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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
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- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
- H01L27/1274—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor
- H01L27/1285—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor using control of the annealing or irradiation parameters, e.g. using different scanning direction or intensity for different transistors
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66537—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET using a self aligned punch through stopper or threshold implant under the gate region
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
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- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
- H01L29/78621—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure with LDD structure or an extension or an offset region or characterised by the doping profile
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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- G—PHYSICS
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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- H01L29/78633—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with a light shield
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- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
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Description
体装置およびその作製方法に関する。例えば、液晶表示パネルに代表される電気光学装置
およびその様な電気光学装置を部品として搭載した電子装置に関する。尚、本明細書中に
おいて半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指し、電気光
学装置、半導体回路および電子装置は全て半導体装置の範疇に含まれるものとする。
術が開発されている。TFTは液晶表示装置のスイッチング素子として実用化が進み、最
近ではCMOS回路を形成し、ガラスなどの基板上に集積回路を形成することも可能とな
っている。
、画素電極の各々に接続するスイッチング素子としてTFTを用いたアクティブマトリク
ス型液晶表示装置が主流となりつつある。このアクティブマトリクス型液晶表示装置には
、大別して透過型と反射型の二種類が知られている。
特に、反射型の液晶表示装置は、透過型の液晶表示装置と比較して、バックライトを使用
しないため、消費電力が少ないといった長所を有し、携帯型情報端末やビデオカメラ用の
直視型表示装置としての需要が高まっている。
射光が画素電極で反射して装置外部に出力される状態と、入射光が装置外部に出力されな
い状態とを選択し、明と暗の表示を行わせ、さらにそれらを組み合わせることで画像表示
を行うものである。一般に反射型の液晶表示装置における画素電極は、アルミニウムや銀
などの光反射率の高い導電性材料を用いている。
細化する。その結果、画素部においてTFT、ソース配線、ゲート配線などが占める面積
の割合が大きくなり、開口率が低下してしまう。従って、規定の画素サイズの中で各画素
の高開口率を得るためには、画素の回路構成に必要な回路要素を効率よくレイアウトする
ことが不可欠となってくる。
を効率よく配置することが不可欠となる。
電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数
を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表
示装置を提供することを目的とする。
し、さらに画素と画素との間から漏洩する光を遮断する構造を特徴としている。そのよう
な構造を有する本発明の構成は、絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート
電極及びソース配線上の第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上の半導体膜と、前記半導体
膜上の第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、
前記ソース配線と前記半導体膜とを接続する接続電極と、前記半導体膜と接続する画素電
極とを有することを特徴としている。
配線と、前記第1及び第2のゲート電極とソース配線上の第1の絶縁膜と、前記第1の絶
縁膜上に、ソース領域及びドレイン領域とチャネル形成領域とを有る第1の半導体膜と、
前記第2のゲート電極と重なる第2の半導体膜と、前記第1及び第2の半導体膜上の第2
の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース
配線と前記ソース領域と接続する接続電極と、前記ドレイン領域と前記第2の半導体膜と
に接続する画素電極とを有することを特徴としている。
成することにより、遮光膜を兼ねることができ、画素部において画素電極が占める面積の
割合を大きくすることができる。
と、前記ゲート電極上に第1の絶縁膜を形成する第2の工程と、前記第1の絶縁膜上に半
導体膜を形成する第3の工程と、前記半導体膜上に第2の絶縁膜を形成する第4の工程と
、前記第2の絶縁膜上に、前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース配線と前
記半導体膜とを接続する接続電極と、前記半導体膜と接続する画素電極とを形成する第5
の工程とを有することを特徴としている。
と、前記ゲート電極上に第1の絶縁膜を形成する第2の工程と、前記第1の絶縁膜上に半
導体膜を形成する第3の工程と、前記半導体膜にソース領域及びドレイン領域を形成する
第4の工程と、前記半導体膜上に第2の絶縁膜を形成する第5の工程と、前記第2の絶縁
膜上に、前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース配線と前記ソース領域とを
接続する接続電極と、前記ドレイン領域と接続する画素電極とを形成する第6の工程とを
有することを特徴としている。
配線を形成する第1の工程と、前記第1及び第2のゲート電極上に第1の絶縁膜を形成す
る第2の工程と、前記第1の絶縁膜上に、前記第1のゲート電極と重なる第1の半導体膜
と、前記第2のゲート電極と重なる第2の半導体膜とを形成する第3の工程と、前記第1
の半導体膜にソース領域及びドレイン領域を形成する第4の工程と、前記半導体膜上に第
2の絶縁膜を形成する第5の工程と、前記第2の絶縁膜上に、前記ゲート電極と接続する
ゲート配線と、前記ソース配線と前記ソース領域とを接続する接続電極と、前記ドレイン
領域と前記第2の半導体膜と接続する画素電極とを形成する第6の工程とを有することを
特徴としている。
ース配線が遮光膜を兼ねる画素構造を形成することが可能となり、画素部において画素電
極が占める面積の割合を大きくすることができる。
が可能となり、反射型のアクティブマトリクス型液晶表示装置において開口率を向上させ
ることができる。その結果、反射型の液晶表示装置のいずれにおいても明るく鮮明な画像
表示を可能とする。
配置されたゲート配線235と、列方向に配置されたソース配線207と、ゲート配線と
ソース配線の交差部に対応して設けた画素TFTと、該画素TFTに接続する画素電極と
から構成されている。
形成され、第1の絶縁膜を介して半導体膜212が形成されている。ソース配線207は
、ゲート電極204と同じ絶縁表面上に形成されている。ゲート配線235と画素電極2
36は、半導体膜212上に形成された第2の絶縁膜の上に形成されている。そして、ゲ
ート配線235及び画素電極236は、コンタクトホールを介してゲート電極204及び
半導体膜212とそれぞれ接続している。また、ソース配線207と半導体膜212は、
ゲート配線235と同じ層に形成された接続配線234により接続されている。
部分(TFTにおいてチャネルが形成される部分)を、ゲート配線235で覆い遮光する
ことができる。また、また、半導体膜212のそれ以外の領域も遮光される構造とするこ
とが望ましい。また、図1ではゲート電極が櫛形となり複数のチャネル形成領域が存在す
るTFT構造を示しているが、チャネル形成領域と他のチャネル形成領域との間に存在す
る領域もゲート配線235によって遮光することが望ましい。
の電極としての機能を有している。一つの画素は、半導体膜212と接続する画素電極2
36により形成されるが、画素電極236はまた半導体膜213と接続している。半導体
膜213は容量を形成するための一方の電極として形成され、ゲート電極205と一対と
なって保持容量を形成する。この場合、半導体膜213にはp型の不純物(アクセプタ)
が添加される。このような構成において保持容量は画素電極236と重なって形成されて
いる。
るので、隣接する画素電極242との間から漏洩する光を遮光することができる。
必要とされるフォトマスクの数は、ゲート電極形成用の第1のフォトマスク、半導体膜形
成用の第2のフォトマスク、画素TFTのLDD領域形成用の第3のフォトマスク、コン
タクトホール形成用の第4のフォトマスク、ゲート配線と画素電極と接続配線形成用の第
5のフォトマスクであり、5枚のフォトフォトマスクで画素部形成することができる。画
素部の周辺にnチャネル型TFTとpチャネル型TFTから成るCMOS回路を応用した
駆動回路を形成する場合には、nチャネル型TFTを覆うためのフォトマスクが追加され
る。以上のように、図1に示す画素構造とした場合、少ないマスク数で画素開口率の高い
反射型液晶表示装置を実現することができる。
マスクを1枚追加して透明電極を所定のパターンに形成すれば、透過型の液晶表示装置を
作製することもできる。以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例によりさら
に詳細な説明を行う。
ャネル型TFT及びpチャネル型TFT)を同時に作製する方法について是面を参照しな
がら説明する。
などに代表されるバリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどのガ
ラスからなる基板201上に、好適には、モリブデン(Mo)
、タングステン(W)、タンタル(Ta)から選ばれた一種または複数種を成分とする導
電膜からゲート電極202〜204、ソース配線206、207、画素部の保持容量を形
成するための容量配線205を形成する。例えば、低抵抗化と耐熱性の観点からはMoと
Wの合金は適している。また、アルミニウムを用い、表面を酸化処理してゲート電極を形
成しても良い。
ましくは250nmの厚さで形成し、その上層に形成する被膜の被覆性(ステップカバレー
ジ)を向上させるために、端部をテーパー形状となるように形成する。テーパー部の角度
は5〜30度、好ましくは15〜25度で形成する。
テーパー部はドライエッチング法で形成され、エッチングガスと基板側に印加するバイア
ス電圧により、その角度を制御する。
07、画素部の保持容量を形成するための容量配線205を覆う第1の絶縁膜208を形
成する。第1の絶縁膜208はプラズマCVD法またはスパッタ法を用い、その厚さを4
0〜200nmとしてシリコンを含む絶縁膜で形成する。例えば、50nmの厚さの窒化シリ
コン膜208aと、120nmの厚さの酸化シリコン膜208bから第1の絶縁膜208を
形成する。その他に、プラズマCVD法でSiH4、N2O、NH3から作製される酸化窒
化シリコン膜(SiOxNy)を適用してもよい。
のであるが、基板201からアルカリ金属などの不純物が半導体膜に拡散するのを防ぐブ
ロッキング層としての機能も有している。
0nm、好ましくは40〜60nmの厚さで形成する。多結晶半導体の材料に限定はないが、
代表的にはシリコンまたはシリコンゲルマニウム(SiGe)
合金などで形成すると良い。多結晶半導体は、プラズマCVD法やスパッタ法で作製され
る非晶質構造を有する半導体をレーザー結晶化法や熱結晶化法を用いて結晶化させて得る
。
キシマレーザーやYAGレーザー、YVO4レーザー、YLFレーザーを用いる。これら
のレーザーを用いる場合には、レーザー発振器から放射されたレーザー光を光学系で線状
に集光し半導体膜に照射する方法を採用する。結晶化の条件は実施者が適宣選択するもの
であるが、エキシマレーザーを用いる場合はパルス発振周波数30Hzとし、レーザーエネ
ルギー密度を100〜400mJ/cm2(代表的には200〜300mJ/cm2)とする。また、Y
AGレーザーを用いる場合にはその第2高調波を用いパルス発振周波数1〜10kHzとし
、レーザーエネルギー密度を300〜600mJ/cm2(代表的には350〜500mJ/cm2)と
すると良い。そして幅100〜1000μm、例えば400μmで線状に集光したレーザー
光を基板全面に渡って照射し、この時の線状レーザー光の重ね合わせ率(オーバーラップ
率)を80〜98%として行う。
表されるp型の不純物(アクセプタ)を1×1016〜5×1017/cm3の濃度で添加してお
いても良い。
に形成する。図4(C)は島状に分割された半導体膜210〜213を示す。半導体膜2
10〜212は、ゲート電極202、204と一部が重なるように形成する。図2はこの
状態における画素部の上面図を示し、図中に示すA−A'線に対応する断面が、図4(C
)に対応している。
成る絶縁膜を100〜200nmの厚さに形成する。図4(D)は、ゲート電極をマスクと
する裏面からの露光プロセスにより、自己整合的にチャネル保護膜とする第3の絶縁層2
14〜218を半導体膜210〜212上に形成する。
第1のドーピング工程を行う。ドーピングの方法はイオンドープ法若しくはイオン注入法
で行えば良い。n型の不純物(ドナー)としてリン(P)を添加し、第3の絶縁層215
〜218をマスクとして形成される第1の不純物領域219〜222を形成する。この領
域のドナー濃度は1×1016〜2×1017/cm3の濃度とする。
工程であり、図5(A)で示すように第3のフォトマスクを用いて、レジストによるマス
ク223〜225を形成する。マスク224、225はnチャネル型TFTのLDD領域
を覆って形成され、第2の不純物領域226〜228には1×1020〜1×1021/cm3の
濃度範囲でドナー不純物を添加する。
酸によるエッチング処理を行い、第3の絶縁層214、218を除去しておくと好ましい
。
ドーピング処理により行い、イオンドープ法やイオン注入法でp型の不純物(アクセプタ
)を添加して第3の不純物領域230、231を形成する。この領域のp型の不純物濃度
は2×1020〜2×1021/cm3となるようにする。この工程において、半導体膜213に
もp型の不純物を添加しておく。
2の絶縁膜を複数の絶縁膜で形成する。半導体膜上に形成する第2の絶縁膜の第1層目2
32は水素を含有する窒化シリコン膜または窒化酸化シリコン膜から成る無機絶縁物で5
0〜200nmの厚さに形成する。その後、それぞれの半導体膜に添加された不純物を活性
化する工程を行う。この工程はファーネスアニール炉を用いる熱アニール法で行う。その
他に、レーザーアニール法、またはラピッドサーマルアニール法(RTA法)を適用する
ことができる。熱アニール法は窒素雰囲気中で400〜600℃、代表的には450〜5
00℃で行1〜4時間の熱処理を行う。
シリコン膜または窒化酸化シリコン膜の水素が放出され、半導体膜の水素化を行うことが
できる。この工程は水素により半導体膜のダングリングボンドを終端する工程である。水
素化をより効率よく行う手段として、第2の絶縁膜の第1層目232を形成する前にプラ
ズマ水素化(プラズマにより励起された水素を用いる)を行っても良い。
絶縁物材料で形成し表面を平坦化する。勿論、プラズマCVD法でTEOS(Tetraethyl
Ortho Silicate)を用いて形成される酸化シリコン膜を適用しても良いが、平坦性を高
める観点からは前記有機物材料を用いることが望ましい。
ォトマスクを用いてアルミニウム(Al)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)などを用
いて、駆動回路305において接続電極234及びソースまたはドレイン配線235〜2
36を形成する。また、画素部306において、画素電極240、ゲート配線239、接
続電極238を形成する。
する駆動回路305と、画素TFT303と保持容量304を有する画素部306が形成
される。駆動回路305のpチャネル型TFT301には、チャネル形成領域307、第
3の不純物領域から成るソースまたはドレイン領域308が形成されている。nチャネル
型TFT302には、チャネル形成領域309、第1の不純物領域から成るLDD領域3
10、第2の不純物領域から成るソースまたはドレイン領域311が形成されている。画
素部306の画素TFT303は、マルチゲート構造であり、チャネル形成領域312、
LDD領域313、ソースまたはドレイン領域314、316が形成される。LDD領域
313の間に位置する第2の不純物領域は、オフ電流を低減するために有用である。保持
容量304は、容量配線205と半導体膜213とその間に形成される第1の絶縁膜とか
ら形成されている。
3のソースまたはドレイン領域314と電気的な接続が形成される。また、ゲート配線2
39は、第1の電極と電気的な接続が形成される。また、画素電極240は、画素TFT
303のソースまたはドレイン領域316及び保持容量304の半導体膜213と接続し
ている。
ある。また、図1において示すB−B'線及びC−C'線に沿った断面図は、それぞれ図6
(B)と(C)に示されている。図6(B)はゲート電極204とゲート配線239のコ
ンタクト部を説明する図である。ゲート電極204は隣接する画素の保持容量の一方の電
極を兼ね、画素電極245と接続する半導体膜244と重なる部分で容量を形成している
。また、図6(C)はソース配線207と画素電極240及び隣接する画素電極246と
の配置関係を示し、画素電極の端部をソース配線207上に設け、重なり部を形成するこ
とにより、迷光を遮り遮光性を高めている。また、図3はこのような画素の等価回路を示
している。尚、本明細書中ではこのような基板を便宜上アクティブマトリクス基板と呼ぶ
。
ト電極とオーバーラップするLDD領域を裏面露光のプロセスにより自己整合的に形成で
きることにあり、ゲート絶縁膜と半導体膜を連続形成できる特徴と相まってTFTの特性
ばらつきを小さくすることができる。
上面図と、その図中に示すD−D'線に対応する断面図を図7で示して説明する。図7に
おいて、画素部422の画素TFT420は基板401上にゲート電極402、第1の絶
縁膜405、半導体膜406、チャネル保護膜408、第2の絶縁膜409、410ソー
ス配線404、ゲート配線412、接続配線411、画素電極413から成っている。ま
た、保持容量421は、容量配線403と半導体膜407とその間に形成されている第1
の絶縁膜405から成り、これらの構成は図6(A)で示す画素TFT303、保持容量
304と同様な構成である。
419が形成されている。図では便宜上3つの島状領域を示すが、大きさを5〜10μm
、ピッチを10〜20μmとして形成する。それぞれの島状領域は、ゲート電極402と
同じ膜を用いて形成される第1の層417a〜419a、半導体膜406と同じ層から形成
される第2の層417b〜419b、第3の絶縁層408と同じ層から形成される第3の
層417c〜419cから成っている。これらの層はそれそれ別の工程でエッチング形成
されるため、端部は一致せず、上層に行くに従って小さくなるように形成する。
縁膜410は下地の凹凸を反映したものとするため、粘度が10〜1000cp(好ましく
は、40〜200cp)のものを塗布して焼成し、表面に凹凸形状が形成されるものを用い
る。有機樹脂材料から成る層を形成することにより、表面は曲率をもったなだらかな凹凸
形状が形成され、その曲率半径を0.1〜4μmとなるようにする。図8では島状領域を
円形で示したが、形状はこれに限定される必要はなく、任意の多角形とすることができる
。このような画素の構成とすることにより、反射型の液晶表示装置において鏡面反射が防
止され、特に白表示のときの表示品位を向上させることができる。
を透明導電膜で形成することにより透過型の表示装置を形成することができる。図9に示
す画素部386の画素TFT383は、実施例1で説明する画素TFT303と同様にし
て作製されるものであり、本実施例ではその相違点について述べる。
続電極と同時に第1の画素電極250、251を形成する。第1の画素電極250は画素
TFT383の半導体膜と接続し、251は保持容量384を形成する半導体膜と接続し
ている。その後、透明導電膜252を形成し画素電極とする。
n2O3―SnO2;ITO)などをスパッタ法や真空蒸着法などを用いて形成する。この
ような材料のエッチング処理は塩酸系の溶液により行う。また、ITOのエッチングは残
渣が発生しやすいので、エッチング加工性を改善するために酸化インジウム酸化亜鉛合金
(In2O3―ZnO)を用いても良い。酸化インジウム酸化亜鉛合金は表面平滑性に優れ
、ITOに対して熱安定性にも優れている。同様に、酸化亜鉛(ZnO)も適した材料で
あり、さらに可視光の透過率や導電率を高めるためにガリウム(Ga)を添加した酸化亜
鉛(ZnO:Ga)などを用いることができる。
基板を5枚のフォトマスクにより作製したが、さらに1枚のフォトマスクの追加(合計6
枚)で、透過型の液晶表示装置に対応したアクティブマトリクス基板を完成させることが
できる。
ス型液晶表示装置を作製する工程を説明する。図10はアクティブマトリクス基板と対向
基板454とをシール材458で貼り合わせた状態を示している。最初に、図6(A)の
状態のアクティブマトリクス基板上に柱状のスペーサ451、452を形成する。画素部
に設けるスペーサ451は画素電極上のコンタクト部に重ねて設ける。スペーサは用いる
液晶材料にも依存するが、3〜10μmの高さとする。コンタクト部では、コンタクトホ
ールに対応した凹部が形成されるので、この部分に合わせてスペーサを形成することによ
り液晶の配向の乱れを防ぐことができる。その後、配向膜453を形成しラビング処理を
行う。対向基板454には透明導電膜455、配向膜456を形成する。その後、アクテ
ィブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせ液晶を注入する。
的に示す。アクティブマトリクス基板650は、画素部653、走査線側駆動回路652
、信号線側駆動回路651、外部入力端子654、外部入力端子から各回路の入力部まで
を接続する配線659などが形成されている。対向基板655にはアクティブマトリクス
基板650の画素部及び駆動回路が形成されている領域に対応して対向電極656が形成
されている。このようなアクティブマトリクス基板650と対向基板655とはシール材
657を介して貼り合わせ、液晶を注入してシール材657の内側に液晶層658を設け
る。さらに、アクティブマトリクス基板650の外部入力端子654にはFPC(フレキ
シブルプリント配線板:Flexible Printed Circuit)660を貼り付ける。FPC660
の接着強度を高めるために補強板659を設けても良い。
示装置として用いることができる。また、本実施例で示すアクティブマトリクス型液晶表
示装置の作製方法は、実施例2又は実施例3のアクティブマトリクス基板を用いる場合に
おいても同様に適用することができる。
クス型液晶表示装置を直視型の表示装置として用いる例を示す。アクティブマトリクス基
板1203には画素部1201及び駆動回路部1202が形成され、シール材1206に
より対向基板1204が接着され、その間に液晶層1205が形成されている。
07上にフロントライトシステム1208を設ける。反射型液晶表示装置は、昼間明るい
場所では外光を利用して画像の表示を行うが、夜間など十分な外光を導入できない場合に
は、フロントライトを用いて表示を行う方式を採用することができる。いずれにしても、
本発明の画素構造とすることにより、画素部における画素電極の占める割合が大きくなり
、明るい画像表示を実現することができる。また、フロントライトを用いる場合には、照
射する光の強度を小さくすることができ、このような液晶表示装置を組み込んだ電子装置
の消費電力を少なくすることができる。このような本実施例に構成は、実施例4で作製さ
れるアクティブマトリクス型液晶表示装置に適用することができる。
ンス(EL:Electro Luminescence)材料を用いた自発光型の表示装置(以下、EL表示
装置と記す)に適用する場合について説明する。尚、エレクトロルミネッセンス材料にお
ける発光には、蛍光と燐光とによる発光の両方があり、本実施例でいう発光にはそのいず
れか一方、またはその両方による発光を含んでいる。
2、保持容量703が形成されている様子を示す。これらのTFTは実施例1と同様の工
程で作製される。スイッチング用TFT701はnチャネル型TFTであり、ゲート電極
751上の半導体膜755にチャネル形成領域704、LDD領域705、ソースまたは
ドレイン領域706を有している。そして、半導体膜755はソース配線753と接続電
極761により接続されている。
756にチャネル形成領域707、ソースまたはドレイン領域708を有している。そし
て、電流制御用TFT202のソース側は電源線764と接続し、ドレイン側はドレイン
電極765と接続している。さらに、ドレイン電極765には透明導電膜で形成される画
素電極766が接続している。また、容量配線752と半導体膜756とが重なる領域に
おいて保持容量703が形成される。
と同様のものとする。
4において示すF−F'線及びG−G'線に沿った断面図は、それぞれ図13(B)と(C
)に示されている。図13(B)はスイッチング用TFT701のゲート電極751とゲ
ート配線772のコンタクト部を説明する図である。
また、図13(C)はソース配線753と画素電極767及び隣接する画素電極771と
の配置関係を示し、画素電極の端部をソース配線753上に設け、重なり部を形成するこ
とにより遮光性を高めている。
され、その上にエレクトロルミネッセンスを発現させる有機化合物層が形成される。溶液
塗布によりポリビニルカルバゾールなどの材料でなる発光層、カリウムアセチルアセトネ
ート(acacKと表記される)でなる電子注入層を含む有機化合物層768、769が
形成される。その上にはアルミニウム合金でなる陰極770が形成される。この場合、陰
極770がパッシベーション膜としても機能する。こうして陽極、有機化合物層、陰極か
ら成る自発光型のEL素子が形成される。本実施例の場合、発光層768で発生した光は
アクティブマトリクス基板の方に向かって放射される。
の表示装置においても開口率を向上させることができる。その結果、明るく鮮明な画像表
示を可能とする。
導体装置には、携帯情報端末(電子手帳、モバイルコンピュータ、携帯電話等)、ビデオ
カメラ、スチルカメラ、パーソナルコンピュータ、テレビ等が挙げられる。それらの一例
を図15と図16に示す。
03、表示装置2904、操作スイッチ2905、アンテナ2906から構成されている
。本発明は表示装置2904に適用することができ、特に、実施例5で示す反射型の液晶
表示装置は低消費電力化の観点から適している。
103、操作スイッチ9104、バッテリー9105、受像部9106から成っている。
本発明は表示装置9102に適用することができる。特に、実施例5で示す反射型の液晶
表示装置は低消費電力化の観点から適している。
メラ部9202、受像部9203、操作スイッチ9204、表示装置9205で構成され
ている。本発明は表示装置9205に適用することができる。
特に、実施例5で示す反射型の液晶表示装置は低消費電力化の観点から適している。
403、受信装置9404、増幅装置9405等で構成される。本発明は表示装置940
3に適用することができる。特に、実施例5で示す反射型の液晶表示装置は低消費電力化
の観点から適している。
体9504、操作スイッチ9505、アンテナ9506から構成されており、ミニディス
ク(MD)やDVDに記憶されたデータや、アンテナで受信したデータを表示するもので
ある。直視型の表示装置9502、9503は特に、実施例5で示す反射型の液晶表示装
置は低消費電力化の観点から適している。
表示装置9603、キーボード9604で構成される。本発明は表示装置9603に適用
することができる。特に、実施例5で示す反射型の液晶表示装置は低消費電力化の観点か
ら適している。
ーヤーであり、本体9701、表示装置9702、スピーカ部9703、記録媒体970
4、操作スイッチ9705で構成される。なお、この装置は記録媒体としてDVD(Di
gtial Versatile Disc)、CD等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲー
ムやインターネットを行うことができる。本発明は表示装置9702に適用することがで
きる。特に、実施例5で示す反射型の液晶表示装置は低消費電力化の観点から適している
。
03、操作スイッチ9804、受像部(図示しない)で構成される。本発明は表示装置9
802に適用することができる。特に、実施例5で示す反射型の液晶表示装置は低消費電
力化の観点から適している。
Claims (2)
- 第1の導電層及び第2の導電層を有し、
前記第1の導電層上方及び前記第2の導電層上方に、第1の絶縁膜を有し、
前記第1の絶縁膜上方に、半導体膜を有し、
前記半導体膜上方に、第2の絶縁膜を有し、
前記第2の絶縁膜上方に、第3の導電層と、第4の導電層と、を有し、
トランジスタは、前記第1の導電層と、前記第1の絶縁膜と、前記半導体膜と、を有し、
前記第1の導電層は、前記トランジスタのゲート電極となる機能を有し、
前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第4の導電層を介して、前記第2の導電層と電気的に接続され、
前記第1の導電層は、前記第3の導電層と電気的に接続され、
前記トランジスタのチャネル形成領域は、前記第3の導電層と重なる領域を有し、
前記第3の導電層は、光を遮ることができる機能を有し、
前記第2の導電層は、前記トランジスタのソース又はドレインの一方に電位を伝達する機能を有し、
前記第3の導電層は、前記トランジスタのゲート電極に電位を伝達する機能を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項1において、
前記第1の導電層及び前記第2の導電層は、第1の導電膜をエッチング加工する工程を経て形成されたものであり、
前記第3の導電層及び前記第4の導電層は、第2の導電膜をエッチング加工する工程を経て形成されたものであることを特徴とする表示装置。
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