JP4502993B2 - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 159
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 143
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 78
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 55
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 claims description 33
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 24
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 6
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Description
パターン化された放射線ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
液体貯留部を部分的に画定するために投影システムと基板との間の空間を囲むバリア部材と、
投影システムを囲む突出体とを有し、突出体は、突出体の表面がバリア部材のうちの突出体から半径方向外側にある部分よりも投影システムに近接するようにバリア部材に配置されるか、または突出体の表面が投影システムのうちの突出体から半径方向外側にある部分よりもバリア部材に近接するように投影システムに配置されるリソグラフィ装置が提供される。
パターン化された放射線ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
部分的に液体貯留部を画定するために投影システムと基板との間の空間を囲むバリア部材とを有し、
バリア部材の表面と投影システムの表面との間のすき間にステップ増加部があって、貯留部に収容されたときに液体のメニスカスがそのステップ増加部から半径方向外側に進むのに対する抵抗を増加させるように、バリア部材の表面、もしくは投影システムの表面、またはその両方が成形されるリソグラフィ装置が提供される。
パターン化された放射線ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
投影システムの最終要素と基板との間の空間に液体を供給するように構成され、構成要素を用いて液体を基板から離れる方向でその空間に向けるように構成されたインレットを備えた液体供給システムとを有するリソグラフィ装置が提供される。
パターン化された放射線ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
投影システムの最終要素と基板との間の空間に液体を供給するように構成され、最終要素の底面より上方から始まり半径方向内側下方へと向かう液体流れをその空間に作り出すように構成され、配置された液体供給システムとを有するリソグラフィ装置が提供される。
放射線ビームB(たとえば、紫外線またはDUV)を調整するように構成されたイルミネータシステム(照射装置)ILと、
パターン形成構造体(例えば、マスク)MAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターン形成構造体を正確に配置するように構成された第1の位置決め装置PMに接続された支持構造体(例えば、マスクテーブル)MTと、
基板(例えば、レジスト被覆ウェーハ)Wを支持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に配置するように構成された第2の位置決め装置PWに接続された基板テーブル(例えば、ウェーハテーブル)WTと、
パターン形成構造体MAによって放射線ビームBに付与されたパターンを基板Wの(例えば、1つあるいはそれ以上のダイを含む)ターゲット部分Cに投影するように構成された投影システム(例えば、屈折式投影レンズ系)PSとを有する。
Claims (21)
- パターン化された放射線ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
投影システムと基板との間の空間を囲み、液体貯留部を部分的に画定するバリア部材と、
投影システムを囲む突出体であって、突出体の表面がバリア部材のうち突出体から半径方向外側にある部分よりも投影システムに近接するようにバリア部材上に設けられるか、または突出体の表面が投影システムのうち突出体から半径方向外側にある部分よりもバリア部材に近接するように投影システム上に設けられる突出体とを有し、
バリア部材は、構成要素を用い液体を基板から離れる方向に向けるように構成されたインレットを有する、リソグラフィ装置。 - 突出体がバリア部材に取り付けられた場合、突出体の表面がバリア部材の表面のうち突出体から半径方向内側にある部分よりも投影システムに近接し、突出体が投影システムに取り付けられた場合、突出体の表面が投影システムのうち突出体から半径方向内側にある部分よりもバリア部材に近接している請求項1に記載の装置。
- 突出体は、バリア部材の実質的に水平な部分に配置される請求項1又は2に記載の装置。
- 突出体は、水平な部分の半径方向最内側部分に配置されるか、またはその最内側部分に近接して配置される請求項3に記載の装置。
- 突出体の表面は疎液性である請求項1乃至4のいずれかに記載の装置。
- 突出体に近接した投影システムが疎液性の表面を有するか、または突出体に近接したバリア部材が疎液性の表面を有するか、またはその両方である請求項1乃至5のいずれかに記載の装置。
- 通常の使用において貯留部内の液体高さが、上面の液体メニスカスが突出体と投影システムとの間、もしくは突出体とバリア部材との間に広がるポイントを超えない請求項1乃至6のいずれかに記載の装置。
- 突出体は、基板方向からの液体の流れを半径方向内側へ方向変換するように配置された請求項1乃至7のいずれかに記載の装置。
- パターン化された放射線ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
投影システムと基板との間の空間を囲み、液体貯留部を部分的に画定するバリア部材とを有し、
バリア部材と投影システムとの間にステップ増加部があって、貯留部に収容されたときに液体のメニスカスがそのステップ増加部から半径方向外側に進むのに対する抵抗を増加させるようにバリア部材の表面もしくは投影システムの表面、またはその両方が成形され、
バリア部材は、構成要素を用い液体を基板から離れる方向に向けるように構成されたインレットを有する、
リソグラフィ装置。 - パターン化された放射線ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
投影システムの最終要素と基板の間の空間に液体を供給するように構成され、最終要素の底面より上方から始まり半径方向内側下方へ向かう液体流れを該空間に作り出すように構成され配置された液体供給システムとを有し、
液体供給システムは、構成要素を用い液体を基板から離れる方向に向けるように構成されたインレットを有する、リソグラフィ装置。 - 液体供給システムは、インレットを出た液体を半径方向内側に向けるように構成された突出体を有する請求項10に記載の装置。
- 液体供給システムは、液体を基板の上面に対して実質的に平行で半径方向内側に流すように構成されたデフレクタを有する請求項10又は11に記載の装置。
- インレットは、高圧で液体を収容するチャンバと流体で連通している請求項10乃至12のいずれかに記載の装置。
- 投影システムの表面は、液体を基板に向かって方向変換するように構成されている請求項10乃至13のいずれかに記載の装置。
- 基板に向かう方向で構成要素を用いて液体を空間に向けるべく構成され、基板に対向する液体供給システムの表面に配置されたさらなるインレットを有する請求項10乃至14のいずれかに記載の装置。
- さらに、投影システムと液体供給システムとの間の距離がステップ状に変化するように投影システムを囲む部材を有する請求項10乃至15のいずれかに記載の装置。
- パターン化された放射線ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
投影システムの最終要素と基板との間の空間に液体を供給するように構成され、構成要素を用いて液体を基板から離れる方向でその空間に向けるように構成されたインレットを備えた液体供給システムとを有するリソグラフィ装置。 - パターン化された放射線ビームを、投影システムを用い液体を介して基板に投影する工程を含むデバイス製造方法であって、
液体は、バリア部材によって、少なくとも部分的に投影システムと基板との間の貯留部へと閉じ込められており、液体のメニスカスがバリア部材上の突出体と投影システムとの間に広がり、突出体がバリア部材のうち突出体から半径方向外側にある部分よりも投影システムに近接しているか、または液体のメニスカスが投影システム上の突出体とバリア部材との間に広がり、突出体が投影システムのうち突出体から半径方向外側にある部分よりもバリア部材に近接しており、
バリア部材は、構成要素を用い液体を基板から離れる方向に向けるように構成されたインレットを有する、デバイス製造方法。 - パターン化された放射線ビームを、投影システムを用い液体を介して基板に投影する工程を含むデバイス製造方法であって、
液体は、バリア部材によって、少なくとも部分的に投影システムと基板との間に収容され、バリア部材と投影システムとの間にステップ増加部があって、メニスカスがバリア部材と投影システムとの間のステップの一方の側に広がるように、バリア部材、投影システム、またはその両方が成形され、
バリア部材は、構成要素を用い液体を基板から離れる方向に向けるように構成されたインレットを有する、デバイス製造方法。 - パターン化された放射線ビームを、投影システムを用い液体を介して基板に投影する工程を含むデバイス製造方法であって、
液体供給システムのインレットを使用して液体が投影システムと基板との間に供給され、そのインレットが構成要素を用いて基板から離れる方向に液体を方向付けるデバイス製造方法。 - パターン化された放射線ビームを、投影システムを用い液体を介して基板に投影する工程を含むデバイス製造方法であって、
液体が液体供給システムによって投影システムと基板との間に供給され、投影システムの最終要素の底面より上方から始まり半径方向内側下方へと空間内を流れ、
液体供給システムは、構成要素を用い液体を基板から離れる方向に向けるように構成されたインレットを有する、デバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/244,390 US7411658B2 (en) | 2005-10-06 | 2005-10-06 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010075268A Division JP5108045B2 (ja) | 2005-10-06 | 2010-03-29 | リソグラフィ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007110109A JP2007110109A (ja) | 2007-04-26 |
JP4502993B2 true JP4502993B2 (ja) | 2010-07-14 |
Family
ID=37910806
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006267213A Active JP4502993B2 (ja) | 2005-10-06 | 2006-09-29 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2010075268A Expired - Fee Related JP5108045B2 (ja) | 2005-10-06 | 2010-03-29 | リソグラフィ装置 |
JP2012148660A Expired - Fee Related JP5620439B2 (ja) | 2005-10-06 | 2012-07-02 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010075268A Expired - Fee Related JP5108045B2 (ja) | 2005-10-06 | 2010-03-29 | リソグラフィ装置 |
JP2012148660A Expired - Fee Related JP5620439B2 (ja) | 2005-10-06 | 2012-07-02 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7411658B2 (ja) |
JP (3) | JP4502993B2 (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8144305B2 (en) | 2006-05-18 | 2012-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8634053B2 (en) | 2006-12-07 | 2014-01-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20080231823A1 (en) * | 2007-03-23 | 2008-09-25 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for reducing the escape of immersion liquid from immersion lithography apparatus |
NL1035757A1 (nl) * | 2007-08-02 | 2009-02-03 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
US8681308B2 (en) * | 2007-09-13 | 2014-03-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
NL1035908A1 (nl) * | 2007-09-25 | 2009-03-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
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US8421993B2 (en) * | 2008-05-08 | 2013-04-16 | Asml Netherlands B.V. | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method |
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DE242880C (ja) | ||||
DE206607C (ja) | ||||
DE221563C (ja) | ||||
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JP2007110109A (ja) | 2007-04-26 |
JP2010153920A (ja) | 2010-07-08 |
JP2012186509A (ja) | 2012-09-27 |
US20110273695A1 (en) | 2011-11-10 |
US8004654B2 (en) | 2011-08-23 |
JP5620439B2 (ja) | 2014-11-05 |
US20070081140A1 (en) | 2007-04-12 |
JP5108045B2 (ja) | 2012-12-26 |
US8958054B2 (en) | 2015-02-17 |
US7411658B2 (en) | 2008-08-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090917 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090928 |
|
A601 | Written request for extension of time |
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