JP5428909B2 - 液浸リソグラフィ流体制御システム - Google Patents
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Description
Claims (39)
- 液浸リソグラフィ用の流体制御システムであって、
光学部材であって前記光学部材と該光学部材に対向して配置された表面との間にギャップが画成されている前記光学部材と、
前記ギャップ内に特定される露光領域に液体を供給するための流体供給デバイスと、
加圧ガス源に接続されたガスアウトレットを含み、前記ガスアウトレットを通じて加圧ガスを送出することによって前記液体が前記露光領域外部の特定の周辺領域に入ることを妨げる流体制御デバイスとを備え、
前記加圧ガスの圧力は、前記表面を有する物体の走査速度より決定される流体制御システム。 - 液浸リソグラフィ用の流体制御システムであって、
光学部材であって前記光学部材と該光学部材に対向して配置された表面との間にギャップが画成されている前記光学部材と、
前記ギャップ内に特定される露光領域に液体を供給するための流体供給デバイスと、
加圧ガス源に接続されたガスアウトレットを含み、前記ガスアウトレットを通じて加圧ガスを送出することによって前記液体が前記露光領域外部の特定の周辺領域に入ることを妨げる流体制御デバイスとを備え、
前記加圧ガスの圧力は、前記表面と前記液体の間の接触角より決定される流体制御システム。 - 液浸リソグラフィ用の流体制御システムであって、
光学部材であって前記光学部材と該光学部材に対向して配置された表面との間にギャップが画成されている前記光学部材と、
前記ギャップ内に特定される露光領域に液体を供給するための流体供給デバイスと、
加圧ガス源に接続されたガスアウトレットを含み、前記ガスアウトレットを通じて加圧ガスを送出することによって前記液体が前記露光領域外部の特定の周辺領域に入ることを妨げる流体制御デバイスとを備え、
前記加圧ガスの圧力は、前記表面を有する物体の移動方向より決定される流体制御システム。 - 液浸リソグラフィ用の流体制御システムであって、
光学部材であって前記光学部材と該光学部材に対向して配置された表面との間にギャップが画成されている前記光学部材と、
前記ギャップ内に特定される露光領域に液体を供給するための流体供給デバイスと、
加圧ガス源に接続されたガスアウトレットを含み、前記ガスアウトレットを通じて加圧ガスを送出することによって前記液体が前記露光領域外部の特定の周辺領域に入ることを妨げる流体制御デバイスとを備え、
前記加圧ガスの圧力は、前記ガスアウトレットの位置に基づいて異なる流体制御システム。 - 液浸リソグラフィ用の流体制御システムであって、
光学部材であって前記光学部材と該光学部材に対向して配置された表面との間にギャップが画成されている前記光学部材と、
前記ギャップ内に特定される露光領域に液体を供給するための流体供給デバイスと、
加圧ガス源に接続され、前記表面を有する物体の走査方向によって規定される一側に前記露光領域に隣接して置かれているガスアウトレットと、前記物体のステッピング方向によって規定される一側に前記露光領域に隣接して置かれているガスアウトレットとを通じて加圧ガスを送出することによって前記液体が前記露光領域外部の特定の周辺領域に入ることを妨げる流体制御デバイスとを備え、
前記物体の走査方向によって規定される一側に置かれている前記ガスアウトレットのガス圧と、前記物体のステッピング方向によって規定される一側に置かれている前記ガスアウトレットのガス圧が異なる流体制御システム。 - 前記流体供給デバイスより供給された前記液体とガスとの境界面において、前記加圧ガスは、2〜200m/秒の速度を有する請求項1〜5のいずれか一項に記載の流体制御システム。
- 前記ガスアウトレットは前記表面に対して斜めに向けられている請求項1〜6のいずれか一項に記載の流体制御システム。
- 液浸リソグラフィ用の流体制御システムであって、
光学部材であって前記光学部材と該光学部材に対向して配置された表面との間にギャップが画成されている前記光学部材と、
前記ギャップ内に特定される露光領域に液体を供給するための流体供給デバイスと、
加圧ガス源に接続されたガスアウトレットを含み、前記ガスアウトレットを通じて加圧ガスを送出することによって前記液体が前記露光領域外部の特定の周辺領域に入ることを妨げる流体制御デバイスとを備え、
前記加圧ガスの圧力が可変であり、
前記流体供給デバイスより供給された前記液体とガスとの境界面において、前記加圧ガスは、2〜200m/秒の速度を有し、
前記ガスアウトレットは前記表面に対して斜めに向けられている流体制御システム。 - 前記流体制御デバイスはさらに供給されたガスを取り除くための排気マニホールドを含む請求項1〜8のいずれか一項に記載の流体制御システム。
- 前記加圧ガスが空気である請求項1〜9のいずれか一項に記載の流体制御システム。
- 前記加圧ガスが窒素である請求項1〜9のいずれか一項に記載の流体制御システム。
- 前記加圧ガスを送出するガスアウトレットは、前記液体を供給する供給ノズルと前記液体を回収する回収ノズルの外側に配置される請求項1〜11のいずれか一項に記載の流体制御システム。
- 液浸リソグラフィ用の流体制御システムであって、
光学部材であって前記光学部材と該光学部材に対向して配置された表面との間にギャップが画成されている前記光学部材と、
前記ギャップ内に特定される露光領域に液体を供給するための流体供給デバイスと、
加圧ガス源に接続されたガスアウトレットを含み、前記ガスアウトレットを通じて加圧ガスを送出することによって前記液体が前記露光領域外部の特定の周辺領域に入ることを妨げる流体制御デバイスとを備え、
前記加圧ガスの圧力が可変であり、
前記流体供給デバイスより供給された前記液体とガスとの境界面において、前記加圧ガスは、2〜200m/秒の速度を有し、
前記加圧ガスを送出するガスアウトレットは、前記液体を供給する供給ノズルと前記液体を回収する回収ノズルの外側に配置される流体制御システム。 - レチクルを保持するために配置されたレチクルステージと、
表面を有するワークピースを保持するために配置されたワーキングステージと、
光学素子を含んだ光学システムであって前記光学素子は前記ワークピースの前記表面に対向し、前記光学素子と前記ワークピースの前記表面との間にギャップが画成された光学システムと、
液浸リソグラフィプロセスの間に、前記光学素子及び前記ワークピースの間、並びに前記光学素子及び前記ワークピースと接触している特定の露光領域へ液体を提供するための流体供給デバイスと、
加圧ガス源に接続されたガスアウトレットを含み、前記ガスアウトレットを通じて加圧ガスを送出することによって前記液体が前記露光領域の外部の特定の周辺領域に入ることを妨げる流体制御デバイスとを備え、
前記加圧ガスの圧力は、前記ワークピースの走査速度より決定される液浸リソグラフィ装置。 - レチクルを保持するために配置されたレチクルステージと、
表面を有するワークピースを保持するために配置されたワーキングステージと、
光学素子を含んだ光学システムであって前記光学素子は前記ワークピースの前記表面に対向し、前記光学素子と前記ワークピースの前記表面との間にギャップが画成された光学システムと、
液浸リソグラフィプロセスの間に、前記光学素子及び前記ワークピースの間、並びに前記光学素子及び前記ワークピースと接触している特定の露光領域へ液体を提供するための流体供給デバイスと、
加圧ガス源に接続されたガスアウトレットを含み、前記ガスアウトレットを通じて加圧ガスを送出することによって前記液体が前記露光領域の外部の特定の周辺領域に入ることを妨げる流体制御デバイスとを備え、
前記加圧ガスの圧力は、前記ワークピースの表面と前記液体の間の接触角より決定される液浸リソグラフィ装置。 - レチクルを保持するために配置されたレチクルステージと、
表面を有するワークピースを保持するために配置されたワーキングステージと、
光学素子を含んだ光学システムであって前記光学素子は前記ワークピースの前記表面に対向し、前記光学素子と前記ワークピースの前記表面との間にギャップが画成された光学システムと、
液浸リソグラフィプロセスの間に、前記光学素子及び前記ワークピースの間、並びに前記光学素子及び前記ワークピースと接触している特定の露光領域へ液体を提供するための流体供給デバイスと、
加圧ガス源に接続されたガスアウトレットを含み、前記ガスアウトレットを通じて加圧ガスを送出することによって前記液体が前記露光領域の外部の特定の周辺領域に入ることを妨げる流体制御デバイスとを備え、
前記加圧ガスの圧力は、前記ワークピースの移動方向より決定される液浸リソグラフィ装置。 - レチクルを保持するために配置されたレチクルステージと、
表面を有するワークピースを保持するために配置されたワーキングステージと、
光学素子を含んだ光学システムであって前記光学素子は前記ワークピースの前記表面に対向し、前記光学素子と前記ワークピースの前記表面との間にギャップが画成された光学システムと、
液浸リソグラフィプロセスの間に、前記光学素子及び前記ワークピースの間、並びに前記光学素子及び前記ワークピースと接触している特定の露光領域へ液体を提供するための流体供給デバイスと、
加圧ガス源に接続されたガスアウトレットを含み、前記ガスアウトレットを通じて加圧ガスを送出することによって前記液体が前記露光領域の外部の特定の周辺領域に入ることを妨げる流体制御デバイスとを備え、
前記加圧ガスの圧力は、前記ガスアウトレットの位置に基づいて異なる液浸リソグラフィ装置。 - レチクルを保持するために配置されたレチクルステージと、
表面を有するワークピースを保持するために配置されたワーキングステージと、
光学素子を含んだ光学システムであって前記光学素子は前記ワークピースの前記表面に対向し、前記光学素子と前記ワークピースの前記表面との間にギャップが画成された光学システムと、
液浸リソグラフィプロセスの間に、前記光学素子及び前記ワークピースの間、並びに前記光学素子及び前記ワークピースと接触している特定の露光領域へ液体を提供するための流体供給デバイスと、
加圧ガス源に接続された、前記ワークピースの走査方向によって規定される一側に前記露光領域に隣接して置かれているガスアウトレットと、前記ワークピースのステッピング方向によって規定される一側に前記露光領域に隣接して置かれているガスアウトレットとを通じて加圧ガスを送出することによって前記液体が前記露光領域外部の特定の周辺領域に入ることを妨げる流体制御デバイスとを備え、
前記ワークピースの走査方向によって規定される一側に置かれている前記ガスアウトレットのガス圧と、前記ワークピースのステッピング方向によって規定される一側に置かれている前記ガスアウトレットのガス圧が異なる液浸リソグラフィ装置。 - 前記流体供給デバイスより供給された前記液体とガスとの境界面において、前記加圧ガスは、2〜200m/秒の速度を有する請求項14〜18のいずれか一項に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 前記ガスアウトレットは前記ワークピースの前記表面に関して斜めに向けられた請求項14〜19のいずれか一項に記載の液浸リソグラフィ装置。
- レチクルを保持するために配置されたレチクルステージと、
表面を有するワークピースを保持するために配置されたワーキングステージと、
光学素子を含んだ光学システムであって前記光学素子は前記ワークピースの前記表面に対向し、前記光学素子と前記ワークピースの前記表面との間にギャップが画成された光学システムと、
液浸リソグラフィプロセスの間に、前記光学素子及び前記ワークピースの間、並びに前記光学素子及び前記ワークピースと接触している特定の露光領域へ液体を提供するための流体供給デバイスと、
加圧ガス源に接続されたガスアウトレットを含み、前記ガスアウトレットを通じて加圧ガスを送出することによって前記液体が前記露光領域の外部の特定の周辺領域に入ることを妨げる流体制御デバイスとを備え、
前記加圧ガスの圧力が可変であり、
前記流体供給デバイスより供給された前記液体とガスとの境界面において、前記加圧ガスは、2〜200m/秒の速度を有し、
前記ガスアウトレットが前記ワークピースの前記表面に関して斜めに向けられた液浸リソグラフィ装置。 - 前記流体制御デバイスはさらに供給されたガスを取り除くための排気マニホールドを含む請求項14〜21のいずれか一項に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 前記加圧ガスが空気である請求項14〜22のいずれか一項に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 前記加圧ガスが窒素である請求項14〜22のいずれか一項に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 前記加圧ガスを送出するガスアウトレットは、前記液体を供給する供給ノズルと前記液体を回収する回収ノズルの外側に配置される請求項14〜24のいずれか一項に記載の液浸リソグラフィ装置。
- レチクルを保持するために配置されたレチクルステージと、
表面を有するワークピースを保持するために配置されたワーキングステージと、
光学素子を含んだ光学システムであって前記光学素子は前記ワークピースの前記表面に対向し、前記光学素子と前記ワークピースの前記表面との間にギャップが画成された光学システムと、
液浸リソグラフィプロセスの間に、前記光学素子及び前記ワークピースの間、並びに前記光学素子及び前記ワークピースと接触している特定の露光領域へ液体を提供するための流体供給デバイスと、
加圧ガス源に接続されたガスアウトレットを含み、前記ガスアウトレットを通じて加圧ガスを送出することによって前記液体が前記露光領域の外部の特定の周辺領域に入ることを妨げる流体制御デバイスとを備え、
前記加圧ガスの圧力が可変であり、
前記流体供給デバイスより供給された前記液体とガスとの境界面において、前記加圧ガスは、2〜200m/秒の速度を有し、
前記加圧ガスを送出するガスアウトレットが、前記液体を供給する供給ノズルと前記液体を回収する回収ノズルの外側に配置される液浸リソグラフィ装置。 - リソグラフィプロセスを用いて物体を作製する方法であって、前記リソグラフィプロセスは請求項14〜26のいずれか一項に記載の液浸リソグラフィ装置を利用する方法。
- リソグラフィプロセスを用いてウェハをパターンニングするための方法であって、前記リソグラフィプロセスは請求項14〜26のいずれか一項に記載の液浸リソグラフィ装置を用いる方法。
- 液浸リソグラフィ用の流体制御方法であって、
光学部材と該光学部材に対向して配置された表面との間に画成されているギャップ内に特定される露光領域に液体を供給することと、
ガス圧源に接続されたガスアウトレットを通じて加圧ガスを送出することによって前記液体が前記露光領域外部の特定の周辺領域に入ることを妨げることとを含み、
前記加圧ガスの圧力は、前記表面を有する物体の走査速度より決定される流体制御方法。 - 液浸リソグラフィ用の流体制御方法であって、
光学部材と該光学部材に対向して配置された表面との間に画成されているギャップ内に特定される露光領域に液体を供給することと、
ガス圧源に接続されたガスアウトレットを通じて加圧ガスを送出することによって前記液体が前記露光領域外部の特定の周辺領域に入ることを妨げることとを含み、
前記加圧ガスの圧力は、前記表面と前記液体の間の接触角より決定される流体制御方法。 - 液浸リソグラフィ用の流体制御方法であって、
光学部材と該光学部材に対向して配置された表面との間に画成されているギャップ内に特定される露光領域に液体を供給することと、
ガス圧源に接続されたガスアウトレットを通じて加圧ガスを送出することによって前記液体が前記露光領域外部の特定の周辺領域に入ることを妨げることとを含み、
前記加圧ガスの圧力は、前記表面を有する物体の移動方向より決定される流体制御方法。 - 液浸リソグラフィ用の流体制御方法であって、
光学部材と該光学部材に対向して配置された表面との間に画成されているギャップ内に特定される露光領域に液体を供給することと、
ガス圧源に接続されたガスアウトレットを通じて加圧ガスを送出することによって前記液体が前記露光領域外部の特定の周辺領域に入ることを妨げることとを含み、
前記加圧ガスの圧力は、前記ガスアウトレットの位置に基づいて異なる流体制御方法。 - 液浸リソグラフィ用の流体制御方法であって、
光学部材と該光学部材に対向して配置された表面との間に画成されているギャップ内に特定される露光領域に液体を供給することと、
加圧ガス源に接続され、前記表面を有する物体の走査方向によって規定される一側に前記露光領域に隣接して置かれているガスアウトレットと、前記物体のステッピング方向によって規定される一側に前記露光領域に隣接して置かれているガスアウトレットとを通じて加圧ガスを送出することによって前記液体が前記露光領域外部の特定の周辺領域に入ることを妨げることとを含み、
前記物体の走査方向によって規定される一側に置かれている前記ガスアウトレットのガス圧と、前記物体のステッピング方向によって規定される一側に置かれている前記ガスアウトレットのガス圧が異なる流体制御方法。 - 前記供給された前記液体とガスとの境界面において、前記加圧ガスは、2〜200m/秒の速度を有する請求項29〜33のいずれか一項に記載の流体制御方法。
- 前記ガスアウトレットは前記表面に対して斜めに向けられている請求項29〜34のいずれか一項に記載の方法。
- 液浸リソグラフィ用の流体制御方法であって、
光学部材と該光学部材に対向して配置された表面との間に画成されているギャップ内に特定される露光領域に液体を供給することと、
ガス圧源に接続されたガスアウトレットを通じて加圧ガスを送出することによって前記液体が前記露光領域外部の特定の周辺領域に入ることを妨げることとを含み、
前記加圧ガスの圧力が可変であり、
前記供給された液体とガスとの境界面において、前記加圧ガスは、2〜200m/秒の速度を有し、
前記ガスアウトレットは前記表面に対して斜めに向けられている流体制御方法。 - 前記供給されたガスを排気マニホールドを使って取り除くことをさらに含む請求項29〜36のいずれか一項に記載の方法。
- 前記加圧ガスが空気である請求項29〜37のいずれか一項に記載の方法。
- 前記加圧ガスが窒素である請求項29〜37のいずれか一項に記載の方法。
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EP1611482B1 (en) | 2003-04-10 | 2015-06-03 | Nikon Corporation | Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus |
EP2161620A1 (en) | 2003-04-11 | 2010-03-10 | Nikon Corporation | Cleanup method for optics in immersion lithography |
KR20180054929A (ko) | 2003-04-11 | 2018-05-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법 |
WO2004092830A2 (en) | 2003-04-11 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Liquid jet and recovery system for immersion lithography |
WO2004095135A2 (en) | 2003-04-17 | 2004-11-04 | Nikon Corporation | Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography |
TWI295414B (en) | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI616932B (zh) | 2003-05-23 | 2018-03-01 | Nikon Corp | Exposure device and component manufacturing method |
TW201415536A (zh) | 2003-05-23 | 2014-04-16 | 尼康股份有限公司 | 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法 |
KR20110110320A (ko) | 2003-05-28 | 2011-10-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2261741A3 (en) | 2003-06-11 | 2011-05-25 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101242815B1 (ko) | 2003-06-13 | 2013-03-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조방법 |
US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
KR101419663B1 (ko) | 2003-06-19 | 2014-07-15 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
EP1491956B1 (en) | 2003-06-27 | 2006-09-06 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6809794B1 (en) | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
EP3179309A1 (en) | 2003-07-08 | 2017-06-14 | Nikon Corporation | Wafer table for immersion lithography |
WO2005006415A1 (ja) | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2005006418A1 (ja) | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
ATE489724T1 (de) | 2003-07-09 | 2010-12-15 | Nikon Corp | Belichtungsvorrichtung und verfahren zur bauelementherstellung |
EP1650787A4 (en) | 2003-07-25 | 2007-09-19 | Nikon Corp | INVESTIGATION METHOD AND INVESTIGATION DEVICE FOR AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM AND METHOD OF MANUFACTURING AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM |
EP1503244A1 (en) | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
US7175968B2 (en) | 2003-07-28 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate |
KR20190002749A (ko) | 2003-07-28 | 2019-01-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법 |
US7779781B2 (en) | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI263859B (en) | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG145780A1 (en) | 2003-08-29 | 2008-09-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and device fabricating method |
WO2005024517A2 (en) | 2003-09-03 | 2005-03-17 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
JP4444920B2 (ja) | 2003-09-19 | 2010-03-31 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4438747B2 (ja) | 2003-09-26 | 2010-03-24 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光装置の洗浄方法、メンテナンス方法並びにデバイスの製造方法 |
EP1670043B1 (en) | 2003-09-29 | 2013-02-27 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP3993549B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2007-10-17 | 株式会社東芝 | レジストパターン形成方法 |
KR101361892B1 (ko) | 2003-10-08 | 2014-02-12 | 가부시키가이샤 자오 니콘 | 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 디바이스 제조 방법 |
EP1672682A4 (en) | 2003-10-08 | 2008-10-15 | Zao Nikon Co Ltd | SUBSTRATE TRANSPORT DEVICE AND METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
TWI598934B (zh) | 2003-10-09 | 2017-09-11 | Nippon Kogaku Kk | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US7352433B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7411653B2 (en) * | 2003-10-28 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US7528929B2 (en) | 2003-11-14 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005055296A1 (ja) | 2003-12-03 | 2005-06-16 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法、並びに光学部品 |
US7125652B2 (en) * | 2003-12-03 | 2006-10-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Immersion lithographic process using a conforming immersion medium |
KR101941351B1 (ko) | 2003-12-15 | 2019-01-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법 |
US7394521B2 (en) | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4371822B2 (ja) * | 2004-01-06 | 2009-11-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP4843503B2 (ja) * | 2004-01-20 | 2011-12-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置 |
US7026259B2 (en) * | 2004-01-21 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | Liquid-filled balloons for immersion lithography |
US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
KR101227211B1 (ko) | 2004-02-03 | 2013-01-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP2007522508A (ja) * | 2004-02-13 | 2007-08-09 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | マイクロリソグラフィック投影露光装置のための投影対物レンズ |
US7027125B2 (en) * | 2004-03-25 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | System and apparatus for photolithography |
WO2005093791A1 (ja) | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7898642B2 (en) | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8054448B2 (en) | 2004-05-04 | 2011-11-08 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
US7616383B2 (en) | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7796274B2 (en) | 2004-06-04 | 2010-09-14 | Carl Zeiss Smt Ag | System for measuring the image quality of an optical imaging system |
KR101747662B1 (ko) | 2004-06-09 | 2017-06-15 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7463330B2 (en) | 2004-07-07 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8384874B2 (en) | 2004-07-12 | 2013-02-26 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus and device manufacturing method to detect if liquid on base member |
JP4983257B2 (ja) | 2004-08-18 | 2012-07-25 | 株式会社ニコン | 露光装置、デバイス製造方法、計測部材、及び計測方法 |
US7701550B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR20170010116A (ko) | 2004-09-17 | 2017-01-25 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
SG157357A1 (en) * | 2004-11-01 | 2009-12-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and device fabricating method |
US7423720B2 (en) | 2004-11-12 | 2008-09-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7411657B2 (en) | 2004-11-17 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7446850B2 (en) | 2004-12-03 | 2008-11-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7196770B2 (en) | 2004-12-07 | 2007-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Prewetting of substrate before immersion exposure |
US7365827B2 (en) | 2004-12-08 | 2008-04-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7352440B2 (en) | 2004-12-10 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Substrate placement in immersion lithography |
US7403261B2 (en) | 2004-12-15 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7880860B2 (en) | 2004-12-20 | 2011-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7528931B2 (en) | 2004-12-20 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7491661B2 (en) | 2004-12-28 | 2009-02-17 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method, top coat material and substrate |
US7405805B2 (en) | 2004-12-28 | 2008-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1681597B1 (en) | 2005-01-14 | 2010-03-10 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG124351A1 (en) | 2005-01-14 | 2006-08-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8692973B2 (en) | 2005-01-31 | 2014-04-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
KR101427056B1 (ko) * | 2005-01-31 | 2014-08-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
CN101128775B (zh) | 2005-02-10 | 2012-07-25 | Asml荷兰有限公司 | 浸没液体、曝光装置及曝光方法 |
JP5343958B2 (ja) * | 2005-02-21 | 2013-11-13 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP4807086B2 (ja) * | 2005-02-21 | 2011-11-02 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
US7224431B2 (en) | 2005-02-22 | 2007-05-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8018573B2 (en) | 2005-02-22 | 2011-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7378025B2 (en) | 2005-02-22 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Fluid filtration method, fluid filtered thereby, lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR20070114718A (ko) * | 2005-02-28 | 2007-12-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 현미경용 어댑터 및 현미경 장치 |
US7282701B2 (en) | 2005-02-28 | 2007-10-16 | Asml Netherlands B.V. | Sensor for use in a lithographic apparatus |
US7428038B2 (en) | 2005-02-28 | 2008-09-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and apparatus for de-gassing a liquid |
JP4524207B2 (ja) * | 2005-03-02 | 2010-08-11 | 富士フイルム株式会社 | 液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
US7324185B2 (en) | 2005-03-04 | 2008-01-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4622595B2 (ja) * | 2005-03-11 | 2011-02-02 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR20070115859A (ko) * | 2005-03-18 | 2007-12-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법 및 노광 장치, 디바이스 제조 방법, 그리고 노광장치의 평가 방법 |
WO2006101120A1 (ja) * | 2005-03-23 | 2006-09-28 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US7330238B2 (en) | 2005-03-28 | 2008-02-12 | Asml Netherlands, B.V. | Lithographic apparatus, immersion projection apparatus and device manufacturing method |
US7411654B2 (en) | 2005-04-05 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
USRE43576E1 (en) | 2005-04-08 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7291850B2 (en) | 2005-04-08 | 2007-11-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060232753A1 (en) | 2005-04-19 | 2006-10-19 | Asml Holding N.V. | Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow |
US7317507B2 (en) * | 2005-05-03 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8248577B2 (en) | 2005-05-03 | 2012-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7433016B2 (en) | 2005-05-03 | 2008-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7268357B2 (en) * | 2005-05-16 | 2007-09-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography apparatus and method |
WO2006130338A1 (en) * | 2005-06-01 | 2006-12-07 | Nikon Corporation | Immersion fluid containment system and method for immersion lithography |
US7652746B2 (en) | 2005-06-21 | 2010-01-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7474379B2 (en) | 2005-06-28 | 2009-01-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7834974B2 (en) | 2005-06-28 | 2010-11-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8054445B2 (en) | 2005-08-16 | 2011-11-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7580112B2 (en) | 2005-08-25 | 2009-08-25 | Nikon Corporation | Containment system for immersion fluid in an immersion lithography apparatus |
US7411658B2 (en) | 2005-10-06 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2007142366A (ja) | 2005-10-18 | 2007-06-07 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7804577B2 (en) | 2005-11-16 | 2010-09-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US7864292B2 (en) | 2005-11-16 | 2011-01-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7633073B2 (en) | 2005-11-23 | 2009-12-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7773195B2 (en) | 2005-11-29 | 2010-08-10 | Asml Holding N.V. | System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography |
US7420194B2 (en) | 2005-12-27 | 2008-09-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and substrate edge seal |
US7649611B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2007194484A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Toshiba Corp | 液浸露光方法 |
US8045134B2 (en) | 2006-03-13 | 2011-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method |
JP4889331B2 (ja) * | 2006-03-22 | 2012-03-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
CN101416076A (zh) | 2006-04-03 | 2009-04-22 | 株式会社尼康 | 对浸没液体为疏溶的入射表面和光学窗 |
US9477158B2 (en) | 2006-04-14 | 2016-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102006021797A1 (de) | 2006-05-09 | 2007-11-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung |
CN101385125B (zh) * | 2006-05-22 | 2011-04-13 | 株式会社尼康 | 曝光方法及装置、维修方法、以及组件制造方法 |
US7567338B2 (en) * | 2006-08-30 | 2009-07-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7843548B2 (en) | 2006-11-13 | 2010-11-30 | Asml Netherlands B.V. | Conduit system for a lithographic apparatus, lithographic apparatus, pump, and method for substantially reducing vibrations in a conduit system |
US8045135B2 (en) | 2006-11-22 | 2011-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus with a fluid combining unit and related device manufacturing method |
JP4810411B2 (ja) * | 2006-11-30 | 2011-11-09 | 東京応化工業株式会社 | 処理装置 |
US9632425B2 (en) | 2006-12-07 | 2017-04-25 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface |
US8634053B2 (en) | 2006-12-07 | 2014-01-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20080225248A1 (en) * | 2007-03-15 | 2008-09-18 | Nikon Corporation | Apparatus, systems and methods for removing liquid from workpiece during workpiece processing |
US8237911B2 (en) | 2007-03-15 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine |
US20080231823A1 (en) * | 2007-03-23 | 2008-09-25 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for reducing the escape of immersion liquid from immersion lithography apparatus |
US8947629B2 (en) | 2007-05-04 | 2015-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
US7841352B2 (en) | 2007-05-04 | 2010-11-30 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
JP4533416B2 (ja) * | 2007-09-25 | 2010-09-01 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
US7967960B2 (en) * | 2007-11-06 | 2011-06-28 | United Microelectronics Corp. | Fluid-confining apparatus |
NL1036211A1 (nl) | 2007-12-03 | 2009-06-04 | Asml Netherlands Bv | Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method. |
KR101408783B1 (ko) * | 2007-12-07 | 2014-06-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조장치 및 이를 이용한 반도체 소자의제조방법 |
JP2009188241A (ja) * | 2008-02-07 | 2009-08-20 | Toshiba Corp | 液浸露光装置及び液浸露光方法 |
US9176393B2 (en) | 2008-05-28 | 2015-11-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus |
EP2151940A1 (en) * | 2008-08-05 | 2010-02-10 | Nokia Siemens Networks OY | Communication network element and method transmitting data |
US8634055B2 (en) * | 2008-10-22 | 2014-01-21 | Nikon Corporation | Apparatus and method to control vacuum at porous material using multiple porous materials |
US8477284B2 (en) | 2008-10-22 | 2013-07-02 | Nikon Corporation | Apparatus and method to control vacuum at porous material using multiple porous materials |
GB2470049B (en) | 2009-05-07 | 2011-03-23 | Zeiss Carl Smt Ag | Optical imaging with reduced immersion liquid evaporation effects |
NL2005207A (en) | 2009-09-28 | 2011-03-29 | Asml Netherlands Bv | Heat pipe, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
EP2381310B1 (en) | 2010-04-22 | 2015-05-06 | ASML Netherlands BV | Fluid handling structure and lithographic apparatus |
US8476004B2 (en) | 2011-06-27 | 2013-07-02 | United Microelectronics Corp. | Method for forming photoresist patterns |
NL2009139A (en) * | 2011-08-05 | 2013-02-06 | Asml Netherlands Bv | A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
US9323160B2 (en) * | 2012-04-10 | 2016-04-26 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposure method, device fabricating method, program, and recording medium |
US8701052B1 (en) | 2013-01-23 | 2014-04-15 | United Microelectronics Corp. | Method of optical proximity correction in combination with double patterning technique |
US8627242B1 (en) | 2013-01-30 | 2014-01-07 | United Microelectronics Corp. | Method for making photomask layout |
US9331624B2 (en) * | 2013-02-25 | 2016-05-03 | National Taiwan University | Thrust ripple mapping system in a precision stage and method thereof |
US9230812B2 (en) | 2013-05-22 | 2016-01-05 | United Microelectronics Corp. | Method for forming semiconductor structure having opening |
JP6606618B2 (ja) | 2016-01-13 | 2019-11-13 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 流体ハンドリング構造及びリソグラフィ装置 |
CN106181675B (zh) * | 2016-07-07 | 2018-04-03 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种适用于提升氟化钙凹锥镜粗糙度的磁流体加工工具及加工方法 |
KR102328077B1 (ko) | 2016-12-14 | 2021-11-17 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US10948830B1 (en) | 2019-12-23 | 2021-03-16 | Waymo Llc | Systems and methods for lithography |
Family Cites Families (138)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US633572A (en) * | 1898-06-02 | 1899-09-26 | William Garrett | Billet-conveyer. |
GB1242527A (en) * | 1967-10-20 | 1971-08-11 | Kodak Ltd | Optical instruments |
US4509852A (en) * | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
US4346164A (en) * | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57153433A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
US5237865A (en) * | 1987-08-17 | 1993-08-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Flow rate measuring apparatus |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
JPH06124873A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JPH06304527A (ja) * | 1993-04-26 | 1994-11-01 | Kaijo Corp | 超音波発生装置 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
JPH08316124A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JP3397945B2 (ja) * | 1995-07-13 | 2003-04-21 | 株式会社カイジョー | 帯電防止装置及び帯電防止方法 |
US5825043A (en) * | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
EP0951054B1 (en) * | 1996-11-28 | 2008-08-13 | Nikon Corporation | Aligner and method for exposure |
WO1998040791A1 (en) * | 1997-03-10 | 1998-09-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Positioning device having two object holders |
EP0866375A3 (en) * | 1997-03-17 | 2000-05-24 | Nikon Corporation | Article positioning apparatus and exposing apparatus having the same |
JP3747566B2 (ja) * | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
US5886432A (en) * | 1997-04-28 | 1999-03-23 | Ultratech Stepper, Inc. | Magnetically-positioned X-Y stage having six-degrees of freedom |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
AU8747698A (en) * | 1997-08-21 | 1999-03-16 | Nikon Corporation | Positioning device, driving unit, and aligner equipped with the device |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
WO1999049504A1 (fr) * | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
US6063267A (en) * | 1998-07-16 | 2000-05-16 | Clearwater Systems, Llc | Apparatus for treating flowing liquid with electromagnetic flux |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
JP2001144168A (ja) * | 1999-11-16 | 2001-05-25 | Nikon Corp | 静電チャック、それを有する荷電粒子線露光装置、ウエハ保持方法及びそれを用いたデバイス製造方法 |
US6995930B2 (en) * | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
US7187503B2 (en) * | 1999-12-29 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective for immersion lithography |
US6768117B1 (en) * | 2000-07-25 | 2004-07-27 | Applied Materials, Inc. | Immersion lens with magnetic shield for charged particle beam system |
KR100866818B1 (ko) * | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
US20020163629A1 (en) * | 2001-05-07 | 2002-11-07 | Michael Switkes | Methods and apparatus employing an index matching medium |
JP2002373852A (ja) | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Canon Inc | 露光装置 |
DE10210899A1 (de) * | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
DE10229818A1 (de) * | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
US7092069B2 (en) * | 2002-03-08 | 2006-08-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure method and projection exposure system |
EP1532489A2 (en) | 2002-08-23 | 2005-05-25 | Nikon Corporation | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
US6988326B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-01-24 | Lam Research Corporation | Phobic barrier meniscus separation and containment |
US6954993B1 (en) * | 2002-09-30 | 2005-10-18 | Lam Research Corporation | Concentric proximity processing head |
US7093375B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-08-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing |
US7367345B1 (en) | 2002-09-30 | 2008-05-06 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography |
US6788477B2 (en) * | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
SG121822A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE60335595D1 (de) * | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
SG121819A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101424881B (zh) * | 2002-11-12 | 2011-11-30 | Asml荷兰有限公司 | 光刻投射装置 |
SG2010050110A (en) * | 2002-11-12 | 2014-06-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7110081B2 (en) * | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10253679A1 (de) * | 2002-11-18 | 2004-06-03 | Infineon Technologies Ag | Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren |
SG131766A1 (en) * | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10258718A1 (de) * | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
EP1429190B1 (en) * | 2002-12-10 | 2012-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
ATE424026T1 (de) * | 2002-12-13 | 2009-03-15 | Koninkl Philips Electronics Nv | Flüssigkeitsentfernung in einem verfahren und einer einrichtung zum bestrahlen von flecken auf einer schicht |
AU2003283717A1 (en) | 2002-12-19 | 2004-07-14 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
WO2004057589A1 (en) | 2002-12-19 | 2004-07-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
US7010958B2 (en) * | 2002-12-19 | 2006-03-14 | Asml Holding N.V. | High-resolution gas gauge proximity sensor |
US6781670B2 (en) * | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
TWI247339B (en) | 2003-02-21 | 2006-01-11 | Asml Holding Nv | Lithographic printing with polarized light |
US7206059B2 (en) * | 2003-02-27 | 2007-04-17 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US6943941B2 (en) * | 2003-02-27 | 2005-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US7029832B2 (en) | 2003-03-11 | 2006-04-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Immersion lithography methods using carbon dioxide |
US20050164522A1 (en) | 2003-03-24 | 2005-07-28 | Kunz Roderick R. | Optical fluids, and systems and methods of making and using the same |
KR20110104084A (ko) | 2003-04-09 | 2011-09-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 유체 제어 시스템 |
JP4656057B2 (ja) | 2003-04-10 | 2011-03-23 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子 |
EP3352015A1 (en) | 2003-04-10 | 2018-07-25 | Nikon Corporation | Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus |
EP1611482B1 (en) | 2003-04-10 | 2015-06-03 | Nikon Corporation | Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus |
KR101506431B1 (ko) | 2003-04-10 | 2015-03-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템 |
EP2161620A1 (en) | 2003-04-11 | 2010-03-10 | Nikon Corporation | Cleanup method for optics in immersion lithography |
WO2004092830A2 (en) | 2003-04-11 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Liquid jet and recovery system for immersion lithography |
KR20180054929A (ko) | 2003-04-11 | 2018-05-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법 |
WO2004095135A2 (en) | 2003-04-17 | 2004-11-04 | Nikon Corporation | Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography |
JP4025683B2 (ja) * | 2003-05-09 | 2007-12-26 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法及び露光装置 |
JP4146755B2 (ja) * | 2003-05-09 | 2008-09-10 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4084710B2 (ja) * | 2003-06-12 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4054285B2 (ja) * | 2003-06-12 | 2008-02-27 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
US6867844B2 (en) * | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
JP4029064B2 (ja) * | 2003-06-23 | 2008-01-09 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4084712B2 (ja) * | 2003-06-23 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
US6809794B1 (en) * | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
KR20060027832A (ko) | 2003-07-01 | 2006-03-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 광학 엘리먼트로서 동위원소적으로 특정된 유체를 사용하는방법 |
US7384149B2 (en) | 2003-07-21 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system |
US7006209B2 (en) | 2003-07-25 | 2006-02-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7326522B2 (en) * | 2004-02-11 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a substrate |
US7175968B2 (en) * | 2003-07-28 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate |
US7700267B2 (en) * | 2003-08-11 | 2010-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography |
US7579135B2 (en) * | 2003-08-11 | 2009-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits |
US7061578B2 (en) | 2003-08-11 | 2006-06-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7085075B2 (en) * | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
US6844206B1 (en) | 2003-08-21 | 2005-01-18 | Advanced Micro Devices, Llp | Refractive index system monitor and control for immersion lithography |
US7070915B2 (en) | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
US6954256B2 (en) * | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
US7014966B2 (en) | 2003-09-02 | 2006-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems |
WO2005024517A2 (en) | 2003-09-03 | 2005-03-17 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
JP4438747B2 (ja) * | 2003-09-26 | 2010-03-24 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光装置の洗浄方法、メンテナンス方法並びにデバイスの製造方法 |
US6961186B2 (en) * | 2003-09-26 | 2005-11-01 | Takumi Technology Corp. | Contact printing using a magnified mask image |
US7369217B2 (en) * | 2003-10-03 | 2008-05-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for immersion lithography |
US7678527B2 (en) * | 2003-10-16 | 2010-03-16 | Intel Corporation | Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids |
US20070105050A1 (en) | 2003-11-05 | 2007-05-10 | Dsm Ip Assets B.V. | Method and apparatus for producing microchips |
US7924397B2 (en) * | 2003-11-06 | 2011-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications |
US7545481B2 (en) * | 2003-11-24 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8854602B2 (en) | 2003-11-24 | 2014-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Holding device for an optical element in an objective |
US7125652B2 (en) * | 2003-12-03 | 2006-10-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Immersion lithographic process using a conforming immersion medium |
US7385764B2 (en) | 2003-12-15 | 2008-06-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Objectives as a microlithography projection objective with at least one liquid lens |
JP5106858B2 (ja) | 2003-12-15 | 2012-12-26 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 高開口数と平面状端面とを有する投影対物レンズ |
US20050185269A1 (en) * | 2003-12-19 | 2005-08-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
US7460206B2 (en) * | 2003-12-19 | 2008-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for immersion lithography |
WO2005059645A2 (en) | 2003-12-19 | 2005-06-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithography projection objective with crystal elements |
US7589818B2 (en) * | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
US7394521B2 (en) | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7119884B2 (en) | 2003-12-24 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20050147920A1 (en) * | 2003-12-30 | 2005-07-07 | Chia-Hui Lin | Method and system for immersion lithography |
US7088422B2 (en) * | 2003-12-31 | 2006-08-08 | International Business Machines Corporation | Moving lens for immersion optical lithography |
JP4371822B2 (ja) * | 2004-01-06 | 2009-11-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP4429023B2 (ja) * | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US20050153424A1 (en) * | 2004-01-08 | 2005-07-14 | Derek Coon | Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography |
CN1910494B (zh) * | 2004-01-14 | 2011-08-10 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 反射折射投影物镜 |
KR101099913B1 (ko) | 2004-01-16 | 2011-12-29 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 편광변조 광학소자 |
WO2005069078A1 (en) | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens |
JP4843503B2 (ja) | 2004-01-20 | 2011-12-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置 |
US7026259B2 (en) * | 2004-01-21 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | Liquid-filled balloons for immersion lithography |
US7391501B2 (en) * | 2004-01-22 | 2008-06-24 | Intel Corporation | Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography |
JP2007520893A (ja) | 2004-02-03 | 2007-07-26 | ロチェスター インスティテュート オブ テクノロジー | 流体を使用したフォトリソグラフィ法及びそのシステム |
EP1716454A1 (en) | 2004-02-09 | 2006-11-02 | Carl Zeiss SMT AG | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
US7050146B2 (en) * | 2004-02-09 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2007522508A (ja) | 2004-02-13 | 2007-08-09 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | マイクロリソグラフィック投影露光装置のための投影対物レンズ |
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US20050205108A1 (en) * | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for immersion lithography lens cleaning |
US7027125B2 (en) * | 2004-03-25 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | System and apparatus for photolithography |
US7084960B2 (en) * | 2004-03-29 | 2006-08-01 | Intel Corporation | Lithography using controlled polarization |
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