RU2534104C1 - Способ получения материала для высокотемпературного массочувствительного пьезорезонансного сенсора на основе монокристалла лантангаллиевого танталата алюминия - Google Patents
Способ получения материала для высокотемпературного массочувствительного пьезорезонансного сенсора на основе монокристалла лантангаллиевого танталата алюминия Download PDFInfo
- Publication number
- RU2534104C1 RU2534104C1 RU2013127790/05A RU2013127790A RU2534104C1 RU 2534104 C1 RU2534104 C1 RU 2534104C1 RU 2013127790/05 A RU2013127790/05 A RU 2013127790/05A RU 2013127790 A RU2013127790 A RU 2013127790A RU 2534104 C1 RU2534104 C1 RU 2534104C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- temperature
- annealing
- sensitive
- hours
- tantalate
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 title abstract description 9
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 52
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 9
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical group [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005372 Plexiglas® Polymers 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Chemical compound O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов лантангаллиевого танталата алюминия, обладающего пьезоэлектрическим эффектом, используемым для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах. Способ получения материала для высокотемпературного массочувствительного пьезорезонансного сенсора на основе монокристалла лантангаллиевого танталата алюминия, состав которого соответствует формуле La3Ta0,5Ga5,5-xAlxO14, где x=0,1-0,3, характеризующегося электрическим сопротивлением не менее 109 Ом при температуре 20-600°C, включает выращивание монокристалла из расплава оксидов составляющих его компонентов в атмосфере инертного газа, содержащего окислитель, и дополнительный отжиг на воздухе при температуре 1050-1150°C в течение 41-43 часов. Технический результат изобретения состоит в повышении эксплуатационных свойств, таких как электрическое сопротивление самого материала, увеличенное более чем на порядок, и расширении рабочего температурного диапазона до комнатной температуры. 3 з.п. ф-лы, 2 ил., 5 табл.
Description
Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангаллиевого танталата алюминия (ЛГТА), обладающего пьезоэлектрическим эффектом и используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах, в частности для создания высокотемпературных массочувствительных пьезорезонансных сенсоров.
В настоящее время наиболее перспективным материалом для создания высокотемпературных пьезоэлектрических устройств являются кристаллы группы лантангаллиевого силиката. Кристаллы данной группы обладают термостабильными акустическими срезами и сочетают в себе лучшие свойства кристаллов ниобата лития (высокий коэффициент электромеханической связи) и кварца (ряд срезов кристалла обладает практически нулевым температурным коэффициентом частоты первого порядка). Кроме того, в кристаллах группы лантангаллиевого силиката отсутствуют фазовые переходы вплоть до температуры плавления. Группа лантангаллиевого силиката потенциально может включать в себя более 350 кристаллов. Синтез и исследование новых кристаллов данной группы продолжается в настоящее время.
Известен материал, соответствующего составу La3Ga5SiO14, способ его выращивания методом Чохральского включает загрузку в тигель предварительно синтезированного лантангаллиевого силиката, создание защитной атмосферы, последующее расплавление материала, введение вращающегося затравочного ориентированного кристалла в контакт с поверхностью расплава, вытягивание ориентированного кристалла из расплава (С.А. Сахаров и др. Монолитные фильтры на основе кристаллов лангасита, работающие на основных колебаниях сдвига. - Зарубежная электроника. М., 1986 г.). В известном способе в качестве затравочного ориентированного кристалла используют кристаллы ЛГС, ориентированные вдоль направления <0001>. Выращенные известным способом кристаллы имеют ориентацию <0001>. (Патент РФ 2126064, 6 С30В 29/34, С30В 15/00, C01G 15/00, опуб. 10.02.1999).
Недостатком этого способа является тот факт, что данная ориентация затравочного кристалла не позволяет в дальнейшем эффективно использовать выращенные кристаллы для получения пластин ЛГС, ориентированных с близким к нулю значением температурного коэффициента частоты (ТКЧ). Кроме того, использование выращенных известным способом кристаллов связано с большими потерями материала при изготовлении пластин ввиду того, что пластины вырезают под большим углом от оси роста.
Известен принятый за прототип материал для создания высокотемпературного массочувствительного пьезорезонансного сенсора на основе монокристалла La3Ta0.5Ga5.3Al0.2O14 (ЛГТА), характеризующийся величиной электрического сопротивления 6,01×108 Ом при Т=600°С (US 7947192 (В2), МПК C01F 17/00, С30В 15/20, опуб. 2011-05-24).
Способ получения данного материала включает выращивание монокристалла из расплава оксидов составляющих его компонентов в атмосфере инертного газа, содержащего окислитель, и последующее охлаждение в атмосфере инертного газа, в котором молярная часть окислителя меньше, чем в процессе роста. Пьезоэлектрический сенсор на его основе характеризуется рабочим температурным диапазоном от 100 до 600°C.
Однако эксплуатационные свойства материала, такие как электрическое сопротивление самого материала и рабочий температурный диапазон устройств на его основе являются недостаточными для современного уровня техники.
Предлагаемое изобретение решает задачу получения материала для пьезоэлектрических сенсоров с повышенными эксплуатационными свойствами.
Поставленная задача решается способом получения материала для высокотемпературного массочувствительного пьезорезонансного сенсора на основе монокристалла лантангаллиевого танталата алюминия, состав которого соответствует формуле La3Ta0.5Ga5.5-xAlxO14, где x=0,1-0,3, характеризующегося электрическим сопротивлением не менее 109 Ом при температуре 20-600°C, включающем выращивание монокристалла из расплава оксидов составляющих его компонентов в атмосфере инертного газа, содержащего окислитель, новизна которого заключается в том, что получаемые из расплава монокристаллы дополнительно отжигают на воздухе при температуре 1050-1150°C в течение 41-43 часов.
Наиболее оптимальные результаты получают при проведении отжига на воздухе при температуре 1100°C в течение 42 часов.
После отжига монокристаллы разрезают на заготовки и подвергают их второму дополнительному отжигу в вакууме при температуре 1150-1250°C в течение 9-11 часов.
Наиболее оптимальные результаты получают при отжиге заготовок в вакууме при температуре 1200°C в течение 10 часов.
Техническим результатом при этом является повышение эксплуатационных свойств, таких как электрическое сопротивление самого материала, увеличенное более чем на порядок, и расширение рабочего температурного диапазона до комнатной температуры.
В таблице 1 приведены результаты твердофазного превращения в ЛГТА, где *O=монофазный, X=содержит посторонние фазы
В таблице 2 приведены результаты фазового анализа кристаллов ЛГТА с различной молярной концентрацией алюминия в составе кристалла.
В таблице 3 приведены значения электрического сопротивления кристалла при температуре T=600°C в зависимости от времени и температуры отжига.
В таблице 4 приведены значения электрического сопротивления монокристаллических пластин ЛГТА при температуре T=600°C в зависимости от времени и температуры второго дополнительного отжига.
В таблице 5 приведены основные характеристики высокотемпературного малочувствительного пьезорезонансного сенсора для микровесов, изготовленного на основе монокристалла ЛГТА.
На фиг.1 показан высокотемпературный массочувствительный пьезорезонансный сенсор для микровесов.
На фиг.2 показана конструкция высокотемпературного малочувствительного пьезорезонансного сенсора для микровесов.
Приведенные ниже примеры подтверждают, но не ограничивают предлагаемое изобретение.
Пример 1.
Для получения исходной шихты для синтеза монокристаллов лантангаллиевого танталата алюминия были использованы оксид галлия Gа2O3, пентаоксид тантала Ta2O5, оксид алюминия Al2O3. Исходные компоненты имели квалификацию ОСЧ.
Исходная шихта для выращивания кристаллов ЛГТА была получена методом твердофазного синтеза. От предварительно прокаленных исходных компонентов были взяты навески в соответствии со стехиометрическим составом по формуле соединения La3Ta0.5Ga5.5-xAlxO14 (х=0.1, 0.3, 0.4, 0.6). Гомогенизация исходной смеси осуществлялась в установках виброкипящего слоя в течение 4-х часов. Прессование брикетов проводили с использованием пресс-форм, изготовленных из оргстекла при давлении до 2,5 атм. Синтез шихты осуществлялся в высокотемпературной печи при температуре 1200°С в течение 8-ми часов. Полнота процесса контролировалась методом рентгеновского фазового анализа. Исследования полученной шихты методом рентгеновского фазового анализа показало наличие основной фазы ЛГТА не менее 95% от исходной массы.
Кристаллы ЛГТА были выращены методом Чохральского с индукционным способом нагрева тигля. В качестве материала тигля был выбран иридий. В качестве инертного газа, в атмосфере которого выращивались монокристаллы, использовался аргон. В качестве окислителя использовался кислород, содержание которого в смеси составляло 0.5 объемных процента. Затравочные кристаллы были ориентированы вдоль кристаллографической оси [11.0]. Скорость вытягивания кристалла из расплава составляла 0,5 мм/час при частоте вращения 11 об/мин. В таблице 1 приведены результаты твердофазного превращения в ЛГТА. Результаты фазового анализа представлены в таблице 2.
Кристалл, выращенный с содержанием алюминия в исходной шихте, равным 0,4 ф.е. и более, показывает наличие перовскитной фазы La(Ga,Al)О3.
Таким образом, было установлено, что для получения монофазного кристалла ЛГТА молярная концентрация алюминия должна соответствовать х=0,1-0,3.
После окончания процесса роста кристаллы ЛГТА были подвержены высокотемпературному отжигу на воздухе при температуре 1050-1150°С в течение 41-43 часов. Отжиг кристаллов ЛГТА на воздухе приводил к изменению окраски кристаллов со слабо-розовой до светло-желтой.
В таблице 3 приведены значения электрического сопротивления кристалла электрического сопротивления (Ом) монокристалла ЛГТА при температуре Т=600°С в зависимости от времени и температуры отжига. Как видно из приведенной таблицы, только проведение отжига в заявляемых интервалах температуры и времени позволяет достичь заявляемых характеристик монокристалла. Снижение времени отжига менее 41 часа, также как проведение его при температуре отжига ниже 1050°С, приводит к снижению не менее чем на порядок электрического сопротивления полученных монокристаллов. Увеличение времени отжига более 43 часов и проведение его при температуре выше 1150°С являются экономически нецелесообразными, так как не оказывают влияния на конечный результат при увеличении энергозатрат.
Пример 2.
Все операции проводятся в соответствии с примером 1. Отличие состоит в том, что после отжига на воздухе и резки монокристалла ЛГТА на заготовки, заготовки подвергаются дополнительному отжигу в вакууме при температуре 1150-1250°С в течение 9-11 часов. Дополнительная процедура вакуумного отжига приводит к исчезновению центров окраса, а также к повышению электрического сопротивления монокристаллических пластин. Результаты испытаний приведены в таблице 4.
Пример 3.
На основе монокристалла ЛГТА был разработан высокотемпературный массочувствительный пьезорезонансный сенсор для микровесов (фиг.1). Конструкция сенсора показана на фиг.2. При изготовлении сенсора для формирования электродов использовался иридий И99,8 СТО 72386442-029-2009. Слой иридия толщиной 100 нм наносился через маску методом магнетронного напыления.
В таблице 5 приведены основные характеристики сенсора, подтверждающие достижение максимальной совокупности из известных в настоящее время величин, характеризующих работу аналогичных сенсоров.
Как видно из приведенных примеров, патентуемый материал обладает электрическим сопротивлением, на порядок превосходящим электрическое сопротивление прототипа, а пьезоэлектрические устройства, созданные на основе данного материала, работоспособны в диапазоне температур от комнатной до 600°С, что является расширением рабочего температурного диапазона прототипа (100-600°С).
| Таблица 1 | |
| МАТЕРИАЛ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО МАССОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ПЬЕЗОРЕЗОНАНСНОГО СЕНСОРА НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛА ЛАНТАНГАЛЛИЕВОГО ТАНТАЛАТА АЛЮМИНИЯ, СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ ИВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ СЕНСОР НА ЕГО ОСНОВЕ | |
| Состав исходной смеси La3Ta0.5Ga5.5-xAlxO14 | Результаты реакции твердофазного превращения* |
| La3Ta0.5Ga5.4Al0.1O14 (х=0.1) | O |
| La3Ta0.5Ga5.2Al0.3O14 (Х=0.3) | O |
| La3Ta0.5Ga5.1Al0.4O14 (х=0.4) | X |
| La3Ta0.5Ga4.9Al0.6O14 (х=0.6) | X |
| Таблица 2 | ||
| МАТЕРИАЛ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО МАССОЧУВСТВИТЕЛЫЮГО ПЬЕЗОРЕЗОНАНСНОГО СЕНСОРА НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛА ЛАНТАНГАЛЛИЕВОГО ТАНТАЛАТА АЛЮМИНИЯ, СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ И ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ СЕНСОР НА ЕГО ОСНОВЕ | ||
| Composition | Lattice constants | Phase results |
| La3Ta0.5Ga5.5-xAlxO14 | a(Å) | |
| с (Å) | ||
| La3Ta0.5Ga5.4Al0.1O14 | 8.2009 | LTGA |
| (x=0.1) | 5.1049 | |
| La3Ta0.5Ga5.2Al0.3O14 | 8.1982 | LTGA |
| (х=0.3) | 5.0943 | |
| La3Ta0.5Ga4.9Al0.6O14 | 8.1980 | LTGA + La(Ga,Al)O3 |
| (x=0.4) | 5.0939 | |
| Таблица 5 | |
| МАТЕРИАЛ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО МАССОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ПЬЕЗОРЕЗОНАНСНОГО СЕНСОРА НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛА ЛАНТАНГАЛЛИЕВОГО ТАНТАЛАТА АЛЮМИНИЯ, СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ И ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ СЕНСОР НА ЕГО ОСНОВЕ | |
| Резонансная частота, МГц | 11 |
| Точность настройки резонансной частоты | -8·10-6-9·10-6 |
| Точность поддержания экстремальной точки, °С | ±0,6 |
| Диапазон рабочей температуры, °С | 20-600 |
| Диапазон измерений, г | 3·10-8-6·10-4 |
| Чувствительность, МГц/мг | 1,60-1,67 |
| Разрешающая способность, г | 10-11 |
Claims (4)
1. Способ получения материала для высокотемпературного массочувствительного пьезорезонансного сенсора на основе монокристалла лантангаллиевого танталата алюминия, состав которого соответствует формуле La3Ta0,5Ga5,5-xAlxO14, где x=0,1-0,3, характеризующегося электрическим сопротивлением не менее 109 Ом при температуре 20-600°C, включающий выращивание монокристалла из расплава оксидов составляющих его компонентов в атмосфере инертного газа, содержащего окислитель, отличающийся тем, что получаемые из расплава монокристаллы дополнительно отжигают на воздухе при температуре 1050-1150°C в течение 41-43 часов.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что отжиг на воздухе проводят при температуре 1100°C в течение 42 часов.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что после отжига монокристаллы разрезают на заготовки и подвергают их второму дополнительному отжигу в вакууме при температуре 1150-1250°C в течение 9-11 часов.
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что второй дополнительный отжиг в вакууме проводят при температуре 1200°C в течение 10 часов.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013127790/05A RU2534104C1 (ru) | 2013-06-19 | 2013-06-19 | Способ получения материала для высокотемпературного массочувствительного пьезорезонансного сенсора на основе монокристалла лантангаллиевого танталата алюминия |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013127790/05A RU2534104C1 (ru) | 2013-06-19 | 2013-06-19 | Способ получения материала для высокотемпературного массочувствительного пьезорезонансного сенсора на основе монокристалла лантангаллиевого танталата алюминия |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2534104C1 true RU2534104C1 (ru) | 2014-11-27 |
Family
ID=53382927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013127790/05A RU2534104C1 (ru) | 2013-06-19 | 2013-06-19 | Способ получения материала для высокотемпературного массочувствительного пьезорезонансного сенсора на основе монокристалла лантангаллиевого танталата алюминия |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2534104C1 (ru) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010024071A (ja) * | 2008-07-16 | 2010-02-04 | Fukuda Crystal Laboratory | 圧電単結晶、及び、その製造方法 |
| JP2010228995A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Citizen Holdings Co Ltd | ランガテイト系単結晶の熱処理方法 |
| US7947192B2 (en) * | 2005-03-30 | 2011-05-24 | Fukuda Crystal Laboratory | Gallate single crystal, process for producing the same, piezoelectric device for high-temperature use and piezoelectric sensor for high-temperature use |
| EP2546393A1 (en) * | 2010-03-10 | 2013-01-16 | Citizen Finetech Miyota Co., Ltd. | Highly insulating/highly stable piezoelectric ltga single crystal, method for producing same, piezoelectric element using said ltga single crystal, and combustion pressure sensor |
-
2013
- 2013-06-19 RU RU2013127790/05A patent/RU2534104C1/ru active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7947192B2 (en) * | 2005-03-30 | 2011-05-24 | Fukuda Crystal Laboratory | Gallate single crystal, process for producing the same, piezoelectric device for high-temperature use and piezoelectric sensor for high-temperature use |
| JP2010024071A (ja) * | 2008-07-16 | 2010-02-04 | Fukuda Crystal Laboratory | 圧電単結晶、及び、その製造方法 |
| JP2010228995A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Citizen Holdings Co Ltd | ランガテイト系単結晶の熱処理方法 |
| EP2546393A1 (en) * | 2010-03-10 | 2013-01-16 | Citizen Finetech Miyota Co., Ltd. | Highly insulating/highly stable piezoelectric ltga single crystal, method for producing same, piezoelectric element using said ltga single crystal, and combustion pressure sensor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Mulvihill et al. | The role of processing variables in the flux growth of lead zinc niobate-lead titanate relaxor ferroelectric single crystals | |
| Lee et al. | Growth and electrostrictive properties of Pb (Mg1/3Nb2/3) O3 crystals | |
| WO2020248987A1 (zh) | 光电功能晶体m 3re(po 4) 3及其制备方法与应用 | |
| CN106637405A (zh) | 无限混熔的铁电固溶体单晶铌钪酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅及其制备方法 | |
| Takeda et al. | Effective substitution of aluminum for gallium in langasite-type crystals for a pressure sensor use at high temperature | |
| CN103966659A (zh) | 铌酸钾钠knn单晶的制备方法 | |
| CN110079861A (zh) | 磷酸钇锶晶体及其制备方法与应用 | |
| EP3992598A1 (en) | Piezoelectric material, piezoelectric member, piezoelectric element, and pressure sensor | |
| RU2534104C1 (ru) | Способ получения материала для высокотемпературного массочувствительного пьезорезонансного сенсора на основе монокристалла лантангаллиевого танталата алюминия | |
| CN1693542A (zh) | 钛酸铋钠钾系非铅铁电压电单晶及其生长方法与设备 | |
| JP6635366B2 (ja) | 圧電材料、その製造方法、圧電素子および燃焼圧センサ | |
| Xiong et al. | Growth and piezoelectric properties of large sized Ca 3 TaGa 3 Si 2 O 14 crystals | |
| JP5621131B2 (ja) | 高絶縁、高安定性圧電ｌｔｇａ単結晶及びその製造方法、並びにそのｌｔｇａ単結晶を使用する圧電素子及び燃焼圧センサー | |
| CN102817068B (zh) | 一种钛酸铋钠-钛酸铅压电单晶的制备方法 | |
| JP6186099B1 (ja) | 弾性表面波素子用基板及びその製造方法 | |
| JP6964306B2 (ja) | 圧電材料、その製造方法、圧電素子および燃焼圧センサ | |
| CN102492991A (zh) | 一种铌锌酸铅-钛酸铅单晶材料及其热释电应用 | |
| WO2018012279A1 (ja) | 弾性表面波素子用基板及びその製造方法 | |
| Yaokawa et al. | Precipitation phenomena in and electrical resistivity of high-temperature treated langatate (La 3 Ta 0.5 Ga 5.5 O 14) | |
| Hayashi et al. | Growth of ultra‐high purity PbI2 single crystal:(1) Preparation of high purity PbI2 | |
| Jennings et al. | Microstructural analysis of reaction-bonded silicon nitride | |
| Fu et al. | Resistivity and piezoelectric properties of Ca 3 TaGa 1.5 Al 1.5 Si 2 O 14 single crystals for high temperature sensors | |
| WO2016119159A1 (zh) | 一种单晶的制备方法 | |
| Xiong et al. | Growth and piezoelectric properties of Sr 3 Ta (Al 0.5 Ga 0.5) 3 Si 2 O 14 crystals with langasite structure | |
| CN103541013A (zh) | 弛豫铁电单晶铌钪酸铅 |