JP5299908B2 - ランガテイト系単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明のランガテイト系単結晶の製造方法はまた、多結晶出発原料から得られたランガテイト系単結晶を、50%O 2 +Ar雰囲気中において、1000℃以上1490℃以下、且つ、10時間以上100時間以下の条件で加熱して、単結晶の表面に異相を析出させ、前記加熱の終了後に、前記異相を除去することを特徴とする。
目標のLTG(La3Ta0.5Ga5.5O14)組成を与えるよう秤量した出発原料のLa2O3、Ta2O5、Ga2O3を混合機を用いて混合し、ペレット状に成形し、電気炉にて1300〜1400℃にて仮焼を行いLTGの焼結体を作製する。得られた焼結体をるつぼに入れて溶融し、チョコラルスキー(CZ)法にて育成し徐冷して得られたLTG単結晶のインゴットから、ウェハ(厚さ1mm)を切り出した。このウェハの400℃で測定した抵抗率(二端子法により測定した体積抵抗率)は1.85×107Ω・cmであった。ウェハを白金プレート上に載せ、電気炉に入れて、大気中で1400℃で20時間加熱した。ウェハを室温まで冷却後、ウェハ表面に析出した異相を研磨にて除去した。
CZ法にて育成し徐冷して得られたLTG単結晶インゴットから切り出したウェハ(厚さ1mm)を炉に入れて、400℃で100時間恒温保持した。恒温保持後のウェハの抵抗率は、400℃に昇温直後のウェハの抵抗率(恒温保持初期抵抗率)の0.73倍であった。
CZ法にて育成し徐冷して得られたLTG単結晶インゴットから切り出したウェハ(厚さ1mm)を真空加熱処理(0.1Pa、1000℃、5時間)後、400℃で100時間恒温保持した。恒温保持後のウェハの抵抗率は、400℃に昇温直後のウェハの抵抗率(恒温保持初期抵抗率)の0.0769倍であった。
CZ法にて育成し徐冷して得られたLTGA(La3Ta0.5Ga5.25Al0.25O14)単結晶インゴットから、ウェハ(厚さ1mm)を切り出した。このウェハの400℃で測定した抵抗率(二端子法により測定した体積抵抗率)は4.93×107Ω・cmであった。ウェハを白金プレート上に載せ、電気炉に入れて、大気中で1400℃で20時間加熱した。ウェハを室温まで冷却後、ウェハ表面に析出した異相を研磨にて除去した。
CZ法にて育成し徐冷して得られた、実施例2のLTGA単結晶と同じ組成のLTGA単結晶インゴットから切り出したウェハ(厚さ1mm)を炉に入れて、400℃で100時間恒温保持した。恒温保持後のウェハの抵抗率は、400℃に昇温直後のウェハの抵抗率(恒温保持初期抵抗率)(4.93×107Ω・cm)の0.63倍であった。
Claims (6)
- 多結晶出発原料から得られたランガテイト系単結晶を、大気雰囲気中において、1000℃以上1490℃以下、且つ、10時間以上100時間以下の条件で加熱して、単結晶の表面に異相を析出させ、前記加熱の終了後に、前記異相を除去することを特徴とする、ランガテイト系単結晶の製造方法。
- 多結晶出発原料から得られたランガテイト系単結晶を、50%O 2 +Ar雰囲気中において、1000℃以上1490℃以下、且つ、10時間以上100時間以下の条件で加熱して、単結晶の表面に異相を析出させ、前記加熱の終了後に、前記異相を除去することを特徴とする、ランガテイト系単結晶の製造方法。
- 前記加熱を、1100℃以上1490℃以下、且つ、13時間以上100時間以下の条件で行う、請求項1又は2記載のランガテイト系単結晶の製造方法。
- 前記加熱を、1400℃以上1490℃以下、且つ、13時間以上100時間以下の条件で行う、請求項1又は2記載のランガテイト系単結晶の製造方法。
- ランガテイト系単結晶がLa3Ta0.5Ga5.5O14である、請求項1〜4のいずれか一つに記載のランガテイト系単結晶の製造方法。
- ランガテイト系単結晶がLa3Ta0.5Ga5.5-xAlxO14(0<x<5.5)である、請求項1〜4のいずれか一つに記載のランガテイト系単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009080022A JP5299908B2 (ja) | 2009-03-27 | 2009-03-27 | ランガテイト系単結晶の製造方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009080022A JP5299908B2 (ja) | 2009-03-27 | 2009-03-27 | ランガテイト系単結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2010228995A JP2010228995A (ja) | 2010-10-14 |
JP5299908B2 true JP5299908B2 (ja) | 2013-09-25 |
Family
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2009080022A Active JP5299908B2 (ja) | 2009-03-27 | 2009-03-27 | ランガテイト系単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5299908B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2534104C1 (ru) * | 2013-06-19 | 2014-11-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем технологии мироэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук (ИПТМ РАН) | Способ получения материала для высокотемпературного массочувствительного пьезорезонансного сенсора на основе монокристалла лантангаллиевого танталата алюминия |
JP7167626B2 (ja) * | 2018-03-09 | 2022-11-09 | 株式会社リコー | アクチュエータ、液体吐出ヘッド、液体吐出ユニット及び液体を吐出する装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2976967B1 (ja) * | 1998-06-16 | 1999-11-10 | 日本電気株式会社 | ランガサイト単結晶育成方法 |
JP2000313698A (ja) * | 1999-04-27 | 2000-11-14 | Victor Co Of Japan Ltd | ランガサイト型結晶の処理方法 |
JP2002173398A (ja) * | 2000-12-04 | 2002-06-21 | Victor Co Of Japan Ltd | ランガサイト型酸化物単結晶ウェハの製造方法 |
JP5174456B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2013-04-03 | 株式会社福田結晶技術研究所 | ガレート単結晶及びその作成方法 |
WO2007145110A1 (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | タンタル酸リチウム単結晶の製造方法 |
JP5341415B2 (ja) * | 2008-07-16 | 2013-11-13 | 株式会社福田結晶技術研究所 | 圧電単結晶、及び、その製造方法 |
-
2009
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010228995A (ja) | 2010-10-14 |
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