JP5629296B2 - ガレート単結晶及び並びに高温用圧電素子及び高温用圧電センサー - Google Patents
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Description
前記希土類ガレート酸化物が、RE 3−x AE x Ga 5−x−y Al y SiO 14 (式中、REは希土類を表し、AEはアルカリ土類金属を表し、0<x≦3、0<y<1.5)、RE 3−x AE x Ta 0.5+x/2 Ga 5.5−x/2−y Al y O 14 (式中、REは希土類を表し、AEはアルカリ土類金属を表す。0<x≦3、0<y<1.65)及びRE 3−x AE x Nb 0.5+x/2 Ga 5.5−x/2−y Al y O 14 (式中、REは希土類を表し、AEはアルカリ土類金属を表す。0<x≦3、0<y<1.65)からなる群から選択される組成を有することを特徴とす
るガレート酸化物単結晶である。
0≦z≦1%であることを特徴とする請求項1記載のガレート酸化物単結晶である。
0≦z≦0.5%であることを特徴とする請求項1記載のガレート酸化物単結晶。
請求項1に係る発明は、RE3Ga5−xAlxSiO14(式中、REは希土類を表し、0<x<5)、RE3Ta0.5Ga5.5−xAlxO14(式中、REは希土類を表し、0<x<5.5)及びRE3Nb0.5Ga5.5−xAlxO14(式中、REは希土類を表し、0<x<5.5)からなる群から選択される組成を有し、100℃〜600℃の範囲の抵抗率変化が104以下であることを特徴とするガレート単結晶である。
請求項2に係る発明は、RE3Ga5−xAlxSiO14においては0<x<1.5、
RE3Ta0.5Ga5.5−xAlxO14においては0<x<1.65、
RE3Nb0.5Ga5.5−xAlxO14においては0<x<1.65
であることを特徴とする請求項1記載の単結晶である。
請求項3に係る発明は、RE3−xAExGa5−x−yAlySiO14(式中、REは希土類を表し、AEはアルカリ土類金属を表す。0<x≦3、0<y<1.5)、RE3−xAExTa0.5+x/2Ga5.5−x/2−yAlyO14(式中、REは希土類を表し、AEはアルカリ土類金属を表す。0<x≦3、0<y<1.65)及びRE3−xAExNb0.5+x/2Ga5.5−x/2−yAlyO14(式中、REは希土類を表し、AEはアルカリ土類金属を表す。0<x≦3、0<y<1.65)からなる群から選択される組成を有し、100℃〜600℃の範囲の抵抗率変化が104以下であることを特徴とするガレート単結晶である。
すなわち、請求項1に係る発明において、REの一部又は全部をAEで置き換えてもよい。
請求項4に係る発明は、酸化性ガスを含む不活性ガス雰囲気中で溶液から単結晶を育成し、次いで、不活性ガス中の酸化性ガスのモル分率(z)を、前記育成工程における酸化性ガスのモル分率よりも低下させて冷却を行うことを特徴とするガレート酸化物単結晶の作成方法である。
不活性ガスとしては、例えば、Arガス、窒素ガスなどがあげられる。酸化性ガスとしては酸素ガスが好ましい。
請求項5に係る発明は、0≦z≦1%であることを特徴とする請求項4記載のガレート酸化物単結晶の作成方法である。
請求項6に係る発明は、0≦z≦0.5%であることを特徴とする請求項4記載のガレート酸化物単結晶の作成方法である。
請求項7に係る発明は、前記酸化性ガスはO2であることを特徴とする請求項4ないし6のいずれか1項記載のガレート酸化物単結晶の作成方法である。
請求項8に係る発明は、請求項4ないし7のいずれか1項記載の作成方法で作成したガレート酸化物単結晶を、酸化性ガスを含まない不活性ガス雰囲気中で熱処理することにより、欠陥による着色を低減させ、抵抗率の温度依存性を低減させたことを特徴とするガレート酸化物単結晶の作製方法である。
請求項9に係る発明は、前記ガレート酸化物は希土類ガレート酸化物であることを特徴とする請求項4ないし8のいずれか1項記載のガレート酸化物単結晶の作成方法である。
請求項10に係る発明は、前記ガレート酸化物は、RE3Ga5−xAlxSiO14(式中、REは希土類を表し、0<x<5)、RE3Ta0.5Ga5.5−xAlxO14(式中、REは希土類を表し、0<x<5.5)及びRE3Nb0.5Ga5.5−xAlxO14(式中、REは希土類を表し、0<x<5.5)からなる群から選択される組成を有することを特徴とする請求項9記載のガレート酸化物単結晶の作成方法である。
請求項11に係る発明は、RE3Ga5−xAlxSiO14においては0<x<1.5、
RE3Ta0.5Ga5.5−xAlxO14においては0<x<1.65、
RE3Nb0.5Ga5.5−xAlxO14においては0<x<1.65
であることを特徴とする請求項10記載のガレート酸化物単結晶の作成方法である。
請求項12に係る発明は、前記ガレート酸化物は、RE3−xAExGa5−x−yAlySiO14(式中、REは希土類を表し、AEはアルカリ土類金属を表す。0<x≦3、0<y<1.5)、RE3−xAExTa0.5+x/2Ga5.5−x/2−yAlyO14(式中、REは希土類を表し、AEはアルカリ土類金属を表す。0<x≦3、0<y<1.65)及びRE3−xAExNb0.5+x/2Ga5.5−x/2−yAlyO14(式中、REは希土類を表し、AEはアルカリ土類金属を表す。0<x≦3、0<y<1.65)からなる群から選択される組成を有することを特徴とする請求項9記載のガレート酸化物単結晶の作成方法である。
Al添加希土類ガレート単結晶がRE3Ga5−xAlxSiO14である場合、機械結合定数の温度依存性の観点から、xの範囲は0<x<1.5が好ましく、より好ましくは0<x<0.5である。また、Al添加希土類ガレート単結晶がRE3Ta0.5Ga5.5−xAlxO14である場合、xの範囲は0<x<1.65が好ましく、より好ましくは0<x<0.5である。さらに、Al添加希土類ガレート単結晶がRE3Nb0.5Ga5.5−xAlxO14である場合、xの範囲は0<x<1.65が好ましく、より好ましくは0<x<0.5である。
機械結合定数の温度依存性の観点から、AE(アルカリ土類)はBa、Sr、Ca及びMgが好ましく、特にBaおよびSrが好ましい。
Al添加希土類ガレート単結晶がRE3−xAExGa5−x−yAlySiO14(式中、REは希土類元素を表し、AEはアルカリ土類金属を表す。)である場合、機械結合定数の温度依存性の観点から、0<x≦3、0<y<1.5が好ましく、また、より好ましくは0<x≦3、0<y<0.5である。
また、Al添加希土類ガレート単結晶がRE3−xAExTa0.5+x/2Ga5.5−x/2−yAlyO14(式中、REは希土類元素を表し、AEはアルカリ土類金属を表す。)及びRE3−xAExNb0.5+x/2Ga5.5−x/2−yAlyO14(式中、REは希土類元素を表し、AEはアルカリ土類金属を表す。)である場合、0<x≦3、0<y<1.65が好ましい。
出発原料としては、RE2O3、Ga2O3、SiO2、Al2O3を用いる。これらの出発原料を目的組成となるように秤量し、振動攪拌機で混合した後、ペレット状に成型したものを電気炉(1200〜1300℃)で焼成してRE3Ta0.5Ga5.5−xAlxO14単結晶を作製する。
得られた単結晶を坩堝に入れ、高周波ワークコイル等により加熱して溶融し、所定温度の融液とする。前記坩堝はイリジウム金属又はイリジウム合金坩堝である。なお、ルツボの外側と上方には、アルミナ系又はジルコニア系の断熱材を設け、ホットゾーンを形成するのが好ましい。結晶成長雰囲気は、β−Ga2O3の分解反応を抑制する目的で、ArにO2を最大で2%混合したガスを加えたものを用いる。雰囲気の制御には石英管製のチャンバーを用いる。
次に、種結晶を引き上げ軸に固定し、所定の回転数と引き上げ速度で融液から希土類ガレート単結晶インゴットを引き上げ育成する。この際、引き上げ軸につながる重量センサーで検出した結晶の重量変化信号により、コンピュータプログラムを用いて、単結晶インゴットの自動直径制御を行う。準備した材料が全て結晶化し、融液が無くなった時点で結晶成長終了となる。当該結晶はアフターヒーター内に保持されたまま室温まで徐々に冷却される。
結晶製造時の雰囲気は上述の通り、β−Ga2O3の分解反応を抑制する目的で、ArにO2を最大で2%混合したガスを加えたものを用いるが、製造後の冷却時にO2の混合比を減らすことで、さらにその抵抗率の温度依存性が小さい高温領域圧電素子用材料を作製することができる。冷却時のO2のモル分率zは0≦z≦1%であり、好ましくは0≦z≦0.5%であり、より好ましくは0%である。
出発原料として、RE2O3、Ga2O3、SiO2、Al2O3、Ta2O5を用いる。これらの出発原料を目的組成となるように秤量、混合した後、成型、焼成して単結晶を作製する。
単結晶成長は、上記と同様にして行う。
出発原料として、RE2O3、Ga2O3、Al2O3、Nb2O5を用いる。これらの出発原料を目的組成となるように秤量、混合した後、成型、焼成して単結晶を作製する。
単結晶成長は、上記と同様にして行う。
La3Ga4.8Al0.2SiO14単結晶をチョクラルスキー法により作製した。La3Ga4.8Al0.2SiO14単結晶の作製条件を表1に示す。
La3Ta0.5Ga5.3Al0.2O14単結晶をチョクラルスキー法により作製した。La3Ta0.5Ga5.3Al0.2O14単結晶の作製条件を表1に示す。
La3Nb0.5Ga5.2Al0.2O14単結晶をチョクラルスキー法により作製した。La3Nb0.5Ga5.2Al0.2O14単結晶の作製条件を表1に示す。
La3Ga5SiO14単結晶をチョクラルスキー法により作製した。La3Ga5SiO14単結晶の作製条件を表1に示す。
La3Ta0.5Ga5.5O14単結晶をチョクラルスキー法により作製した。La3Ta0.5Ga5.5O14単結晶の作製条件を表1に示す。
La3Nb0.5Ga5.5O14単結晶をチョクラルスキー法により作製した。La3Nb0.5Ga5.5O14単結晶の作製条件を表1に示す。
本例では、単結晶作製後の冷却時における雰囲気中の酸化性ガス(本例ではO2ガス)のモル分率zを0〜2%の範囲で変化させた。
モル分率以外の作成条件は実施例1と同様とした。すなわち、育成時におけるO2のモル分率は2%である。
100℃〜600℃の範囲の抵抗率変化を表2に示す。
本例では、La3Ga5−xAlxSiO14において、Alの組成比(x)を変化させて機械結合定数の温度依存性を調べた。
x以外の作成条件は実施例1と同様とした。
なお、機械結合定数の温度依存性はインピーダンス・ゲイン−フェーズ・アナライザーを用いて共振***振法で測定した。
本例では、実施例1において、Laの一部をBaで置換した。
他の点は実施例1と同様とした。
Baで置換した場合においても実施例1と同様の効果が達成された。
本例では、単結晶作成後の、熱処理条件を変化させた。
Claims (4)
- 酸化性ガスを含む不活性ガス雰囲気中で溶液から単結晶を育成し、次いで、
不活性ガス中の酸化性ガスのモル分率(z)を、前記育成工程における酸化性ガスのモル
分率よりも低下させて冷却を行い、作成した単結晶を、酸化性ガスを含まない不活性ガス
雰囲気中で熱処理する作製方法により作成されたことを特徴とするガレート酸化物単結晶
であって、
前記ガレート酸化物単結晶は希土類ガレート酸化物であり、
前記希土類ガレート酸化物が、RE 3−x AE x Ga 5−x−y Al y SiO 1
4 (式中、REは希土類を表し、AEはアルカリ土類金属を表す。0<x≦3、0<y<
1.5)、RE 3−x AE x Ta 0.5+x/2 Ga 5.5−x/2−y Al y O 14 (
式中、REは希土類を表し、AEはアルカリ土類金属を表し、0<x≦3、0<y<1.
65)及びRE 3−x AE x Nb 0.5+x/2 Ga 5.5−x/2−y Al y O 14 (
式中、REは希土類を表し、AEはアルカリ土類金属を表す。0<x≦3、0<y<1.
65)からなる群から選択される組成を有することを特徴とするガレート酸化物単結晶。 - 前記不活性ガス中の酸化性ガスのモル分率(z)が、
0≦z≦1%であることを特徴とする請求項1記載のガレート酸化物単結晶。 - 前記不活性ガス中の酸化性ガスのモル分率(z)が、
0≦z≦0.5%であることを特徴とする請求項1記載のガレート酸化物単結晶。 - 前記酸化性ガスはO2であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項記載のガレート酸化物単結晶。
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