浄方法 | |
JP2008235779A (ja) | 基板処理装置および基板処理システム | |
JP2010225832A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR20060030689A (ko) | 기판 세정 장치 | |
RU2574480C1 (ru) | Автоматизированный способ и устройство для очистки льдогенератора ледяной крошки | |
JP2003257924A (ja) | 基板処理装置における配管部品の洗浄方法及び基板処理装置 | |
JP2000021839A (ja) | ウエハ洗浄装置及びウエハの洗浄方法 | |
JP2006156672A (ja) | 基板処理装置 | |
JPH06326071A (ja) | ウェハーのウェット洗浄装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131111 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140327 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140401 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140515 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150206 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150306 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150401 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5726784 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |