JP5574200B2 - 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、及び電子機器 - Google Patents
弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5574200B2 JP5574200B2 JP2013034978A JP2013034978A JP5574200B2 JP 5574200 B2 JP5574200 B2 JP 5574200B2 JP 2013034978 A JP2013034978 A JP 2013034978A JP 2013034978 A JP2013034978 A JP 2013034978A JP 5574200 B2 JP5574200 B2 JP 5574200B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- range
- groove depth
- surface acoustic
- acoustic wave
- film thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims description 223
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 70
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 59
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 57
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- -1 composed of aluminum Chemical compound 0.000 claims 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 55
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 42
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 26
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 22
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/326—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator the resonator being an acoustic wave device, e.g. SAW or BAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02551—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of quartz substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/0296—Surface acoustic wave [SAW] devices having both acoustic and non-acoustic properties
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02992—Details of bus bars, contact pads or other electrical connections for finger electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14538—Formation
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
- H03H9/14594—Plan-rotated or plan-tilted transducers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Description
第1の形態は、オイラー角(−1.5°≦φ≦1.5°,117°≦θ≦142°,42.79°≦|ψ|≦49.57°)の水晶基板と、前記水晶基板上に設けられ、アルミニウムまたはアルミニウムを主体とした合金により構成された複数の電極指を備え、ストップバンド上端モードのレイリー波を励振するIDTと、平面視で、前記水晶基板の前記電極指の間に位置する部分に設けられた電極指間溝と、を有し、前記弾性表面波の波長をλ、前記IDTの電極膜厚をH、前記電極指間溝の深さをG、前記IDTのライン占有率をηとして、以下の式を満たすことを特徴とする弾性表面波共振子。
第3の形態は、第1または第2の形態に記載の弾性表面波共振子であって、前記ライン占有率ηが、
第4の形態は、第1乃至第3のいずれか1形態に記載の弾性表面波共振子であって、前記電極指間溝の深さGと前記電極膜厚Hとの和が、
第5の形態は、第1乃至第4の形態のいずれか1形態に記載の弾性表面波共振子であって、前記ψと前記θが、
第6の形態は、第1乃至第5の形態のいずれか1形態に記載の弾性表面波共振子であって、前記IDTにおけるストップバンド上端モードの周波数をft2、前記IDTを弾性表面波の伝搬方向に挟み込むように配置される反射器におけるストップバンド下端モードの周波数をfr1、前記反射器のストップバンド上端モードの周波数をfr2として、
第7の形態は、第1乃至第6の形態のいずれか1形態に記載の弾性表面波共振子と、前記IDTを駆動するためのICを備えたことを特徴とする弾性表面波発振器。
第8の形態は、第1乃至第6の形態のいずれか1形態に記載の弾性表面波共振子を備えたことを特徴とする電子機器。
[適用例2]適用例1に記載の弾性表面波共振子であって、前記電極指間溝の深さGが、
適用例3における電極膜厚の範囲内において式(8)を満たすようにηを定めることで、二次温度係数を略、±0.01ppm/℃2以内に収めることが可能となる。
電極指間溝の深さGと電極膜厚Hとの和を上式のように定めることで、従来の弾性表面波共振子よりも高いQ値を得ることができる。
このような特徴を有することで、反射器のストップバンドをIDTのストップバンドよりも高域側へ周波数シフトさせることができる。このため、式(32)の関係を実現させることが可能となる。
[適用例10]適用例1または適用例2に記載の弾性表面波共振子を備えたことを特徴とする電子機器。
[適用例11]適用例3に記載の弾性表面波共振子を備えたことを特徴とする電子機器。
[適用例12]適用例4に記載の弾性表面波共振子を備えたことを特徴とする電子機器。
[適用例13]適用例5に記載の弾性表面波共振子を備えたことを特徴とする電子機器。
[適用例14]適用例6に記載の弾性表面波共振子を備えたことを特徴とする電子機器。
[適用例15]適用例7に記載の弾性表面波共振子を備えたことを特徴とする電子機器。
[適用例16]適用例8に記載の弾性表面波共振子を備えたことを特徴とする電子機器。
[適用例17]適用例9に記載の弾性表面波発振器を備えたことを特徴とする電子機器。
まず、図1を参照して、本発明の弾性表面波(SAW)共振子に係る第1の実施形態について説明する。なお図1において、図1(A)はSAW共振子の平面図であり、図1(B)は部分拡大断面図、図1(C)は同図(B)における詳細を説明するための拡大図、図1(D)は図1(C)の部分拡大図に関して、本発明に係るSAW共振子をフォトリソグラフィ技法とエッチング技法とを用いて製造したときに想定しえる断面形状であって、断面形状が矩形ではなく台形状となった場合における、IDT電極指のライン占有率ηの特定方法を説明するための図である。ライン占有率ηは、溝32の底部から、溝32の深さ(台座の高さ)Gと電極膜厚Hとを足した値である(G+H)の1/2となる高さにおける、凸部の幅Lと溝32の幅Sとを足した値(L+S)に対する前記幅Lの占める割合とするのが適切である。
図2は、本発明で用いる水晶基板30の母材となるウェーハ1の方位を示す図である。図2において、X軸は水晶の電気軸、Y軸は水晶の機械軸、Z軸は水晶の光学軸である。ウェーハ1は、Y軸に垂直な面2を、X軸を回転軸として、+Z軸から−Y軸に向かって回転する方向に角度θ´度(ディグリー)回転させた面を有している。この回転した面に垂直な軸がY´軸、回転した面に平行且つX軸に垂直な軸がZ´軸である。さらに、SAW共振子10を構成するIDT12および反射器20は、水晶のX軸を、Y´軸を回転軸とし、+X軸から+Z´軸に向かって回転する方向を正として+ψ度(または−ψ度)回転させたX´軸に沿って配置される。SAW共振子10を構成する水晶基板30は、ウェーハ1から切り出されて個片化されたものである。水晶基板30の平面視形状は特に限定されないが、例えばY´軸を回転軸としてZ´軸を+ψ度回転させたZ´´軸に平行な短辺を有し、X´軸に平行な長辺を有する長方形であってもよい。尚、θ´とオイラー角におけるθとの関係は、θ´=θ―90°となる。
IDT12や反射器20を構成する電極膜の電極の厚みを極力少なくすることにより電極が有する温度特性の影響を最小限としている。更に、水晶基板部の溝の深さを大きく採り、水晶基板部の溝の性能によって、すなわち水晶の良好な温度特性を利用することで、良好な周波数温度特性を引き出している。それによって電極の温度特性がSAW共振子の温度特性に与える影響を小さくすることができ、電極の質量が10%以内の変動であれば良好な温度特性を維持することができる。
なお、上記の理由により電極膜材料として合金を用いる場合、主成分となるAl以外の金属は重量比で10%以下、望ましくは3%以下にすればよい。
Al以外の金属を主体とした電極を用いる場合には、電極の質量がAlを用いた場合の±10%以内となるようにその電極の膜厚を調整すれば良い。このようにすることでAlを用いたときと同等の良好な温度特性が得られる。
上記のような基本構成を有するSAW共振子10における水晶基板30は、IDT12の電極指間や反射器20の導体ストリップ間に溝(電極指間溝)32を設けている。
ところで、一般的に弾性表面波共振子の温度特性は、下式で示される。
Δf=α×(T−T0)+β×(T−T0)2
ここで、Δfは温度Tと頂点温度T0間の周波数変化量(ppm)、αは1次温度係数(ppm/℃)、βは2次温度係数(ppm/℃2)、Tは温度、T0は周波数が最大となる温度(頂点温度)を意味する。
例えば、圧電基板がいわゆるSTカット(オイラー角(φ、θ、ψ)=(0°、120°〜130°、0°))の水晶板で形成されている場合、1次定数α=0.0、2次定数β=−0.034となり、グラフに示すと図6のようになる。図6において、温度特性は上に凸の放物線(2次曲線)を描いている。
図6に示すようなSAW共振子は、温度の変化に対する周波数変動量が極めて大きく、温度変化に対する周波数変化量Δfを抑圧することが必要となる。従って、図6に示す2次温度係数βをより0に近づけて、SAW共振子が実際に使用される際の温度(動作温度)の変化に対する周波数変化量Δfが0に近づくように、弾性表面波共振子を新たな知見に基づいて実現する必要があるのである。
従って、本発明の目的の1つは、上記の如き課題を解消し、弾性表面波デバイスの周波数温度特性を極めて良好なものとし、温度が変化しても周波数が安定して動作する弾性表面波デバイスを実現することである。
これらSTカット水晶基板や面内回転STカット水晶基板を用いたSAW共振子はいずれもレイリー波と呼ばれる弾性表面波を利用しており、LSTカット水晶基板のリーキー波と呼ばれる弾性表面波に比べて水晶基板や電極の加工精度に対する周波数や周波数温度特性のばらつきが極めて小さいため、量産性に優れ、各種のSAW装置に利用されている。しかしながら、従来利用されていたSTカット水晶基板や面内回転STカット水晶基板などを用いたSAW共振子は、前述のとおり、周波数温度特性を示す曲線を二次曲線とした2次温度特性であり、更に、その2次温度特性の2次温度係数の絶対値が大きいので、動作温度範囲における周波数変動量が大きく、周波数の安定性を求める有線通信装置や無線通信装置に使用される共振子や発振器などのSAW装置には利用できなかった。例えば、STカット水晶基板の2次温度係数βの1/3以下、面内回転STカット水晶基板の2次温度係数βの37%以上の改善に相当する2次温度係数βが±0.01(ppm/℃2)以下の2次温度特性を持つ周波数温度特性が得られれば、そのような周波数の安定性を求める装置を実現できる。更に、2次温度係数βがほぼ零であり、周波数温度特性を示す曲線を三次曲線とした3次温度特性が得られれば、動作温度範囲において、より周波数の安定性が高まり、より望ましい。このような3次温度特性では−40℃〜+85℃もの広い動作温度範囲においても±25ppm以下の従来の如きSAWデバイスでは実現し得なかった極めて高い周波数安定度が得られる。
次に発明者は、溝深さGを種々変化させた水晶基板においてストップバンド上端モードのSAWを伝搬させた際におけるライン占有率ηと二次温度係数βとの関係について調べた。
但し、この式(8)は、電極膜厚Hが、0<H≦0.030λの範囲において成立するものである。
つまり、本実施形態に係る効果は、電極膜を除いた水晶基板30単体における弾性表面波の伝播においても奏することができるということが言える。
θと二次温度係数βとの関係を裏付けるシミュレーションデータとして、表17〜19を示す。
・本実施形態に係るSAW共振子10の基本データ
H:0.02λ
G:変化
IDTライン占有率ηi:0.6
反射器ライン占有率ηr:0.8
オイラー角(0°,123°,43.5°)
対数:120
交差幅:40λ(λ=10μm)
反射器本数(片側あたり):60
電極指の傾斜角度なし
・従来のSAW共振子の基本データ
H:変化
G:ゼロ
IDTライン占有率ηi:0.4
反射器ライン占有率ηr:0.3
オイラー角(0°,123°,43.5°)
対数:120
交差幅:40λ(λ=10μm)
反射器本数(片側あたり):60
電極指の傾斜角度なし
・図57に示す例に係るSAW共振子の基本データ
H(材質:アルミ):2000(Å)
G:4700(Å)
(H+G=0.067)
IDTライン占有率ηi:0.6
反射器ライン占有率ηr:0.8
オイラー角(0°,123°,43.5°)の面内回転STカット基板
対数:120
交差幅:40λ(λ=10(μm))
反射器本数(片側あたり):36
電極指の傾斜角度なし
保護膜(アルミナ)の膜厚400(Å)
二次温度係数β=+0.0007(ppm/℃2)
・図58に示す例に係るSAW共振子の基本データ
H(材質:アルミ):2000(Å)
G:4700(Å)
(H+G=0.067)
IDTライン占有率ηi:0.6
反射器ライン占有率ηr:0.8
オイラー角(0°,123°,43.5°)の面内回転STカット基板
対数:120
交差幅:40λ(λ=10(μm))
反射器本数(片側あたり):36
電極指の傾斜角度なし
保護膜(SiO2)の膜厚400(Å)
二次温度係数β=+0.0039(ppm/℃2)
Claims (8)
- オイラー角(−1.5°≦φ≦1.5°,117°≦θ≦142°,42.79°≦|ψ|≦49.57°)の水晶基板と、
前記水晶基板上に設けられ、アルミニウムまたはアルミニウムを主体とした合金により構成された複数の電極指を備え、ストップバンド上端モードのレイリー波を励振するIDTと、
平面視で、前記水晶基板の前記電極指の間に位置する部分に設けられた電極指間溝と、
を有し、
前記弾性表面波の波長をλ、前記IDTの電極膜厚をH、前記電極指間溝の深さをG、前記IDTのライン占有率をηとして、以下の式を満たすことを特徴とする弾性表面波共振子。
- 請求項1に記載の弾性表面波共振子であって、
前記電極指間溝の深さGが、
- 請求項1または2に記載の弾性表面波共振子であって、
前記ライン占有率ηが、
- 請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の弾性表面波共振子であって、
前記電極指間溝の深さGと前記電極膜厚Hとの和が、
- 請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の弾性表面波共振子であって、前記ψと前記θが、
- 請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の弾性表面波共振子であって、
前記IDTにおけるストップバンド上端モードの周波数をft2、前記IDTを弾性表面波の伝搬方向に挟み込むように配置される反射器におけるストップバンド下端モードの周波数をfr1、前記反射器のストップバンド上端モードの周波数をfr2として、
- 請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の弾性表面波共振子と、前記IDTを駆動するためのICを備えたことを特徴とする弾性表面波発振器。
- 請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の弾性表面波共振子を備えたことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013034978A JP5574200B2 (ja) | 2009-02-27 | 2013-02-25 | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009045359 | 2009-02-27 | ||
JP2009045359 | 2009-02-27 | ||
JP2009050112 | 2009-03-04 | ||
JP2009050112 | 2009-03-04 | ||
JP2013034978A JP5574200B2 (ja) | 2009-02-27 | 2013-02-25 | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、及び電子機器 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011501525A Division JP5257799B2 (ja) | 2009-02-27 | 2010-02-26 | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、及び電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013138495A JP2013138495A (ja) | 2013-07-11 |
JP5574200B2 true JP5574200B2 (ja) | 2014-08-20 |
Family
ID=42665352
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011501525A Expired - Fee Related JP5257799B2 (ja) | 2009-02-27 | 2010-02-26 | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、及び電子機器 |
JP2010193594A Active JP5488825B2 (ja) | 2009-02-27 | 2010-08-31 | 弾性表面波共振子、および弾性表面波発振器 |
JP2013034978A Expired - Fee Related JP5574200B2 (ja) | 2009-02-27 | 2013-02-25 | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、及び電子機器 |
JP2014034427A Withdrawn JP2014112949A (ja) | 2009-02-27 | 2014-02-25 | 弾性表面波共振子、および弾性表面波発振器 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011501525A Expired - Fee Related JP5257799B2 (ja) | 2009-02-27 | 2010-02-26 | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、及び電子機器 |
JP2010193594A Active JP5488825B2 (ja) | 2009-02-27 | 2010-08-31 | 弾性表面波共振子、および弾性表面波発振器 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014034427A Withdrawn JP2014112949A (ja) | 2009-02-27 | 2014-02-25 | 弾性表面波共振子、および弾性表面波発振器 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US8952596B2 (ja) |
EP (1) | EP2403141B1 (ja) |
JP (4) | JP5257799B2 (ja) |
KR (1) | KR20110133037A (ja) |
CN (1) | CN102334289B (ja) |
WO (1) | WO2010098139A1 (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4645923B2 (ja) | 2009-02-27 | 2011-03-09 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波共振子、および弾性表面波発振器 |
EP2403141B1 (en) * | 2009-02-27 | 2018-10-24 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic device |
JP5678486B2 (ja) | 2010-06-17 | 2015-03-04 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および電子機器 |
JP2012049818A (ja) | 2010-08-26 | 2012-03-08 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、電子機器 |
JP5934464B2 (ja) | 2010-08-26 | 2016-06-15 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波共振子、および弾性表面波発振器、ならびに電子機器 |
JP2012049817A (ja) | 2010-08-26 | 2012-03-08 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、および弾性表面波発振器、ならびに電子機器 |
JP2012060422A (ja) | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置 |
JP2012060419A (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置 |
JP2012060418A (ja) | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置 |
JP2012060417A (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置 |
JP2012060421A (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置 |
JP2012060420A (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置 |
JP5652606B2 (ja) * | 2010-12-03 | 2015-01-14 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、及び電子機器 |
JP5648908B2 (ja) * | 2010-12-07 | 2015-01-07 | セイコーエプソン株式会社 | 振動デバイス、並びに発振器、および電子機器 |
JP5648695B2 (ja) * | 2010-12-24 | 2015-01-07 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
WO2012102131A1 (ja) * | 2011-01-27 | 2012-08-02 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子およびそれを用いた弾性波装置 |
CN103929147B (zh) * | 2013-01-11 | 2017-02-01 | 中国科学院声学研究所 | 一种高品质因子的单端对声表面波谐振器 |
EP3016282B1 (en) * | 2013-06-28 | 2018-08-01 | River Eletec Corporation | Elastic wave device |
CN105814794B (zh) * | 2013-12-26 | 2019-05-17 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置以及滤波器装置 |
DE102014105860A1 (de) | 2014-04-25 | 2015-10-29 | Epcos Ag | Elektroakustisches Bauelement und Kristallschnitte für elektroakustische Bauelemente |
JP5850109B2 (ja) * | 2014-08-14 | 2016-02-03 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、及び電子機器 |
DE102015106191A1 (de) * | 2015-04-22 | 2016-10-27 | Epcos Ag | Elektroakustisches Bauelement mit verbesserter Akustik |
TWI679747B (zh) * | 2017-02-28 | 2019-12-11 | 穩懋半導體股份有限公司 | 聲波元件與變容二極體整合結構暨聲波元件、變容二極體與功率放大器整合結構及其製造方法 |
CN111649839B (zh) * | 2020-06-10 | 2022-01-04 | 北京遥测技术研究所 | 一种非线性自校正的谐振型声表面波温度传感器 |
Family Cites Families (112)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US382217A (en) | 1888-05-01 | Sand-molding machine | ||
US4130813A (en) | 1977-05-23 | 1978-12-19 | Raytheon Company | Surface wave device having enhanced reflectivity gratings |
JPS54156455A (en) | 1978-05-31 | 1979-12-10 | Toshiba Corp | Surface acoustic wave element and its trimming method |
JPS55110155A (en) | 1979-02-16 | 1980-08-25 | Toray Silicone Co Ltd | Organopolysiloxane composition forming releasable film |
JPS5799813A (en) * | 1980-12-13 | 1982-06-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Surface acoustic wave resonator |
GB2078042B (en) * | 1980-06-13 | 1984-08-08 | Nippon Telegraph & Telephone | Surface acoustic wave resonator |
JPS575418A (en) | 1980-06-13 | 1982-01-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Cavity type surface elastic wave resonator |
WO1982000639A1 (en) | 1980-08-21 | 1982-03-04 | Watson K | Process for the synthesis of phenoxyalkane derivatives |
JPS5833309A (ja) | 1981-08-21 | 1983-02-26 | Toyo Commun Equip Co Ltd | すべり波共振器 |
JPS59865A (ja) | 1982-06-28 | 1984-01-06 | Shin Kobe Electric Mach Co Ltd | 鉛蓄電池陽極板の製造法 |
JPS6192011A (ja) | 1984-10-11 | 1986-05-10 | Nec Kansai Ltd | 弾性表面波素子の製造方法 |
JPS6388910A (ja) | 1986-10-02 | 1988-04-20 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 弾性表面波共振子 |
JPS6434411A (en) | 1987-07-29 | 1989-02-03 | Hitachi Ltd | Controlling device for injection amount of flocculant in purification plant |
JPS6468114A (en) | 1987-09-09 | 1989-03-14 | Hiroshi Shimizu | Structure for idt exciting type piezoelectric resonator |
JPH01231412A (ja) | 1988-03-11 | 1989-09-14 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波ディバイスの周波数特性調整方法 |
JPH02189011A (ja) | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
JPH02224591A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-06 | Ricoh Co Ltd | 磁気記録再生装置 |
CA2038474C (en) | 1990-03-19 | 1994-09-20 | Yoshio Satoh | Surface-acoustic-waver filter having a plurality of electrodes |
JP2982208B2 (ja) | 1990-03-30 | 1999-11-22 | 富士通株式会社 | 弾性表面波素子 |
JP3126416B2 (ja) | 1991-06-26 | 2001-01-22 | キンセキ株式会社 | 弾性表面波装置 |
JPH0590865A (ja) | 1991-09-30 | 1993-04-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波フイルタの中心周波数調整方法 |
JPH06232671A (ja) * | 1993-02-04 | 1994-08-19 | Mitsubishi Electric Corp | 弾性表面波素子の製造方法 |
JP3411124B2 (ja) | 1994-05-13 | 2003-05-26 | 松下電器産業株式会社 | 弾性表面波モジュール素子の製造方法 |
WO1996010293A1 (fr) | 1994-09-29 | 1996-04-04 | Seiko Epson Corporation | Dispositif a ondes acoustiques de surface |
US5815900A (en) | 1995-03-06 | 1998-10-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing a surface acoustic wave module |
JPH10270974A (ja) | 1997-03-25 | 1998-10-09 | Kenwood Corp | 表面弾性波素子 |
JP3266846B2 (ja) | 1998-01-20 | 2002-03-18 | 東洋通信機株式会社 | 反射反転型弾性表面波変換器及びフィルタ |
JP3301399B2 (ja) | 1998-02-16 | 2002-07-15 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
FR2779289B1 (fr) | 1998-05-29 | 2000-09-01 | Thomson Csf | Transducteur unidirectionnel grave a ondes acoustiques de surface |
JP3840852B2 (ja) | 1998-10-15 | 2006-11-01 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波装置及び2ポート弾性表面波共振子 |
AU765624B2 (en) * | 1999-01-12 | 2003-09-25 | Hunter Douglas Industries Bv | Nonwoven fabric and method and apparatus for manufacturing same |
JP2000216632A (ja) | 1999-01-20 | 2000-08-04 | Kubota Corp | 表面弾性波発振器 |
EP1143613A4 (en) | 1999-11-16 | 2004-10-27 | Mitsubishi Electric Corp | ELASTIC SHAFT ARRANGEMENT |
JP2002100959A (ja) | 2000-09-25 | 2002-04-05 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 弾性表面波デバイス |
JP3897229B2 (ja) | 2001-04-27 | 2007-03-22 | 株式会社村田製作所 | 表面波フィルタ |
AUPR507601A0 (en) | 2001-05-21 | 2001-06-14 | Microtechnology Centre Management Limited | Surface acoustic wave sensor |
JP3724575B2 (ja) | 2001-08-09 | 2005-12-07 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波装置 |
JP3622202B2 (ja) * | 2001-08-29 | 2005-02-23 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波装置の温度特性調整方法 |
JP2003188675A (ja) | 2001-12-19 | 2003-07-04 | Alps Electric Co Ltd | 表面弾性波素子及びそれを備えたデュプレクサ |
JP2003258601A (ja) | 2001-12-28 | 2003-09-12 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波装置およびそれを用いた通信機器 |
JP2003283282A (ja) | 2002-01-15 | 2003-10-03 | Murata Mfg Co Ltd | 電極を有する電子部品、及びその製造方法、通信装置 |
JP3826877B2 (ja) | 2002-01-22 | 2006-09-27 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置およびそれを有する通信装置 |
KR20040030002A (ko) | 2002-04-15 | 2004-04-08 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 탄성 표면파 장치 및 이를 이용한 이동통신기기 및 센서 |
US7154659B1 (en) * | 2002-04-18 | 2006-12-26 | General Photonics Corporation | Optical depolarizers and DGD generators based on optical delay |
JP2004040636A (ja) | 2002-07-05 | 2004-02-05 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波装置 |
JP2004274696A (ja) * | 2002-10-04 | 2004-09-30 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波装置および弾性表面波装置の温度特性調整方法 |
JP4306458B2 (ja) | 2003-03-20 | 2009-08-05 | セイコーエプソン株式会社 | 電圧制御型発振器、クロック変換器及び電子機器 |
JP2005012736A (ja) | 2003-06-17 | 2005-01-13 | Kazuhiko Yamanouchi | 弾性表面波変換器とこれを用いた電子装置 |
US7135805B2 (en) | 2003-04-08 | 2006-11-14 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Surface acoustic wave transducer |
JP2005086233A (ja) | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波装置の周波数温度特性調整方法および弾性表面波装置 |
US7053521B2 (en) * | 2003-11-10 | 2006-05-30 | General Electric Company | Method for enhancing epoxy adhesion to gold surfaces |
JP4246604B2 (ja) | 2003-11-18 | 2009-04-02 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波デバイス |
JP2005204275A (ja) * | 2003-12-12 | 2005-07-28 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子片およびその製造方法並びに弾性表面波装置 |
BR0318689A (pt) * | 2003-12-30 | 2006-12-19 | Telecom Italia Spa | método e sistema para avaliar o campo recebido a partir de pelo menos uma fonte de campo eletromagnético em uma posição determinada do território coberto por uma rede de comunicação, rede de comunicação, terminal de rede de comunicação, métodos pára simular e planejar uma rede de rádio móvel e para localizar terminais móveis em uma rede de radio móvel e produto de programa de computador |
US7315805B2 (en) | 2004-02-05 | 2008-01-01 | Raytheon Company | Operations and support discrete event stimulation system and method |
WO2005099089A1 (ja) | 2004-04-01 | 2005-10-20 | Toyo Communication Equipment Co., Ltd. | 弾性表面波デバイス |
JP2006013576A (ja) | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Epson Toyocom Corp | Sawデバイスとこれを用いた装置 |
JP2006074136A (ja) | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子片および弾性表面波装置 |
JP2006148622A (ja) | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波装置および電子機器 |
US7382217B2 (en) | 2004-12-03 | 2008-06-03 | Epson Toyocom Corporation | Surface acoustic wave device |
JP2006203408A (ja) * | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Epson Toyocom Corp | 弾性表面波デバイス |
JP2006186623A (ja) | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子、その製造方法、及び弾性表面波デバイス |
CN1825759B (zh) * | 2005-02-24 | 2011-11-16 | 京瓷株式会社 | 声表面波元件、分波器和通信设备 |
JP2006295311A (ja) | 2005-04-06 | 2006-10-26 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子片および弾性表面波装置 |
JP3851336B1 (ja) | 2005-05-31 | 2006-11-29 | 隆彌 渡邊 | 弾性表面波装置 |
WO2006138263A2 (en) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Electrox Corporation | System and method for the manipulation, classification sorting, purification, placement, and alignment of nano fibers using electrostatic forces and electrographic techniques |
JPWO2006137464A1 (ja) | 2005-06-21 | 2009-01-22 | エプソントヨコム株式会社 | 弾性表面波デバイス、モジュール、及び発振器 |
TWI295771B (en) * | 2005-08-08 | 2008-04-11 | Rdc Semiconductor Co Ltd | Faulty storage area self markup access control method and system |
JP2007093213A (ja) | 2005-09-26 | 2007-04-12 | Epson Toyocom Corp | 圧力センサ |
JP2007288812A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-11-01 | Epson Toyocom Corp | 弾性表面波デバイス、モジュール装置、発振回路および弾性表面波デバイスの製造方法 |
JP4809042B2 (ja) | 2005-11-10 | 2011-11-02 | 日本電波工業株式会社 | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
JP4569447B2 (ja) | 2005-11-18 | 2010-10-27 | エプソントヨコム株式会社 | 弾性表面波素子片および弾性表面波デバイス |
JP2006166466A (ja) | 2005-12-09 | 2006-06-22 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波装置 |
JP4412292B2 (ja) * | 2006-02-06 | 2010-02-10 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波装置および電子機器 |
DE202006001907U1 (de) | 2006-02-07 | 2006-04-13 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Entladungslampe mit vergossenem Sockel |
JP2007228012A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波共振子 |
JP2007259414A (ja) | 2006-02-24 | 2007-10-04 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波装置の温度特性調整方法および弾性表面波装置の製造方法、弾性表面波装置 |
JP2007267033A (ja) | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Epson Toyocom Corp | 弾性表面波素子及び弾性表面波デバイス |
JP5141856B2 (ja) | 2006-04-04 | 2013-02-13 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波装置の製造方法、及び弾性表面波装置 |
JP4968510B2 (ja) * | 2006-04-27 | 2012-07-04 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波素子片の周波数温度特性調整方法、及び弾性表面波素子片、並びに弾性表面波デバイス |
JP2007300287A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Epson Toyocom Corp | 弾性表面波素子および弾性表面波デバイス並びに電子機器 |
JP2007333500A (ja) | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Epson Toyocom Corp | 圧力センサの製造方法および圧力センサ |
JP4158818B2 (ja) | 2006-06-21 | 2008-10-01 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ装置及びデュプレクサ |
JP2008078739A (ja) | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波デバイスおよびフィルタ |
JP2008078984A (ja) | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Epson Toyocom Corp | Sawデバイスおよび電子機器 |
JP4645957B2 (ja) | 2006-09-29 | 2011-03-09 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波素子片および弾性表面波装置 |
US7504705B2 (en) | 2006-09-29 | 2009-03-17 | International Business Machines Corporation | Striped on-chip inductor |
JP4465625B2 (ja) | 2006-09-29 | 2010-05-19 | Tdk株式会社 | 弾性表面波フィルタおよび弾性表面波共振器 |
JP2008177886A (ja) | 2007-01-19 | 2008-07-31 | Seiko Epson Corp | Fsk変調器 |
JP2008236295A (ja) | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Seiko Epson Corp | Saw共振子 |
JP2008278349A (ja) | 2007-05-02 | 2008-11-13 | Seiko Epson Corp | Saw共振子 |
JP2008286521A (ja) | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Epson Toyocom Corp | 回転速度検知ユニット、及び回転速度センサ |
JP5018227B2 (ja) | 2007-05-15 | 2012-09-05 | セイコーエプソン株式会社 | 力検知ユニット |
JP4591800B2 (ja) | 2008-02-20 | 2010-12-01 | エプソントヨコム株式会社 | 弾性表面波デバイスおよび弾性表面波発振器 |
JP5146160B2 (ja) | 2008-07-02 | 2013-02-20 | 株式会社村田製作所 | 弾性波共振子及びラダー型フィルタ |
EP2335365B1 (en) * | 2008-10-10 | 2018-09-12 | Intel Corporation | Crest factor reduction for ofdm communications systems by transmitting phase shifted resource blocks |
EP2357729A4 (en) | 2008-10-24 | 2015-03-25 | Seiko Epson Corp | SURFACE ACOUSTIC WAVE RESONATOR, SURFACE ACOUSTIC WAVE OSCILLATOR, AND SURFACE ACOUSTIC WAVE MODULE DEVICE |
EP2403141B1 (en) | 2009-02-27 | 2018-10-24 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic device |
JP4645923B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2011-03-09 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波共振子、および弾性表面波発振器 |
JP5678486B2 (ja) * | 2010-06-17 | 2015-03-04 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および電子機器 |
JP2012049818A (ja) | 2010-08-26 | 2012-03-08 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、電子機器 |
JP5934464B2 (ja) | 2010-08-26 | 2016-06-15 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波共振子、および弾性表面波発振器、ならびに電子機器 |
JP2012049817A (ja) * | 2010-08-26 | 2012-03-08 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、および弾性表面波発振器、ならびに電子機器 |
JP2012060421A (ja) | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置 |
JP2012060418A (ja) | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置 |
JP2012060420A (ja) | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置 |
JP2012060422A (ja) | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置 |
JP2012060419A (ja) | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置 |
JP5652606B2 (ja) | 2010-12-03 | 2015-01-14 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、及び電子機器 |
JP5648908B2 (ja) | 2010-12-07 | 2015-01-07 | セイコーエプソン株式会社 | 振動デバイス、並びに発振器、および電子機器 |
WO2012137027A1 (en) * | 2011-04-07 | 2012-10-11 | Gvr Trade Sa | Surface acoustic wave resonator |
JP5799813B2 (ja) | 2012-01-10 | 2015-10-28 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 回路ユニット及び電気接続箱 |
-
2010
- 2010-02-26 EP EP10746022.2A patent/EP2403141B1/en active Active
- 2010-02-26 CN CN201080009209.4A patent/CN102334289B/zh active Active
- 2010-02-26 KR KR1020117022554A patent/KR20110133037A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-02-26 US US12/713,461 patent/US8952596B2/en active Active
- 2010-02-26 WO PCT/JP2010/001347 patent/WO2010098139A1/ja active Application Filing
- 2010-02-26 JP JP2011501525A patent/JP5257799B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-08-31 JP JP2010193594A patent/JP5488825B2/ja active Active
-
2012
- 2012-04-30 US US13/460,149 patent/US8933612B2/en active Active
-
2013
- 2013-02-25 JP JP2013034978A patent/JP5574200B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-02-25 JP JP2014034427A patent/JP2014112949A/ja not_active Withdrawn
- 2014-10-27 US US14/524,568 patent/US9762207B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8933612B2 (en) | 2015-01-13 |
US20150042408A1 (en) | 2015-02-12 |
US9762207B2 (en) | 2017-09-12 |
EP2403141B1 (en) | 2018-10-24 |
JP2014112949A (ja) | 2014-06-19 |
WO2010098139A1 (ja) | 2010-09-02 |
CN102334289A (zh) | 2012-01-25 |
JP2011041287A (ja) | 2011-02-24 |
JP5488825B2 (ja) | 2014-05-14 |
EP2403141A4 (en) | 2013-04-17 |
WO2010098139A9 (ja) | 2010-12-23 |
US8952596B2 (en) | 2015-02-10 |
US20100244626A1 (en) | 2010-09-30 |
JP2013138495A (ja) | 2013-07-11 |
JP5257799B2 (ja) | 2013-08-07 |
CN102334289B (zh) | 2015-10-07 |
KR20110133037A (ko) | 2011-12-09 |
EP2403141A1 (en) | 2012-01-04 |
US20120212301A1 (en) | 2012-08-23 |
JPWO2010098139A1 (ja) | 2012-08-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5574200B2 (ja) | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、及び電子機器 | |
JP5678486B2 (ja) | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および電子機器 | |
JP5652606B2 (ja) | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、及び電子機器 | |
JP5934464B2 (ja) | 弾性表面波共振子、および弾性表面波発振器、ならびに電子機器 | |
JP4645923B2 (ja) | 弾性表面波共振子、および弾性表面波発振器 | |
JP2012060421A (ja) | 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置 | |
US8471434B2 (en) | Surface acoustic wave device, surface acoustic wave oscillator, and electronic apparatus | |
JP5850109B2 (ja) | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、及び電子機器 | |
JP2016167652A (ja) | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および電子機器 | |
JP5737491B2 (ja) | 弾性表面波フィルタ、電子機器 | |
JP2015029358A (ja) | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および電子機器 | |
JP2015084534A (ja) | 二端子対弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および電子機器 | |
JP5737490B2 (ja) | トランスバーサル型弾性表面波デバイス、弾性表面波発振器および電子機器 | |
JP5750683B2 (ja) | 二端子対弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および電子機器 | |
JP2015084535A (ja) | トランスバーサル型弾性表面波デバイス、弾性表面波発振器および電子機器 | |
JP2012049631A (ja) | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140326 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140605 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140618 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5574200 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |