CN1825759B - 声表面波元件、分波器和通信设备 - Google Patents

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Abstract

本发明的SAW元件(D1)，在压电基板主表面上具备发送用阶梯型SAW元件(T1)和接收用阶梯型SAW元件(R2)。使在发送用阶梯型SAW元件(T1)的SAW谐振器(S1)中的电极指宽度LT对电极指节距PT的比率(LT/PT)，小于在接收用阶梯型SAW元件(R2)的SAW谐振器(S2)中的电极指宽度LR对SAW谐振器(S2)的电极指节距PR的比率(LR/PR)。其结果，能够提供一种具有频带内低损耗、频带外陡峭的衰减特性的、小型化的SAW元件(D1)。

Description

声表面波元件、分波器和通信设备
技术领域
本发明涉及声表面波元件(下面称为”SAW元件」)、备有该SAW元件的分波器(Duplexer)、和搭载有分波器的通信设备(CommunicationsEquipment)。 
背景技术
近年来，作为利用电波的设备，例如用于通信设备的滤波器、延迟线、振荡器等的元件，多使用具有小型、量轻而且滤波器的截止性能陡峭的这种特质的SAW元件。 
SAW元件多会使用在例如移动电话机的RF波段和IF波段的滤波器中。此外，SAW元件也会多用在作为天线之下的电路的分波器中。 
要求SAW元件是低损耗、通频带外有高的衰减特性、而且有宽广的通频带宽。 
图8、图9是表示作为滤波器各自通过发送频带和接收频带的分波器，使用了SAW元件时的通过特性曲线图。该例中，接收频带的频率比发送频带的频率提高了。 
将SAW元件通频带的衰减量叫做“***损耗”或简称为“损耗”。把通频带外的信号衰减特性叫做“衰减特性”。将发送电路的信号向接收电路的泄漏量叫做“隔离”。 
就分波器来说，要求发送频带的***损耗小，又要求发送侧与接收侧之间的隔离高。 
作为SAW元件的一种，公知有在压电基板上配设多个SAW谐振器，将SAW谐振器对信号线串联和并联，作为整体梯状地连接的阶梯型SAW滤波器。 
该阶梯型SAW滤波器小型又低损耗，由于能够实现具有陡峭衰减特 性的滤波器，因此作为移动电话机等分波器的发送用和接收用SAW滤波器开始广泛使用。 
因此，将SAW元件使用于分波器的情况下，以改善SAW元件制作精度为目的，研究了将SAW谐振器的梳齿状电极(也称作IDT(Inter DigitalTransducer，叉指换能器))的电极指宽度L对电极指节距(pitch)(周期)P之比(L/P)设为大于0.5的值(例如，参照文献(1))。 
另一方面，为了获得良好的陡峭衰减特性，可以将SAW谐振器梳齿状电极的电极指宽度L对电极指节距P之比(L/P)设为小于0.5的比(例如，参照文献(2))。 
可是，在文献(1)中所公开的技术中，由于设上述L/P为大于0.5的值，电极指的节距P要是固定的话，电极指宽度L就扩大，因而电极指间隔(P-L)会变窄，因此SAW谐振器的静电容增大，其结果，SAW元件的***损耗也就增大啦。 
对分波器的发送用阶梯形SAW元件方面因为要求发送频带的低损耗化，因此，在该文献(1)中所公开的技术，存在分波器损耗多的这方面问题。 
并且，在文献(2)中所公开的技术，由于把上述L/P设为小于0.5的值，因此电极指宽度L将变窄，所以电极指间隔(P-L)会扩大，因此SAW谐振器的静电容减少，其结果，SAW元件通频带外的衰减量即隔离就减小了。 
对分波器的接收用阶梯型SAW元件而言，为了实现高隔离特性，提高发送频带的衰减特性就必不可少，所以在该文献(2)所公开的技术中，存在分波器隔离特性差的这方面问题。 
还有，为了使SAW元件的***损耗降到低损耗的水平，以及使衰减特性成为陡峭的，通常公知如果增加SAW谐振器的电极指对数(っぃすぅ)和电极指交叉宽度，就能进行调整。 
但是，因为随着电极指对数和电极指交叉宽度增加而使SAW谐振器的尺寸大型化，就有难以满足实现小型化的市场要求的这一方面问题。 
文献(1)：特开2001-308671号公报 
文献(2)：特开2003-198317号公报 
文献(3)：USPatent 6946931号 
发明内容
本发明的目的在于，提供谋求小型化且低损耗的高衰减的SAW元件以及使用该SAW元件的分波器和通信设备。 
本发明的SAW元件是在一个或多个压电基板的主表面上形成的SAW元件，它包括：发送用阶梯型SAW元件，包括相对发送侧信号线串联连接的一个或多个发送用SAW谐振器和相对发送侧信号线并联连接的一个或多个发送用SAW谐振器；以及接收用阶梯型SAW元件，包括相对接收侧信号线串联连接的一个或多个接收用SAW谐振器和相对接收侧信号线并联连接的一个或多个接收用SAW谐振器，接收用阶梯型SAW元件的通频带频率比发送用阶梯型SAW元件的通频带频率高，在至少一个相对上述发送侧信号线串联连接的上述发送用SAW谐振器中的梳齿状电极的电极指宽度LT相对梳齿状电极的相互邻接的电极指节距PT之比率(LT/PT)，和在至少一个相对所述接收侧信号线并联连接的上述接收用SAW谐振器中的梳齿状电极的电极指宽度LR相对梳齿状电极的相互邻接的电极指节距PR之比率(LR/PR)满足下述公式， 
(LT/PT)＜(LR/PR)。 
按照这种构成的SAW元件，由于满足上述公式，对任一个发送用SAW谐振器来说，由于电极指宽度L相对地变窄，所以电极指间隔(P-L)会扩大，因此使SAW谐振器的静电容减少，能削减在SAW谐振器中产生的多余寄生电容，其结果，可用发送用阶梯型SAW元件获得低损耗的特性。 
并且，任一个接收用SAW谐振器由于电极指宽度L将相对地扩大，所以可使电极指间隔(P-L)变窄，因而可使SAW谐振器的静电容增大，能增加接收用阶梯型SAW元件中产生的寄生电容。其结果，使接收用阶梯型SAW元件具有高衰减的特性，能获得在发送频带高的隔离特性。 
并且，要是上述串联连接的任一个发送用SAW谐振器的上述比率(LT/PT)和上述并联连接的任一个接收用SAW谐振器的上述比率(LR/PR)满足上述公式的话，就能容易地满足低***损耗和高隔离的这两个要求。 
进而，要是串并联连接的全部发送用SAW谐振器的上述比率(LT/PT)和串并联连接的全部接收用SAW谐振器的上述比率(LR/PR)满足上述公式的话，就能容易而且可靠地满足低***损耗和高隔离的这两个要求。 
本发明的另一种SAW元件，形成在一个或多个压电基板的主表面上，包括：发送用阶梯型SAW元件，包括相对发送侧信号线串联连接的一个 或多个发送用SAW谐振器和相对发送侧信号线并联连接的一个或多个发送用SAW谐振器；以及接收用阶梯型SAW元件，包括相对接收侧信号线串联连接的一个或多个接收用SAW谐振器和相对接收侧信号线并联连接的一个或多个接收用SAW谐振器，发送用阶梯型SAW元件的通频带频率比接收用阶梯型SAW元件的通频带频率高，在至少一个相对上述发送侧信号线并联连接的上述发送用SAW谐振器中的梳齿状电极的电极指宽度LT相对梳齿状电极的相互邻接的电极指节距PT之比率(LT/PT)，和在至少一个相对上述接收侧信号线串联连接的上述接收用SAW谐振器中的梳齿状电极的电极指宽度LR相对梳齿状电极的相互邻接的电极指节距PR之比率(LR/PR)满足下述公式，(LT/PT)＜(LR/PR)。 
另外，为了形成SAW元件，不使必要的压电基板尺寸大型化而可以得到能适合使用于小型分波器的SAW元件。 
优选上述至少一个发送用SAW谐振器的上述比率(LT/PT)满足下述公式。 
(LT/PT)＜0.6 
按照该构成，能减少发送用SAW谐振器中产生的寄生电容影响，能更容易地得到低损耗的特性。从而，能以更低损耗得到高隔离特性的SAW元件。 
优选上述至少一个接收用SAW谐振器的上述比率(LR/PR)满足下述公式。 
0.6＜(LR/PR) 
按照该构成，就能够在接收用阶梯型SAW元件中产生的频带外衰减方面增加必要的寄生电容，能更容易地得到高衰减的特性。 
在不同的压电基板主表面上形成上述发送用阶梯型SAW元件和接收用阶梯型SAW元件时，由于能去掉因压电基板表面传播的SAW或压电基板中传播的体波而引起的发送用阶梯型SAW元件和接收用阶梯型SAW元件的耦合，因而就可能成为适合作为隔离特性更优良的分波器使用的SAW元件。 
另外，如用上述本发明的SAW元件作为分波器，因为发送信号的衰减减少，所以能够构成低电力消耗的通信设备。另外，由于通信设备的发送信号没有作为接收信号返回，所有就可能构成接收噪声少的高品质通信的通信设备。 
本发明上述的，还有其它的优点、特征和效果，参照附图通过下述的实施方案的说明将会更加清楚。 
附图说明
图1是表示本发明的SAW元件的实施方式的一例电路图。 
图2是表示在压电基板9上形成的梳齿状电极指一例概略图案图。 
图3是表示实施例的发送用阶梯型SAW元件的线宽比率(LT/PT)与***损耗之间的关系的曲线图。 
图4是表示实施例的接收用阶梯型SAW元件的线宽比率(LR/PR)与隔离特性之间的关系的曲线图。 
图5是表示在压电基板9a、9b上所形成的梳齿状电极指的一例的概略图案图。 
图6是表示实施例与比较例的SAW元件***损耗的曲线图。 
图7是表示实施例与比较例的SAW元件的隔离特性的曲线图。 
图8是用来说明***损耗定义的曲线图。 
图9是用来说明***定义的曲线图。 
具体实施方式
图1是表示本发明SAW元件的一例的电路图，图2是表示SAW谐振器梳齿状电极指的图案例的图。还有，图2只不过是模式地表示梳齿状电极指的图，梳齿状电极指的形状、对数等并不只限定于该图上示出的情况。 
如图1所示，本发明的SAW元件D1用作分波器，由发送用阶梯型SAW元件T1和接收用阶梯型SAW元件R2构成。 
在下面的例子中，假设接收用阶梯型SAW元件T2的通频带频率比发送用阶梯型SAW元件T1的通频带频率高。 
在SAW元件D1的发送输入端子10与天线端子20之间串联和并联连接多个SAW谐振器S1，由此构成发送用阶梯型SAW元件T1。 
此外，在SAW元件D1的天线端子20与接收输出端子30之间也构成串联和并联连接了多个SAW谐振器S2的接收用阶梯型SAW元件R2。 
另外，在天线端子20与接收用阶梯型SAW元件R2之间附加整合线路M1。该整合线路M1由形成于压电基板9上的电极图案构成。该整合线路M1也可以形成在安装压电基板9的框体、陶瓷基板、陶瓷层叠基板、或安装SAW元件D1的基板等上。 
当然也可使用电感元件和电容元件等的电抗部件作为代用线路，来代 替整合线路M1。 
SAW谐振器S1、S2，如图2所示，具有下述构成：在LiTaO3 单晶或LiNbO3单晶等压电基板9的主表面上，在各自组合一对梳齿状电极指形成的IDT(Inter Digital Transducer)电极1、3的两侧分别配置了反射器电极2、4。 
在这里，图2中示出的发送用阶梯型SAW元件T1的，作为SAW谐振器S1的电极指宽度LT对IDT电极1电极指节距PT之比的线宽比率(LT/PT)，成为改善SAW谐振器S1的电特性方面重要的设计参数。 
另外，接收用阶梯型SAW元件R2的、作为电极指宽LR对IDT电极3的电极指节距PR之比的线宽比率(LR/PR)，也与发送用同样是对改善SAW谐振器S2的电特性方面重要的设计参数。 
本SAW元件D1的特征在于，使发送用阶梯型SAW元件T1的任一个SAW谐振器S1的线宽比率(LT/PT)小于接收用阶梯型SAW元件R2的任一个SAW谐振器S2的线宽比率(LR/PR)，满足 
(LT/PT)＜(LR/PR) 
的关系。 
例如，使发送用阶梯型SAW元件T1之中，最靠近发送输入端子10的SAW谐振器S1的线宽比率(LT/PT)比接收用阶梯型SAW元件R2之中，最靠近接收输出端子30的SAW谐振器S2的线宽比率(LR/PR)还要小。 
这样，通过使任一个SAW谐振器S1的线宽比率(LT/PT)比任一个SAW谐振器S2的线宽比率(LR/PR)还要小，能够削减在发送用阶梯型SAW元件T1中产生的多余寄生电容，因而使发送用阶梯型SAW元件T1具有低损耗的特性。 
并且，在SAW元件D1的发送频带的隔离特性，对接收用阶梯型SAW元件R2的衰减量带来很大的影响。 
现有产品，接收用阶梯型SAW元件R2也与发送用阶梯型SAW元件T1同样，由于减小线宽比率(LR/PR)，在衰减下削减到必要的寄生电容，因此使发送用阶梯型SAW元件T1成为低损耗时，接收用阶梯 型SAW元件R2也具有低隔离特性。 
然而，对本发明的SAW元件D1来说，使接收用阶梯型SAW元件R2的任一个SAW谐振器S2的线宽比率(LR/PR)相对地比上述发送用阶梯型SAW元件T1的任一个SAW元件S1的线宽比率(LT/PT)大。其结果，能够在接收用阶梯型SAW元件R2中产生的衰减增加下增加必要的寄生电容，所以可使接收用阶梯型SAW元件R2具有高衰减的特性。因而能够获得高隔离特性。 
特别是，要使在发送用阶梯型SAW元件T1中串联连接的发送用SAW谐振器S1的比(LT/PT)和在接收用阶梯型SAW元件R2中并联连接的接收用SAW谐振器S2的上述比率(LR/PR)满足上述公式 
(LT/PT)＜(LR/PR) 
时，就有效。如想阐述其理由，则将阶梯形滤波器的串联SAW谐振器与并联SAW谐振器相比较，因为按高频进行设计，因此通过设计串联SAW谐振器，主要地能够控制通频带的高频侧特性。另外，并联SAW谐振器与串联SAW谐振器相比较，因为按低频进行设计，因此通过设计并联SAW谐振器，主要地能够控制通频带的低频侧特性。并且，在与接收频带相比，发送频带配置在低频侧的通信***中，由于发送频带的高频侧接近接收频带，因此要求更低损耗和高衰减的特性。即，发送用串联SAW谐振器的设计是重要的。此外，由于接收频带的低频侧接近发送频带，因此要求更低损耗和高衰减的特性。即，接收用并联SAW谐振器的设计是重要的。根据以上的理由，使发送用的串联SAW谐振器和接收用并联的SAW谐振器满足上述公式，就是有效的。 
特别，使在发送用阶梯型SAW元件T1中串并联连接的全部发送用SAW谐振器S1的比率(LT/PT)和在接收用阶梯型SAW元件R2中串并联连接的全部接收用SAW谐振器S2的上述比率(LR/PR)满足上述公式 
(LT/PT)＜(LR/PR) 
时，就更为有效。 
在这里，在图3中以曲线表示全部谐振器都满足了上述公式时的线宽 比率(LT/PT)与发送侧***损耗之间的关系。 
可知，如果线宽比率(LT/PT)超过0.6，则会急剧地增加发送侧***损耗，如果小于0.6，则得到发送侧***损耗稳定为低损耗。 
因此，通过规定发送用阶梯型SAW元件T1的SAW谐振器S1的线宽比率(LT/PT)满足公式(LT/PT)＜0.6，能可靠地消除发送用阶梯型SAW元件T1中所产生的寄生电容的影响，可得到更稳定且低损耗的特性。 
另外，在图4中以曲线表示全部谐振器都满足了上述公式时的线宽比率(LR/PR)与发送频带隔离之间的关系。 
可知如果线宽比率(LR/PR)小于0.6，则发送频带隔离就急剧地恶化，如果超过0.6，则得到发送频带隔离为高度稳定的特性。 
因此，通过规定接收用阶梯型SAW元件T1的SAW谐振器S2的线宽比率(LR/PR)满足公式0.6＜(LR/PR)，对接收用阶梯型SAW元件R2发生的衰减增加能够增加必要的寄生电容，可得到更稳定且高衰减的特性。 
图5是表示本发明SAW元件的更优选例子的电路图。 
该例子SAW元件D2的特征在于，不同的压电基板9a、9b的主表面上形成发送用阶梯型SAW元件T1的SAW谐振器S1和接收用阶梯型SAW元件R2的SAW谐振器S2。 
通过这样，在不同的压电基板9a、9b的主表面上形成SAW谐振器S1和SAW谐振器S2，能够防止由于SAW谐振器S1与SAW谐振器S2之间泄漏了的声表面波耦合而引起的隔离特性恶化。 
另外，SAW谐振器S1和SAW谐振器S2的电极图案，由于被分开在不同的压电基板9a、9b上，因此能够防止因谐振器间电磁耦合而引起的隔离特性恶化。 
本发明的SAW元件D1的SAW谐振器S1、S2的IDT电极也可由包括Al、Al-Cu系、Al-Ti系、Al-Mg系、Al-Cu-Mg系等的Al合金，或Al-Cu/Cu/Al-Cu、Ti/Al-Cu、Ti/Al-Cu/Ti等不同种金属层叠膜构成的材料而形成。 
另外，IDT电极可用蒸镀法、溅射法或CVD法等的薄膜形成法来 形成。 
IDT电极的梳齿状电极指的对数约为50～300左右，电极指的线宽L约为0.1～10μm左右，电极指间的节距P约为0.1～10μm左右，电极指开口宽度(交叉宽度)W约为10～200μm左右，电极指厚度约为0.1～0.5μm左右，在获得作为SAW谐振器S1、S2或SAW元件D1、D2的期望特性上是合适的。 
作为压电基板，36°±10°Y切割(cut)-X传播的LiTaO3单晶、64°±10°Y切割-X传播的LiNbO3单晶、45°±10°X切割-Z传播的Li2B4O7单晶等是理想的，因为其机电耦合系数大而且群延迟时间温度系数小。特别是，机电耦合系数大而随温度的特性变化小的36°±10°Y切割-X传播的LiTaO3单晶较好。压电基板的厚度约0.1～0.5mm较好，如果不足0.1mm，则压电基板变脆，超过0.5mm，则会增加材料成本。 
另外，为了防止压电基板因热电效应而引起电极破坏，也可以使用施加了还原处理的压电基板。 
另外，为了防止压电基板因热电效应而引起电极破坏，也可以使用添加了Fe元素的压电基板。 
另外，关于构成发送用阶梯型SAW元件T1的多个SAW谐振器S1，优选使各自线宽比率(LT/PT)大约一致，但电极指的条数、电极指的交叉宽度、电极指的节距等其他数值即使是各自不同的设计也没有关系。 
同样，关于构成接收用阶梯型SAW元件R2的多个SAW谐振器S2，优选使各自线宽比率(LR/PR)大约一致，但电极指的条数、电极指的交叉宽度、电极指的节距等其他数值，即使是各自不同的设计也没有关系。 
本发明的SAW元件可适用于通信设备。 
即，在备有接收电路或发送电路的一方或者双方的通信设备中，可以搭载使用了本发明的SAW元件的带通滤波器或分波器。 
上述发送电路是用混频器将发送信号装载到载频上，以带通滤波器衰减不需要的信号，而后，由功率放大器放大发送信号，通过分波器从天线 发射的电路。 
上述接收电路是由天线接收接收信号，用低噪声放大器放大通过了分波器后的接收信号，而后，以带通滤波器衰减不需要的信号，用混频器从载频中分离信号，取出该信号的电路。 
通过将上述分波器或带通滤波器装入通信设备中，能够实现有优良特性的通信设备。 
【实施例】 
接着，表示有关本发明的SAW元件制造例。 
使用钽酸锂(LiTaO3)作为压电基板，在其主表面上形成厚度6nm的T i薄膜，其上形成厚度130nm的Al-Cu薄膜，将其每次各三层交互层叠，形成了总计六层的Ti/Al-Cu层叠膜。 
其次，用抗蚀剂涂布装置涂布了光刻胶(photo resist)约厚0.5μm。 
接着，用缩小投影曝光装置(步进器，stepper)形成了光刻胶图案，要使图2中示出的发送用阶梯型SAW元件T1中的SAW谐振器S1的梳齿状电极指线宽比率(LT/PT)比接收用阶梯型SAW元件R2中的SAW谐振器S2的梳齿状电极指线宽比率(LR/PR)还要小。 
接着，在显影装置中用碱性显影液溶解不需要部分的光刻胶，借助于RIE(Reactive Ion Etching.反应离子蚀刻)装置形成了电极图案。 
接着，在电极图案的规定区域上制作保护膜。即，用CVD(ChemicalVapor Deposition：化学气相淀积)装置，在电极图案和压电基板主表面上形成了约厚0.02μm的SiO2膜。 
接着，用光刻法进行光刻胶的制图(patterning)，并用RIE装置等对倒装片(flip chip)用电极部分的保护膜进行了蚀刻。 
接着，使用溅射装置，成膜了由Cr、Ni、Au构成的层叠电极。此时的电极膜厚为约1μm。 
接着，用剥离法(lift off)同时除去光刻胶和不需要部分的层叠电极，形成了连接倒装片用凸块的焊盘(pad)。 
接着，在压电基板上沿着切割线施行切割加工，分割成SAW元件的各个芯片。 
接着，在陶瓷组装基板上，印制由焊料构成的电极图案。 
接着，使用倒装片组装装置使电极形成面朝向下面，将各芯片暂时粘接在陶瓷组装基板上。 
接着，在N2气氛中进行烘焙，通过使焊料熔融，将芯片和陶瓷组装基板焊接起来。 
接着，在焊接了芯片的陶瓷组装基板上涂布树脂，在N2气氛中进行烘焙，以树脂密封芯片。 
接着，在陶瓷组装基板上沿着切割线施行切割加工，分割成小片，制成使用了本发明SAW元件的分波器。另外，对分割成小片后的陶瓷组装基板，采用2.5×2.0mm的层叠构造。 
另一方面，整合线路M1是由配置在组装SAW元件的陶瓷组装基板上的电感元件和电容元件的电抗部件构成。 
通过以上方法，制成本发明的SAW元件A。在该SAW元件A中的发送用阶梯型SAW元件T1的各个SAW谐振器S1的线宽比率(LT/PT)都是0.60，接收用阶梯型SAW元件R2的各个SAW谐振器S2的线宽比率(LR/PR)都是0.71。 
另外，作为比较例，由上述同样的薄膜构成，将线宽比率(LT/PT)和(LR/PR)分别设定为0.65进行形成，同样制成了现有的SAW元件B。 
用网络分析器测定这些SAW元件A和B的电特性。在图6和图7中示出其结果。 
图6是表示SAW元件A和B的***损耗曲线图，横轴表示频率(单位：MHz)，纵轴表示***损耗(单位：dB)，实线的特性曲线表示SAW元件A的结果，虚线的特性曲线表示SAW元件B的结果。 
另外，图7是表示SAW元件A和B的隔离特性曲线图，横轴表示频率(单位：MHz)，纵轴表示隔离特性(单位：dB)，实线的特性曲线表示SAW元件A的结果，虚线的特性曲线表示SAW元件B的结果。 
如图6和图7所示，相对于本发明实施例的SAW元件A方面，***损耗为2.0dB，隔离特性为58dB，在比较例的SAW元件B方面***损耗为2.4dB，隔离特性为54dB，按照本发明的实施例，***损耗和隔离特性全都大大改善了。 
并且，按照图2所示的图案，制作了使发送用阶梯型SAW元件T1中的SAW谐振器S1的线宽比率(LT/PT)如以下所示变化的SAW元件C、D、E、F。 
在SAW元件C、D、E、F中的线宽比率(LT/PT)和(LR/PR)是如以下所示那样的比率。 
【表1】 
线宽比率  C      D      E      F 
(LT/PT)   0.49   0.60   0.64   0.69 
(LR/PR)   0.64   0.64   0.64   0.64 
用网络分析器装置测定这些实施例的SAW元件C、D、E、F的电特性。在图3中以曲线表示该测定结果。 
在图3中，横轴表示线宽比率(LT/PT)，纵轴表示发送侧***损耗(单位：dB)，黑点的标图和特性曲线表示线宽比率(LT/PT)与发送侧***损耗之间的关系。 
如图3所示，伴随发送用阶梯型SAW元件T1中的SAW谐振器S1的线宽比率(LT/PT)增加，而***损耗增加。 
由该结果可知，在发送用阶梯型SAW元件T1中的SAW谐振器S1的线宽比率(LT/PT)为0.6以上的情况下，(在发送用阶梯型SAW元件T1中的SAW谐振器S1的线宽比率(LT/PT)即使是小于在接收用阶梯型SAW元件R2中的SAW谐振器S2的线宽比率(LR/PR)的值，)，也可知损耗增加了。 
因此，优选(LT/PT)＜0.6。 
并且，按照图2所示的梳齿状电极指图案，制成了使接收用阶梯型SAW元件R2中的SAW谐振器S2的线宽比率(LR/PR)如以下所示那样地变化的实施例SAW元件G、H、I、J和K。 
同样用网络分析器装置测定这些实施例的SAW元件G、H、I、J、K的电特性。还有，SAW元件G、H、I、J、K的线宽比率(LT/PT)和(LR/PR)是如以下所示那样的比率。 
【表2】 
线宽比率    G    H    I    J    K 
(LT/PT)  0.64   0.64   0.64   0.64   0.64 
(LR/PR)  0.50   0.59   0.64   0.71   0.79 
同样用网络分析器装置测定这些实施例的SAW元件G、H、I、J、K的电特性。在图4中以曲线表示此测定结果。 
在图4中，横轴表示线宽比率(LR/PR)，纵轴表示发送侧隔离(单位： dB)，黑点的标图和特性曲线表示线宽比率(LR/PR)与发送侧隔离之间的关系。 
如图4所示，伴随在接收用阶梯型SAW元件R2中的SAW谐振器S2的线宽比率(LR/PR)增加，而发送侧隔离增加。 
由该结果可知，在接收用阶梯型SAW元件R2中的SAW谐振器S2的线宽比率(LR/PR)为0.6以下的情况下，(发送用阶梯型SAW元件T1的SAW谐振器S1的线宽比率(LT/PT)即使是小于接收用阶梯型SAW元件R2中的SAW谐振器S2的线宽比率(LR/PR)的值，)，也可知发送侧隔离减少。 
因此，优选(LR/PR)＞0.6。 
另外，以上始终是本发明的实施方案的举例说明，本发明不只是限定于这些实施例，在不脱离本发明要旨的范围内当然也可增加各种变更和改良。 
例如，电极指的对数和交叉宽度等也可以是每个SAW谐振器都变更的构成。这时，可以进行由电极指的对数、交叉宽度等的变更而施行寄生电容的调整和SAW的控制，所以能够以更低损耗获得高隔离的特性。 
至此的例子中，假设了接收用阶梯型SAW元件T2的通频带频率比发送用阶梯型SAW元件T1的通频带频率还高的关系。但是，也可是其相反的关系、即接收用阶梯型SAW元件T2的通频带频率比发送用阶梯型SAW元件T1的通频带频率要低的关系。这时，尤其如果发送侧的并联连接的SAW谐振器和接收侧的串联连接的SAW谐振器满足公式 
(LT/PT)＜(LR/PR) 
的话，就有效。其理由如下。阶梯型滤波器的串联SAW谐振器与并联SAW谐振器相比较，因为按高频进行设计，因此通过串联SAW谐振器的设计，主要地能够控制通频带的高频侧特性。另外，并联SAW谐振器与串联SAW 谐振器相比较，因为按低频进行设计，因此通过并联SAW谐振器的设计，主要地能够控制通频带的低频侧特性。并且，在与接收频带相比，发送频带配置在高频侧的通信***中，因发送频带的低频侧接近接收频带，因此要求更低损耗和高衰减的特性。即，发送用并联SAW谐振器的设计是重要的。此外，因接收频带的高频侧接近发送频带，因此要求更低损耗和高衰减的特性。即，接收用串联SAW谐振器的设计是重要的。根据以上的理由，如果发送用的并联SAW谐振器和接收用的串联SAW谐振器满足上述公式，则有效。 
并且，可以认为本发明的范围也可扩展到任意组合各权利要求所述构成的结构。 

Claims (9)

1.一种SAW元件，形成在一个或多个压电基板的主表面上，包括：
发送用阶梯型SAW元件，包括相对发送侧信号线串联连接的一个或多个发送用SAW谐振器和相对发送侧信号线并联连接的一个或多个发送用SAW谐振器；以及
接收用阶梯型SAW元件，包括相对接收侧信号线串联连接的一个或多个接收用SAW谐振器和相对接收侧信号线并联连接的一个或多个接收用SAW谐振器，
接收用阶梯型SAW元件的通频带频率比发送用阶梯型SAW元件的通频带频率高，
在至少一个相对所述发送侧信号线串联连接的所述发送用SAW谐振器中的梳齿状电极的电极指宽度LT相对梳齿状电极的相互邻接的电极指节距PT之比率(LT/PT)，和在至少一个相对所述接收侧信号线并联连接的所述接收用SAW谐振器中的梳齿状电极的电极指宽度LR相对梳齿状电极的相互邻接的电极指节距PR之比率(LR/PR)满足下述公式，
(LT/PT)＜(LR/PR)。
2.按照权利要求1所述的SAW元件，其特征在于，
在串并联地连接的全部发送用SAW谐振器中的所述比率(LT/PT)和在串并联地连接的全部接收用SAW谐振器中的所述比率(LR/PR)满足所述公式。
3.一种SAW元件，形成在一个或多个压电基板的主表面上，包括：
发送用阶梯型SAW元件，包括相对发送侧信号线串联连接的一个或多个发送用SAW谐振器和相对发送侧信号线并联连接的一个或多个发送用SAW谐振器；以及
接收用阶梯型SAW元件，包括相对接收侧信号线串联连接的一个或多个接收用SAW谐振器和相对接收侧信号线并联连接的一个或多个接收用SAW谐振器，
发送用阶梯型SAW元件的通频带频率比接收用阶梯型SAW元件的 通频带频率高，
在至少一个相对所述发送侧信号线并联连接的所述发送用SAW谐振器中的梳齿状电极的电极指宽度LT相对梳齿状电极的相互邻接的电极指节距PT之比率(LT/PT)，和在至少一个相对所述接收侧信号线串联连接的所述接收用SAW谐振器中的梳齿状电极的电极指宽度LR相对梳齿状电极的相互邻接的电极指节距PR之比率(LR/PR)满足下述公式，
(LT/PT)＜(LR/PR)。
4.按照权利要求1或3所述的SAW元件，其特征在于，
电极指的节距P，在所述发送用SAW谐振器与所述接收用SAW谐振器中相等。
5.按照权利要求1或3所述的SAW元件，其特征在于，
所述至少一个发送用SAW谐振器的所述比率(LT/PT)满足下述公式，
(LT/PT)＜0.6。
6.按照权利要求1或3所述的SAW元件，其特征在于，
所述至少一个接收用SAW谐振器的所述比率(LR/PR)满足下述公式，0.6＜(LR/PR)。
7.按照权利要求1或3所述的SAW元件，其特征在于，
所述发送用阶梯形SAW元件和所述接收用阶梯形SAW元件形成在分别不同的压电基板的主表面上。
8.一种使用权利要求1或3所述的SAW元件作为滤波器的分波器。
9.一种搭载有权利要求8所述的分波器的通信设备。 
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