JPS6388910A - 弾性表面波共振子 - Google Patents
弾性表面波共振子Info
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- JPS6388910A JPS6388910A JP23530986A JP23530986A JPS6388910A JP S6388910 A JPS6388910 A JP S6388910A JP 23530986 A JP23530986 A JP 23530986A JP 23530986 A JP23530986 A JP 23530986A JP S6388910 A JPS6388910 A JP S6388910A
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- Japan
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- idt
- reflector
- saw
- resonator
- electrode
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- Pending
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000032683 aging Effects 0.000 abstract description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 abstract description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910017146 AlTl Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
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- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はＡｕ′！ｌＬ極を用いたＳＡＷ共振子に関する
。
。
（従来技術）
従来のＳＡＷ共振子は圧電基板上の中央にＩＤＴを置き
その両側に反射器を配置し、電極材料としてはＡｌを用
いるのが一般的でありた。
その両側に反射器を配置し、電極材料としてはＡｌを用
いるのが一般的でありた。
しかしながらＡＩ！極を用いたＳＡＷ共振子は時間の経
過と共にＡｌの酸化等によって共振周波数が低下する（
エージング特性）という欠点があるのみならず、小型化
を目的として反射器の本数を減らす場合にはＱを高くす
るためにＡｌＴｌ！翫を厚くしなければならず蒸着に時
間がかかるという欠点があった。
過と共にＡｌの酸化等によって共振周波数が低下する（
エージング特性）という欠点があるのみならず、小型化
を目的として反射器の本数を減らす場合にはＱを高くす
るためにＡｌＴｌ！翫を厚くしなければならず蒸着に時
間がかかるという欠点があった。
一方、電％ＫＡｕを用いたＳＡＷ共振子はエージング特
性が良く、又Ａｕの密度が大きいことがらｋｌに比べて
薄い膜厚で良いという利点があるが、Ａｌの場合と同じ
パターンを用いてＳＡＷ共振子を構成すると、共振特性
が現われないか又はきわめてＱの悪い共振子となること
が知られており、ＡｕＴ！Ｌ極はＳＡＷ共振子に不適当
であると考えられていた。
性が良く、又Ａｕの密度が大きいことがらｋｌに比べて
薄い膜厚で良いという利点があるが、Ａｌの場合と同じ
パターンを用いてＳＡＷ共振子を構成すると、共振特性
が現われないか又はきわめてＱの悪い共振子となること
が知られており、ＡｕＴ！Ｌ極はＳＡＷ共振子に不適当
であると考えられていた。
（発明の目的）
本発明は上述の如き従来のＡｕ′Ｗ１極を用いたＳＡＷ
￥ｒｌ極を用いたＳＡＷ共振子のＱが悪い欠点な清酒す
る九めになされたものであって、Ａｕ電極を用いしかも
Ｑの高いＳＡＷ共振子を提供することを目的とする。
￥ｒｌ極を用いたＳＡＷ共振子のＱが悪い欠点な清酒す
る九めになされたものであって、Ａｕ電極を用いしかも
Ｑの高いＳＡＷ共振子を提供することを目的とする。
（発明の概要）
上述の目的を達成する為２本発明に於いてはＡｕ電極に
よるＩＤＴの周期り及び反射器のピッチＰとの間に１＜
Ｌ／２Ｐ（１，０５なる関係を与えたパターン構成をと
る。
よるＩＤＴの周期り及び反射器のピッチＰとの間に１＜
Ｌ／２Ｐ（１，０５なる関係を与えたパターン構成をと
る。
（発明の実施例）
以下１本発明を図面に示した実施例に基づいて詳細に説
明する。
明する。
実施例の説明に先立って本発明の理解を助けるため、Ｓ
ＡＷ共振子における反射器の反射率ｌｒｌ及びＩＤＴの
放射コンダクタンスＧａ７ａＮの関係について説明する
。
ＡＷ共振子における反射器の反射率ｌｒｌ及びＩＤＴの
放射コンダクタンスＧａ７ａＮの関係について説明する
。
第２図はＡｌｔ極を用いたＳＡＷ共振子の１ｒ１及びＧ
ａ／ＧＮの周波数特性の一例であり。
ａ／ＧＮの周波数特性の一例であり。
ＡＷ共振子のＱを高めるためにはこの両者の周波数を等
しくすることが必要であるから、ＩＤＴ及び反射器の周
期を違えれば良（、ＩＤＴの周期をり１反射器のピッチ
をＰとすると とすれば良いことが知られている。（文献（１）Ｔ。
しくすることが必要であるから、ＩＤＴ及び反射器の周
期を違えれば良（、ＩＤＴの周期をり１反射器のピッチ
をＰとすると とすれば良いことが知られている。（文献（１）Ｔ。
Ｕｎｏ ｅｔ ａｌ、ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、、
ＳＬＩ ２９＊ｐ、２９９（１９８２）、参照） ここでに、′０． Ｋ、’、は基板の材質、電極の材質
や形状で決まる反射係数、 ｑＴ＝πに１’２ ＮテＮ
Ｉｔｉ Ｉ ＤＴの対数である。例えばＳＴカット水
晶基板においてＡＩ電極をＳＡＷの波長の２．５４．Ｎ
を１００対とすると、 Ｌ／２ Ｆ＝０．９９４となる
。
ＳＬＩ ２９＊ｐ、２９９（１９８２）、参照） ここでに、′０． Ｋ、’、は基板の材質、電極の材質
や形状で決まる反射係数、 ｑＴ＝πに１’２ ＮテＮ
Ｉｔｉ Ｉ ＤＴの対数である。例えばＳＴカット水
晶基板においてＡＩ電極をＳＡＷの波長の２．５４．Ｎ
を１００対とすると、 Ｌ／２ Ｆ＝０．９９４となる
。
これに対してＡｕ電極を用いてＬ／２Ｐ＝０．９９４の
関係のパターンによりＳＡＷ共振子を構成すると、共振
特性が得られないことは前述の通りである。
関係のパターンによりＳＡＷ共振子を構成すると、共振
特性が得られないことは前述の通りである。
この問題を解決するためＡｕ電極の場合のｌｒｌとＧａ
／ＧＮとの関係を検討するに９反射係下量から。
／ＧＮとの関係を検討するに９反射係下量から。
として与えられる。ここでＨは電極膜厚、λはＳＡＷの
波長である。
波長である。
又１反射係数に１′２を反射特性におけるストップ・パ
／ドの幅として近似すると、Ａｕ電極の場合文献（２）
銘木、清水 信学論、ｖｏ１．Ｊ６９−Ａ、 ｐ、７
６４（１９８６）、よりＫＸｔはとして表わされる。こ
れらのに□゛１及びに１ｔを前記（１）式に代入すると
Ｌ／２Ｆの値はＩＤＴの対数Ｎ＝１００対の場合、Ａ
ｕ電極の膜厚がＳＡＷの波長の０．５％では１．０１０
，１％では１．０１６゜２壬では１．０３１，３チでは
１．０５０の値が得られる。即ち、第３図に示すように
Ａｕ電極の場合にはＡＩ電極とは逆に、放射コンダクタ
ンスの最大となる周波数ｆＴの方が１７”１の中心周波
数ｆＲよりも高くなるから１両者の周波数を等しくする
念めの周期比Ｌ／２Ｐ＃ｉ１より大きくずれば良いと考
えられる。
／ドの幅として近似すると、Ａｕ電極の場合文献（２）
銘木、清水 信学論、ｖｏ１．Ｊ６９−Ａ、 ｐ、７
６４（１９８６）、よりＫＸｔはとして表わされる。こ
れらのに□゛１及びに１ｔを前記（１）式に代入すると
Ｌ／２Ｆの値はＩＤＴの対数Ｎ＝１００対の場合、Ａ
ｕ電極の膜厚がＳＡＷの波長の０．５％では１．０１０
，１％では１．０１６゜２壬では１．０３１，３チでは
１．０５０の値が得られる。即ち、第３図に示すように
Ａｕ電極の場合にはＡＩ電極とは逆に、放射コンダクタ
ンスの最大となる周波数ｆＴの方が１７”１の中心周波
数ｆＲよりも高くなるから１両者の周波数を等しくする
念めの周期比Ｌ／２Ｐ＃ｉ１より大きくずれば良いと考
えられる。
そこで第１図に示すようなＡｕパターンを有するＳＡＷ
共振子を試作しその特性を調べたところ、第４図に示す
ような結果を得た。
共振子を試作しその特性を調べたところ、第４図に示す
ような結果を得た。
本図における冬膜厚毎の特性を示す点線は。
実験点が少ない為計算により求めたものであるが、ＡＩ
電極の場合の実験結果と計算結果との一致がきわめて良
いことから推定して、Ａｕ電極の場合にもはＶ正確であ
ると考えられる。
電極の場合の実験結果と計算結果との一致がきわめて良
いことから推定して、Ａｕ電極の場合にもはＶ正確であ
ると考えられる。
従って、Ｌ／２Ｆの値は概ね１乃至１．０７ 程度であ
ればＳＡＷ共撮子として実用的なＱを実現し得るものと
考えられるが、電極膜厚Ｈ／λ＝３チはＱを高める上で
は限界であると考えられるので、Ｌ／２Ｐの上限は１．
０５程度であろう。
ればＳＡＷ共撮子として実用的なＱを実現し得るものと
考えられるが、電極膜厚Ｈ／λ＝３チはＱを高める上で
は限界であると考えられるので、Ｌ／２Ｐの上限は１．
０５程度であろう。
以上ＳＡＷ共撮子についてのみ説明したが。
本発明は二重モードＳＡＷフィルタにも適用可能である
。
。
（発明の効果）
本発明は以上説明したように構成するので。
エージング特性に優れｆｉｓＡＷ共振子を実現する上で
著しい効果がある。
著しい効果がある。
第１図は本発明に係るＳＡＷ共振子の電極構成を示す図
、箪２図および第３図は夫々ＡＩ電極およびＡｕ′ｆ！
Ｌ極を使用したＳＡＷ共振子における反射器の反射率１
７’ｌとＩＤＴの放射コンダクタンスＧａ／ＧＮ と
の周波数特性を説明する図、第４図は本発明に係るＡｕ
電極ＳＡＷ共振子の特性を示す実験結果の図である。 特許出願人 東洋通信機株式会社 駕 ｌｒＥ３
、箪２図および第３図は夫々ＡＩ電極およびＡｕ′ｆ！
Ｌ極を使用したＳＡＷ共振子における反射器の反射率１
７’ｌとＩＤＴの放射コンダクタンスＧａ／ＧＮ と
の周波数特性を説明する図、第４図は本発明に係るＡｕ
電極ＳＡＷ共振子の特性を示す実験結果の図である。 特許出願人 東洋通信機株式会社 駕 ｌｒＥ３
Claims (1)
- （１）圧電基板上にインタディジタルトランスジュユー
サ（ＩＤＴ）電極およびその両側に反射器を設けた弾性
表面波（ＳＡＷ）共振子において、前記ＩＤＴ及び反射
器をＡｕによって構成すると共に前記ＩＤＴの周期Ｌと
反射器のピッチＰとの間に１＜Ｌ／２Ｐ＜１．０５なる
関係を与えたことを特徴とするＳＡＷ共振子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23530986A JPS6388910A (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 弾性表面波共振子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23530986A JPS6388910A (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 弾性表面波共振子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6388910A true JPS6388910A (ja) | 1988-04-20 |
Family
ID=16984201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23530986A Pending JPS6388910A (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 弾性表面波共振子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6388910A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02270416A (ja) * | 1989-02-21 | 1990-11-05 | Seiko Epson Corp | Ｓａｗ共振子 |
| US6255916B1 (en) | 1993-05-27 | 2001-07-03 | Fujitsu Limited | Resonator-type surface-acoustic-wave filter for reducing the signal strength of a spurious peak |
| USRE37375E1 (en) * | 1991-10-28 | 2001-09-18 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave filter |
| USRE40036E1 (en) | 1991-10-28 | 2008-01-29 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave filter |
| US7696675B2 (en) | 2006-02-06 | 2010-04-13 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device and electronic apparatus |
| JP2012060422A (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置 |
| US8723396B2 (en) | 2010-09-09 | 2014-05-13 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device, electronic apparatus, and sensor apparatus |
| US8723394B2 (en) | 2010-09-09 | 2014-05-13 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device, electronic apparatus, and sensor apparatus |
| US8723395B2 (en) | 2010-09-09 | 2014-05-13 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device, electronic apparatus, and sensor apparatus |
| US9048806B2 (en) | 2010-09-09 | 2015-06-02 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device, electronic apparatus, and sensor apparatus |
| US9537464B2 (en) | 2010-06-17 | 2017-01-03 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic apparatus |
| US9762207B2 (en) | 2009-02-27 | 2017-09-12 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic instrument |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60169211A (ja) * | 1984-02-13 | 1985-09-02 | Nec Corp | 弾性表面波共振器 |
-
1986
- 1986-10-02 JP JP23530986A patent/JPS6388910A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60169211A (ja) * | 1984-02-13 | 1985-09-02 | Nec Corp | 弾性表面波共振器 |
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| US8723395B2 (en) | 2010-09-09 | 2014-05-13 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device, electronic apparatus, and sensor apparatus |
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| US8723396B2 (en) | 2010-09-09 | 2014-05-13 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device, electronic apparatus, and sensor apparatus |
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