CN105814794B - 弹性波装置以及滤波器装置 - Google Patents

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Abstract

提供能有效果地抑制横模脉动的弹性波装置。在弹性波装置(1)中，在压电薄膜上层叠IDT电极(11～14)，IDT电极(11)具有多条第1电极指(11c)、多条第2电极指(11d)，将第1电极指(11c)的前端彼此或第2电极指(11d)的前端彼此连结的线相对于弹性波传播方向倾斜，成倾斜角度(v)，该倾斜角度(v)为0.4°以上、10°以下。

Description

弹性波装置以及滤波器装置
技术领域
本发明涉及用在谐振器或带通型滤波器等中的弹性波装置。更详细地，本发明涉及利用了由LiTaO3构成的压电薄膜的弹性波装置以及具备其的滤波器装置。
背景技术
在下述的专利文献1中，公开了在支承基板上按照高音速膜、低音速膜、LiTaO3膜以及IDT电极的顺序将它们层叠而成的弹性波装置。在专利文献1中，使用在LiTaO3膜中传播的漏泄波。
另一方面，在下述的专利文献2中，公开了在15。旋转Y切割X传播的LiNbO3膜上设置由A1构成的电极的声表面波谐振器。在该声表面波谐振器中，将IDT电极的第1电极指的前端彼此连结的直线以及将第2电极指的前端彼此连结的直线，相对于表面波传播方向倾斜18°到72°程度。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：WO12/086639
专利文献2：JP特开2000-286663号公报
发明内容
发明要解决的课题
在专利文献1所记载的弹性波装置中，在频率特性上，有出现横模脉动这样的问题。
另一方面，在专利文献2中，在一方的汇流条反射的横模、和在另一方的汇流条反射的横模相互抵消，使得能抑制横模。
但在专利文献1所记载那样的通过高音速膜将弹性波封闭的弹性波装置中，在如专利文献2所记载那样使上下的汇流条相对于声表面波传播方向以相同倾斜度倾斜的情况下，由于倾斜度大到18°以上72°以下而过大，因此***损耗大而劣化。
本发明的目的在于，提供防止***损耗的劣化且能有效果地抑制横模脉动的弹性波装置。
本发明的其他目的在于，提供具备上述弹性波装置的滤波器装置。
用于解决课题的手段
本申请的第1发明是具有由LiTaO3构成的压电膜的弹性波装置，具备：由LiTaO3构成的所述压电膜；和形成在所述压电膜的一面的IDT电极，所述IDT电极具有：多条第1电极指、和与所述第1电极指相互间插的多条第2电极指，在将以所述IDT电极的电极指的周期确定的波长设为λ时，所述由LiTaO3构成的压电膜的膜厚为10λ以下，相对于由所述LiTaO3的欧拉角规定的通过IDT电极激振的弹性波的传播方向ψ，将所述多条第1电极指的前端连结的方向以及将所述第2电极指的前端连结的方向成v的倾斜角度，该倾斜角度v处于0.4°以上、15°以下的范围。
本申请的第2发明是具有由LiTaO3构成的压电膜的弹性波装置。本发明所涉及的弹性波装置具备：支承基板；高音速膜，其形成在所述支承基板上，与在所述压电膜中传播的弹性波的音速相比所传播的体波音速更高速；低音速膜，其层叠在所述高音速膜上，与在所述压电膜中传播的体波音速相比所传播的体波音速更低速；所述压电膜，其层叠在所述低音速膜上；和IDT电极，其形成在所述压电膜的一面。在本发明中，所述IDT电极具有多条第1电极指、和与所述第1电极指相互间插的多条第2电极指，在将以所述IDT电极的电极指的周期确定的波长设为λ时，由所述LiTaO3构成的压电膜的膜厚为10λ以下，相对于由所述LiTaO3的欧拉角规定的通过IDT电极激振的弹性波的传播方向ψ，将所述多条第1电极指的前端连结的方向以及将所述第2电极指的前端连结的方向成v的倾斜角度，该倾斜角度v处于0.4°以上、15°以下的范围。
本申请的第3发明是具有由LiTaO3构成的压电膜的弹性波装置，具备：高音速支承基板，其与在所述压电膜中传播的弹性波的音速相比所传播的体波音速更高速；低音速膜，其层叠在所述高音速支承基板上，与在所述压电膜中传播的体波音速相比所传播的体波音速更低速；所述压电膜，其层叠在所述低音速膜上；和IDT电极，其形成在所述压电膜的一面，所述IDT电极具有多条第1电极指、和与所述第1电极指相互间插的多条第2电极指，在将以所述IDT电极的电极指的周期确定的波长设为λ时，所述由LiTaO3构成的压电膜的膜厚为10λ以下，相对于由所述LiTaO3的欧拉角规定的通过IDT电极激振的弹性波的传播方向ψ，将所述多条第1电极指的前端连结的方向以及将所述第2电极指的前端连结的方向成v的倾斜角度，该倾斜角度v处于0.4°以上、15°以下的范围。
在本发明中，优选地，所述倾斜角度v为10°以下。在该情况下，能减小***损耗。
在本发明所涉及的弹性波装置中，优选地，在将以所述IDT电极的电极指的周期确定的波长设为λ时，所述由LiTaO3构成的压电膜的膜厚大于0.2λ。
在本发明所涉及的弹性波装置中，优选地，所述IDT电极的电极指交叉宽度大于10λ。在该情况下，能更加有效果地抑制横模脉动。另外，电极指交叉宽度的上限虽然没有特别限定，但优选为50λ以下。在该情况下，能减小电极指的电阻。
在本发明所涉及的弹性波装置中，优选地，所述LiTaO3的切割角为30°以上、60°以下。在60°以下的情况下，能更进一步有效果地抑制横模乱真信号。另外，若切割角为30°以上，则能减小谐振频率下的TCF与反谐振频率下的TCF之差。
在本发明所涉及的弹性波装置中，优选地，所述IDT电极的占空比为0.3/λ以上、不足0.7。在该情况下，能更进一步有效果地压制横模脉动。
在本发明所涉及的弹性波装置中，优选地，与所述IDT电极的所述第1电极指的前端隔开间隙设置第1虚设电极指，与所述第2电极指的前端隔开间隙来设置第2虚设电极指，所述第1虚设电极指与第2汇流条连接，所述第2虚设电极指与第1汇流条连接，在将从所述第1、第2电极指的前端到所述第2、第1虚设电极指的基端的距离设为偏移长度L、将间隙的电极指延伸的方向的尺寸设为G时，(L-G)≥7.5×λ×tan(v)。在该情况下，能减小***损耗。更优选地，(L-G)≥11.5×λ×tan(v)，进一步优选地，(L-G)≥17.5×λ×tan(v)。
在本发明所涉及的弹性波装置中，所述间隙的尺寸G优选大于0.1μm、小于0.25λ。
在本发明所涉及的弹性波装置中，优选地，在所述IDT电极的所述第1电极指以及第2电极指当中至少一方设置从电极指延伸的方向的侧缘向电极指宽度方向外侧突出的突出部。在该情况下，能更进一步有效果地压制脉动。
也可以所述突出部设置在与所述第1以及第2电极指的至少一方的前端相连的侧缘部分。或者，也可以在所述第1、第2虚设电极的至少一方设置所述突出部。另外，也可以所述突出部设置在未至所述第1、第2电极指的前端的电极指的侧缘。
在本发明中，优选地，所述突出部的平面形状为梯形，在将该梯形的与侧缘相连的下底的长度设为TW1时，TW1≥0.11735λ。
在本发明所涉及的弹性波装置中，优选地，在将所述突出部的沿着电极指的侧缘的方向上的最小尺寸设为TW2时，TW2≥0.02915λ。
在本发明所涉及的弹性波装置中，优选地，在将所述突出部的沿着弹性波传播方向的尺寸设为TH时，TH≥0.0466λ。
在本发明所涉及的弹性波装置中，优选地，所述IDT电极由Al或以Al为主体的合金构成。在该情况下，所述IDT电极的膜厚为0.08λ以上、0.097λ以下的范围。在该情况下，能改善滤波器特性，并更有效果地压制横模脉动。更优选地，所述IDT电极的膜厚为0.10λ以上、400nm以下。
本发明所涉及的滤波器装置具备至少1个以上的上述的弹性波装置。
本发明所涉及的其他滤波器装置具备多个上述的、±v的弹性波装置。
本发明所涉及的另外滤波器装置具备多个上述的弹性波装置。
本发明所涉及的弹性波装置可以是带通型的滤波器。另外，本发明所涉及的双工器具有由本发明所涉及的弹性波装置构成的带通型滤波器。
发明的效果
根据本发明，能有效果地压制横模脉动。因此，能提供谐振特性、滤波器特性良好的弹性波装置。
附图说明
图1是本发明的第1实施方式所涉及的弹性波装置的概略俯视图。
图2是本发明的第1实施方式所涉及的弹性波装置的概略主视截面图。
图3是用于说明倾斜角度v的示意图。
图4是表示倾斜角度v为0°的比较例1的弹性波装置的阻抗特性的图。
图5是表示使倾斜角度v变化的情况下的阻抗特性的变化的图。
图6是表示倾斜角度v为0°的比较例1的弹性波装置的回波损耗特性的图。
图7是表示使倾斜角度v变化的情况下的回波损耗特性的变化的图。
图8是表示使倾斜角度v变化的情况下的Q值的变化的图。
图9是表示使倾斜角度v变化的情况下的回波损耗特性的变化的图。
图10是图9的放大图，是表示使倾斜角度v变化的情况下的回波损耗特性的变化的图。
图11是本发明的第2实施方式所涉及的弹性波装置的概略俯视图。
图12是本发明的第3实施方式所涉及的弹性波装置的概略俯视图。
图13是本发明的第4实施方式所涉及的弹性波装置的概略俯视图。
图14是本发明的第5实施方式所涉及的弹性波装置的概略俯视图。
图15是本发明的第6实施方式所涉及的弹性波装置的概略俯视图。
图16是表示使LiTaO3的膜厚变化的情况下的阻抗特性的变化的图。
图17是表示使LiTaO3的膜厚变化的情况下的回波损耗特性的变化图。
图18是表示使LiTaO3的膜厚变化的情况下的阻抗特性的变化的图。
图19是表示使LiTaO3的膜厚变化的情况下的回波损耗特性的变化的图。
图20是表示使LiTaO3的切割角变化的情况下的阻抗特性的变化的图。
图21是表示使LiTaO3的切割角变化的情况下的回波损耗特性的变化的图。
图22是表示使IDT电极的电极指的交叉宽度变化的情况下的阻抗特性的变化的图。
图23是表示使IDT电极的电极指的交叉宽度变化的情况下的相位特性的变化的图。
图24是表示使IDT电极的电极指的交叉宽度变化的情况下的回波损耗特性的变化的图。
图25是表示使IDT电极的占空比变化的情况下的阻抗特性的变化的图。
图26是表示使IDT电极的占空比变化的情况下的回波损耗特性的变化的图。
图27(a)以及图27(b)分别是用于说明偏移长度小的IDT电极以及偏移长度大的IDT电极的结构的局部缺口俯视图。
图28是表示倾斜角度v为2.5°、使偏移量(L-G)变化的情况下的回波损耗特性的变化的图。
图29是表示根据图28所示的回波损耗特性而求得的ΔR.L.与频率的关系的图。
图30是表示在倾斜角度v＝5°的情况下使偏移量(L-G)变化的情况下的回波损耗特性的变化的图。
图31是表示根据图30所示的回波损耗特性而求得的ΔR.L.与频率的关系的图。
图32是表示在倾斜角度v＝7.5°的情况下使偏移量(L-G)变化的弹性波装置的回波损耗特性的图。
图33是表示根据图32所示的回波损耗特性而求得的ΔR.L.与频率的关系的图。
图34是表示倾斜角度v＝10°、使偏移量(L-G)变化的情况下的弹性波装置的回波损耗特性的图。
图35是表示根据图34所示的回波损耗特性而求得的ΔR.L.、与频率的关系的图。
图36是表示在v＝15°的弹性波装置中使偏移量(L-G)变化的情况下的回波损耗特性的图。
图37是表示根据图36所示的回波损耗特性而求得的ΔR.L.、与频率的关系的图。
图38是表示倾斜角度v、与ΔR.L.成为0.01dB以上的偏移量(L-G)的关系的图。
图39是表示倾斜角度v、电极指的对数、与偏移量(L-G)的关系图。
图40是表示倾斜角度v、电极指的对数、与偏移量(L-G)的关系的图。
图41是表示倾斜角度v、电极指的对数、与偏移量(L-G)的关系的图。
图42是表示倾斜角度v、与Q值成为良好的偏移量的上限的关系的图。
图43是表示本发明的第7实施方式所涉及的弹性波装置的电极结构的主要部分的局部俯视图。
图44是表示比较例2、实施例2以及实施例3的弹性波谐振器的回波损耗特性的图。
图45是表示本发明的第8实施方式所涉及的弹性波装置的电极结构的主要部分的俯视图。
图46是表示实施例2、实施例3以及实施例4的回波损耗特性的图。
图47是表示第9实施方式所涉及的弹性波装置的电极结构的主要部分的俯视图。
图48是表示实施例2、实施例3以及实施例5的回波损耗特性的图。
图49是表示本发明的第10实施方式所涉及的弹性波装置的电极结构的主要部分的俯视图。
图50是表示实施例2、实施例3以及实施例6的回波损耗特性的图。
图51是表示在突出部使尺寸TH变化的情况下的回波损耗特性的变化的图。
图52是表示在突出部使尺寸TW1变化的情况下的回波损耗特性的变化的图。
图53是表示使突出部的尺寸TW2变化的情况下的回波损耗特性的变化的图。
图54是表示将由Al构成的IDT电极的膜厚设为0.03λ、0.15λ以及0.18λ时的各衰减量频率特性的图。
图55是表示构成IDT电极的Al膜的膜厚、与频率变动量的关系的图。
图56是表示构成IDT电极的Al膜的膜厚、与频带内的最大***损耗的关系的图。
图57是表示本发明的弹性波装置的变形例的主视截面图。
图58是表示在本发明的第6实施方式的变形例中，将(偏移长度L-G)设为0.2、0.3、0.4或0.5μm的情况下的阻抗特性的主要部分的图。
图59是表示在本发明的第6实施方式的变形例中，将(偏移长度L-G)设为0.2、0.3、0.4或0.5μm的情况下的回波损耗特性的图。
具体实施方式
以下通过参考附图来说明图面本发明的具体的实施方式，来明晰本发明。
图1是本发明的第1实施方式所涉及的弹性波装置的概略俯视图，图2是表示其主要部分的结构的主视截面图。
如图2所示那样，弹性波装置1具有支承基板2。在支承基板2上层叠接合材料层3、4。在该接合材料层3、4上层叠高音速膜5。在高音速膜5上层叠低音速膜6。在低音速膜6上层叠由LiTaO3构成的压电膜7。在压电膜7上形成IDT电极11。支承基板2在本实施方式中由硅构成。然而构成支承基板2的材料并没有特别限定。也可以使用硅以外的半导体材料。另外，也可以使用玻璃或绝缘性陶瓷等绝缘性材料。
作为支承基板2的材料，如本实施方式那样优选硅。特别地，优选电阻率100Ωcm以上，更优选1000Ωcm以上，进一步优选4000Ωcm以上。若电阻率变高，则能有效果地抑制后述的电极与支承基板2之间的电容耦合。因此，能更加进一步减小***损耗。
进一步地，硅的热膨胀系数小。因此，能抑制设于支承基板2上的功能膜等的温度变化所引起的伸缩。由此能减小热负荷的频率变动，能更加进一步提高温度特性。进而，由于硅的热传导性高，因此能效率良好地散发在弹性波装置产生的热。由此还能提高耐电力性。
此外，由硅构成的支承基板2的加工性卓越。因而制造容易。另外还能容易地进行划片。由于抗折强度高，因而还能推进弹性波装置的薄型化。
接合材料层3、4在本实施方式中由氧化硅构成。然而也可以使用氧化硅以外的接合材料。只要能使高音速膜5与支承基板2接合，接合材料层3、4的材料就没有特别的限定。高音速膜5在本实施方式中由氮化铝构成。高音速膜5只要相比于在压电膜7中传播的弹性波让所传播的体波音速更快即可，能由适宜的材料形成。
低音速膜6在本实施方式中由氧化硅构成。然而，低音速膜6只要所传播的体波的音速相比于在压电膜7中传播的体波的音速更慢即可，能由适宜的材料形成。
在本实施方式中，由于在低音速膜6的下侧层叠高音速膜5，因此能在到高音速膜5为止的部分封闭弹性波的能量。
上述IDT电极11在本实施方式中由Al膜构成。然而，IDT电极11也可以取代Al膜而使用以Al膜为主体的合金膜。进而，IDT电极11能由Al或以Al为主体的合金以外的各种金属材料形成。作为这样的金属材料，能举出Cu、Mo、W、Ag、Pd、或包含它们的合金。
如图1所示那样，在弹性波装置1中，在支承基板2上设置输入端子15、输出端子16、以及接地端子17a～17f。在将输入端子15和输出端子16连结的导电路径中，串联连接IDT电极11和IDT电极12。IDT电极11、12在将输入端子15和输出端子16连结的串联臂构成串联臂谐振器。
在将输入端子15和接地端子17d连结的导电路径中，IDT电极13、14相互串联连接。IDT电极13、14构成设于并联臂的并联臂谐振器。因此，弹性波装置1是具有2个串联臂谐振器、和2个并联臂谐振器的梯型滤波器。
另外，在设置有压电膜7的区域的外侧，设置输入端子15、输出端子16、接地端子17a～17f。
弹性波装置1的特征在于，在IDT电极11～14中，以下所述的倾斜角度v处于0.4°以上、15°以下的范围内。由此能有效果地压制横模脉动。
如前述那样，在具有高音速膜5以及低音速膜6的弹性波装置1中，在频率特性上出现横模所引起的脉动。在此，如专利文献2中那样，在使用LiNbO3基板的情况下，横模脉动的产生显著，给其他特性带来影响。另一方面，在使用LiTaO3基板的情况下，横模脉动不会成为问题。但在成为本发明的基本结构的LiTaO3膜/低音速膜/高音速膜/支承基板的结构中，可知就算使用LiTaO3，横模脉动的产生也变得显著。特别在LiTaO3膜的膜厚成为10λ以下的情况下，该横模脉动较大地呈现。在本实施方式中，由于上述倾斜角度v为上述特定的范围内，因此能有效果地压制该横模脉动。以下对其详细说明。
以IDT电极11为代表来说明上述倾斜角度v。如图1所示那样，IDT电极11具有在相对表面波传播方向倾斜的方向上延伸的第1汇流条11a。与第1汇流条11a间隔开来设置第2汇流条11b。第2汇流条11b也相对于弹性波传播方向以与第1汇流条11a相同的角度倾斜。第1汇流条11a和第2汇流条11b平行地延伸。
在第1汇流条11a连接多条第1电极指11c的一端。多条第1电极指11c朝向第2汇流条11b侧延伸。与第1电极指11c正交的方向成为声表面波传播方位ψ。另外，设置多条第2电极指11d，与多条第1电极指11c相互间插。多条第2电极指11d的一端与第2汇流条11b连接。
与第1电极指11c的前端隔开间隙来设置第1虚设电极指11e。第1虚设电极指11e与第2汇流条11b连接。同样地，第2虚设电极指11f与第2电极指11d的前端隔开间隙而配置。第2虚设电极指11f与第1汇流条11a连接。
在IDT电极11中，将多条第1电极指11c的前端连结的假想线A1相对于弹性波的传播方向ψ成v的角度。另外，将第1电极指11c的前端连结的假想线A1的方向与将第2电极指11d的前端连结的方向相同。
图3是用于说明传播方位ψ与倾斜角度v的关系的示意图。将LiTaO3的欧拉角设为图3的箭头B所示的方向是ψ＝0°的方向。IDT电极11A～11D中的虚线B1～B4是与将各IDT电极11A～11D中的多条第1电极指的前端彼此连结的方向平行的方向。在IDT电极11A中，方向B1和弹性波所传播的传播方位ψ成为相同方向。因此，在该情况下，在设为(各弹性波的传播方位，相对于传播方位的倾斜角度v)时，方向B1以(ψ，0°)表征。在IDT电极11B中成为(0°，v)。在IDT电极11C中成为(ψ，v)。在IDT电极11D中成为(ψ，-v)。
在本说明书中，将传播方位ψ、与将IDT电极的第1电极指11c的前端连结的方向所成的角度设为倾斜角度v。
接下来，说明在上述弹性波装置1中由设置有1个IDT电极11的部分构成的弹性波谐振器的特性。
上述弹性波谐振器的设计参数如以下那样。
压电薄膜：切割角55°的Y切割的LiTaO3膜
IDT电极的电极指交叉宽度＝15λ
电极指的对数＝83对
另外，λ＝2μm。
后述的偏移长度L＝2λ
IDT电极中的占空比＝0.6
IDT电极的膜厚＝0.08λ
LiTaO3膜的膜厚＝0.3λ
构成接合材料层的氧化硅膜的膜厚＝0.35λ
间隙尺寸G＝0.5μm
按照上述设计参数，制作其中将倾斜角度v设为0°的比较例1的弹性波谐振器。
图4是表示为了比较而准备的弹性波谐振器的阻抗特性的图。另外，图6表示上述比较例1的弹性波谐振器的回波损耗特性。在该比较例1的弹性波谐振器中，设为倾斜角度v＝0°。即，使传播方位ψ与声表面波传播方向一致。
另外，与比较例1同样地，制作其中将IDT电极中的倾斜角度v设为2.5°、5.0°、7.5°、10°或15°的各弹性波谐振器。
在图5示出这些弹性波谐振器的阻抗特性。
图7表示如上述那样v为0.0°、2.5°、5.0°、7.5°、10°或15°的情况下的弹性波谐振器的回波损耗特性。
图8表示上述倾斜角度v被设为0°、2.5°、5.0°、7.5°、10°或15°的各弹性波谐振器的Q值与频率的关系。
如从图4所明确的那样可知，在倾斜角度v为0°的比较例1中，箭头C1～C3所示的脉动出现在谐振频率与反谐振频率之间。另外，图6的箭头C1～C3是与图4的C1～C3所示的脉动对应的脉动。
另一方面，在图5中虽然不一定明确，但根据图7的回波损耗特性以及图8的Q值-频率特性可知，若v成为2.5°以上，就会压制这些横模脉动。
如从图7所明确的那样可知，相比于v＝0°的情况，若v成为2.5°以上，就会有效果地压制横模脉动。
另外，与上述同样地，制作其中将上述倾斜角度v设为0°、0.4°、0.9°、1°或1.5°的各弹性波谐振器。将这些弹性波谐振器的回波损耗特性在图9以及图10中示出。图10是图9的放大图。
如从图9以及图10所明确的那样可知，相比于倾斜角度v为0°、0.4°或0.9°的情况下，若倾斜角度v成为1°以上，就能有效果地压制横模脉动的大小。
另外，若上述倾斜角度v为0.4°以上，就能压制横模脉动。特别如图7所示那样，若v为2.5°以上，则能使回波损耗的绝对值小于1dB。因而，若v为0.4°以上、优选为2.5°以上，就能压制横模脉动。
另外，从图8可知，为了减小损耗而使0值的最大值为3000以下，优选将v设为10°以下。因此，倾斜角度v通过设为0.4°以上、10°以下的范围，能抑制横模脉动，成为低损耗。优选地，v为2.5°以上、10°以下的范围。
另外，根据图8，为了更加减小损耗，优选将v设为5°以上。因而更优选地，v为5°以上、10°以下的范围。
在设置有IDT电极12、IDT电极13、14的压电谐振器部分，同样也能通过将倾斜角度v设为0.4°以上，来压制横模脉动。
在以下的图11～图15中，与图1同样地，概略地示出设于压电膜上的电极结构与输入输出端子的位置关系。在图11～图15所示的实施方式中，也与第1实施方式同样地，在支承基板上按照接合材料层、高音速膜、低音速膜以及压电膜的顺序将它们层叠。另外，压电膜由LiTaO3构成，具有10λ以下的厚度。
图11是本发明的第2实施方式所涉及的弹性波装置的概略俯视图。在图11所示的弹性波装置21中，第1、第2IDT电极11、12与弹性波装置1同样地构成。然而IDT电极13、14中的倾斜角度v与IDT电极11、12不同，被设为负的值。即，在将IDT电极11、12的倾斜角度设为v时，IDT电极13、14的倾斜角度被设为-v。如此，在多个IDT电极11～14中，可以配置与其他IDT电极在倾斜角度的极性上不同的IDT电极。
图12是第3实施方式所涉及的弹性波装置31的概略俯视图。在第3实施方式的弹性波装置31中，第1IDT电极11的倾斜角度为v1，第2IDT电极12的倾斜角度为v2，被设为v1＞v2。另外，第3IDT电极13的倾斜角度为-v1，第4IDT电极14的倾斜角度被设为-v2。
也可以如此在IDT电极11和IDT电极12使倾斜角度不同。通过如弹性波装置21、31那样设置倾斜角度不同的IDT电极11～14，能提高多个IDT电极的布局的自由度。在该情况下，也能通过将v设为上述特定的范围内而与上述实施方式同样有效果地压制横模脉动。
图13是本发明的第4实施方式所涉及的弹性波装置的概略俯视图。在弹性波装置41中，在输入端子15、与输出端子16a、16b之间构成3IDT型的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器部。更具体的，IDT电极42～44在弹性波传播方向上并设。在IDT电极42～44的声表面波传播方向两侧配置反射器45、46。在本实施方式中，各IDT电极42～44与第1实施方式同样，倾斜角度v被设为2.5°以上，由此能有效果地压制横模脉动。另外，接地端子17a～17e设置在压电膜上。
图14是第5实施方式所涉及的弹性波装置的概略俯视图。
在弹性波装置51中，与弹性波装置41同样，IDT电极42～44在弹性波传播方向上并排设置。然而，IDT电极42、43的倾斜角度被设为v4，与此相对，IDT电极44的倾斜角度被设为-v4。如此，在构成纵向耦合谐振器型声表面波滤波器的多个IDT电极中，可以使1个IDT电极的上述倾斜角度与其他IDT电极的倾斜角度不同。另外，在本实施方式中，IDT电极42与输出端子16a连接。IDT电极44与输出端子16b连接。由此，构成IDT电极42～44，具有平衡-不平衡变换功能。如本实施方式那样，在平衡型的弹性波滤波器中也能运用本发明。
图15是第6实施方式所涉及的弹性波装置61的概略俯视图。在弹性波装置61中，IDT电极42、44的各一端公共连接，与输出端子16连接。IDT电极43的一端与输入端子15连接。在这样的构成中，通过按照本发明将IDT电极42～44的倾斜角度设为2.5°以上，能有效果地压制横模脉动。
(LiTaO3膜的膜厚)
在上述第1实施方式的说明中，制作作为实验例而示出的与弹性波谐振器同样的弹性波谐振器。其中，弹性波谐振器的设计参数如以下那样。
压电薄膜：切割角60°的Y切割的LiTaO3膜
IDT电极的电极指交叉宽度＝15λ
电极指的对数＝166对
另外，λ＝2μm。
后述的偏移长度L＝2λ
IDT电极中的占空比＝0.6
IDT电极的膜厚＝0.08λ
构成接合材料层的氧化硅膜的膜厚＝0.35λ
间隙尺寸G＝0.5μm
然后，在上述弹性波谐振器中，使LiTaO3的膜厚变化为0.2λ、0.3λ或0.4λ。
另外，将上述设计参数的弹性波谐振器当中LiTaO3的膜厚为0.2λ的构成在以下设为实施例1。
图16是表示使LiTaO3膜的膜厚变化的情况下的阻抗特性的变化的图。图17是表示回波损耗特性的变化的图。
如从图16以及图17所明确的那样，可知若LiTaO3膜的膜厚变得大于0.2λ，则相比于在0.2λ时，能更有效果地压制横模脉动。
另外可知，相比于0.3λ的情况，若设为0.4λ，则能更加进一步有效果地压制横模脉动。因此，LiTaO3的膜厚期望大于0.2λ，更优选为0.3λ以上，进一步优选设为0.4λ以上。
图18以及图19分别是表示作为参考而准备的弹性波谐振器的阻抗特性以及回波损耗特性的图。在此，在IDT电极中将上述倾斜角度设为v＝0°。另外，将LiTaO3的膜厚设为1.5λ、10λ或175λ。其他点都与上述实施例的弹性波谐振器同样。
如从图18以及图19所明确的那样，可知在LiTaO3的膜厚为10λ以下的情况下，出现横模所引起的大的脉动。
但在本发明中，由于上述倾斜角度v被设为上述特定的范围，因此能如前述那样有效果地压制横模脉动。另外，若LiTaO3的膜厚超过10λ，则声表面波的能量的集中度降低，特性有可能会劣化。因此，根据本发明，不会招致声表面波的能量的集中度的降低，通过将上述倾斜角度v设为特定的值，能抑制横模脉动的影响。
(LiTaO3的切割角)
接下来，在前述的实施例1的设计参数的弹性波谐振器中，使LiTaO3膜的切割角变化为42°、50°或60°。如此地准备利用切割角不同的LiTaO3膜的弹性波谐振器。图20表示阻抗特性，图21表示回波损耗特性。
如从图20以及图21所明确的那样，相比于切割角为60°Y切割的情况，在50°Y切割的情况下，以箭头E1、E2表现的横模脉动变小。进而可知，在Y切割42°的情况下，能更加进一步压制横模脉动。因此，切割角期望小于60°。
另外，从得到压制横模脉动的效果的观点出发，切割角的下限并没有特别限定。然而若切割角变得过小，谐振频率下的TCF与反谐振频率下的TCF之差就会变大。因此，期望切割角在Y切割下为30°以上。
(电极指交叉宽度)
制作与上述实施例1同样的结构的弹性波谐振器。其中LiTaO3的切割角设为65°Y切割。另外，使电极指交叉宽度变化为10λ、15λ或23λ，与此相应让对数为250对、166对、108对来使阻抗一致。将该情况下的阻抗特性的变化在图22示出。图23表示相位特性的变化，图24表示回波损耗特性的变化。
如从图22所明确的那样，随着电极指交叉宽度变大，谐振频率向低频侧移位。并且如从图22～图24所明确的那样，可知关于横模脉动B1～B3，也能通过增大电极指交叉宽度来进行压制。即，可知相比于电极指交叉宽度为10λ，随着变大到15λ以及23λ，以图23所示的箭头B1～B3示出的脉动变小。因此，优选地，IDT电极的电极指交叉宽度大于10λ，进一步优选为15λ以上。另外，电极指的交叉宽度的上限从压制横模脉动的观点出发并没有特别限定。然而若电极指的交叉宽度变得过大，电阻就会变高。因此，通常，电极指的交叉宽度优选设为50λ以下。由此能减小电阻。
(IDT电极的占空比)
制作与实施例1的弹性波谐振器同样的弹性波谐振器。其中设计参数如以下那样。
切割角＝60°Y切割
交叉宽度＝11λ
偏移长度L＝2λ
倾斜角度v＝2.5°
占空比＝0.5～0.7
Al膜厚＝0.08λ
LT膜厚＝0.3λ
LT下的SiO2膜厚＝0.35λ
λ＝2μm
间隙尺寸G＝0.5μm
使IDT电极中的占空比变化为0.5、0.55、0.6、0.65或0.7。将这些弹性波谐振器的阻抗特性以及回波损耗特性在图25以及图26示出。
如从图25以及图26所明确的那样，可知，随着占空比变小，能压制横模脉动。优选地，若占空比不足0.7。则相比于占空比为0.7的情况，更能有效果地压制横模脉动。进一步优选地，可知若占空比为0.6以下，则能更加有效果地进一步压制横模脉动。因而占空比优选不足0.7，更优选为0.6以下。在此，占空比是(2×电极指的宽度方向尺寸)/λ。另外，若占空比的大小变得过小，则难以制造IDT电极。因此，期望不是占空比，而电极指的宽度方向尺寸设为0.15μm以上。因此，若将电极指的宽度尺寸以占空比表征，则成为0.3/λ以上。
(偏移长度)
图27(a)以及图27(b)是用于明晰本发明中的偏移长度的定义的各示意图。在图27(a)以及图27(b)中，局部地以俯视图示出1个IDT电极的主要部分。
在图27(a)中，在IDT电极100中，多条第1电极指101、和多条第2电极指102相互间插。将多条第1电极指101的前端彼此连结的方向，从传播方位ψ起倾斜图示的倾斜角度v。
另一方面，声表面波在与电极指101、102延伸的方向正交的方向上传播。因此，图27(a)的附加斜线的阴影表示的电极指部分101a激振的声表面波在向右侧传播的情况下，被右侧紧邻的第2电极指102反射。因此，对电极指部分101a而言，在右侧，反射器成为仅1条电极指102。
与此相对，在被图27(b)的一点划线F包围的区域中，在电极指部分101b激振的声表面波向右侧传播的情况下，反射器成为3条。即，紧邻的第2电极指102、虚设电极指104A、和下一第2电极指102作为反射器而发挥作用。
在图27(b)的IDT电极100A中，能提高声表面波的有效的反射器对数。
如此有效的反射器对数不同是因为，虚设电极指104A的长度比图27(a)中的虚设电极指104更长。即，是因为作为从第1电极指101的前端到汇流条103的距离的偏移长度变长。将该虚设电极指104A的长度、与间隙G的电极指延伸的方向的长度的合计定义为偏移长度L。
若上述偏移长度L变长，则在上述倾斜角度v大的结构中，反射效果变高。
在前述的第1实施方式中的实施例1的弹性波谐振器中，使上述偏移长度L当中除了间隙G的尺寸以外的偏移量(L-G)变化为0、1μm、2μm、3μm、4μm、5μm或10μm。将这些弹性波谐振器中的回波损耗特性在图28中示出。
另外，为了确认偏移的效果，求取偏移量、与回波损耗量的差ΔR.L.的关系。ΔR.L.是反谐振频率的98.8％的频率位置上的回波损耗之差。这是在构成带通滤波器的情况下的通过频带的肩的部分的频率位置。在将除了间隙尺寸以外的偏移量的回波损耗设为X的情况下，在例如偏移量为10μm时，ΔR.L.表征为ΔR.L.＝(X-偏移长度＝10μm+间隙G的尺寸时的回波损耗)。
图29是表示根据图28求得的ΔR.L.与频率的关系的图。即，示出使图28中偏移量(L-G)变化为1μm、2μm、3μm、4μm、5μm或10μm的情况下的ΔR.L.的变化。
另外，不管在哪种情况下，倾斜角度v都设为2.5°。
另外，使倾斜角度v变化为5°、7.5°、10°、15°，其他都相同地制作弹性波谐振器。将这些弹性波谐振器中的回波损耗特性在图30、32、34、36示出。另外，将上述偏移长度变化的情况下的ΔR.L.的变化分别在图31、33、35以及37示出。
如从图28以及图29所明确的那样，在倾斜角度v为2.5°的情况下，若偏移量(L-G)为1μm以上，则ΔR.L.为0.01以上。
另外，如从图30以及图31所明确的那样，在倾斜角度v为5°的情况下，也是若偏移量(L-G)为2μm以上，则ΔR.L.成为0.01以上。
另外，若偏移量(L-G)为1μm以上，则ΔR.L.为0.1以上。
如从图32以及图33所明确的那样，在倾斜角度v为7.5°的情况下，若偏移量(L-G)为2μm以上，则ΔR.L.为0.1以上。若偏移量(L-G)为3μm以上，则ΔR.L.为0.01以上。
另外，如从图34以及图35所明确的那样，在v为10°的情况下，若偏移量(L-G)为3μm以上，则ΔR.L.为0.1以上，在4μm以上的情况下，ΔR.L.为0.01以上。若偏移量(L-G)为5μm以上，则ΔR.L.为0.001以上。
进而，如从图36以及图37所明确的那样，在倾斜角度v为15°的情况下，若偏移量(L-G)为4μm以上，则ΔR.L.为0.1以上。
根据图28到图37的结果可知，根据倾斜角度v不同，通过使偏移量(L-G)为某值以上，能使得ΔR.L.为某值以上。
以图28～图37的数据为基础，来求取回波损耗之差ΔR.L.成为0.01dB以上的偏移量(L-G)、与上述倾斜角度v的关系。将结果在图38示出。如从图38所明确的那样，例如在v为5°的情况下，使偏移量(L-G)为2μm以上即可。
另外，在图38中，在倾斜角度v下，偏移量(L-G)为5μm的范围意味着只要是该范围内，ΔR.L.就为0.01dB以上。
另外，上述偏移量(L-G)以(反射器的对数-0.5)×λ×tan(v)求取。因此，前述的偏移长度L以(反射器的对数-0.5)×λ×tan(v)+G表征。
在上述式中，所谓反射器的对数，如图27(b)所示那样，例如是基于电极指部分101b的右侧的作为反射器而发挥功能的电极指的数量的对数。在图27(b)的示例中，由于在右侧存在3条电极指，因此反射器的对数成为1.5。
图39的横轴表示上述v，纵轴表示满足任意的对数的偏移量(L-G)。在图39中，用菱形示出与图38同样的实测值。另外，■表示8对的情况下的结果，▲表示12对的情况下的结果，×表示18对的情况下的结果。另外，8对、12对以及18对的结果是将反射器的对数设为8对、12对或18对的情况下的模拟结果。
如从图39所明确的那样，可知在反射器的对数为12对的情况下，实测值在v为2.5°以上、10°以下的范围大致重合。因此，偏移量(L-G)为11.5×λ×tan(v)以上，更优选为12×λ×tan(v)。
图40表示上述反谐振频率的98.8％的频率位置上的ΔR.L.大于-0.1(dB)的情况下的结果。在ΔR.L.大于-0.1的情况下，实测值在v为2.5°以上、10°以下的范围内大致与8对的情况下的模拟结果重合。因此，偏移量(L-G)优选为7.5×λtan(v)以上，更优选为8×λ×tan(v)。
对于上述反谐振频率的98.8％下的回波损耗改善效果、即损耗的改善的效果，将ΔR.L.大于-0.001的情况下的实测值在图41示出。
如从图41所明确的那样，该情况下的实测值在v为2.5°以上、10°以下的范围内与12对的情况下的模拟结果重合。另外，在v为15°的情况下，与18对的情况下的模拟结果重合。因此，偏移长度为17.5×λ×tan(v)以上、更优选为18×λ×tan(v)以上即可。由此能更加进一步减低损耗。
图42是表示倾斜角度v、与偏移拐点的关系的图。例如在v＝2.5°的情况下，如图28以及图29所示那样，回波损耗特性根据偏移长度而发生变化。在根据该偏移量(L-G)特性发生变化的情况下，存在对应于偏移量(L-G)特性发生变化的倾斜度大幅改变的拐点。该拐点相比于在回波损耗特性中，在Q值的频率特性曲线中更明确地呈现。将根据该偏移量(L-G)从而Q值-频率特性发生较大变化的偏移量(L-G)作为偏移拐点。因此，若偏移长度相比于该偏移拐点更长，则意味着能得到良好的特性。
另外，对应于v的值，若位于相比于图42所示的线而偏移长度更长的位置，则能有效果地提高Q值。
为了确认上述间隙尺寸G的变化所引起的特性的变化，作为第6实施方式的变形例而制作下述的设计参数的弹性波谐振器。
切割角＝60°Y切割
交叉宽度＝11λ
偏移长度L＝2λ
倾斜角度v＝2.5°
占空比＝0.7
Al膜厚＝0.08λ
LT膜厚＝0.2λ
LT下的SiO2膜厚＝0.35λ
λ＝2μm
在上述弹性波谐振器中，将前述的G的尺寸设为0.2μm、0.3μm、0.4μm或0.5μm。
将上述那样准备的4个种类的弹性波谐振器的阻抗特性的主要部分在图58示出。另外，将这些弹性波谐振器的回波损耗特性在图59示出。
图58表示谐振器频率附近的阻抗特性。
如从图58以及图59所明确的那样，可知若G小于0.5μm，则较大改善回波损耗特性。因此，G期望小于0.5μm，换言之小于0.25λ。
另外，由于若间隙尺寸G变得过小则难以制作，因此处于制造上的理由，G优选大于0.1μm。
(第7实施方式)
图43是表示本发明的第7实施方式的弹性波装置中的IDT电极的主要部分的局部俯视图。本实施方式的弹性波装置除了设置图43所示的突出部121、122以外，其他都与第1实施方式的弹性波装置1同样。因此，说明突出部121、122，关于其他的点，援用第1实施方式的说明。
在图43中示出第1电极指11c的前端11c1、和第1虚设电极指11e的前端11e1隔开间隙而对置的部分。另外，在该间隙的侧方存在第2电极指11d、11d。
突出部121并没有特别限定，在本实施方式中具有梯形的形状。
突出部121从第1电极指11c的侧缘11c2、11c2向第2电极指11d侧突出。另外，设置突出部121直到第1电极指11c的前端11c1。
在第1虚设电极指11e还设置突出部121，使其从侧缘11e2、11e2向第2电极指11d侧突出。
另一方面，在第2电极指11d设置突出部122。突出部122从侧缘11d1向上述间隙突出。突出部122在本实施方式中被设为与突出部121相同的形状。
在图43中示出第1电极指11c和第1虚设电极指11e对置的间隙部分。虽未特别图示，但在第2电极指11d和第2虚设电极指11f对置的间隙部分也同样地设置突出部121、122。
在本实施方式中，与第1实施方式同样，在IDT电极11中，倾斜角度v被设为2.5°以上，因此，能与第1实施方式同样地压制横模脉动。此外，由于设置了上述突出部121、122，因此还能有效果地压制横模脉动以外的脉动。基于具体的实验例对其进行说明。
制作与实施例1的弹性波谐振器同样结构的实施例2的弹性波谐振器。其中，设计参数如以下那样变更。使用切割角60°Y切割的LiTaO3作为压电膜。以IDT电极11中的电极指的周期确定的波长λ设为2.0μm。电极指的交叉宽度设为15λ。电极指的对数设为166对。上述偏移量设为2.5μm。倾斜角度v设为2.5°。
在突出部121、122中，使尺寸TH、TW1以及TW2如以下那样。
TH＝0.186μm＝0.093λ、TW1＝0.469μm＝0.2345λ、TW2＝0.117μm＝0.0585λ。
另外，尺寸TH表示突出部121、122的突出高度。另外，TW1是梯形的下底，但在突出部中，是指与电极指的侧缘相连的部分的宽度方向尺寸。另外，TW2在突出部121、122是上底，但在突出部121、122的宽度方向上是指最小尺寸。
作为本实施方式的弹性波装置的实施例制作上述实施例2的弹性波装置。将该实施例2的回波损耗特性在图44中用一点划线表示。另外，在图44中为了比较，用实线表示倾斜角度v被设为0°、没有突出部的比较例2的弹性波装置的特性。另外，用虚线表示虽然倾斜角度v＝5°但没有上述突出部121、122的实施例3的特性。
如从图44所明确的那样，可知根据实施例2，能压制横模脉动，进而还能压制箭头H所示的脉动。该箭头H所示的脉动为不是横模脉动的其他脉动。
因而根据本实施方式，通过将倾斜角度v设为1°以上、10°以下的范围，不仅能压制横模脉动，还能有效果地压制其他脉动。
图45是表示本发明的第8实施方式所涉及的弹性波装置的IDT电极的主要部分的俯视图。
在图45中图示了第2电极指11d的前端11d1和第2虚设电极指11f隔开间隙而对置的部分。第1电极指11c、11c位于该间隙的两侧。在本实施方式中，在第2电极指11d的侧缘11d2、11d2设置突出部121、121。未在第2虚设电极指11f设置突出部。另外，在间隙的周围仅设置上述突出部121、121，未设图43所示的突出部122。
另外，虽未特别图示，但在第1电极指11c与第1虚设电极指11e对置的间隙，仅在第1电极指设置突出部121、121。
也可以如本实施方式那样，仅在在间隙对置的第1电极指11c以及第2电极指11d的前端侧设置突出部121。
除了如上述那样设置突出部121以外，其他都与上述实施例2同样地制作实施例4的弹性波装置。将该弹性波装置的回波损耗特性在图46用实线表示。另外，为了比较，用一点划线表示图44所示的实施例2的特性。另外，图46的虚线表示实施例3的特性。
如从图46所明确的那样，可知在仅在第1电极指11c以及第2电极指11d的前端侧设置突出部121的构成中，也能抑制箭头H所示的脉动。
图47是表示第9实施方式中的IDT电极的主要部分的局部俯视图。在本实施方式中，与图45反过来，在第2虚设电极11f设置突出部121、121。另一方面，未在隔开间隙而对置的第2电极指11d设置突出部。如此，也可以仅在靠近汇流条的第2虚设电极指11f侧设置突出部121、121。另外，虽未特别图示，但在第1电极指11c的前端与第1虚设电极指对置的间隙，也仅在第1虚设电极指的前端设置突出部。
除了如上述那样设置突出部121以外，其他都与实施例2同样地制作实施例5的弹性波装置。将该实施例5的弹性波装置的回波损耗特性在图48中用实线表示。另外，将实施例2的特性用一点划线表示。另外，虚线表示未设突出部的实施例3的特性。如从图48所明确的那样，可知在本实施方式中也能有效果地压制箭头H所示的脉动。
图49是表示第10实施方式的弹性波装置的IDT电极的主要部分的局部俯视图。在本实施方式中，未在第2虚设电极指11f和第2电极指11d的前端彼此对置的间隙设置突出部121。即，在第1电极指11c侧设置突出部122。朝向该间隙突出的仅有突出部122。
另外，虽未特别图示，但在第1电极指11c的前端与第1虚设电极指的前端对置的间隙，同样地突出部122从第2电极指11d的侧缘突出。
作为本实施方式的实施例，除了构成为仅设置上述突出部122以外，其他都与实施例2同样地制作实施例6的弹性波装置。将该实施例6的弹性波装置的回波损耗特性在图50中用实线示出。图50的一点划线是实施例2的特性。另外，图50的虚线是未设突出部的实施例3的特性。
如从图50所明确的那样，可知在间隙仅设置从间隙的侧方向间隙突出的突出部122的情况下，也能压制箭头H所示的脉动。
(实施例7～9)
接下来，在图44所示的实施例2基础上，制作使突出部121、122的尺寸TH、TW1以及TW2如下述的表1所示那样变化的实施例7～9。
[表1]
单位是μm TH TW1 TW2
实施例7 0.0932 0.2347 0.0583
实施例8 0.1865 0.2347 0.0583
实施例9 0.2797 0.2347 0.0583
图51表示上述实施例7～9、和未设突出部的实施例3的回波损耗特性。
从图51可知，若TH为0.0932μm以上、即0.0466λ以上，则能更进一步有效果地压制箭头H所示的脉动。
(实施例10～12)
在实施例2中，使突出部的尺寸TH、TW1以及TW2如下述的表2所示那样变更，制作实施例10～12。
[表2]
单位是μm TH TW1 TW2
实施例10 0.0932 0.2347 0.0583
实施例11 0.0932 0.4694 0.0583
实施例12 0.0932 0.7041 0.0583
在图52示出实施例10～12的回波损耗特性。为了比较，将未设突出部的实施例3的回波损耗特性在图52中用实线表示。
如从图52所明确的那样，可知若TW1为0.2347μm以上、即0.11735λ以上，则能更进一步有效果地压制箭头H所示的脉动。
(实施例13～15)
在实施例2基础上，使TH、TW1以及TW2如下述的表3所示那样变更，得到实施例13～15的弹性波装置。
[表3]
单位是μm TH TW1 TW2
实施例13 0.0932 0.2347 0.0583
实施例14 0.0932 0.2347 0.1166
实施例15 0.0932 0.2347 0.1748
将上述那样制作的实施例13～15的回波损耗特性在图53示出。为了比较，将未设突出部的实施例3的特性在图53用实线示出。
如从图53所明确的那样，可知若将TW2设为0.0583μm、即0.02915λ以上，能更有效果地压制箭头H所示的脉动。
(IDT电极的膜厚)
除了使由Al构成的IDT电极的膜厚进行各种变更以外，其他都与前述的实施例2同样地制作弹性波装置。其中在本实施方式中，倾斜角度v设为7.5°。
图54是表示A1膜的膜厚为0.03λ、0.15λ或0.18λ的情况下的上述弹性波装置的衰减量频率特性的图。
如从图54所明确的那样，可知在Al膜的膜厚为0.03λ的情况下，通过频带的肩部变圆。因此可知，若Al膜的膜厚大，则能在通过频带整体使***损耗充分小。认为这是因为若Al膜的膜厚变厚，则电阻变小的缘故。
图55是表示使Al膜的膜厚变化的情况下的通过频带肩部中的频率差的变化的图。该频率差是指衰减量成为3.5dB的频率位置、与衰减量成为40dB的频率的频率差。该频率差越小则肩部的陡峭性越高。将结果在图55示出。如从图55所明确的那样，可知若Al膜的膜厚小于0.08λ，则随着Al膜的膜厚变小，频率差显著变大。与此相对，若Al膜厚为0.08λ以上，则频率差大致恒定，且较小。因此，优选地，Al膜的膜厚为0.08λ以上。
图56是表示上述Al膜的膜厚与***损耗的关系的图。上述***损耗是指在通过频带内中***损耗最小的最小***损耗。
如从图56所明确的那样，可知若Al膜的膜厚成为0.10λ以上，则***损耗充分小，Al膜的膜厚的变化所引起的***损耗的变动小。因此，更进一步优选地，Al膜的膜厚为0.10λ以上。另外，由于若Al膜厚变得过厚则难以制造，因此优选为400nm以下。
另外，在上述的实施方式以及实施例中，说明了利用声表面波谐振器或声表面波谐振器的双工器等，但本发明还能运用在利用了声边界波的弹性波装置中。
另外，在图2所示的实施方式中，在支承基板2上层叠了5层的接合材料层3、4以及高音速膜，但也可以如图57所示的变形例那样使用高音速支承基板5A。在高音速支承基板5A上层叠低音速膜6以及压电薄膜7。
标号的说明
1 弹性波装置
2 支承基板
3、4 接合材料层
5 高音速膜
5A 高音速支承基板
6 低音速膜
7 压电膜
11、11A～11D、12～14 IDT电极
11a、11b 第1、第2汇流条
11c、11d 第1、第2电极指
11c1、11d1 前端
11c2、11d2 侧缘
11e、11f 第1、第2虚设电极指
11e1 前端
11e2 侧缘
15 输入端子
16、16a、16b 输出端子
17a～17f 接地端子
21、31、41 弹性波装置
42～44 IDT电极
45、46 反射器
51、61 弹性波装置
100、100A IDT电极
101、102 第1、第2电极指
101a、101b 电极指部分
103 汇流条
104、104A 虚设电极指
121、122 突出部

Claims (23)

1.一种弹性波装置，具有由LiTaO3构成的压电膜，其中，
所述弹性波装置具备：
由LiTaO3构成的所述压电膜；和
形成在所述压电膜的一面的IDT电极，
所述IDT电极具有：多条第1电极指、和与所述第1电极指相互间插的多条第2电极指，
在将以所述IDT电极的电极指的周期确定的波长设为λ时，所述由LiTaO3构成的压电膜的膜厚为10λ以下，
相对于由所述LiTaO3的欧拉角规定的通过IDT电极激振的弹性波的传播方向ψ，将所述多条第1电极指的前端连结的方向以及将所述第2电极指的前端连结的方向成v的倾斜角度，该倾斜角度v处于0.4°以上、15°以下的范围。
2.一种弹性波装置，具有由LiTaO3构成的压电膜，
所述弹性波装置具备：
支承基板；
高音速膜，其形成在所述支承基板上，与在所述压电膜中传播的弹性波的音速相比所传播的体波音速更高速；
低音速膜，其层叠在所述高音速膜上，与在所述压电膜中传播的体波音速相比所传播的体波音速更低速；
所述压电膜，其层叠在所述低音速膜上；和
IDT电极，其形成在所述压电膜的一面，
所述IDT电极具有：多条第1电极指、和与所述第1电极指相互间插的多条第2电极指，
在将以所述IDT电极的电极指的周期确定的波长设为λ时，所述由LiTaO3构成的压电膜的膜厚为10λ以下，
相对于由所述LiTaO3的欧拉角规定的通过IDT电极激振的弹性波的传播方向ψ，将所述多条第1电极指的前端连结的方向以及将所述第2电极指的前端连结的方向成v的倾斜角度，该倾斜角度v处于0.4°以上、15°以下的范围。
3.一种弹性波装置，具有由LiTaO3构成的压电膜，
所述弹性波装置具备：
高音速支承基板，其与在所述压电膜中传播的弹性波的音速相比所传播的体波音速更高速；
低音速膜，其层叠在所述高音速支承基板上，与在所述压电膜中传播的体波音速相比所传播的体波音速更低速；
所述压电膜，其层叠在所述低音速膜上；和
IDT电极，其形成在所述压电膜的一面，
所述IDT电极具有：多条第1电极指、和与所述第1电极指相互间插的多条第2电极指，
在将以所述IDT电极的电极指的周期确定的波长设为λ时，所述由LiTaO3构成的压电膜的膜厚为10λ以下，
相对于由所述LiTaO3的欧拉角规定的通过IDT电极激振的弹性波的传播方向ψ，将所述多条第1电极指的前端连结的方向以及将所述第2电极指的前端连结的方向成v的倾斜角度，该倾斜角度v处于0.4°以上、15°以下的范围。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述倾斜角度v为10°以下。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的弹性波装置，其中，
在将以所述IDT电极的电极指的周期确定的波长设为λ时，由所述LiTaO3构成的压电膜的膜厚大于0.2λ。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述IDT电极的电极指交叉宽度大于10λ且为50λ以下。
7.根据权利要求1～3中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述LiTaO3的切割角为30°以上、60°以下。
8.根据权利要求1～3中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述IDT电极的占空比为不足0.7，所述IDT电极的电极指的宽度方向尺寸为0.15μm以上。
9.根据权利要求1～3中任一项所述的弹性波装置，其中，
与所述IDT电极的所述第1电极指的前端隔开间隙来设置第1虚设电极指，与所述第2电极指的前端隔开间隙来设置第2虚设电极指，所述第1虚设电极指与第2汇流条连接，所述第2虚设电极指与第1汇流条连接，
在将从所述第1、第2电极指的前端到所述第2、第1虚设电极指的基端的距离设为偏移长度L、将间隙的电极指延伸的方向的尺寸设为G时，(L-G)≥7.5×λ×tan(v)。
10.根据权利要求9所述的弹性波装置，其中，
(所述偏移长度L-G)≥11.5×λ×tan(v)。
11.根据权利要求10所述的弹性波装置，其中，
(所述偏移长度L-G)≥17.5×λ×tan(v)。
12.根据权利要求9所述的弹性波装置，其中，
所述间隙的尺寸G大于0.1μm、小于0.25λ。
13.根据权利要求9所述的弹性波装置，其中，
在所述IDT电极的所述第1电极指以及第2电极指当中至少一方，设置有从电极指延伸的方向的侧缘向电极指宽度方向外侧突出的突出部。
14.根据权利要求13所述的弹性波装置，其中，
所述突出部设置在与第1以及第2电极指的至少一方的前端相连的侧缘部分。
15.根据权利要求13所述的弹性波装置，其中，
在所述第1、第2虚设电极指的至少一方设置所述突出部。
16.根据权利要求13所述的弹性波装置，其中，
所述突出部设置在未至所述第1、第2电极指的前端的电极指的侧缘。
17.根据权利要求13所述的弹性波装置，其中，
所述突出部的平面形状是梯形，将与该梯形的侧缘相连的下底的长度设为TW1时，TW1≥0.11735λ。
18.根据权利要求17所述的弹性波装置，其中，
在将所述突出部的沿着所述电极指的侧缘的方向上的最小尺寸设为TW2时，TW2≥0.02915λ。
19.根据权利要求17所述的弹性波装置，其中，
在将所述突出部的沿着弹性波传播方向的尺寸设为TH时，TH≥0.0466λ。
20.根据权利要求1～3中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述IDT电极由Al或以Al为主体的合金构成，IDT电极的膜厚处于0.08λ以上、0.097λ以下的范围。
21.根据权利要求1～3中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述IDT电极的膜厚为0.10λ以上、400nm以下。
22.一种滤波器装置，具备1个以上的权利要求1～21中任一项所述的弹性波装置。
23.根据权利要求22所述的滤波器装置，其中，
所述弹性波装置，还具备形成在所述压电膜的一面上的其他的IDT电极，
所述其他的IDT电极具有：多条第3电极指、和与所述第3电极指相互间插的多条第4电极指，
相对于由所述LiTaO3的欧拉角规定的通过所述其他的IDT电极激振的弹性波的传播方向ψ，将所述多条第3电极指的前端连结的方向以及将所述第4电极指的前端连结的方向成-v的倾斜角度。
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015106191A1 (de) * 2015-04-22 2016-10-27 Epcos Ag Elektroakustisches Bauelement mit verbesserter Akustik
JP6365435B2 (ja) * 2015-06-24 2018-08-01 株式会社村田製作所 弾性波装置
US11196404B2 (en) * 2015-08-31 2021-12-07 Kyocera Corporation Surface acoustic wave element
JP6779216B2 (ja) * 2015-09-07 2020-11-04 株式会社村田製作所 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
WO2017043151A1 (ja) 2015-09-09 2017-03-16 株式会社村田製作所 弾性波装置
JPWO2017217197A1 (ja) * 2016-06-14 2019-03-22 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置
US11095266B2 (en) 2016-10-07 2021-08-17 Qorvo Us, Inc. Slanted apodization for acoustic wave devices
WO2018151147A1 (ja) * 2017-02-14 2018-08-23 京セラ株式会社 弾性波素子
WO2019009246A1 (ja) * 2017-07-04 2019-01-10 京セラ株式会社 弾性波装置、分波器および通信装置
WO2019017422A1 (ja) * 2017-07-20 2019-01-24 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置
JP6806265B2 (ja) 2017-09-19 2021-01-06 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置及びマルチプレクサ
CN111183584B (zh) * 2017-09-29 2023-08-18 株式会社村田制作所 多工器、高频前端电路以及通信装置
WO2019065671A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
JP6954799B2 (ja) 2017-10-20 2021-10-27 株式会社村田製作所 弾性波装置
DE102017127713B3 (de) * 2017-11-23 2019-02-28 RF360 Europe GmbH Elektroakustisches Filter mit einer verringerten akustischen Kopplung, Verfahren zum Verringern der akustischen Kopplung und Multiplexer
JP2019145895A (ja) * 2018-02-16 2019-08-29 株式会社村田製作所 弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
US10911023B2 (en) * 2018-06-15 2021-02-02 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etch-stop layer
WO2019172374A1 (ja) * 2018-03-09 2019-09-12 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP7117880B2 (ja) * 2018-03-30 2022-08-15 京セラ株式会社 弾性波フィルタ、分波器および通信装置
DE102018118005A1 (de) * 2018-07-25 2020-01-30 RF360 Europe GmbH SAW-Vorrichtung mit einem geneigten Resonator
DE102018118003A1 (de) * 2018-07-25 2020-01-30 RF360 Europe GmbH SAW-Vorrichtung mit einem geneigten Resonator
CN112805919B (zh) 2018-10-18 2024-01-19 株式会社村田制作所 弹性波装置、带通型滤波器、双工器以及多工器
DE102018130144A1 (de) * 2018-11-28 2020-05-28 RF360 Europe GmbH Elektroakustischer Resonator und HF-Filter
SG10201911416RA (en) 2018-12-03 2020-07-29 Skyworks Solutions Inc Acoustic Wave Device With Transverse Spurious Mode Suppression
JP7330693B2 (ja) * 2018-12-19 2023-08-22 京セラ株式会社 弾性波素子
WO2020179906A1 (ja) 2019-03-06 2020-09-10 株式会社村田製作所 フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
CN113508496B (zh) 2019-03-06 2023-01-06 株式会社村田制作所 滤波器、多工器、高频前端电路以及通信装置
JP7411334B2 (ja) * 2019-03-20 2024-01-11 太陽誘電株式会社 弾性波共振器
CN113785489B (zh) * 2019-04-12 2023-11-21 株式会社村田制作所 弹性波装置
US11606078B2 (en) 2019-07-18 2023-03-14 Skyworks Solutions, Inc. Acoustic wave resonator with rotated and tilted interdigital transducer electrode
WO2022019169A1 (ja) * 2020-07-21 2022-01-27 株式会社村田製作所 ラダー型フィルタ

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103262410A (zh) * 2010-12-24 2013-08-21 株式会社村田制作所 弹性波装置及其制造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58143620A (ja) 1982-02-22 1983-08-26 Toshiba Corp 弾性表面波共振器
JP3950611B2 (ja) 1999-01-27 2007-08-01 株式会社日立製作所 弾性表面波共振器
CN101116244B (zh) * 2005-04-08 2010-08-25 株式会社村田制作所 弹性波元件
EP2202882A4 (en) 2007-10-18 2011-12-21 Murata Manufacturing Co ACOUSTIC SURFACE WAVE RESONATOR AND SCALE TYPE FILTER
JP5257799B2 (ja) * 2009-02-27 2013-08-07 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、及び電子機器
JP2011182220A (ja) * 2010-03-02 2011-09-15 Panasonic Corp 弾性波共振器及びこれを用いた縦結合二重モードフィルタ、ラダー型フィルタ
JP5663925B2 (ja) * 2010-03-31 2015-02-04 ソニー株式会社 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
JP2012060418A (ja) * 2010-09-09 2012-03-22 Seiko Epson Corp 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置
US9136458B2 (en) * 2011-03-22 2015-09-15 Skyworks Panasonic Filter Solutions Japan Co., Ltd. Elastic wave element
WO2012132238A1 (en) * 2011-03-25 2012-10-04 Panasonic Corporation Acoustic wave device with reduced higher order transverse modes
WO2012140831A1 (ja) * 2011-04-12 2012-10-18 パナソニック株式会社 弾性波素子と、これを用いたアンテナ共用器
US9319023B2 (en) * 2011-06-28 2016-04-19 Kyocera Corporation Acoustic wave element and acoustic wave device using same
JP5835480B2 (ja) * 2012-06-22 2015-12-24 株式会社村田製作所 弾性波装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103262410A (zh) * 2010-12-24 2013-08-21 株式会社村田制作所 弹性波装置及其制造方法

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