RU1506951C - Пьезоэлектрический материал на основе лангасита - Google Patents

Пьезоэлектрический материал на основе лангасита

Info

Publication number
RU1506951C
RU1506951C SU874294668A SU4294668A RU1506951C RU 1506951 C RU1506951 C RU 1506951C SU 874294668 A SU874294668 A SU 874294668A SU 4294668 A SU4294668 A SU 4294668A RU 1506951 C RU1506951 C RU 1506951C
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
titanium
langasite
gallium
aluminum
piezoelectric
Prior art date
Application number
SU874294668A
Other languages
English (en)
Inventor
М.Ф. Дубовик
И.А. Андреев
Т.И. Коршикова
Е.К. Салийчук
Л.А. Коток
С.А. Лебедев
Original Assignee
Предприятие П/Я Р-6496
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Р-6496 filed Critical Предприятие П/Я Р-6496
Priority to SU874294668A priority Critical patent/RU1506951C/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU1506951C publication Critical patent/RU1506951C/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к производству монокристаллов лантан-галлиевого силиката (лангасита), может найти применение дл  изготовлени  пьезоэлектрических резонаторов и монолитных фильтров системы радиосв зи и других устройств на объемных и поверхностных акустических волнах и обеспечивает улучшение пьезоэлектрических параметров, уменьшение индуктивности, а также повышение термостабильности и обеспечение работоспособности в области комнатных температур дл  пр мых срезов. Материал на основе лангасита, содержащий оксиды лантана, галли  и кремни , дополнительно содержит алюминий и/или титан в соответствии со следующей химической формулой LaaCas-xAixSii-yTiyOi i. Количество алюмини  соответствует х 0.3-0,5, а ти- танау 0,,3. Величина средней добротности Q приблизительно 26 10, а индуктивность 7,7-7,5. 2 з.п. ф-лы. 1 табл. ел

Description

Изобретение относитс  к производству монокристаллов лантан-галлиевого силиката и может найти практическое применение в качестве пьезоэлектрических резонаторов и монолитных фильтров системы радиосв зи и других устройств на объемных и поверхностных акустических волнах.
Цель изобретени  - улучшение пьезоэлектрических параметров, уменьшение индуктивности, а также повышение термостабильности и обеспечение работоспособности в области комнатных температур дл  пр мых срезов.
Предлагаемые модифицированные монокристаллы лангасита получают следующим образом.
Исходные порошки оксидов квалификации ос,ч прокаливают: оксид лантана при 1100±20°С, оксид галли  при 900±20°С, диоксид кремни  при 300±20°С, оксид алюмини  при 900±20°С и/или диоксид титана при 800±20°С. Затем взвешенные в расчетном стехиометрическом соотношении исходные компоненты перемешивают насухо в барабанах со стержневыми мелющими телами , увлажн ют водой (100 мл воды на 1 кг смеси) и таблетируют порошок при удельном давлении прессовани  250 МПа. После сушки таблетки обжигают в камерных печах при 1400±20°С в течение 4 ч. Таблетки шихты заплавл ют в платиновый тигель при температуре примерно 1490±10°С, использу  установку типа Донец-1 с радиочастотным нагревом. Монокристаллы выращивают путем выт гивани  на ориентированную затравку методомЧохральского. Выращенные монокристаллы механически разрезают на ориентированные пластинки - пьезоэле- менты. Введение в исходную смесь оксида алюмини  или диоксида титана улучшает
сл о о ю сл
сыпучие свойства исходных nopouiKOB и позвол ет проводить смешение не в жидкой фазе(спирт, вода), а насухо, что значительно упрощает и сокращает процесс синтеза
щихты.
В таблице приведены параметры пье- зозлементое, изготовленных из монокристаллов лангасита, модифицированных алюминием и титаном при различном соотношении замещаюлцих ионов, в сравнении с аналогичными параметрами пьезозлемен- тов, изготовленных из монокристаллов лангасита Все сравниваемые образцы лангасита. Все сравниваемые образцы имеют одинаковые срезы дл  возбуждени  про- дольных колебаний в интервале частот 125-130 к Гц.
Как видно из таблицы, пьезоэлементы. изготовленные из модифицированных монокристаллов лангасита. обладают более высокой добротностью, меньшей индуктивностью , температура максимума их темпе- ратурно-частотной характеристики (То) находитс  в области комнатной температуры . Значение величины То -20°С при введении титана  вл етс  положительным результатом в том смысле, что при стремлении получить То - необходимо использовать ориентации ЛГС-Т. равные или близкие к нулевым (пр мой срез). При этом все параметры модифицированного монокристалла улучшатс  по сравнению с параметрами оптимальных ориентации ЛГС: индуктивность уменьшаетс  на 10-12%, резонансный промежуток увеличиваетс  на
10%.
Выход за предельные значени  вводимых оксидов нецелесообразен, при уменьшении содержани  алюмини  и титана (пример 1 и 5) параметры пьезоэлементов не отличаютс  от лангасита. увеличение содержани  алюмини  и титана приводит к
0
0
исчезновению пьезоэлектрических свойств монокристаллов (примеры 4 и 9).
Таким образом, введение модифицирующих добавок в указанных пределах обеспечивает достижение поставленной цели.
При выращивании монокристаллов лангасита с добавками титана или алюмини  улучшаютс  также технологические услови  их роста. Так как оксиды галли  и кремни  при малых градиентах, облада  повышенной способностью к переохлаждению расплавов , способствует росту ограненных монокристаллов лангасита, добавка алюмини  или титана в шихту уменьшает степень 5 переохлаждени  расплава и способствует росту менее ограниченных кристаллов. В модифицированных монокристаллах также меньше выражены ростова  поперечна  слоистость и объемный дефект, кристаллы менее окрашены.

Claims (3)

1.Пьезоэлектрический материал на основе лангасита, содержащий оксиды лантана , галли  и кремни , отличающийс  тем, что, с целью улучшени  пьезоэлектрических параметров, материал дополнительно содержит алюминий и/или титан в соответствии со следующей химической формулой
LaaGas-xAlxSh-yTiyOn.
2.Пьезоэлектрический материал по п.1, отличающийс  тем, что, с целью уменьшени  индуктивности, он содержит алюминий в количестве х 0,3-0,5 при у 0.
3.Пьезоэлектрический материал по п.1, отличающийс  тем, что, с целью повышени  термостабильности и обеспечени  работоспособности в области комнатных температур дл  пр мых срезов, он содержит титан в количестве у 0,1-0,3 при х 0.
5
0
5
0
SU874294668A 1987-08-10 1987-08-10 Пьезоэлектрический материал на основе лангасита RU1506951C (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874294668A RU1506951C (ru) 1987-08-10 1987-08-10 Пьезоэлектрический материал на основе лангасита

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874294668A RU1506951C (ru) 1987-08-10 1987-08-10 Пьезоэлектрический материал на основе лангасита

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU1506951C true RU1506951C (ru) 1992-12-07

Family

ID=21323406

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU874294668A RU1506951C (ru) 1987-08-10 1987-08-10 Пьезоэлектрический материал на основе лангасита

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU1506951C (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7947192B2 (en) * 2005-03-30 2011-05-24 Fukuda Crystal Laboratory Gallate single crystal, process for producing the same, piezoelectric device for high-temperature use and piezoelectric sensor for high-temperature use

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР N 1228526, кл. С 30 В 15/14, 29/22, 1984. Андреев И.А., Дубовик М.Ф. Новый диэлектрик - лангасит LaaGasSIOM - материал с нулевым температурным коэффициентом частоты упругих колебаний. - Письма в ЖТФ, 1984, т. 10, N 8, с. 487-491, *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7947192B2 (en) * 2005-03-30 2011-05-24 Fukuda Crystal Laboratory Gallate single crystal, process for producing the same, piezoelectric device for high-temperature use and piezoelectric sensor for high-temperature use

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Neurgaonkar et al. Czochralski single crystal growth of Sr. 61Ba. 39Nb2O6 for surface acoustic wave applications
JP5281657B2 (ja) 三元系の圧電性結晶の作成方法
US4801566A (en) Low expansion ceramic
EP0653392A1 (en) Porous ceramic and process for producing the same
US6514336B1 (en) Method of growing piezoelectric lanthanide gallium crystals
JP2022533397A (ja) 圧電単結晶m3re(po4)3およびその育成方法および応用
RU1506951C (ru) Пьезоэлектрический материал на основе лангасита
CN111206282A (zh) 一种8英寸铌酸锂晶体的生产方法
JP3994361B2 (ja) ランガサイト型結晶の作製方法
CN111925207B (zh) 一种Mg3B2O6-Ba3(VO4)2复合陶瓷材料及制备方法
JP2945221B2 (ja) 高靭性アルミナ系複合焼結体の製造方法
JP7518827B2 (ja) 圧電材料、圧電部材、圧電素子及び圧力センサ
Gotalskaja et al. Langasite crystal quality improvement aimed at high-Q resonator fabrication
Chen et al. Top-cooling-solution-growth and characterization of piezoelectric 0.955 Pb (Zn1/3Nb2/3) O3-0.045 PbTiO3 [PZNT] single crystals
EP0463882B1 (en) Process for producing silicon nitride sintered material
RU2283905C1 (ru) Способ получения монокристаллов лантангаллиевого силиката
RU2108417C1 (ru) Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката
RU2296824C1 (ru) Способ получения шихты для выращивания монокристаллов на основе оксидов редкоземельных, рассеянных и тугоплавких металлов или кремния
RU2049831C1 (ru) Шихта для выращивания монокристаллов корунда
RU2152462C1 (ru) Способ выращивания сложных редкоземельных галлийсодержащих оксидов
JPS59152285A (ja) 単結晶の製造法
RU2172362C2 (ru) Монокристалл для изготовления дисков в устройствах на поверхностно-акустических волнах и способ его получения
RU2194808C1 (ru) Способ получения шихты для выращивания монокристаллов галлосиликатов со структурой галлогерманата кальция
US4601990A (en) High-alumina ceramic composition
JPH10273398A (ja) 酸化物単結晶