JPS6388910A - 弾性表面波共振子 - Google Patents
弾性表面波共振子Info
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- JPS6388910A JPS6388910A JP23530986A JP23530986A JPS6388910A JP S6388910 A JPS6388910 A JP S6388910A JP 23530986 A JP23530986 A JP 23530986A JP 23530986 A JP23530986 A JP 23530986A JP S6388910 A JPS6388910 A JP S6388910A
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- Japan
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- idt
- reflector
- saw
- resonator
- electrode
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Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000032683 aging Effects 0.000 abstract description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 abstract description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910017146 AlTl Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はAu′!lL極を用いたSAW共振子に関する
。
。
(従来技術)
従来のSAW共振子は圧電基板上の中央にIDTを置き
その両側に反射器を配置し、電極材料としてはAlを用
いるのが一般的でありた。
その両側に反射器を配置し、電極材料としてはAlを用
いるのが一般的でありた。
しかしながらAI!極を用いたSAW共振子は時間の経
過と共にAlの酸化等によって共振周波数が低下する(
エージング特性)という欠点があるのみならず、小型化
を目的として反射器の本数を減らす場合にはQを高くす
るためにAlTl!翫を厚くしなければならず蒸着に時
間がかかるという欠点があった。
過と共にAlの酸化等によって共振周波数が低下する(
エージング特性)という欠点があるのみならず、小型化
を目的として反射器の本数を減らす場合にはQを高くす
るためにAlTl!翫を厚くしなければならず蒸着に時
間がかかるという欠点があった。
一方、電%KAuを用いたSAW共振子はエージング特
性が良く、又Auの密度が大きいことがらklに比べて
薄い膜厚で良いという利点があるが、Alの場合と同じ
パターンを用いてSAW共振子を構成すると、共振特性
が現われないか又はきわめてQの悪い共振子となること
が知られており、AuT!L極はSAW共振子に不適当
であると考えられていた。
性が良く、又Auの密度が大きいことがらklに比べて
薄い膜厚で良いという利点があるが、Alの場合と同じ
パターンを用いてSAW共振子を構成すると、共振特性
が現われないか又はきわめてQの悪い共振子となること
が知られており、AuT!L極はSAW共振子に不適当
であると考えられていた。
(発明の目的)
本発明は上述の如き従来のAu′W1極を用いたSAW
¥rl極を用いたSAW共振子のQが悪い欠点な清酒す
る九めになされたものであって、Au電極を用いしかも
Qの高いSAW共振子を提供することを目的とする。
¥rl極を用いたSAW共振子のQが悪い欠点な清酒す
る九めになされたものであって、Au電極を用いしかも
Qの高いSAW共振子を提供することを目的とする。
(発明の概要)
上述の目的を達成する為2本発明に於いてはAu電極に
よるIDTの周期り及び反射器のピッチPとの間に1<
L/2P(1,05なる関係を与えたパターン構成をと
る。
よるIDTの周期り及び反射器のピッチPとの間に1<
L/2P(1,05なる関係を与えたパターン構成をと
る。
(発明の実施例)
以下1本発明を図面に示した実施例に基づいて詳細に説
明する。
明する。
実施例の説明に先立って本発明の理解を助けるため、S
AW共振子における反射器の反射率lrl及びIDTの
放射コンダクタンスGa7aNの関係について説明する
。
AW共振子における反射器の反射率lrl及びIDTの
放射コンダクタンスGa7aNの関係について説明する
。
第2図はAlt極を用いたSAW共振子の1r1及びG
a/GNの周波数特性の一例であり。
a/GNの周波数特性の一例であり。
AW共振子のQを高めるためにはこの両者の周波数を等
しくすることが必要であるから、IDT及び反射器の周
期を違えれば良(、IDTの周期をり1反射器のピッチ
をPとすると とすれば良いことが知られている。(文献(1)T。
しくすることが必要であるから、IDT及び反射器の周
期を違えれば良(、IDTの周期をり1反射器のピッチ
をPとすると とすれば良いことが知られている。(文献(1)T。
Uno et al、IEEE Trans、、
SLI 29*p、299(1982)、参照) ここでに、′0. K、’、は基板の材質、電極の材質
や形状で決まる反射係数、 qT=πに1’2 NテN
Iti I DTの対数である。例えばSTカット水
晶基板においてAI電極をSAWの波長の2.54.N
を100対とすると、 L/2 F=0.994となる
。
SLI 29*p、299(1982)、参照) ここでに、′0. K、’、は基板の材質、電極の材質
や形状で決まる反射係数、 qT=πに1’2 NテN
Iti I DTの対数である。例えばSTカット水
晶基板においてAI電極をSAWの波長の2.54.N
を100対とすると、 L/2 F=0.994となる
。
これに対してAu電極を用いてL/2P=0.994の
関係のパターンによりSAW共振子を構成すると、共振
特性が得られないことは前述の通りである。
関係のパターンによりSAW共振子を構成すると、共振
特性が得られないことは前述の通りである。
この問題を解決するためAu電極の場合のlrlとGa
/GNとの関係を検討するに9反射係下量から。
/GNとの関係を検討するに9反射係下量から。
として与えられる。ここでHは電極膜厚、λはSAWの
波長である。
波長である。
又1反射係数に1′2を反射特性におけるストップ・パ
/ドの幅として近似すると、Au電極の場合文献(2)
銘木、清水 信学論、vo1.J69−A、 p、7
64(1986)、よりKXtはとして表わされる。こ
れらのに□゛1及びに1tを前記(1)式に代入すると
L/2Fの値はIDTの対数N=100対の場合、A
u電極の膜厚がSAWの波長の0.5%では1.010
,1%では1.016゜2壬では1.031,3チでは
1.050の値が得られる。即ち、第3図に示すように
Au電極の場合にはAI電極とは逆に、放射コンダクタ
ンスの最大となる周波数fTの方が17”1の中心周波
数fRよりも高くなるから1両者の周波数を等しくする
念めの周期比L/2P#i1より大きくずれば良いと考
えられる。
/ドの幅として近似すると、Au電極の場合文献(2)
銘木、清水 信学論、vo1.J69−A、 p、7
64(1986)、よりKXtはとして表わされる。こ
れらのに□゛1及びに1tを前記(1)式に代入すると
L/2Fの値はIDTの対数N=100対の場合、A
u電極の膜厚がSAWの波長の0.5%では1.010
,1%では1.016゜2壬では1.031,3チでは
1.050の値が得られる。即ち、第3図に示すように
Au電極の場合にはAI電極とは逆に、放射コンダクタ
ンスの最大となる周波数fTの方が17”1の中心周波
数fRよりも高くなるから1両者の周波数を等しくする
念めの周期比L/2P#i1より大きくずれば良いと考
えられる。
そこで第1図に示すようなAuパターンを有するSAW
共振子を試作しその特性を調べたところ、第4図に示す
ような結果を得た。
共振子を試作しその特性を調べたところ、第4図に示す
ような結果を得た。
本図における冬膜厚毎の特性を示す点線は。
実験点が少ない為計算により求めたものであるが、AI
電極の場合の実験結果と計算結果との一致がきわめて良
いことから推定して、Au電極の場合にもはV正確であ
ると考えられる。
電極の場合の実験結果と計算結果との一致がきわめて良
いことから推定して、Au電極の場合にもはV正確であ
ると考えられる。
従って、L/2Fの値は概ね1乃至1.07 程度であ
ればSAW共撮子として実用的なQを実現し得るものと
考えられるが、電極膜厚H/λ=3チはQを高める上で
は限界であると考えられるので、L/2Pの上限は1.
05程度であろう。
ればSAW共撮子として実用的なQを実現し得るものと
考えられるが、電極膜厚H/λ=3チはQを高める上で
は限界であると考えられるので、L/2Pの上限は1.
05程度であろう。
以上SAW共撮子についてのみ説明したが。
本発明は二重モードSAWフィルタにも適用可能である
。
。
(発明の効果)
本発明は以上説明したように構成するので。
エージング特性に優れfisAW共振子を実現する上で
著しい効果がある。
著しい効果がある。
第1図は本発明に係るSAW共振子の電極構成を示す図
、箪2図および第3図は夫々AI電極およびAu′f!
L極を使用したSAW共振子における反射器の反射率1
7’lとIDTの放射コンダクタンスGa/GN と
の周波数特性を説明する図、第4図は本発明に係るAu
電極SAW共振子の特性を示す実験結果の図である。 特許出願人 東洋通信機株式会社 駕 lrE3
、箪2図および第3図は夫々AI電極およびAu′f!
L極を使用したSAW共振子における反射器の反射率1
7’lとIDTの放射コンダクタンスGa/GN と
の周波数特性を説明する図、第4図は本発明に係るAu
電極SAW共振子の特性を示す実験結果の図である。 特許出願人 東洋通信機株式会社 駕 lrE3
Claims (1)
- (1)圧電基板上にインタディジタルトランスジュユー
サ(IDT)電極およびその両側に反射器を設けた弾性
表面波(SAW)共振子において、前記IDT及び反射
器をAuによって構成すると共に前記IDTの周期Lと
反射器のピッチPとの間に1<L/2P<1.05なる
関係を与えたことを特徴とするSAW共振子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23530986A JPS6388910A (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 弾性表面波共振子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23530986A JPS6388910A (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 弾性表面波共振子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6388910A true JPS6388910A (ja) | 1988-04-20 |
Family
ID=16984201
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23530986A Pending JPS6388910A (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 弾性表面波共振子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6388910A (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02270416A (ja) * | 1989-02-21 | 1990-11-05 | Seiko Epson Corp | Saw共振子 |
US6255916B1 (en) | 1993-05-27 | 2001-07-03 | Fujitsu Limited | Resonator-type surface-acoustic-wave filter for reducing the signal strength of a spurious peak |
USRE37375E1 (en) * | 1991-10-28 | 2001-09-18 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave filter |
USRE40036E1 (en) | 1991-10-28 | 2008-01-29 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave filter |
US7696675B2 (en) | 2006-02-06 | 2010-04-13 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device and electronic apparatus |
JP2012060422A (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置 |
US8723396B2 (en) | 2010-09-09 | 2014-05-13 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device, electronic apparatus, and sensor apparatus |
US8723394B2 (en) | 2010-09-09 | 2014-05-13 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device, electronic apparatus, and sensor apparatus |
US8723395B2 (en) | 2010-09-09 | 2014-05-13 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device, electronic apparatus, and sensor apparatus |
US9048806B2 (en) | 2010-09-09 | 2015-06-02 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device, electronic apparatus, and sensor apparatus |
US9537464B2 (en) | 2010-06-17 | 2017-01-03 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic apparatus |
US9762207B2 (en) | 2009-02-27 | 2017-09-12 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic instrument |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60169211A (ja) * | 1984-02-13 | 1985-09-02 | Nec Corp | 弾性表面波共振器 |
-
1986
- 1986-10-02 JP JP23530986A patent/JPS6388910A/ja active Pending
Patent Citations (1)
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JP2012060422A (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置 |
US8723395B2 (en) | 2010-09-09 | 2014-05-13 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device, electronic apparatus, and sensor apparatus |
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