TWI799172B - 基板處理裝置、及基板處理方法 - Google Patents

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TWI799172B TW111108154A TW111108154A TWI799172B TW I799172 B TWI799172 B TW I799172B TW 111108154 A TW111108154 A TW 111108154A TW 111108154 A TW111108154 A TW 111108154A TW I799172 B TWI799172 B TW I799172B
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Abstract

本發明提供一種基板處理裝置、及基板處理方法。本發明之基板處理裝置(100)具備：處理單元、儲存部(31)、處理液配管(32)、泵(34)、過濾器(35)、第1流量部(36)、第1送回管(51)、第1調整閥(52)、第2送回管(41)、分支供給管(16)、第2流量部(42)、及控制部。第1流量部(36)配置於處理液配管(32)，測定處理液配管(32)中流動之處理液之流量或壓力。第1調整閥(52)配置於第1送回管(51)，調整第1送回管(51)中流動之處理液之流量。控制部基於由第1流量部(36)測定到之處理液之流量或壓力，控制第1調整閥(52)之開度。

Description

基板處理裝置、及基板處理方法
本發明係關於一種基板處理裝置、及基板處理方法。
於半導體裝置或液晶顯示裝置等之製造步驟中，利用對半導體晶圓或液晶顯示裝置用玻璃基板等基板進行處理之基板處理裝置。業界曾揭示一種將基板一塊接一塊處理之單片式基板處理裝置。如此之基板處理裝置具備：處理單元；處理液槽，其儲存對處理單元供給之處理液；循環配管，其使處理液槽內之處理液循環；泵，其將處理液槽內之處理液送至循環配管；及過濾器，其對循環配管中流動之處理液進行過濾(例如，參照專利文獻1及專利文獻2)。  [先前技術文獻]  [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2013-175552號公報  [專利文獻2]日本特開2007-266211號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，於專利文獻1及專利文獻2所記載之基板處理裝置中，處理液中之複數個微粒不會藉由過濾器被充分去除。
本發明係鑒於上述問題而完成者，其目的在於提供一種可將微粒之含有量少之處理液供給至處理單元之基板處理裝置及基板處理方法。  [解決問題之技術手段]
本發明之基板處理裝置具備：處理單元、儲存部、處理液配管、泵、過濾器、第1流量部、第1送回管、第1調整閥、第2送回管、分支供給管、第2流量部、及控制部。前述處理單元以處理液對基板進行處理。前述儲存部儲存前述處理液。前述處理液配管連接於前述儲存部，供前述處理液流動。前述泵配置於前述處理液配管，自前述儲存部將前述處理液供給至前述處理單元。前述過濾器配置於前述處理液配管，捕捉前述處理液中之微粒。前述第1流量部配置於前述處理液配管，測定前述處理液配管中流動之前述處理液之流量或壓力。前述第1送回管連接於前述處理液配管之下游端，向前述儲存部送回前述處理液。前述第1調整閥配置於前述第1送回管，調整前述第1送回管中流動之前述處理液之流量。前述第2送回管連接於前述處理液配管之下游端，將前述處理液送回前述儲存部。前述分支供給管自前述第2送回管分支，向前述處理單元供給前述處理液。前述第2流量部測定前述第2送回管中流動之前述處理液之流量。前述控制部基於由前述第1流量部測定到之前述處理液之前述流量或前述壓力，控制前述第1調整閥之開度。
本發明之基板處理裝置具備：處理單元、儲存部、處理液配管、泵、過濾器、第1流量計、第1送回管、第1調整閥、第2送回管、分支供給管、第2流量計、及控制部。前述處理單元以處理液對基板進行處理。前述儲存部儲存前述處理液。前述處理液配管連接於前述儲存部，供前述處理液流動。前述泵配置於前述處理液配管，自前述儲存部將前述處理液供給至前述處理單元。前述過濾器配置於前述處理液配管，捕捉前述處理液中之微粒。前述第1流量計配置於前述處理液配管，測定前述處理液配管中流動之前述處理液之流量。前述第1送回管連接於前述處理液配管之下游端，向前述儲存部送回前述處理液。前述第1調整閥配置於前述第1送回管，調整前述第1送回管中流動之前述處理液之流量。前述第2送回管連接於前述處理液配管之下游端，將前述處理液送回前述儲存部。前述分支供給管自前述第2送回管分支，向前述處理單元供給前述處理液。前述第2流量配置於前述第2送回管，位於較前述分支供給管為上游側，測定前述分支供給管中流動之前述處理液之流量。前述控制部基於由前述第1流量計測定到之前述處理液之流量，控制前述第1調整閥之開度。
於某一實施形態中，前述第2流量部配置於前述第2送回管，位於較前述分支供給管為下游側，測定前述第2送回管中流動之前述處理液之壓力。
於某一實施形態中，前述控制部以前述處理液配管中流動之前述處理液之流量成為特定流量之方式，控制前述第1調整閥之開度。
於某一實施形態中，前述基板處理裝置進一步具備配置於前述處理液配管之調溫器。前述調溫器調整前述處理液配管中流動之前述處理液之溫度。
於某一實施形態中，前述基板處理裝置進一步具備第2調整閥，該第2調整閥配置於前述第2送回管，調整前述第2送回管中流動之前述處理液之流量。前述控制部控制前述第1調整閥之開度及前述第2調整閥之開度。
於某一實施形態中，前述基板處理裝置進一步具備溫度計，該溫度計配置於前述處理液配管，測定前述處理液配管中流動之前述處理液之溫度，前述控制部基於由前述溫度計測定到之前述處理液之溫度，控制前述第2調整閥之開度。
於某一實施形態中，前述處理單元具有：噴嘴，其配置於前述分支供給管之下游端；切換部，其切換自前述分支供給管對於前述噴嘴之前述處理液之供給與供給停止；及第3送回管，其自前述分支供給管分支，於較前述第2調整閥為下游側連接於前述第2送回管。
本發明之基板處理方法係用於基板處理裝置者，且前述基板處理裝置具備：處理單元，其以處理液對基板進行處理；儲存部，其儲存前述處理液；處理液配管，其連接於前述儲存部，供前述處理液流動；泵，其配置於前述處理液配管；過濾器，其配置於前述處理液配管；第1流量部，其配置於前述處理液配管；第1送回管，其連接於前述處理液配管之下游端，向前述儲存部送回前述處理液；第1調整閥，其配置於前述第1送回管，調整前述第1送回管中流動之前述處理液之流量；第2送回管，其連接於前述處理液配管之下游端，將前述處理液送回前述儲存部；分支供給管，其自前述第2送回管分支，向前述處理單元供給前述處理液；及第2流量部，其配置於前述第2送回管。前述基板處理方法包含下述步驟：自前述儲存部將前述處理液供給至前述處理液配管；捕捉前述處理液中之微粒；測定前述處理液配管中流動之前述處理液之流量或壓力；測定前述第2送回管中流動之前述處理液之流量或壓力；及基於由前述第1流量部測定到之前述處理液之流量或壓力，控制前述第1調整閥之開度。  [發明之效果]
根據本發明之基板處理裝置、及基板處理方法，可將微粒之含有量少之處理液供給至處理單元。
以下，參照圖式(圖1～圖10)，說明本發明之實施形態。惟，本發明不限定於以下之實施形態。此外，針對說明重複之部位，有時適宜省略說明。又，圖中，針對同一或相當部分，賦予同一參考符號，而不重複進行說明。
本發明之基板處理裝置及基板處理方法視為處理之對象之「基板」可應用半導體晶圓、光罩用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、電漿顯示用玻璃基板、FED(Field Emission Display，場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、及光磁碟用基板等各種基板。以下，主要以將圓板狀之半導體晶圓視為處理之對象之基板處理裝置及基板處理方法為例來說明本實施形態，但本發明之基板處理裝置及基板處理方法對於上述之半導體晶圓以外之各種基板亦可同樣地應用。又，針對基板之形狀，亦不限定於圓板狀，本發明之基板處理裝置及基板處理方法可對於各種形狀之基板應用。
又，於本實施形態中，「處理液」包含蝕刻液、沖洗液、SC1、及SC2。蝕刻液對基板W進行蝕刻。蝕刻液例如為氟化硝酸(氟酸(HF)與硝酸(HNO 3)之混合液)、氟酸、緩衝的氫氟酸(BHF)、氟化銨、HFEG(氟酸與乙二醇之混合液)、硫酸(H 2SO 4)、或磷酸(H 3PO 4)。沖洗液對基板W進行沖洗。具體而言，沖洗液係為了沖洗殘存於基板W上之蝕刻液而使用。沖洗液例如為去離子水、碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、稀釋濃度(例如，10 ppm～100 ppm左右)之鹽酸水或有機溶劑。有機溶劑係例如IPA(異丙醇)或硫酸。SC1與SC2各者將基板W洗淨。SC1例如為含有NH 4OH與H 2O 2之混合液。處理液雖然無特別限定，但以下，於實施形態1～3中，針對處理液為IPA之情形進行說明。
[實施形態1]  以下，參照圖1～圖5，說明本發明之實施形態1。首先，參照圖1及圖2，說明實施形態1之基板處理裝置100。圖1係實施形態1之基板處理裝置100之示意圖。詳細而言，圖1係基板處理裝置100之示意性剖視圖。基板處理裝置100對基板W進行處理。更具體而言，基板處理裝置100係單片式裝置。
如圖1所示，基板處理裝置100具備：複數個處理塔10、複數個分支供給管16、複數個外循環配管41、流體殼體30、及平台20。複數個外循環配管41各者為「第2送回管」之一例。
流體殼體30包含處理液槽31。處理液槽31為「儲存部」之一例。處理液槽31儲存處理液。
複數個外循環配管41各者將自流體殼體30供給之處理液送回處理液槽31。複數個外循環配管41各者為具有供處理液流動之流通路之管狀構件。具體而言，複數個外循環配管41各者之上游端連結於流體殼體30。複數個外循環配管41各者之下游端連接於處理液槽31。
具體而言，複數個外循環配管41例如包含第1外循環配管41A、第2外循環配管41B、及第3外循環配管41C。換言之，於實施形態1之基板處理裝置100中具備3個外循環配管41。
複數個處理塔10例如包含第1處理塔10A、第2處理塔10B、及第3處理塔10C。換言之，於實施形態1之基板處理裝置100中具備3個處理塔10。複數個處理塔10具有相互同樣之構成。
複數個分支供給管16例如包含第1分支供給管16A、第2分支供給管16B、及第3分支供給管16C。第1分支供給管16A自第1外循環配管41A分支，將處理液供給至第1處理塔10A。第2分支供給管16B自第2外循環配管41B分支，將處理液供給至第2處理塔10B。第3分支供給管16C自第3外循環配管41C分支，將處理液供給至第3處理塔10C。
繼而，參照圖2，針對第1處理塔10A進行說明。圖2係實施形態1之基板處理裝置100具備之處理塔10之示意圖。詳細而言，圖2係處理塔10之示意性剖視圖。如圖2所示，第1處理塔10A具備複數個處理單元11。
複數個處理單元11各者將處理液供給至基板W，對基板W進行處理。複數個處理單元11各者係將基板W一片接一片處理之單片式處理單元11。
具體而言，第1處理塔10A包含上下積層之複數個處理單元11。複數個處理單元11例如包含第1處理單元11A、第2處理單元11B、及第3處理單元11C。換言之，實施形態1之處理單元11具備3個處理單元11。
第1分支供給管16A例如包含第1供給管16AA、第2供給管16AB、及第3供給管16AC。第1分支供給管16A各者為具有供處理液流動之流通路之管狀構件。
第1供給管16AA自第1外循環配管41A將處理液供給至第1處理單元11A。第2供給管16AB自第1外循環配管41A將處理液供給至第2處理單元11B。第3供給管16AC自第1外循環配管41A將處理液供給至第3處理單元11C。複數個處理單元11具有相互同樣之構成。以下，針對第1處理單元11A進行說明。
第1處理單元11A具備腔室12、旋轉卡盤13、噴嘴14、及開閉閥15。腔室12具有大致箱形狀。腔室12收容基板W、旋轉卡盤13及噴嘴14。旋轉卡盤13一面以水平之姿勢保持基板W，一面繞通過基板W之中央部之鉛直之旋轉軸線旋轉。
噴嘴14連接於第1供給管16AA之下游端。噴嘴14配置於基板W之上方。其結果，噴嘴14自基板W之上方向基板W噴出處理液。
開閉閥15將第1供給管16AA開閉。即，開閉閥15切換自第1外循環配管41A對於噴嘴14之處理液之供給與供給停止。開閉閥15例如為利用電力來控制開閉之馬達針閥。
繼而，針對流體殼體30，詳細地說明。具體而言，流體殼體30進一步包含處理液配管32、及第1送回管51。
處理液配管32連接於處理液槽31。具體而言，處理液配管32之上游端連接於處理液槽31。處理液配管32為具有供處理液流動之流通路之管狀構件。此外，對於處理液之流通方向垂直之面中之處理液配管32之流通路之剖面積大於合計剖面積。合計剖面積表示將第1外循環配管41A之流通路之剖面積、第2外循環配管41B之流通路之剖面積、及第3外循環配管41C之流通路之剖面積進行合計之面積。
流體殼體30進一步包含泵34、過濾器35、第1流量計36、及加熱器37。第1流量計36為「第1流量部」之一例。加熱器37為「調溫器」之一例。第1流量計36、泵34、加熱器37、及過濾器35依序自處理液配管32之上游向下游配置於處理液配管32。
第1流量計36測定處理液配管32中流動之處理液之流量。「流量」例如表示每單位時間內通過單位面積之處理液之流量。
泵34自處理液槽31將處理液供給至處理液配管32。泵34為例如伸縮泵。泵34之材料為例如合成樹脂。例如，若於泵34中流動高溫之IPA(處理液)，則構成伸縮泵等之合成樹脂溶出，產生複數個微粒。因此，流動含有複數個微粒之IPA(處理液)。
加熱器37調整處理液配管32中流動之處理液之溫度。具體而言，加熱器37將處理液配管32中流動之處理液加熱。
過濾器35捕捉處理液中之複數個微粒。具體而言，過濾器35形成複數個孔。複數個孔各者於處理液之流通方向貫通。詳細而言，處理液自過濾器35之上游側向下游側流動，且通過複數個孔。於過濾器35之上游側流動之處理液中含有之複數個微粒於通過複數個孔時，由區劃複數個孔之壁面吸附。其結果，自處理液中去除複數個微粒。
過濾器35例如包含PTFE(聚四氟乙烯)親水膜作為過濾膜。PTFE親水膜係將PTFE製之基材之表面親水化後之膜。用作過濾器35之PTFE親水膜之孔徑例如小於7 nm(特定徑)。例如，7 nm(特定徑)以上之微粒無法通過孔徑，根據過濾器35之捕捉能力將未達7 nm(特定徑)之微粒吸附於壁面，自處理液中去除複數個微粒。此外，過濾器35之捕捉能力例如根據通過過濾器35之處理液之種類(例如合成樹脂對於IPA之溶解度等)、通過過濾器35之處理液之流量(作用於微粒之流速)、或通過過濾器35之處理液之溫度而變動。
處理液配管32之下游端連接於複數個外循環配管41。其結果，複數個外循環配管41各者中流動去除微粒且經加熱之處理液。換言之，將去除微粒且經加熱之處理液供給至複數個處理塔10。
流體殼體30進一步包含第1送回管51、及第1調整閥52。第1送回管51將自處理液槽31供給之處理液送回處理液槽31。具體而言，第1送回管51之上游端連接於處理液配管32之下游端。第1送回管51之下游端連接於處理液槽31。第1送回管51為具有供處理液流動之流通路之管狀構件。此外，相對於處理液之流通方向垂直之面中之第1送回管51之流通路之剖面積，大於合計剖面積。合計剖面積係表示將第1外循環配管41A之流通路之剖面積、第2外循環配管41B之流通路之剖面積、及第3外循環配管41C之流通路之剖面積進行合計之面積。
詳細而言，第1送回管51之流通路之剖面積，大於複數個外循環配管41各者之流通路之剖面積。又，於第1送回管51係與複數個外循環配管41不同，未連接處理塔10。又，第1送回管51係與複數個外循環配管41不同，配置於流體殼體30內。
第1調整閥52配置於第1送回管51。第1調整閥52調整第1送回管51中流動之處理液之流量。第1調整閥52調節開度，調整第1送回管51中流動之處理液之流量。第1調整閥52例如為利用氣壓來控制開度之安全閥。由於可利用氣壓來控制開度，故控制部等可高應答性地控制第1調整閥52。
再次如圖1所示，流體殼體30進一步包含複數個外循環流量計42。複數個外循環流量計42各者為「第2流量部」之一例。複數個外循環流量計42例如包含第1外循環流量計42A、第2外循環流量計42B、及第3外循環流量計42C。
第1外循環流量計42A配置於第1外循環配管41A。具體而言，第1外循環流量計42A配置於較第1分支供給管16A為上游側。第1外循環流量計42A測定第1外循環配管41A中流動之處理液之流量。
第2外循環流量計42B配置於第2外循環配管41B。具體而言，第2外循環流量計42B配置於較第2分支供給管16B為上游側。第2外循環流量計42B測定第2外循環配管41B中流動之處理液之流量。
第3外循環流量計42C配置於第3外循環配管41C。具體而言，第3外循環流量計42C配置於較第3分支供給管16C為上游側。第3外循環流量計42C測定第3外循環配管41C中流動之處理液之流量。
又，基板處理裝置100進一步包含複數個外循環調整閥43。複數個外循環調整閥43各者為「第2調整閥」之一例。複數個外循環調整閥43配置於平台20。換言之，複數個外循環調整閥43配置於流體殼體30外。複數個外循環調整閥43例如包含第1外循環調整閥43A、第2外循環調整閥43B、及第3外循環調整閥43C。
第1外循環調整閥43A配置於第1外循環配管41A。具體而言，第1外循環調整閥43A配置於較第1分支供給管16A為下游側。第1外循環調整閥43A調整第1外循環配管41A中流動之處理液之流量。第1外循環調整閥43A調節開度，調整第1外循環配管41A中流動之處理液之流量。第1外循環調整閥43A例如為利用氣壓來控制開度之安全閥。
第2外循環調整閥43B配置於第2外循環配管41B。具體而言，第2外循環調整閥43B配置於較第2分支供給管16B為下游側。第2外循環調整閥43B調整第2外循環配管41B中流動之處理液之流量。第2外循環調整閥43B調節開度，調整第2外循環配管41B中流動之處理液之流量。第2外循環調整閥43B例如為利用氣壓來控制開度之安全閥。
第3外循環調整閥43C配置於第3外循環配管41C。具體而言，第3外循環調整閥43C配置於較第3分支供給管16C為下游側。第3外循環調整閥43C調整第3外循環配管41C中流動之處理液之流量。第3外循環調整閥43C調節開度，調整第3外循環配管41C中流動之處理液之流量。第3外循環調整閥43C例如為利用氣壓來控制開度之安全閥。
繼而，參照圖3，針對控制裝置60進行說明。圖3係顯示基板處理裝置100之方塊圖。如圖3所示，控制裝置60控制基板處理裝置100之各部之動作。具體而言，控制裝置60包含控制部61、及記憶部62。
控制部61具有處理器。控制部61例如具有CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)、或MPU(Micro Processing Unit，微處理單元)。或，控制部61可具有泛用運算機。
記憶部62記憶資料及電腦程式。資料包含製程條件資料。製程條件資料包含表示複數個製程條件之資訊。複數個製程條件各者規定基板W之處理內容及處理步序。
記憶部62具有主記憶裝置。主記憶裝置例如為半導體記憶體。記憶部62可進一步具有輔助記憶裝置。輔助記憶裝置例如包含半導體記憶體及硬碟機之至少一者。記憶部62可包含可移媒體。
控制部61基於記憶於記憶部62之電腦程式及資料，控制基板處理裝置100之各部之動作。例如，控制裝置60控制第1調整閥52、第1外循環調整閥43A、第2外循環調整閥43B、及第3外循環調整閥43C。又，控制裝置60自第1流量計36、第1外循環流量計42A、第2外循環流量計42B、及第3外循環流量計42C各者取得測定結果。
此處，參照圖1及圖3，針對基板處理裝置100對基板W進行處理之「第1狀態」進行說明。「第1狀態」表示於第1處理塔10A、第2處理塔10B及第3處理塔10C全部中對基板W進行處理之狀態。
具體而言，控制部61以於第1外循環配管41A中流動流量RA之處理液之方式，基於由第1外循環流量計42A測定到之處理液之流量，控制第1外循環調整閥43A。又，以於第2外循環配管41B中流動流量RB之處理液之方式，基於由第2外循環流量計42B測定到之處理液之流量，控制第2外循環調整閥43B。進而，以於第3外循環配管41C中流動流量RC之處理液之方式，基於由第3外循環流量計42C測定到之處理液之流量，控制第3外循環調整閥43C。
又，控制部61以於處理液配管32中流動特定流量RT之處理液之方式，基於由第1流量計36測定到之處理液之流量，控制第1調整閥52。特定流量RT為任意之流量，根據例如過濾器35之捕捉能力而預設。其結果，特定流量RT之處理液依序通過加熱器37及過濾器35。而後，於第1送回管51中流動流量RD之處理液。流量RD之處理液係自特定流量RT之處理液除去流量RA之處理液、流量RB之處理液及流量RC之處理液後之流量之處理液。
繼而，參照圖4，針對基板處理裝置100對基板W進行處理之「第2狀態」進行說明。圖4係實施形態1之基板處理裝置之示意圖。此外，圖4係顯示基板處理裝置100執行「第2狀態」之狀態之圖。又，以白色表示斷開之閥，以黑色表示閉合之閥。「第2狀態」表示在第1處理塔10A、第2處理塔10B、及第3處理塔10C中之任一處理塔10進行保養維修之狀態。於「第2狀態」下，例如，於第1處理塔10A與第2處理塔10B中對基板W進行處理，對第3處理塔10C進行保養維修。此外，可同時對複數個處理塔10進行保養維修。
具體而言，保養維修作業者等將第3處理塔10C中所含之所有開閉閥15閉合。而且，控制部61以於第1外循環配管41A中流動流量RA之處理液之方式，基於由第1外循環流量計42A測定到之處理液之流量，控制第1外循環調整閥43A。又，以於第2外循環配管41B中流動流量RB之處理液之方式，基於由第2外循環流量計42B測定到之處理液之流量，控制第2外循環調整閥43B。進而，以於第3外循環配管41C中不流動處理液之方式，基於由第3外循環流量計42C測定到之處理液之流量，控制第3外循環調整閥43C。
又，控制部61以於處理液配管32中流動特定流量RT之處理液之方式，基於由第1流量計36測定到之處理液之流量，控制第1調整閥52。其結果，特定流量RT之處理液依序通過加熱器37及過濾器35。而後，於第1送回管51中流動流量(RD+RC)之處理液。流量(RD+RC)之處理液係自特定流量RT之處理液去除流量RA之處理液、及流量RB之處理液後之流量之處理液。
以上，如圖1至圖4所示，針對本發明之實施形態1進行了說明。根據實施形態1，控制部61基於由第1流量計36測定到之處理液之流量，控制第1調整閥52。其結果，由於調整處理液配管32中流動之處理液之流量，故過濾器35可高效率地捕捉處理液中之複數個微粒。因此，可將微粒之含有量少之處理液供給至處理塔10。
又，控制部61以處理液配管32中流動之處理液之流量成為特定流量RT之方式，控制第1調整閥52之開度。其結果，由於在處理液配管32中流動特定流量RT之處理液，故過濾器35發揮特定之捕捉能力。因此，微粒之含有量可將更少之處理液供給至處理塔10。
而且，控制部61控制第1調整閥52之開度及外循環調整閥43之開度。其結果，由於在「第1狀態」或「第2狀態」下，於處理液配管32中流動特定流量RT之處理液，故過濾器35發揮特定之捕捉能力。因此，可對第3處理塔10C進行保養維修，且將微粒之含有量更少之處理液供給至第1處理塔10A及第2處理塔10B。
進而，加熱器37調整處理液配管32中流動之處理液之溫度。其結果，由於在「第1狀態」或「第2狀態」下，於處理液配管32中流動特定流量RT之處理液，故加熱器37可將處理液之溫度調整為一定溫度。因此，可將一定溫度之處理液供給至處理塔10。
繼而，參照圖5，說明實施形態1之基板處理方法。實施形態1之基板處理方法由參照圖1～圖4而說明之基板處理裝置100執行。圖5顯示由實施形態1之基板處理裝置100具備之控制部61進行之處理之流程圖。
如圖5所示，首先，控制部61以於第1外循環配管41A中流動流量RA之處理液之方式，基於由第1外循環流量計42A測定到之處理液之流量，控制第1外循環調整閥43A。又，以於第2外循環配管41B中流動流量RB之處理液之方式，基於由第2外循環流量計42B測定到之處理液之流量，控制第2外循環調整閥43B。進而，以於第3外循環配管41C中流動流量RC之處理液之方式，基於由第3外循環流量計42C測定到之處理液之流量，控制第3外循環調整閥43C。又，控制部61以於處理液配管32中流動特定流量RT之處理液之方式，基於由第1流量計36測定到之處理液之流量，控制第1調整閥52(步驟S101)。
控制部61判定由第1流量計36測定到之處理液之流量是否為特定流量RT(步驟S102)。於控制部61判定為由第1流量計36測定到之處理液之流量為特定流量RT時(步驟S102之是)，返回步驟S102。
另一方面，於控制部61判定為由第1流量計36測定到之處理液之流量非為特定流量RT時(步驟S102之否)，控制部61以由第1流量計36測定到之處理液之流量成為特定流量RT之方式，控制第1調整閥52(步驟S103)。於處理結束時，返回步驟S102。
[實施形態2]  參照圖6，針對本發明之實施形態2進行說明。圖6係實施形態2之基板處理裝置100之示意圖。此外，圖6係顯示基板處理裝置100執行「第3狀態」之狀態之圖。「第3狀態」表示於第1處理塔10A、第2處理塔10B及第3處理塔10C全部中對基板W進行處理，對至少1個處理單元11進行保養維修之狀態。惟，說明與實施形態1不同之事項，省略針對與實施形態1相同之事項之說明。
於「第3狀態」下，例如，於第1處理塔10A、第2處理塔10B及第3處理塔10C全部中對基板W進行處理，對第1處理塔10A中之1個處理單元11A進行保養維修。具體而言，保養維修作業者等將配置於第1供給管16AA之開閉閥15閉合。而且，控制部61以於第1外循環配管41A中流動流量(RA-Ra)之處理液之方式，基於由第1外循環流量計42A測定到之處理液之流量，控制第1外循環調整閥43A。又，以於第2外循環配管41B中流動流量RB之處理液之方式，基於由第2外循環流量計42B測定到之處理液之流量，控制第2外循環調整閥43B。進而，以於第3外循環配管41C中流動流量RC之處理液之方式，基於由第3外循環流量計42C測定到之處理液之流量，控制第3外循環調整閥43C。
又，控制部61以於處理液配管32中流動特定流量RT之處理液之方式，基於由第1流量計36測定到之處理液之流量，控制第1調整閥52。其結果，特定流量RT之處理液依序通過加熱器37及過濾器35。而後，於第1送回管51中流動流量(RD+Ra)之處理液。流量(RD+Ra)之處理液係自特定流量RT之處理液除去流量(RA-Ra)之處理液、流量RB之處理液及流量RC之處理液後之流量之處理液。
以上，如圖6所示，針對本發明之實施形態2進行了說明。根據實施形態2，控制部61基於由第1流量計36測定到之處理液之流量，控制第1調整閥52。其結果，由於在「第1狀態」或「第3狀態」下，於處理液配管32中流動特定流量RT之處理液，故過濾器35發揮特定之捕捉能力。因此，可對處理單元11進行保養維修，且將微粒之含有量更少之處理液供給至其他處理單元11。
[實施形態3]  參照圖7，針對本發明之實施形態3進行說明。圖7係實施形態3之基板處理裝置100之示意圖。此外，圖7係顯示基板處理裝置100執行「第3狀態」之狀態之圖。惟，說明與實施形態2不同之事項，省略針對與實施形態2相同之事項之說明。實施形態3基於具備第3送回管18之點與實施形態2不同。
如圖7所示，複數個處理單元11各者具有開閉閥19、及第3送回管18。開閉閥19為「切換部」之一例。開閉閥19切換自分支供給管16對於噴嘴14之處理液之供給與供給停止。開閉閥19例如為利用電力來控制開閉之馬達針閥。
第3送回管18自分支供給管16A分支。第3送回管18於較外循環調整閥43為下游側連接於外循環配管41。第3送回管18為具有供處理液流動之流通路之管狀構件。於開閉閥19閉合時，於第3送回管18中流動處理液。其結果，藉由使經加熱之處理液於第3送回管18中循環，而可維持噴嘴14之溫度。
具體而言，保養維修作業者等將連接於第1供給管16AA之噴嘴14之開閉閥19閉合。而且，控制部61，控制部61以於第1外循環配管41A中流動流量(RA-Raa)之處理液之方式，基於由第1外循環流量計42A測定到之處理液之流量，控制第1外循環調整閥43A。又，以於第2外循環配管41B中流動流量RB之處理液之方式，基於由第2外循環流量計42B測定到之處理液之流量，控制第2外循環調整閥43B。進而，以於第3外循環配管41C中流動流量RC之處理液之方式，基於由第3外循環流量計42C測定到之處理液之流量，控制第3外循環調整閥43C。
又，控制部61以於處理液配管32中流動特定流量RT之處理液之方式，基於由第1流量計36測定到之處理液之流量，控制第1調整閥52。其結果，特定流量RT之處理液依序通過加熱器37及過濾器35。而後，於第1送回管51中流動流量(RD+Raa)之處理液。流量(RD+Raa)之處理液係自特定流量RT之處理液除去流量(RA-Raa)之處理液、流量RB之處理液及流量RC之處理液後之流量之處理液。
以上，如圖7所示，針對本發明之實施形態3進行了說明。根據實施形態3，控制部61基於由第1流量計36測定到之處理液之流量，控制第1調整閥52。由於在「第1狀態」或「第3狀態」下，於處理液配管32中流動特定流量RT之處理液，故過濾器35發揮特定之捕捉能力。因此，可對處理單元11進行保養維修，且將微粒之含有量更少之處理液供給至其他處理單元11。
[實施形態4]  參照圖8及圖9，針對本發明之實施形態4進行說明。圖8係實施形態4之基板處理裝置1100之示意圖。圖9係實施形態4之基板處理裝置1100具備之處理塔1010之示意圖。惟，說明與實施形態1不同之事項，省略針對與實施形態1相同之事項之說明。
於實施形態4中，針對處理液為硫酸之情形進行說明。如圖8及圖9所示，處理液槽31儲存處理液。處理液包含例如硫酸。硫酸之黏度於低溫時為高，於高溫時變低。高黏度之液體有可能難以利用流量計高精度地測定出。
實施形態4就具備複數個外循環壓力計1042取代複數個外循環流量計42之點與實施形態1不同。具體而言，平台20進一步包含複數個外循環壓力計1042。複數個外循環壓力計1042各者為「第2流量部」之一例。複數個外循環壓力計1042例如包含第1外循環壓力計1042A、第2外循環壓力計1042B、及第3外循環壓力計1042C。
第1外循環壓力計1042A配置於第1外循環配管41A。具體而言，第1外循環壓力計1042A配置於較第1分支供給管16A為下游側。第1外循環壓力計1042A配置於較第1外循環調整閥43A為上游側。第1外循環壓力計1042A測定第1外循環配管41A中流動之處理液之壓力。
第2外循環壓力計1042B配置於第2外循環配管41B。具體而言，第2外循環壓力計1042B配置於較第2分支供給管16B為下游側。第2外循環壓力計1042B配置於較第2外循環調整閥43B為上游側。第2外循環壓力計1042B測定第2外循環配管41B中流動之處理液之壓力。
第3外循環壓力計1042C配置於第3外循環配管41C。具體而言，第3外循環壓力計1042C配置於較第3分支供給管16C為下游側。第3外循環壓力計1042C配置於較第3外循環調整閥43C為上游側。第3外循環壓力計1042C測定第3外循環配管41C中流動之處理液之壓力。
流體殼體1030進一步包含泵34、過濾器35、第1流量計36、加熱器37、及溫度計1038。第1流量計36、泵34、加熱器37、溫度計1038、及過濾器35依序自處理液配管32之上游向下游配置於處理液配管32。
溫度計1038測定處理液配管32中流動之處理液之溫度。
繼而，參照圖10，針對控制裝置1060進行說明。圖4係顯示基板處理裝置1100之方塊圖。如圖4所示，控制裝置1060包含控制部61、及記憶部1062。
記憶部1062記憶資料及電腦程式。資料包含表示處理液配管32中流動之處理液之溫度、配管中流動之處理液之壓力及配管中流動之處理液之流量之關係之第1資料。此外，資料可為藉由掌握泵34之轉速與配管中流動之處理液之流量之關係，來表示處理液配管32中流動之處理液之溫度、配管中流動之處理液之壓力、及泵34之轉速之關係之第2資料。
控制部61基於記憶於記憶部1062之電腦程式及資料，控制基板處理裝置100之各部之動作。例如，控制裝置1060係自第1流量計36、第1外循環壓力計1042A、第2外循環壓力計1042B、第3外循環壓力計1042C、及溫度計1038各者取得測定結果。控制裝置1060係基於第1資料，控制第1調整閥52、第1外循環調整閥43A、第2外循環調整閥43B、第3外循環調整閥43C、及泵34。具體而言，控制裝置1060對第1調整閥52、第1外循環調整閥43A、第2外循環調整閥43B、第3外循環調整閥43C、及泵34進行回饋控制。
以上，如圖8至圖10所示，針對本發明之實施形態4進行了說明。根據實施形態4，控制部61基於由第1流量計36測定到之處理液之流量，控制第1調整閥52。其結果，由於調整處理液配管32中流動之處理液之流量，故過濾器35可高效率地捕捉處理液中之複數個微粒。因此，可將微粒之含有量少之處理液供給至處理塔10。
又，實施形態4由於具備複數個外循環壓力計1042，故即便於處理液為高黏度之硫酸之情形下，亦可高精度地調整處理液配管32中流動之處理液之流量。因此，可將微粒之含有量少之處理液供給至處理塔10。
以上，參照圖式(圖1～圖10)，針對本發明之實施形態進行了說明。惟，本發明並非係限定於上述之實施形態者，可於不脫離該要旨之範圍內於各種態樣中實施。又，上述之實施形態所揭示之複數個構成要素可適宜改變。例如，可將某一實施形態所示之所有構成要素中之某一構成要素追加至另一實施形態之構成要素，或可自實施形態削除某一實施形態所示之所有構成要素中之若干個構成要素。
圖式係為了使發明易於理解，而於主體上示意性顯示各個構成要素，所圖示之各構成要素之厚度、長度、個數、間隔等具有因方便製作圖式上而與實際不同之情形。又，上述之實施形態所示之各構成要素之構成係一例，無特別限定，當然可於不實質上脫離本發明之效果之範圍內進行各種變更。
(1)例如，於「第2狀態」下，於第1處理塔10A與第2處理塔10B中，對基板W進行處理，對第3處理塔10C進行保養維修，但無特別限定。於「第2狀態」下，可執行於第1處理塔10A、第2處理塔10B及第3處理塔10C中執行對基板W進行處理之準備作為保養維修。
具體而言，將所有開閉閥15閉合。而且，控制部61以於第1外循環配管41A中不流動處理液之方式，基於由第1外循環流量計42A測定到之處理液之流量，控制第1外循環調整閥43A。又，以於第2外循環配管41B中不流動處理液之方式，基於由第2外循環流量計42B測定到之處理液之流量，控制第2外循環調整閥43B。進而，以於第3外循環配管41C中不流動處理液之方式，基於由第3外循環流量計42C測定到之處理液之流量，控制第3外循環調整閥43C。
又，控制部61以於處理液配管32中流動特定流量RT之處理液之方式，基於由第1流量計36測定到之處理液之流量，控制第1調整閥52。其結果，特定流量RT之處理液依序通過加熱器37及過濾器35。而後，於第1送回管51中流動流量(RD+RA+RB+RC)之處理液。
(2)例如，第1送回管51之下游端連接於處理液槽31，但無特別限定。第1送回管51之下游端可連接於外循環配管41之下游端。
(3)例如，第1流量計36、泵34、加熱器37、及過濾器35依序自處理液配管32之上游向下游配置於處理液配管32，但無特別限定。第1流量計36可配置於處理液配管32之任意之位置。
(4)例如，外循環調整閥43於較分支供給管16為下游側配置於外循環配管41，但無特別限定。外循環流量計42可於較分支供給管16為上游側配置於外循環配管41。
(5)例如，保養維修作業者操作開閉閥15與開閉閥19，但無特別限定。控制裝置60可控制開閉閥15與開閉閥19。
(6)例如，流體殼體30包含第1流量計36，但無特別限定。流體殼體30可包含第1壓力計取代第1流量計36。  [產業上之可利用性]
本發明於對基板進行處理領域中是有用的。
10:處理塔 10A:第1處理塔 10B:第2處理塔 10C:第3處理塔 11:處理單元 11A:第1處理單元/處理單元 11B:第2處理單元 11C:第3處理單元 12:腔室 13:旋轉卡盤 14:噴嘴 15:開閉閥 16:分支供給管 16A:第1分支供給管 16AA:第1供給管 16AB:第2供給管 16AC:第3供給管 16B:第2分支供給管 16C:第3分支供給管 18:第3送回管 19:開閉閥 20:平台 30,1030:流體殼體 31:處理液槽(儲存部) 32:處理液配管 34:泵 35:過濾器 36:第1流量計 37:加熱器 41:外循環配管(第2送回管) 41A:第1外循環配管 41B:第2外循環配管 41C:第3外循環配管 42:外循環流量計(第2流量計)/第2流量部 42A:第1外循環流量計 42B:第2外循環流量計 42C:第3外循環流量計 43:第3外循環流量計(第2調整閥) 43A:第1外循環調整閥 43B:第2外循環調整閥 43C:第3外循環調整閥 51:第1送回管 52:第1調整閥 60,1060:控制裝置 61:控制部 62,1062:記憶部 100,1100:基板處理裝置 1010:處理塔 1038:溫度計 1042:外循環壓力計 1042A:第1外循環壓力計 1042B:第2外循環壓力計 1042C:第3外循環壓力計 W:基板
圖1係本發明之實施形態1之基板處理裝置之示意圖。  圖2係實施形態1之基板處理裝置具備之處理塔之示意圖。  圖3係顯示實施形態1之基板處理裝置之方塊圖。  圖4係實施形態1之基板處理裝置之示意圖。  圖5係顯示由實施形態1之基板處理裝置具備之控制部進行之處理之流程圖。  圖6係本發明之實施形態2之基板處理裝置具備之處理塔之示意圖。  圖7係本發明之實施形態3之基板處理裝置具備之處理塔之示意圖。  圖8係本發明之實施形態4之基板處理裝置之示意圖。  圖9係實施形態4之基板處理裝置具備之處理塔之示意圖。  圖10係顯示實施形態4之基板處理裝置之方塊圖。
10:處理塔
10A:第1處理塔
10B:第2處理塔
10C:第3處理塔
16:分支供給管
16A:第1分支供給管
16B:第2分支供給管
16C:第3分支供給管
20:平台
30:流體殼體
31:處理液槽(儲存部)
32:處理液配管
34:泵
35:過濾器
36:第1流量計
37:加熱器
41:外循環配管(第2送回管)
41A:第1外循環配管
41B:第2外循環配管
41C:第3外循環配管
42:外循環流量計(第2流量計)/第2流量部
42A:第1外循環流量計
42B:第2外循環流量計
42C:第3外循環流量計
43:第3外循環流量計(第2調整閥)
43A:第1外循環調整閥
43B:第2外循環調整閥
43C:第3外循環調整閥
51:第1送回管
52:第1調整閥
100:基板處理裝置

Claims (9)

  1. 一種基板處理裝置，其包含：  處理單元，其以處理液對基板進行處理；  儲存部，其儲存前述處理液；  處理液配管，其連接於前述儲存部，供前述處理液流動；  泵，其配置於前述處理液配管，自前述儲存部將前述處理液供給至前述處理液配管；  過濾器，其配置於前述處理液配管，捕捉前述處理液中之微粒；  第1流量部，其配置於前述處理液配管，測定前述處理液配管中流動之前述處理液之流量或壓力；  第1送回管，其連接於前述處理液配管之下游端，向前述儲存部送回前述處理液；  第1調整閥，其配置於前述第1送回管，調整前述第1送回管中流動之前述處理液之流量；  第2送回管，其連接於前述處理液配管之下游端，將前述處理液送回前述儲存部；  分支供給管，其自前述第2送回管分支，向前述處理單元供給前述處理液；  第2流量部，其測定前述第2送回管中流動之前述處理液之流量或壓力；及  控制部，其基於由前述第1流量部測定到之前述處理液之前述流量或前述壓力，控制前述第1調整閥之開度。
  2. 一種基板處理裝置，其包含：  處理單元，其以處理液對基板進行處理；  儲存部，其儲存前述處理液；  處理液配管，其連接於前述儲存部，供前述處理液流動；  泵，其配置於前述處理液配管，自前述儲存部將前述處理液供給至前述處理液配管；  過濾器，其配置於前述處理液配管，捕捉前述處理液中之微粒；  第1流量計，其配置於前述處理液配管，測定前述處理液配管中流動之前述處理液之流量；  第1送回管，其連接於前述處理液配管之下游端，向前述儲存部送回前述處理液；  第1調整閥，其配置於前述第1送回管，調整前述第1送回管中流動之前述處理液之流量；  第2送回管，其連接於前述處理液配管之下游端，將前述處理液送回前述儲存部；  分支供給管，其自前述第2送回管分支，向前述處理單元供給前述處理液；  第2流量計，其配置於前述第2送回管，位於較前述分支供給管為上游側，測定前述分支供給管中流動之前述處理液之流量；及  控制部，其基於由前述第1流量計測定到之前述處理液之流量，控制前述第1調整閥之開度。
  3. 如請求項1之基板處理裝置，其中前述第2流量部配置於前述第2送回管，位於較前述分支供給管為下游側，測定前述第2送回管中流動之前述處理液之壓力。
  4. 如請求項1之基板處理裝置，其中前述控制部以前述處理液配管中流動之前述處理液之流量成為特定流量之方式，控制前述第1調整閥之開度。
  5. 如請求項4之基板處理裝置，其進一步包含配置於前述處理液配管之調溫器，且  前述調溫器調整前述處理液配管中流動之前述處理液之溫度。
  6. 如請求項5之基板處理裝置，其進一步包含第2調整閥，該第2調整閥配置於前述第2送回管，調整前述第2送回管中流動之前述處理液之流量；且  前述控制部控制前述第1調整閥之開度及前述第2調整閥之開度。
  7. 如請求項6之基板處理裝置，其進一步包含溫度計，該溫度計配置於前述處理液配管，測定前述處理液配管中流動之前述處理液之溫度；且  前述控制部基於由前述溫度計測定到之前述處理液之溫度，控制前述第2調整閥之開度。
  8. 如請求項6或7之基板處理裝置，其中前述處理單元包含：  噴嘴，其配置於前述分支供給管之下游端；  切換部，其切換自前述分支供給管對於前述噴嘴之前述處理液之供給與供給停止；及  第3送回管，其自前述分支供給管分支，於較前述第2調整閥為下游側連接於前述第2送回管。
  9. 一種基板處理方法，其係用於基板處理裝置者，且前述基板處理裝置包含：  處理單元，其以處理液對基板進行處理；  儲存部，其儲存前述處理液；  處理液配管，其連接於前述儲存部，供前述處理液流動；  泵，其配置於前述處理液配管；  過濾器，其配置於前述處理液配管；  第1流量部，其配置於前述處理液配管；  第1送回管，其連接於前述處理液配管之下游端，向前述儲存部送回前述處理液；  第1調整閥，其配置於前述第1送回管，調整前述第1送回管中流動之前述處理液之流量；  第2送回管，其連接於前述處理液配管之下游端，將前述處理液送回前述儲存部；  分支供給管，其自前述第2送回管分支，向前述處理單元供給前述處理液；及  第2流量部，其配置於前述第2送回管；且  前述基板處理方法包含下述步驟：  自前述儲存部將前述處理液供給至前述處理液配管；  捕捉前述處理液中之微粒；  測定前述處理液配管中流動之前述處理液之流量或壓力；  測定前述第2送回管中流動之前述處理液之流量或壓力；及  基於由前述第1流量部測定到之前述處理液之前述流量或前述壓力，控制前述第1調整閥之開度。
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