RU1506951C - Пьезоэлектрический материал на основе лангасита - Google Patents
Пьезоэлектрический материал на основе лангаситаInfo
- Publication number
- RU1506951C RU1506951C SU874294668A SU4294668A RU1506951C RU 1506951 C RU1506951 C RU 1506951C SU 874294668 A SU874294668 A SU 874294668A SU 4294668 A SU4294668 A SU 4294668A RU 1506951 C RU1506951 C RU 1506951C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- titanium
- langasite
- gallium
- aluminum
- piezoelectric
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к производству монокристаллов лантан-галлиевого силиката (лангасита), может найти применение дл изготовлени пьезоэлектрических резонаторов и монолитных фильтров системы радиосв зи и других устройств на объемных и поверхностных акустических волнах и обеспечивает улучшение пьезоэлектрических параметров, уменьшение индуктивности, а также повышение термостабильности и обеспечение работоспособности в области комнатных температур дл пр мых срезов. Материал на основе лангасита, содержащий оксиды лантана, галли и кремни , дополнительно содержит алюминий и/или титан в соответствии со следующей химической формулой LaaCas-xAixSii-yTiyOi i. Количество алюмини соответствует х 0.3-0,5, а ти- танау 0,,3. Величина средней добротности Q приблизительно 26 10, а индуктивность 7,7-7,5. 2 з.п. ф-лы. 1 табл. ел
Description
Изобретение относитс к производству монокристаллов лантан-галлиевого силиката и может найти практическое применение в качестве пьезоэлектрических резонаторов и монолитных фильтров системы радиосв зи и других устройств на объемных и поверхностных акустических волнах.
Цель изобретени - улучшение пьезоэлектрических параметров, уменьшение индуктивности, а также повышение термостабильности и обеспечение работоспособности в области комнатных температур дл пр мых срезов.
Предлагаемые модифицированные монокристаллы лангасита получают следующим образом.
Исходные порошки оксидов квалификации ос,ч прокаливают: оксид лантана при 1100±20°С, оксид галли при 900±20°С, диоксид кремни при 300±20°С, оксид алюмини при 900±20°С и/или диоксид титана при 800±20°С. Затем взвешенные в расчетном стехиометрическом соотношении исходные компоненты перемешивают насухо в барабанах со стержневыми мелющими телами , увлажн ют водой (100 мл воды на 1 кг смеси) и таблетируют порошок при удельном давлении прессовани 250 МПа. После сушки таблетки обжигают в камерных печах при 1400±20°С в течение 4 ч. Таблетки шихты заплавл ют в платиновый тигель при температуре примерно 1490±10°С, использу установку типа Донец-1 с радиочастотным нагревом. Монокристаллы выращивают путем выт гивани на ориентированную затравку методомЧохральского. Выращенные монокристаллы механически разрезают на ориентированные пластинки - пьезоэле- менты. Введение в исходную смесь оксида алюмини или диоксида титана улучшает
сл о о ю сл
сыпучие свойства исходных nopouiKOB и позвол ет проводить смешение не в жидкой фазе(спирт, вода), а насухо, что значительно упрощает и сокращает процесс синтеза
щихты.
В таблице приведены параметры пье- зозлементое, изготовленных из монокристаллов лангасита, модифицированных алюминием и титаном при различном соотношении замещаюлцих ионов, в сравнении с аналогичными параметрами пьезозлемен- тов, изготовленных из монокристаллов лангасита Все сравниваемые образцы лангасита. Все сравниваемые образцы имеют одинаковые срезы дл возбуждени про- дольных колебаний в интервале частот 125-130 к Гц.
Как видно из таблицы, пьезоэлементы. изготовленные из модифицированных монокристаллов лангасита. обладают более высокой добротностью, меньшей индуктивностью , температура максимума их темпе- ратурно-частотной характеристики (То) находитс в области комнатной температуры . Значение величины То -20°С при введении титана вл етс положительным результатом в том смысле, что при стремлении получить То - необходимо использовать ориентации ЛГС-Т. равные или близкие к нулевым (пр мой срез). При этом все параметры модифицированного монокристалла улучшатс по сравнению с параметрами оптимальных ориентации ЛГС: индуктивность уменьшаетс на 10-12%, резонансный промежуток увеличиваетс на
10%.
Выход за предельные значени вводимых оксидов нецелесообразен, при уменьшении содержани алюмини и титана (пример 1 и 5) параметры пьезоэлементов не отличаютс от лангасита. увеличение содержани алюмини и титана приводит к
0
0
исчезновению пьезоэлектрических свойств монокристаллов (примеры 4 и 9).
Таким образом, введение модифицирующих добавок в указанных пределах обеспечивает достижение поставленной цели.
При выращивании монокристаллов лангасита с добавками титана или алюмини улучшаютс также технологические услови их роста. Так как оксиды галли и кремни при малых градиентах, облада повышенной способностью к переохлаждению расплавов , способствует росту ограненных монокристаллов лангасита, добавка алюмини или титана в шихту уменьшает степень 5 переохлаждени расплава и способствует росту менее ограниченных кристаллов. В модифицированных монокристаллах также меньше выражены ростова поперечна слоистость и объемный дефект, кристаллы менее окрашены.
Claims (3)
1.Пьезоэлектрический материал на основе лангасита, содержащий оксиды лантана , галли и кремни , отличающийс тем, что, с целью улучшени пьезоэлектрических параметров, материал дополнительно содержит алюминий и/или титан в соответствии со следующей химической формулой
LaaGas-xAlxSh-yTiyOn.
2.Пьезоэлектрический материал по п.1, отличающийс тем, что, с целью уменьшени индуктивности, он содержит алюминий в количестве х 0,3-0,5 при у 0.
3.Пьезоэлектрический материал по п.1, отличающийс тем, что, с целью повышени термостабильности и обеспечени работоспособности в области комнатных температур дл пр мых срезов, он содержит титан в количестве у 0,1-0,3 при х 0.
5
0
5
0
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU874294668A RU1506951C (ru) | 1987-08-10 | 1987-08-10 | Пьезоэлектрический материал на основе лангасита |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU874294668A RU1506951C (ru) | 1987-08-10 | 1987-08-10 | Пьезоэлектрический материал на основе лангасита |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU1506951C true RU1506951C (ru) | 1992-12-07 |
Family
ID=21323406
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU874294668A RU1506951C (ru) | 1987-08-10 | 1987-08-10 | Пьезоэлектрический материал на основе лангасита |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU1506951C (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7947192B2 (en) * | 2005-03-30 | 2011-05-24 | Fukuda Crystal Laboratory | Gallate single crystal, process for producing the same, piezoelectric device for high-temperature use and piezoelectric sensor for high-temperature use |
-
1987
- 1987-08-10 RU SU874294668A patent/RU1506951C/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР N 1228526, кл. С 30 В 15/14, 29/22, 1984. Андреев И.А., Дубовик М.Ф. Новый диэлектрик - лангасит LaaGasSIOM - материал с нулевым температурным коэффициентом частоты упругих колебаний. - Письма в ЖТФ, 1984, т. 10, N 8, с. 487-491, * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7947192B2 (en) * | 2005-03-30 | 2011-05-24 | Fukuda Crystal Laboratory | Gallate single crystal, process for producing the same, piezoelectric device for high-temperature use and piezoelectric sensor for high-temperature use |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Neurgaonkar et al. | Czochralski single crystal growth of Sr. 61Ba. 39Nb2O6 for surface acoustic wave applications | |
JP5281657B2 (ja) | 三元系の圧電性結晶の作成方法 | |
US4801566A (en) | Low expansion ceramic | |
EP0653392A1 (en) | Porous ceramic and process for producing the same | |
US6514336B1 (en) | Method of growing piezoelectric lanthanide gallium crystals | |
JP2022533397A (ja) | 圧電単結晶m3re(po4)3およびその育成方法および応用 | |
RU1506951C (ru) | Пьезоэлектрический материал на основе лангасита | |
CN111206282A (zh) | 一种8英寸铌酸锂晶体的生产方法 | |
JP3994361B2 (ja) | ランガサイト型結晶の作製方法 | |
CN111925207B (zh) | 一种Mg3B2O6-Ba3(VO4)2复合陶瓷材料及制备方法 | |
JP2945221B2 (ja) | 高靭性アルミナ系複合焼結体の製造方法 | |
JP7518827B2 (ja) | 圧電材料、圧電部材、圧電素子及び圧力センサ | |
Gotalskaja et al. | Langasite crystal quality improvement aimed at high-Q resonator fabrication | |
Chen et al. | Top-cooling-solution-growth and characterization of piezoelectric 0.955 Pb (Zn1/3Nb2/3) O3-0.045 PbTiO3 [PZNT] single crystals | |
EP0463882B1 (en) | Process for producing silicon nitride sintered material | |
RU2283905C1 (ru) | Способ получения монокристаллов лантангаллиевого силиката | |
RU2108417C1 (ru) | Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката | |
RU2296824C1 (ru) | Способ получения шихты для выращивания монокристаллов на основе оксидов редкоземельных, рассеянных и тугоплавких металлов или кремния | |
RU2049831C1 (ru) | Шихта для выращивания монокристаллов корунда | |
RU2152462C1 (ru) | Способ выращивания сложных редкоземельных галлийсодержащих оксидов | |
JPS59152285A (ja) | 単結晶の製造法 | |
RU2172362C2 (ru) | Монокристалл для изготовления дисков в устройствах на поверхностно-акустических волнах и способ его получения | |
RU2194808C1 (ru) | Способ получения шихты для выращивания монокристаллов галлосиликатов со структурой галлогерманата кальция | |
US4601990A (en) | High-alumina ceramic composition | |
JPH10273398A (ja) | 酸化物単結晶 |