JP5385706B2 - サブクオーターミクロン適用のための、メタライゼーションに先立つ予備洗浄方法 - Google Patents
サブクオーターミクロン適用のための、メタライゼーションに先立つ予備洗浄方法 Download PDFInfo
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Description
回路密度の増大は、主にビア、コンタクトおよび他の構造における幅の減少、並びにこれら構造間の誘電体膜厚の減少からもたらされる。装置の集積度を改善するためには、これら構造を洗浄して汚染物を除去することが要求される。この構造の幅を減少させると該構造のアスペクト比が更に大きくなり、金属または他の材料で埋める前に該構造を洗浄する困難性が増大する。これら構造の洗浄に失敗すると、該構造内における空隙の形成または構造の抵抗増大が生じる可能性がある。従って、高アスペクト比(特に、高さ/幅の比が4:1以上の場合)を有する微小構造の洗浄に多大の努力が向けられている。
微小構造内における自然酸化物および他の汚染物の存在は、蒸着する金属の不均一な分布を促進することによって、典型的には空隙を生じる。自然酸化物は、典型的には露出したフィルム層/基板を酸素に曝すことの結果として形成される。酸素暴露は、大気条件において処理チャンバー間で基板を移動するとき、真空チャンバー内に残留する少量の酸素がウエハー/フィルム層に接触するとき、またはエッチングにより層が損傷したときに生じる。構造内における他の汚染物は、酸化物のオーバーエッチングからスパッタされた材料、剥離プロセスからの残留フォトレジスト、先の酸化物エッチング工程での残留ポリマー、または予備スパッタエッチング工程から再蒸着された材料である可能性もある。自然酸化物および他の汚染物は、膜成長を阻害する領域を形成することによって、膜形成を妨げる領域を基板上に形成する。成長の制限された領域に蒸着金属が充填され得る前に、成長の増大した領域が微小構造を閉じてしまう。
また、自然酸化物および他の汚染物の存在は、ビア/コンタクトの抵抗を増大する可能性があり、該微小構造のエレクトロマイグレーション耐性を低下させる可能性がある。汚染物は誘電体膜、サブ層または蒸着金属の中に拡散して、該微小構造を含む装置の特性を変化させる可能性がある。汚染物は該構造の薄い境界領域に限定され得るが、この薄い境界領域は微細構造の実質的部分である。当該構造の中の許容可能な汚染物レベルは、該構造の幅が小さくなるに伴って低下する。
スパッタエッチングプロセスによる予備洗浄は、銅基体を伴う構造には特に不適切である。それは、誘電体側壁を通してスパッタされたCuの拡散が容易だからである。この拡散は、TEOS、熱酸化物および幾つかの低K誘電体材料の場合に特に容易である。従って、Cu予備洗浄のために、基板上に如何なるバイアスもない新規な予備洗浄プロセスが必要とされている。
サブミクロン構造のためのソフトエッチング洗浄プロセスは、Sumi等によって、「安定なオーミック特性のためのソフトエッチングを用いた新規コンタクトプロセス、および0.1ミクロン装置に対するその応用」(IEDM 94-113以下参照)に記載されている。このソフトエッチングプロセスは、誘導結合されたアルゴンのプラズマを使用して、シリコン下地層から自然酸化物を除去する。このプロセスは、コンタクトホールの底から側壁への物質の再スパッタリングを回避するものではない。
サブミクロン構造のための乾式洗浄プロセスは、Taguwa等によって、「Ar/H2 ECRプラズマによる完全乾式洗浄を用いたギガビットスケールDRAMのための低コンタクト抵抗メタライゼーション」(IED M95-695以下)に記載されている。この乾式洗浄プロセスは、好ましくは、チタンの化学的気相成長に先立って、アルゴンおよび水素の混合物を含む電子サイクロトロンプラズマで当該構造を洗浄する。この洗浄プロセスはArによる衝突を低下させ、自然酸化物をシリコン下地層から除去し、シリコン下地層と蒸着チタンとの間での均一なTiSix層の形成を促進する。しかし、洗浄プロセスにおいてArにH2を添加することは、当該構造内の材料の再スパッタリングを完全に排除するものではない。
高アスペクト比を有するサブクオーターミクロンの構造について、乾式洗浄の際に当該構造の底から側壁へと材料が再スパッタリングすることは、当該構造の著しい狭窄およびこれに対応して該構造の抵抗増大をもたらし、装置特性を損なう。公知の乾式洗浄プロセスは、当該構造の側壁への材料の再蒸着を伴うことなく、該構造から汚染物を除去する上で効果的ではない。従って、汚染物を残留させることなく、微細構造を効果的に洗浄するための洗浄プロセスが未だ必要とされている。
第一のまたは両方の予備洗浄工程の後に、当該構造は利用可能な技術によって金属を充填される。この技術は典型的には、アルミニウム(Al)、銅(Cu)またはタングステン(W)のような金属を蒸着して構造を完全に充填する前に、物理的気相成長、化学的気相成長または他の技術を使用して、露出された誘電体表面上にバリア/ライナー層を蒸着することを含む。予備洗浄およびメタライゼーションの工程は、カリホルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社から入手可能なEndura(登録商標)のような、入手可能な一貫処理プラットホーム上で行うことができる。
本発明の一つの側面において、酸素、CF4/O2の混合物またはHe/NF3の混合物のような反応ガスを含むプラズマからのラジカルを用いて当該サブミクロン構造を予備洗浄することにより、半導体基板上の誘電体層に形成されたサブミクロン構造を処理することができる。反応性ガスでの洗浄に続いて、単独の水素、または窒素(N)、アルゴン(Ar)もしくはヘリウム(He)との混合物として水素を含むプラズマからのラジカルを用いて、サブミクロン構造中に残留する自然酸化物が除去される。また、水素ラジカルは酸化物に加えて、炭素およびフッ素汚染物をも除去する。予備洗浄に続いて、好ましくはライナー層またはバリア層が露出表面に蒸着され、次いでAl、Cu、W、または他の導電性材料で構造を充填する。ライナー層またはバリア層がTiまたはTi/TiNであるときは、本発明に従って予備洗浄されたシリコン表面上における650〜750℃でのチタンの蒸着は、TiSixの均一な単一層を形成する。また、遠隔プラズマ源をチャンバーに加えることにより、予備洗浄は、銅またはアルミニウムのメタライゼーションのバリア層を蒸着するCVD TiNチャンバーの中で、インサイチューで行うこともできる。
本発明のもう一つの側面では、バリア層蒸着の前および後の両方で本発明による予備洗浄を行って、バリア層の両側の汚染物の量を減少し、且つ当該構造のエレクトロマイグレーション耐性を改善することができる。
上記の構造、本発明の利点および目的を達成する方法を詳細に理解できるように、添付の図面に示される実施例を参照して、上記で簡単に概説した本発明を更に具体的に説明する。
しかし、添付の図面は本発明の典型的な実施例のみを示しており、従ってその範囲を限定するものではなく、本発明は他の等しく有効な実施例をも許容するものであることに留意すべきである。
明瞭化のために、銅およびアルミニウム蒸着技術の両方を参照して本発明を説明する。しかし、現在知られていても或いはまだ発見されていなくても、タングステンまたは他の金属蒸着プロセスを使用して、本発明の効果を達成してもよい。
誘電体層のエッチングの後に、当該構造は、誘電体層のオーバーエッチングに由来する損傷したシリコンまたは金属残渣を該構造内に有する可能性がある。また、この構造はその表面に、フォトレジスト剥離および/またはアッシングプロセスに由来する残留フォトレジスト、または誘電体エッチング工程に由来する残留ポリマーを含む可能性がある。当該構造はまた、スパッタエッチ予備プロセスの後に該構造の表面に再蒸着した材料を含む可能性がある。これらの汚染物は誘電体層の中にマイグレートする可能性があり、或いは蒸着している金属の不均一な分布を促進することによってメタライゼーションの選択性を妨げる可能性がある。汚染物の存在はまた、当該構造の幅を実質的に狭窄して、ビア、コンタクトラインまたは他の導電性構造を形成する金属に狭隘部分を発生することにより、蒸着した金属の抵抗を増大させる可能性がある。
本発明に従って洗浄および充填されるサブミクロン構造は、半導体基板の表面を覆って誘電体材料を堆積する従来の技術により形成される。現在知られていても或いは未だ発見されていなくても、有機ポリマーおよびエアロゲルのような低誘電体材料を含む如何なる誘電体材料でも使用することができ、また本発明の範囲内にある。この誘電体層は一以上の明確な層を含み、また蒸着性を高める何れか適切なサブ層上に蒸着される。蒸着性を高める好ましいサブ層には、AlおよびCuのような導電性金属、TiNのようなバリア表面、およびドープされたシリコンが含まれる。
蒸着されたら、この誘電体層を従来の技術によりエッチングして、ビア、コンタクト、トレンチまたは他のサブミクロン構造を形成する。典型的には、この構造は急峻な側壁を伴った高アスペクト比を有する。誘電体層のエッチングは、プラズマエッチングを含む何れかの誘電体エッチングプロセスを用いて達成することができる。二酸化ケイ素をエッチングするための特定の技術は、バッファーされたフッ酸およびアセトンのような化合物を含む。しかし、当該技術で公知の何れかの方法を使用して、何れかの層上でパターンニングを達成することができる。
本発明の予備洗浄プロセスは、好ましくは、カリホルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社から入手可能なEtch RPSのような遠隔プラズマ源(RPS)チャンバー上で行われる。このチャンバーは、二つの主要なアセンブリー:即ち、1)好ましくは、基板をチャンバー内に支持し且つ固定する静電チャックを含む(しかし必ずしも必要ではない)チャンバー本体;および2)遠隔プラズマ源を具備する。これらのアセンブリーの間には、実際にはダイナミックな相互作用が存在することが理解されるであろうが、系統化のためにこれら主要なアセンブリーを別々に説明する。このRPSチャンバーにおいて、反応性のHラジカルは遠隔源によって形成され、主要な中性種(即ち、電荷を持たず従ってイオンではない)として基板の近傍に導入される。従って、イオンによるウエハー表面の自己バイアスおよび衝撃の発生が防止される。RPSチャンバーを用いた実験は、低周波RF源よりも2.45 GHzのマイクロ波源の方がより効率的であり、より多くの水素ラジカルを発生できることを示している。
<チャンバー本体/静電チャックアセンブリー>
図1を参照すると、基板上にエッチングされた構造が、静電チャック14を含んだ固定されたカソード12を有する遠隔プラズマ源(RPS)チャンバー10内で予備洗浄される(なお、静電チャック14は固定されたカソード12に基板(図示せず)を固定する)。チャンバー10は、スリット弁ポート18を有するチャンバー本体16を含んでおり、弁ポート18は、チャンバー10をEndura(登録商標)プラットホームのような基板処理プラットホームに連結している。
固定されたカソード12は、プロセス特性を向上させるための非粘着性外表面をもったカソードライナー20によって、処理ガスから遮蔽される。また、チャンバー本体16は、プロセス特性を高める非粘着性内表面をもったチャンバーライナー22によって、処理ガスから遮蔽される。チャンバーライナー22は、ガス分配プレート26を支持する内側環状レッジ(横桟)24を含んでいる。ガス分配プレート26は複数の離間した孔を有し、この孔は下記で説明する遠隔プラズマ源から受け取った処理ガスを分配する。処理ガスは、静電チャック14上に配置された基板の表面を覆って流れる。遠隔プラズマ源は、典型的には処理ガスの如何なるプラズマをも閉じ込め、中性のラジカルをチャンバー22に与える。ガス分配プレートは、処理ガスの中に残留するイオンを更に減少させるためにアースされる。
固定されたカソード12上の処理領域30は、チャンバー本体16上の排気ポート32に流体連通したバキュームポンプ(図示せず)によって、低プロセス圧に維持される。複数の離間した孔を有するプレナム34は、処理領域30を排気ポート32から分離して、固定されたカソード12の回りの均一な排気を促進する。処理領域30は、チャンバー本体16に取りつけられたサファイア窓36を通して外側から見ることができる。
チャンバー10は、チャンバーライナー22の上に置かれた取外し可能なチャンバー蓋40を有している。チャンバー蓋40は、以下で述べる遠隔プラズマ源50から処理ガスを受け取るための中央注入ポート42を有している。
図1を参照すると、本発明の予備洗浄プロセスのための処理ガスは、上記で述べたRPSチャンバー10に流体連通した遠隔プラズマ源50の中へと励起される。プラズマアプリケータ52は、処理ガスを受け入れるガス入口54を有している。処理ガスはアプリケータ52を通して流れ、チャンバー蓋40における中央注入ポート42の中へと出て行く。ジャケット波ガイド56が、プラズマアプリケータ52のサファイア管部分を取囲んでおり、マイクロ波エネルギーを処理ガスに供給する。アプリケータ52の中でプラズマが発生し、典型的には該アプリケータ52の中に閉じ込められる。
マイクロ波エネルギーが、2.45 GHzで1500ワットまで与えるマグネトロン60によって発生される。マイクロ波エネルギーはマイクロ波アイソレータ62を通過し、これは反射した電力がマグネトロン60を損傷するのを防止する。アイソレータ62からのマイクロ波エネルギーは、90°波ガイド64を通して自動チューナー66へと伝達される。該自動チューナーは、アプリケータ52の中のプラズマのインピーダンスをマグネトロン60のインピーダンスに自動的に調節し、最小の反射電力およびプラズマアプリケータ52への最大の電力移動をもたらす。
処理ガスはアプリケータ52の中で充分なエネルギーを受け取って、反応性(ラジカル)種を含むプラズマを形成する。CF4およびO2を含むプラズマは、Oラジカルおよび幾らかのFラジカルを発生させる。処理ガスは、アプリケータ52を出る前に殆ど中和される。処理ガスは、分配プレート26を通過した後にラジカルの実質的な部分を保持する。ラジカルは、処理ガスがチャンバーから排気される前に基板上に供給される。Fラジカルは主にSiおよびSiO2と結合して、揮発性のSiF4を形成する。Oラジカルはフッ化炭素と結合して、CO、CO2およびCOF2を形成する。水素ラジカルは自然酸化物と反応して、水蒸気および金属を形成する。排気ガスは種々の副生成物、並びに幾らかの再結合種を含んでいる。
図1における専用の予備洗浄チャンバーについて予備洗浄を示したが、この予備洗浄は、遠隔プラズマ源を金属CVD/PVDチャンバーに連結することによっても行うことができるであろう。例えば、このようなメタライゼーションチャンバーにおける基板レベルにガス入口を設け、反応性ガスのプラズマまたは水素プラズマを遠隔プラズマ源から供給することもできるであろう。ガス供給システムを有する金属蒸着チャンバーを変更して、基板上に配置されたガス分配シャワーヘッドのような現存のガス入口を通して、予備洗浄ガスプラズマを供給することもできるであろう。
本発明は、メタライゼーションに先立って汚染物を除去するために、半導体基板上の構造を予備洗浄するための方法を提供する。この方法は、シリコンを損傷することなくコンタクトの底から二酸化ケイ素を除去し、側壁への金属の再蒸着を伴わずにビアの底から酸化アルミニウムまたは酸化銅を除去し、コンタクトホールの底からシリコン薄層を除去し、また当該構造の側壁から汚染物を除去することを含む。
本発明によれば、半導体基板上の誘電体層に形成された構造が、酸素、CF4/O2の混合物、またはHe/NF3の混合物のような反応性ガスを含むプラズマからのラジカルで予備洗浄される。このプラズマは、好ましくは遠隔プラズマ源によって発生され、基板が配置されたチャンバーの中に供給される。好ましい反応性ガスはCF4/O2であり、これは予備洗浄プロセスの際に、酸素イオンおよびフッ素イオンの両方を与える。このプロセスは典型的には高濃度のO2を使用して、フッ素および炭素含有種を効果的に除去するための非重合性混合物を形成する。このガス混合物は、広範囲のエッチング速度(50オングストローム/分〜500オングストローム/分)および広範囲のSi:SiO2エッチング選択性を得るために変更することができる。該洗浄プロセスは当該構造内に自然酸化物を残し、該自然酸化物は、好ましくは第二の工程において、単独または反応性ラジカルを希釈するように機能するN、ArまたはHeと混合された、水素を含有するプラズマからのラジカルによって還元される。第一または両方の洗浄工程に続いて、好ましくは、TiNまたはTiのようなライナーまたはバリア層が当該構造の露出表面に蒸着され、該構造はPVD、CVDまたは電着プロセスによってAl、CuまたはWのような導電性金属で埋められる。
反応性ガスのプラズマからのラジカルを用いた洗浄に続いて、サブミクロン構造の中に残留する自然酸化物を、単独またはN、ArまたはHeと混合された水素を含むプラズマからのラジカルで還元することができる。自然酸化物の還元は、当該構造とサブ層との間に酸素が存在しない界面を提供し、該構造の抵抗を低下させる。水素または水素を含む混合物を用いた自然酸化物の熱的還元は、350℃のCVD TiNチャンバーRPSチャンバーの中で達成することができる。自然酸化物の水素表面処理は、当該構造の底にあるサブ層表面に水素ダングリングボンドを残すという追加の利益を有する。この水素ダングリングボンドは、炭素ベースの前駆体から蒸着される後続の膜の還元を補助する。Siサブ層の場合の水素処理はSi表面を不活性化し、これにより大気に露出されたときの再酸化に対しる抵抗性を与える。
本発明による予備洗浄に続いて、好ましくは、当該構造の露出表面にライナー層またはバリア層が蒸着され、またAl、Cu、Wまたは他の導電性材料で当該構造が充填される。このライナー層またはバリア層がTi/TiNであるときは、本発明に従って予備洗浄されたシリコン表面上に蒸着されたチタンは、均一な単一相のTiSix層を形成する。ライナー層またはバリア層がTiまたはTi/TiNであるとき、本発明に従って予備洗浄されたシリコン表面上における650〜750℃でのチタンの蒸着は、均一な単一相のTiSix層を形成する。
従来のICPまたはスパッタエッチに基づく予備洗浄チャンバー内において、銅は側壁に容易にスパッタされるので、本発明の予備洗浄方法は、サブミクロン構造の底に銅のサブ層を有する構造を洗浄するために特に有用である。スパッタされた銅は誘電体材料の中に拡散して、装置故障を起こす。本発明はビアの基底のスパッタリングを伴わずにビアを洗浄する。
以下の仮想実施例では、銅のサブ層を有する二酸化ケイ素中にエッチングされた構造の予備洗浄を記載することにより、本発明の好ましい方法を説明する。予備洗浄は、遠隔プラズマ源で発生したCF4/O2のプラズマからのラジカルに当該構造を露出させる第一の工程を含んでいる。このラジカルは、当該構造をもった基板が配置されるチャンバーの中に供給される。次いで、CVDプラズマリアクターの中で当該構造を銅で充填する前に、水素を含むプラズマがHラジカルを発生してチャンバーの中に供給し、自然酸化物、先の酸化物エッチング工程でのプラズマ損傷に由来する酸化物、または該エッチング工程後に使用した湿式化学処理に由来する酸化物を還元する。
遠隔プラズマ源においてマイクロ波を適用する前に、予備洗浄チャンバーは、200 sccmの酸素および10 sccmの四フッ化炭素(CF4)を流しながら、400 mTorrの圧力で5秒間安定化される。次いで、1000Wのマイクロ波電力(2.45 GHz)を遠隔プラズマに印加することにより、当該構造は30秒間洗浄される。次いで、300〜500 sccmの水素流および1000Wのマイクロ波電力(2.45 GHz)を遠隔プラズマに加えて、350〜450 mTorrの圧力において水素プラズマからのラジカルで30秒間処理することにより、当該構造内の自然酸化物が還元される。
次に図2を参照すると、本発明のプロセスを実施するための別のプロセスチャンバーが断面図で概略的に示されている。このプロセスチャンバーは、カリホルニア州サンタクララのアプライドマテリアル社から入手可能なプレクリーンII (preclean II)チャンバーであり得る。側壁114を有するベース部材112により真空チャンバー111が形成されており、これは、好ましくはステンレス鋼またはアルミニウムなどのような金属製である。本体部材112の基底部における開口部115は、チャンバー111の内部のガス圧を制御するために用いるターボポンプ116に接続される。石英ドーム117がチャンバー111の頂部を形成しており、その周縁にはフランジ118が設けられていて、ベース部材112の側壁の頂部周辺と合体されている。石英ドームとベース部材111との接合部分にはガス分配システム119が設けられており、これについては以下で詳細に述べる。石英またはセラミック等でできた絶縁台座120は、ウエハーをチャンバー111内に保持するために配置される導電性基台122を保持している。高周波RF電源123は基台122と容量的にカップリングされており、これに負のバイアス電圧を供給する。このバイアス電圧は、本発明の予備洗浄の際には使用されない。
螺旋形状のRF誘導コイル125は石英ドーム117の外部に巻回され、カバー117によって支持される。コイル125は中空銅管で形成される。チャンバー111には、コイル125の巻線の内側で軸方向に交番する電磁界が生じる。一般に、約350 KHz〜約450 KHzのRF周波数が用いられ、この周波数で動作する従来設計のRF電源(図示せず)がコイル125に結合されて、チャンバー111内でプラズマを発生させる。RF電磁界は基台122上のチャンバー111内でグロー放電プラズマを発生させるが、これは基台およびウエハーからプラズマを分離させるプラズマシースまたは暗黒空間を有している。
次に、図3および図4を参照すると、システム中で使用される反応性ガスのための分配システムが、やはり概略的ではあるが更に詳細に示されている。金属製の側壁部材114の頂部は、その中に刻まれたガス供給トレンチ133を有しており、ガス源から伸びる均等に(角度方向に)配置された12のチャンネルが該チャンネルを横切って、複数のガス注入孔132を形成している。石英ドーム117のフランジ118がベース部材112の側壁を覆って配置されると、溝133で与えられる空間の中に、ドーム117のフランジ118によって蓋をされた閉じたドーナツ形状の管が形成される。従って、反応性ガス(通常はフッ素等)はチャンバー111の中心点の周りに供給され、ウエハーを横切るその流れは均一である。
例
本発明の予備洗浄工程は、銅サブ層を有する誘電体層にエッチングされた構造を、CuまたはAlのプラグで充填する前に首尾よく洗浄するために、図2〜図4に示したチャンバーの中で組合された。チャンバーは、90%のH2および10%のHe、ArもしくはN2を用いて5〜20 mTorrで5秒間安定化された。次いで、300 Wの400 KHzのRF電力をコイルに印加し、10 WのRF電力(13.56 MHz)を基台に印加することにより、当該構造を60秒間洗浄した。これらのプロセス条件(即ち、非常に低いバイアス)は、Cuサブ層の側壁へのスパッタリングを伴うことなく、CuOを化学的に還元することができる。SiまたはTiSixサブ層についても、高温で同様の処理を使用することができる。
本発明の予備洗浄プロセスは、上記で述べたような専用の予備洗浄チャンバー内で行われ、或いはバリア層チャンバー内においてインサイチューで行われる。予備洗浄チャンバーは、基板の当座の汚染を回避するために、好ましくは処理プラットホーム上の他のメタライゼーションプロセスチャンバーと集積される。好ましい集積スキームは図5に示されており、これはアプライドマテリアルズInc.から入手可能否ENDURA(登録商標)プラットホーム上に搭載された種々のプロセスチャンバーを表している。
図5を参照すると、概略図は、基板を予備洗浄するためのRPSチャンバー、およびその中で一貫メタライゼーションプロセスを実施できるPVDおよびCVDチャンバーの両者を有する一貫処理システム160を示している。典型的には、該基板は、カセットロードロック162を通して処理システム160に導入され、またそこから取り出される。該システムの全体を通して基板を移動させるために、ブレード167を有するロボット164が処理システム160内に配置される。第一のロボット164は、典型的にはバッファーチャンバー168内に配置されて、カセットロードロック162、脱ガスウエハー配向チャンバー170、RPS予備洗浄チャンバー172、HP-PVD Ti/TiNチャンバー175およびクールダウンチャンバー176の間で基板を搬送する。第二のロボット178は搬送チャンバー180内に配置されて、クールダウンチャンバー176、PVD IMP Ti/TiNチャンバー182、CVD Alチャンバー184、CVD TiNチャンバー186、およびPVD HTHU Alチャンバー188へ、およびこれらチャンバーから基板を搬送する。一貫システムにおける搬送チャンバー180は、好ましくは10-8 torrの範囲の低圧または高真空に維持される。図5におけるこの特定の構成は、CVDおよびPVDの両方の処理を一つのクラスターツール内で行うことができる一貫処理システムを具備している。この特別の構成または配置は単に例示的なものに過ぎず、本発明ではより多くのPVDおよびCVDプロセスが想定される。
本発明によれば、処理システム160はロードロック162を介して脱ガスチャンバー170へと基板を通過させ、そこでは基板がアウトガス汚染物に導入される。次いで、基板はRPS予備洗浄チャンバー172へと移動され、そこでは如何なる汚染物も除去し且つ自然酸化物を還元するために、サブミクロン構造が洗浄される。次に、基板はPVD HP Ti/TiNチャンバー175内で処理されて、洗浄された誘電体表面上にTi/TiNバリア層が堆積され、次いでクールダウンチャンバー176へと通される。次いで、アルミニウム蒸着のために、第二のロボットが基板を一以上のCVDおよびPVDチャンバーへと搬送する。
集積されたプラットホーム160はまた、シリコンサブ層の予備洗浄に続いて、PVD IMP TI/TiNチャンバー182の中でTiを蒸着することにより、均一で且つ単一相のチタンシリサイドの蒸着を可能にする。シリサイド化の後、温Al蒸着、冷Al蒸着、または選択的Al蒸着によって、サブミクロン構造のメタライゼーションが完成する。
集積されたプラットホームのもう一つの応用は、IMP Tiチャンバー、二つのCVD TiNチャンバーおよび二つの予備洗浄チャンバーを準備することによりタングステンの蒸着を与えることである。基板をIMP TiチャンバーおよびCVD TiNチャンバーの中で処理して、洗浄された誘電体層表面にTi/TiNバリア層を蒸着し、次いで該小判をクールダウンチャンバーへと通過させる。タングステンの蒸着に先立つサブミクロン構造の予備洗浄は、RPSベースの予備洗浄チャンバーの中で行うことができる。
本発明と共に使用するのに適したステージされた真空ウエハー処理方法は、1993年2月16日発行の「ステージされた真空ウエハー処理システムおよび方法」と題するTepman et al.の米国特許第5,186,718号に開示されており、この特許を本明細書の一部をなす参照として援用する。この方法は、本発明の予備洗浄方法に容易に適合する。処理チャンバーの如何なる組合せも、専用の予備洗浄チャンバーと共に使用することができる。
上記の説明は本発明の好ましい実施例に向けられているが、本発明の他の更なる実施例は、その基本的な範囲を逸脱することなく考案することができる。本発明の範囲は特許請求の範囲によって決定されるものである。
Claims (15)
- 基板表面上に金属相互接続を形成する方法であって、次の工程:
前記基板表面をエッチングして、本体の周りに配置された第1のプロセスチャンバー内で1つまたはそれより多数の構造を形成する工程、
前記形成された構造を有する基板を、真空を維持したまま本体の周りに配置された第2のプロセスチャンバーへ移送する工程、
メタライゼーションに先立って、ラジカルに曝すことにより前記基板上の構造を洗浄する工程、
を含み、前記洗浄する工程は、
第1のラジカル種を含む遠隔プラズマ源の中で第1のプラズマを発生させる工程、
前記遠隔プラズマ源から前記第2のプロセスチャンバーへ、前記第1のラジカル種を供給する工程、
第2のラジカル種を含む遠隔プラズマ源の中で第2のプラズマを発生させる工程、
前記遠隔プラズマ源から前記第2のプロセスチャンバーへ、前記第2のラジカル種を供給する工程、
を含む、前記方法。 - 前記構造を洗浄した後に、バリア層を前記基板表面の上に堆積させる工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記バリア層が、化学気相成長法を用いて堆積される、請求項2に記載の方法。
- 前記第2のチャンバーは専用の洗浄チャンバーであり、前記バリア層は、本体の周りに配置された第3のチャンバー内で堆積される、請求項2に記載の方法。
- 前記バリア層は、チタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、及びこれらの組合せからなる群から選ばれる材料を含む、請求項2に記載の方法。
- 前記バリア層は前記第2のチャンバー内で堆積される、請求項2に記載の方法。
- メタライゼーションが、アルミニウム、銅またはタングステンを、前記基板表面上に堆積させる工程を含み、前記本体の周りに配置された第2のチャンバー又は第3のチャンバー内で堆積される、請求項1に記載の方法。
- 基板表面上に金属相互接続を形成する方法であって、次の工程:
前記基板表面をエッチングして、本体の周りに配置された第1のプロセスチャンバー内で1つまたはそれより多数の構造を形成する工程、
前記形成された構造を有する基板を、真空を維持したまま本体の周りに配置された第2のプロセスチャンバーへ移送する工程、
第1のラジカル種を含む遠隔プラズマ源の中で第1のプラズマを発生させる工程であって、前記第1のラジカル種は、1種又はそれより多数の反応性ガスを含む、前記工程、
前記遠隔プラズマ源から前記第2のプロセスチャンバーへ、前記第1のラジカル種を供給する工程、
第2のラジカル種を含む遠隔プラズマ源の中で第2のプラズマを発生させる工程であって、前記第2のラジカル種は、水素、窒素、アルゴン、及びヘリウムからなる群から選ばれる1種又はそれより多数の反応性ガスを含む、前記工程、
前記遠隔プラズマ源から前記第2のプロセスチャンバーへ、前記第2のラジカル種を供給する工程、
メタライゼーションに先立って、前記ラジカルに曝すことにより前記基板上の構造を洗浄する工程、
を含む、前記方法。 - 第2のラジカル種は、水素、又は水素とヘリウムとの混合物を含む、請求項8に記載の方法。
- 前記構造を洗浄した後に、化学気相成長法を用いて、第2のチャンバー内で、バリア層を前記基板表面の上に堆積させる工程をさらに含む、請求項8に記載の方法。
- 前記第2のチャンバーは専用の洗浄チャンバーであり、バリア層が、本体の周りに配置された第3のチャンバー内で堆積され、前記バリア層は、チタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、及びこれらの組合せからなる群から選ばれる材料を含む、請求項8に記載の方法。
- メタライゼーションが、アルミニウム、銅またはタングステンを、前記基板表面上に堆積させる工程を含む、請求項8に記載の方法。
- 基板表面上に金属相互接続を形成する方法であって、次の工程:
前記基板表面をエッチングして、本体の周りに配置された第1のプロセスチャンバー内で1つまたはそれより多数の構造を形成する工程、
前記形成された構造を有する基板を、真空を維持したまま本体の周りに配置された第2のプロセスチャンバーへ移送する工程、
第1のラジカル種を含む遠隔プラズマ源の中で第1のプラズマを発生させる工程、
前記遠隔プラズマ源から前記第2のプロセスチャンバーへ、前記第1のラジカル種を供給する工程、
第2のラジカル種を含む遠隔プラズマ源の中で第2のプラズマを発生させる工程、
前記遠隔プラズマ源から前記第2のプロセスチャンバーへ、前記第2のラジカル種を供給する工程、
洗浄された構造の少なくとも一部にバリア層を堆積させる工程に先立って、前記ラジカルに曝すことにより前記基板上の構造を洗浄する工程、
前記堆積されたバリア層を有する基板を、真空を維持したまま本体の周りに配置された第3のプロセスチャンバーへ移送する工程、
前記構造を銅で充填する工程に先立って、前記バリア層の上に銅のサブ層を堆積させる工程、
を含む、前記方法。 - 前記第2のラジカル種は、水素、窒素、アルゴン、及びヘリウムからなる群から選ばれる1種又はそれより多数のガスを含む、請求項13に記載の方法。
- 前記バリア層は本体の周りに配置された第4のチャンバー内で堆積される、請求項13に記載の方法。
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---|---|---|---|---|
US6107192A (en) * | 1997-12-30 | 2000-08-22 | Applied Materials, Inc. | Reactive preclean prior to metallization for sub-quarter micron application |
US7244677B2 (en) * | 1998-02-04 | 2007-07-17 | Semitool. Inc. | Method for filling recessed micro-structures with metallization in the production of a microelectronic device |
US6547934B2 (en) * | 1998-05-18 | 2003-04-15 | Applied Materials, Inc. | Reduction of metal oxide in a dual frequency etch chamber |
US6303505B1 (en) * | 1998-07-09 | 2001-10-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Copper interconnect with improved electromigration resistance |
US6974766B1 (en) | 1998-10-01 | 2005-12-13 | Applied Materials, Inc. | In situ deposition of a low κ dielectric layer, barrier layer, etch stop, and anti-reflective coating for damascene application |
US6277733B1 (en) * | 1998-10-05 | 2001-08-21 | Texas Instruments Incorporated | Oxygen-free, dry plasma process for polymer removal |
US6599829B2 (en) * | 1998-11-25 | 2003-07-29 | Texas Instruments Incorporated | Method for photoresist strip, sidewall polymer removal and passivation for aluminum metallization |
US6372301B1 (en) * | 1998-12-22 | 2002-04-16 | Applied Materials, Inc. | Method of improving adhesion of diffusion layers on fluorinated silicon dioxide |
KR100322545B1 (ko) * | 1999-02-10 | 2002-03-18 | 윤종용 | 건식 세정 공정을 전 공정으로 이용하는 반도체 장치의콘택홀 채움 방법 |
US6204192B1 (en) * | 1999-03-29 | 2001-03-20 | Lsi Logic Corporation | Plasma cleaning process for openings formed in at least one low dielectric constant insulation layer over copper metallization in integrated circuit structures |
SG90747A1 (en) * | 1999-09-02 | 2002-08-20 | Applied Materials Inc | Method of pre-cleaning dielectric layers of substrates |
US6346489B1 (en) | 1999-09-02 | 2002-02-12 | Applied Materials, Inc. | Precleaning process for metal plug that minimizes damage to low-κ dielectric |
US7014887B1 (en) * | 1999-09-02 | 2006-03-21 | Applied Materials, Inc. | Sequential sputter and reactive precleans of vias and contacts |
US6313042B1 (en) * | 1999-09-03 | 2001-11-06 | Applied Materials, Inc. | Cleaning contact with successive fluorine and hydrogen plasmas |
US6303518B1 (en) * | 1999-09-30 | 2001-10-16 | Novellus Systems, Inc. | Methods to improve chemical vapor deposited fluorosilicate glass (FSG) film adhesion to metal barrier or etch stop/diffusion barrier layers |
AU1218401A (en) * | 1999-10-20 | 2001-04-30 | Cvd Systems, Inc. | Fluid processing system |
US6530380B1 (en) * | 1999-11-19 | 2003-03-11 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Method for selective oxide etching in pre-metal deposition |
US6727185B1 (en) * | 1999-11-29 | 2004-04-27 | Texas Instruments Incorporated | Dry process for post oxide etch residue removal |
KR100358045B1 (ko) * | 1999-12-22 | 2002-10-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 구리 금속 배선 형성 방법 |
US6602793B1 (en) * | 2000-02-03 | 2003-08-05 | Newport Fab, Llc | Pre-clean chamber |
US6471913B1 (en) | 2000-02-09 | 2002-10-29 | Semitool, Inc. | Method and apparatus for processing a microelectronic workpiece including an apparatus and method for executing a processing step at an elevated temperature |
US6780374B2 (en) | 2000-12-08 | 2004-08-24 | Semitool, Inc. | Method and apparatus for processing a microelectronic workpiece at an elevated temperature |
EP1138804A3 (de) | 2000-03-27 | 2003-06-25 | Infineon Technologies AG | Bauelement mit zumindest zwei aneinander grenzenden Isolierschichten und Herstellungsverfahren dazu |
JP2001298028A (ja) * | 2000-04-17 | 2001-10-26 | Tokyo Electron Ltd | 半導体デバイス製造方法 |
CN1249786C (zh) * | 2000-04-25 | 2006-04-05 | 东京电子株式会社 | 用于工件的等离子体清洗的方法和装置 |
KR100383759B1 (ko) * | 2000-06-15 | 2003-05-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 구리 금속 배선 형성 방법 |
KR100407680B1 (ko) * | 2000-06-20 | 2003-12-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 |
US6346488B1 (en) * | 2000-06-27 | 2002-02-12 | Lsi Logic Corporation | Process to provide enhanced resistance to cracking and to further reduce the dielectric constant of a low dielectric constant dielectric film of an integrated circuit structure by implantation with hydrogen ions |
US6794311B2 (en) | 2000-07-14 | 2004-09-21 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for treating low k dielectric layers to reduce diffusion |
KR100375985B1 (ko) * | 2000-08-17 | 2003-03-15 | 삼성전자주식회사 | 반사부를 구비하는 박막 형성 장치 |
JP4112198B2 (ja) * | 2000-09-11 | 2008-07-02 | 財団法人地球環境産業技術研究機構 | クリーニングガス及びエッチングガス、並びにチャンバークリーニング方法及びエッチング方法 |
JP4910231B2 (ja) * | 2000-10-25 | 2012-04-04 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6573181B1 (en) * | 2000-10-26 | 2003-06-03 | Applied Materials, Inc. | Method of forming contact structures using nitrogen trifluoride preclean etch process and a titanium chemical vapor deposition step |
KR100382725B1 (ko) | 2000-11-24 | 2003-05-09 | 삼성전자주식회사 | 클러스터화된 플라즈마 장치에서의 반도체소자의 제조방법 |
US6613695B2 (en) * | 2000-11-24 | 2003-09-02 | Asm America, Inc. | Surface preparation prior to deposition |
US6455414B1 (en) * | 2000-11-28 | 2002-09-24 | Tokyo Electron Limited | Method for improving the adhesion of sputtered copper films to CVD transition metal based underlayers |
US20020106881A1 (en) * | 2000-12-07 | 2002-08-08 | Jain Manoj K. | Prevention of contact failure by hydrogen treatment |
US6534423B1 (en) * | 2000-12-27 | 2003-03-18 | Novellus Systems, Inc. | Use of inductively-coupled plasma in plasma-enhanced chemical vapor deposition reactor to improve film-to-wall adhesion following in-situ plasma clean |
US7111629B2 (en) * | 2001-01-08 | 2006-09-26 | Apl Co., Ltd. | Method for cleaning substrate surface |
US6498108B2 (en) * | 2001-02-12 | 2002-12-24 | Fairchild Semiconductor Corporation | Method for removing surface contamination on semiconductor substrates |
US6641747B1 (en) | 2001-02-15 | 2003-11-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for determining an etch endpoint |
US6537733B2 (en) * | 2001-02-23 | 2003-03-25 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing low dielectric constant silicon carbide layers |
US7186648B1 (en) | 2001-03-13 | 2007-03-06 | Novellus Systems, Inc. | Barrier first method for single damascene trench applications |
US8043484B1 (en) | 2001-03-13 | 2011-10-25 | Novellus Systems, Inc. | Methods and apparatus for resputtering process that improves barrier coverage |
US6764940B1 (en) | 2001-03-13 | 2004-07-20 | Novellus Systems, Inc. | Method for depositing a diffusion barrier for copper interconnect applications |
US7781327B1 (en) | 2001-03-13 | 2010-08-24 | Novellus Systems, Inc. | Resputtering process for eliminating dielectric damage |
US6787462B2 (en) * | 2001-03-28 | 2004-09-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device having buried metal wiring |
US6472333B2 (en) | 2001-03-28 | 2002-10-29 | Applied Materials, Inc. | Silicon carbide cap layers for low dielectric constant silicon oxide layers |
US20040200576A1 (en) * | 2001-04-23 | 2004-10-14 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for plasma cleaning of workpieces |
US6951823B2 (en) * | 2001-05-14 | 2005-10-04 | Axcelis Technologies, Inc. | Plasma ashing process |
US6630406B2 (en) | 2001-05-14 | 2003-10-07 | Axcelis Technologies | Plasma ashing process |
US6579730B2 (en) | 2001-07-18 | 2003-06-17 | Applied Materials, Inc. | Monitoring process for oxide removal |
US20030027427A1 (en) * | 2001-08-06 | 2003-02-06 | Applied Materials, Inc. | Integrated system for oxide etching and metal liner deposition |
US6652713B2 (en) * | 2001-08-09 | 2003-11-25 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with integral shield |
US6908865B2 (en) * | 2001-09-28 | 2005-06-21 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning substrates |
US6960537B2 (en) * | 2001-10-02 | 2005-11-01 | Asm America, Inc. | Incorporation of nitrogen into high k dielectric film |
KR100407998B1 (ko) | 2001-10-09 | 2003-12-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 금속 배선의 콘택 영역 세정 방법 |
US6656837B2 (en) * | 2001-10-11 | 2003-12-02 | Applied Materials, Inc. | Method of eliminating photoresist poisoning in damascene applications |
US6780086B2 (en) | 2001-10-12 | 2004-08-24 | Mosel Vitelic, Inc. | Determining an endpoint in a polishing process |
US6503824B1 (en) | 2001-10-12 | 2003-01-07 | Mosel Vitelic, Inc. | Forming conductive layers on insulators by physical vapor deposition |
US6916398B2 (en) * | 2001-10-26 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition |
US6455814B1 (en) * | 2001-11-07 | 2002-09-24 | Applied Materials, Inc. | Backside heating chamber for emissivity independent thermal processes |
US6890850B2 (en) | 2001-12-14 | 2005-05-10 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing dielectric materials in damascene applications |
US7091137B2 (en) * | 2001-12-14 | 2006-08-15 | Applied Materials | Bi-layer approach for a hermetic low dielectric constant layer for barrier applications |
US6838393B2 (en) * | 2001-12-14 | 2005-01-04 | Applied Materials, Inc. | Method for producing semiconductor including forming a layer containing at least silicon carbide and forming a second layer containing at least silicon oxygen carbide |
US20030116845A1 (en) * | 2001-12-21 | 2003-06-26 | Bojkov Christo P. | Waferlevel method for direct bumping on copper pads in integrated circuits |
US6902629B2 (en) * | 2002-04-12 | 2005-06-07 | Applied Materials, Inc. | Method for cleaning a process chamber |
US20030194877A1 (en) * | 2002-04-16 | 2003-10-16 | Applied Materials, Inc. | Integrated etch, rinse and dry, and anneal method and system |
US7169704B2 (en) * | 2002-06-21 | 2007-01-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of cleaning a surface of a water in connection with forming a barrier layer of a semiconductor device |
US20040018715A1 (en) * | 2002-07-25 | 2004-01-29 | Applied Materials, Inc. | Method of cleaning a surface of a material layer |
US20040118697A1 (en) * | 2002-10-01 | 2004-06-24 | Applied Materials, Inc. | Metal deposition process with pre-cleaning before electrochemical deposition |
US20070051471A1 (en) * | 2002-10-04 | 2007-03-08 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for stripping |
US7749563B2 (en) * | 2002-10-07 | 2010-07-06 | Applied Materials, Inc. | Two-layer film for next generation damascene barrier application with good oxidation resistance |
US6627527B1 (en) | 2002-10-10 | 2003-09-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method to reduce metal silicide void formation |
US20040069651A1 (en) * | 2002-10-15 | 2004-04-15 | Applied Materials, Inc. | Oxide treatment and pressure control for electrodeposition |
US7244683B2 (en) | 2003-01-07 | 2007-07-17 | Applied Materials, Inc. | Integration of ALD/CVD barriers with porous low k materials |
US6790788B2 (en) * | 2003-01-13 | 2004-09-14 | Applied Materials Inc. | Method of improving stability in low k barrier layers |
US6992011B2 (en) * | 2003-01-15 | 2006-01-31 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for removing material from chamber and wafer surfaces by high temperature hydrogen-containing plasma |
US6923189B2 (en) * | 2003-01-16 | 2005-08-02 | Applied Materials, Inc. | Cleaning of CVD chambers using remote source with cxfyoz based chemistry |
CN101457338B (zh) * | 2003-02-14 | 2011-04-27 | 应用材料股份有限公司 | 利用含氢自由基清洁自生氧化物的方法和设备 |
US6913994B2 (en) * | 2003-04-09 | 2005-07-05 | Agency For Science, Technology And Research | Method to form Cu/OSG dual damascene structure for high performance and reliable interconnects |
US7842605B1 (en) | 2003-04-11 | 2010-11-30 | Novellus Systems, Inc. | Atomic layer profiling of diffusion barrier and metal seed layers |
US8298933B2 (en) | 2003-04-11 | 2012-10-30 | Novellus Systems, Inc. | Conformal films on semiconductor substrates |
US20040219795A1 (en) * | 2003-05-01 | 2004-11-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. | Method to improve breakdown voltage by H2 plasma treat |
DE10320472A1 (de) * | 2003-05-08 | 2004-12-02 | Kolektor D.O.O. | Plasmabehandlung zur Reinigung von Kupfer oder Nickel |
JP4413556B2 (ja) * | 2003-08-15 | 2010-02-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、半導体装置の製造方法 |
US6790778B1 (en) * | 2003-09-10 | 2004-09-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for capping over a copper layer |
WO2005055305A1 (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-16 | Tokyo Electron Limited | 半導体基板導電層表面の清浄化方法 |
US20050161060A1 (en) * | 2004-01-23 | 2005-07-28 | Johnson Andrew D. | Cleaning CVD chambers following deposition of porogen-containing materials |
JP2005260060A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | レジスト除去装置及びレジスト除去方法、並びにそれを用いて製造した半導体装置 |
US7030041B2 (en) | 2004-03-15 | 2006-04-18 | Applied Materials Inc. | Adhesion improvement for low k dielectrics |
JP2005268312A (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-29 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | レジスト除去方法及びそれを用いて製造した半導体装置 |
US20050258137A1 (en) * | 2004-03-24 | 2005-11-24 | Sawin Herbert H | Remote chamber methods for removing surface deposits |
DE102004015865B4 (de) * | 2004-03-31 | 2006-05-04 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verfahren zum Reinigen der Oberfläche eines Substrats |
US7229911B2 (en) | 2004-04-19 | 2007-06-12 | Applied Materials, Inc. | Adhesion improvement for low k dielectrics to conductive materials |
US20050277302A1 (en) * | 2004-05-28 | 2005-12-15 | Nguyen Son V | Advanced low dielectric constant barrier layers |
JP4503356B2 (ja) * | 2004-06-02 | 2010-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および半導体装置の製造方法 |
US7378028B2 (en) * | 2004-06-03 | 2008-05-27 | Seagate Technology Llc | Method for fabricating patterned magnetic recording media |
US7229041B2 (en) * | 2004-06-30 | 2007-06-12 | Ohio Central Steel Company | Lifting lid crusher |
US7288205B2 (en) | 2004-07-09 | 2007-10-30 | Applied Materials, Inc. | Hermetic low dielectric constant layer for barrier applications |
US20060106635A1 (en) * | 2004-11-18 | 2006-05-18 | Karl Ulrich | Emission remediation |
US20060144819A1 (en) * | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Sawin Herbert H | Remote chamber methods for removing surface deposits |
KR100667561B1 (ko) * | 2005-02-18 | 2007-01-11 | 주식회사 아이피에스 | 박막 증착 방법 |
US20060266288A1 (en) * | 2005-05-27 | 2006-11-30 | Applied Materials, Inc. | High plasma utilization for remote plasma clean |
US20070028944A1 (en) * | 2005-08-02 | 2007-02-08 | Sawin Herbert H | Method of using NF3 for removing surface deposits |
JP2009503271A (ja) * | 2005-08-02 | 2009-01-29 | マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー | Cvd/pecvd−プラズマチャンバーの内部から表面沈着物を除去するためのフッ化硫黄を使用する遠隔チャンバー方法 |
US8747960B2 (en) * | 2005-08-31 | 2014-06-10 | Lam Research Corporation | Processes and systems for engineering a silicon-type surface for selective metal deposition to form a metal silicide |
US20070099417A1 (en) * | 2005-10-28 | 2007-05-03 | Applied Materials, Inc. | Adhesion and minimizing oxidation on electroless CO alloy films for integration with low K inter-metal dielectric and etch stop |
US8399360B1 (en) * | 2005-11-17 | 2013-03-19 | Cypress Semiconductor Corporation | Process for post contact-etch clean |
US7994047B1 (en) * | 2005-11-22 | 2011-08-09 | Spansion Llc | Integrated circuit contact system |
US7704887B2 (en) * | 2005-11-22 | 2010-04-27 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma pre-clean with low hydrogen pressure |
US7504643B2 (en) * | 2005-12-22 | 2009-03-17 | Asml Netherlands B.V. | Method for cleaning a lithographic apparatus module, a cleaning arrangement and a lithographic apparatus comprising the cleaning arrangement |
US7495239B2 (en) * | 2005-12-22 | 2009-02-24 | Asml Netherlands B.V. | Method for cleaning a lithographic apparatus module, a cleaning arrangement and a lithographic apparatus comprising the cleaning arrangement |
US20070158181A1 (en) * | 2006-01-12 | 2007-07-12 | Seagate Technology Llc | Method & apparatus for cathode sputtering with uniform process gas distribution |
US9228254B2 (en) * | 2006-01-12 | 2016-01-05 | Seagate Technology Llc | Cathode sputtering gas distribution apparatus |
KR100978407B1 (ko) * | 2006-03-06 | 2010-08-26 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
US7780862B2 (en) * | 2006-03-21 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Device and method for etching flash memory gate stacks comprising high-k dielectric |
US7759249B2 (en) * | 2006-03-28 | 2010-07-20 | Tokyo Electron Limited | Method of removing residue from a substrate |
US8722547B2 (en) * | 2006-04-20 | 2014-05-13 | Applied Materials, Inc. | Etching high K dielectrics with high selectivity to oxide containing layers at elevated temperatures with BC13 based etch chemistries |
US8226769B2 (en) * | 2006-04-27 | 2012-07-24 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones |
US8440049B2 (en) * | 2006-05-03 | 2013-05-14 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for etching high aspect ratio features |
US7645696B1 (en) | 2006-06-22 | 2010-01-12 | Novellus Systems, Inc. | Deposition of thin continuous PVD seed layers having improved adhesion to the barrier layer |
US7855147B1 (en) | 2006-06-22 | 2010-12-21 | Novellus Systems, Inc. | Methods and apparatus for engineering an interface between a diffusion barrier layer and a seed layer |
US7416989B1 (en) | 2006-06-30 | 2008-08-26 | Novellus Systems, Inc. | Adsorption based material removal process |
WO2008008319A2 (en) * | 2006-07-10 | 2008-01-17 | President And Fellows Of Harvard College | Selective sealing of porous dielectric materials |
KR100717374B1 (ko) | 2006-07-11 | 2007-05-11 | 세메스 주식회사 | 자기장을 이용한 플라즈마 분사 장치 |
US9275887B2 (en) * | 2006-07-20 | 2016-03-01 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing with rapid temperature gradient control |
KR100794661B1 (ko) * | 2006-08-18 | 2008-01-14 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 및 그 장치의 세정 방법 |
US7789965B2 (en) * | 2006-09-19 | 2010-09-07 | Asm Japan K.K. | Method of cleaning UV irradiation chamber |
US7510634B1 (en) | 2006-11-10 | 2009-03-31 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus and methods for deposition and/or etch selectivity |
KR100819096B1 (ko) * | 2006-11-21 | 2008-04-02 | 삼성전자주식회사 | Peox공정을 진행하는 반도체 제조설비의 리모트 플라즈마를 이용한 세정방법 |
US7628866B2 (en) * | 2006-11-23 | 2009-12-08 | United Microelectronics Corp. | Method of cleaning wafer after etching process |
US7977244B2 (en) * | 2006-12-18 | 2011-07-12 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor manufacturing process |
US7682966B1 (en) | 2007-02-01 | 2010-03-23 | Novellus Systems, Inc. | Multistep method of depositing metal seed layers |
US7977249B1 (en) | 2007-03-07 | 2011-07-12 | Novellus Systems, Inc. | Methods for removing silicon nitride and other materials during fabrication of contacts |
US20100151677A1 (en) * | 2007-04-12 | 2010-06-17 | Freescale Semiconductor, Inc. | Etch method in the manufacture of a semiconductor device |
US8435379B2 (en) | 2007-05-08 | 2013-05-07 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and cleaning and conditioning methods |
KR100777043B1 (ko) * | 2007-05-22 | 2007-11-16 | 주식회사 테스 | 비정질 탄소막 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의제조 방법 |
US7897516B1 (en) | 2007-05-24 | 2011-03-01 | Novellus Systems, Inc. | Use of ultra-high magnetic fields in resputter and plasma etching |
US20080289650A1 (en) * | 2007-05-24 | 2008-11-27 | Asm America, Inc. | Low-temperature cleaning of native oxide |
US7922880B1 (en) | 2007-05-24 | 2011-04-12 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for increasing local plasma density in magnetically confined plasma |
US7659197B1 (en) | 2007-09-21 | 2010-02-09 | Novellus Systems, Inc. | Selective resputtering of metal seed layers |
US8025269B1 (en) | 2007-10-16 | 2011-09-27 | National Semiconductor Corporation | Chamber lid lifting apparatus |
EP2208221A4 (en) * | 2007-11-01 | 2010-12-15 | Eugene Technology Co Ltd | DEVICE FOR WAFER SURFACE TREATMENT USING AN INDUCTIVE COUPLED HIGH-FREQUENCY PLASMA |
JP5006938B2 (ja) * | 2007-11-02 | 2012-08-22 | キヤノンアネルバ株式会社 | 表面処理装置およびその基板処理方法 |
US8187486B1 (en) | 2007-12-13 | 2012-05-29 | Novellus Systems, Inc. | Modulating etch selectivity and etch rate of silicon nitride thin films |
JP5596265B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2014-09-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置 |
US9502290B2 (en) * | 2008-01-11 | 2016-11-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Oxidation-free copper metallization process using in-situ baking |
US7888661B2 (en) * | 2008-02-13 | 2011-02-15 | Axcelis Technologies Inc. | Methods for in situ surface treatment in an ion implantation system |
US8017523B1 (en) | 2008-05-16 | 2011-09-13 | Novellus Systems, Inc. | Deposition of doped copper seed layers having improved reliability |
US7871937B2 (en) | 2008-05-16 | 2011-01-18 | Asm America, Inc. | Process and apparatus for treating wafers |
US7981763B1 (en) | 2008-08-15 | 2011-07-19 | Novellus Systems, Inc. | Atomic layer removal for high aspect ratio gapfill |
US8058179B1 (en) | 2008-12-23 | 2011-11-15 | Novellus Systems, Inc. | Atomic layer removal process with higher etch amount |
US8557702B2 (en) | 2009-02-02 | 2013-10-15 | Asm America, Inc. | Plasma-enhanced atomic layers deposition of conductive material over dielectric layers |
US20100270262A1 (en) * | 2009-04-22 | 2010-10-28 | Applied Materials, Inc. | Etching low-k dielectric or removing resist with a filtered ionized gas |
US8211808B2 (en) * | 2009-08-31 | 2012-07-03 | Applied Materials, Inc. | Silicon-selective dry etch for carbon-containing films |
US8828852B2 (en) * | 2009-12-10 | 2014-09-09 | California Institute Of Technology | Delta-doping at wafer level for high throughput, high yield fabrication of silicon imaging arrays |
US8227344B2 (en) * | 2010-02-26 | 2012-07-24 | Tokyo Electron Limited | Hybrid in-situ dry cleaning of oxidized surface layers |
US8420544B2 (en) | 2010-06-03 | 2013-04-16 | United Microelectronics Corp. | Method for fabricating interconnection structure with dry-cleaning process |
NL2007452A (en) * | 2010-12-08 | 2012-06-11 | Asml Holding Nv | Electrostatic clamp, lithographic apparatus and method of manufacturing an electrostatic clamp. |
US8771539B2 (en) * | 2011-02-22 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Remotely-excited fluorine and water vapor etch |
JP2013201225A (ja) | 2012-03-23 | 2013-10-03 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
WO2013152068A1 (en) * | 2012-04-03 | 2013-10-10 | Gvd Corporation | Adhesion promotion of vapor deposited films |
JP6579953B2 (ja) | 2012-07-16 | 2019-09-25 | マットソン テクノロジー インコーポレイテッドMattson Technology, Inc. | 純還元性プラズマ中で高アスペクト比のフォトレジストを除去する方法 |
US9865501B2 (en) * | 2013-03-06 | 2018-01-09 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for remote plasma treatment for reducing metal oxides on a metal seed layer |
KR102245729B1 (ko) * | 2013-08-09 | 2021-04-28 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 에피택셜 성장 이전에 기판 표면을 사전 세정하기 위한 방법 및 장치 |
US20150118855A1 (en) * | 2013-10-30 | 2015-04-30 | Nisene Technology Group | Microwave induced plasma decapsulation |
TWI546847B (zh) * | 2013-12-27 | 2016-08-21 | 日立國際電氣股份有限公司 | 基板處理裝置及半導體裝置的製造方法 |
US9299557B2 (en) | 2014-03-19 | 2016-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma pre-clean module and process |
US10192717B2 (en) | 2014-07-21 | 2019-01-29 | Applied Materials, Inc. | Conditioning remote plasma source for enhanced performance having repeatable etch and deposition rates |
US9412619B2 (en) * | 2014-08-12 | 2016-08-09 | Applied Materials, Inc. | Method of outgassing a mask material deposited over a workpiece in a process tool |
US9312121B1 (en) * | 2014-10-09 | 2016-04-12 | United Microelectronics Corporation | Method for cleaning contact hole and forming contact plug therein |
US9474163B2 (en) | 2014-12-30 | 2016-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Germanium oxide pre-clean module and process |
US9431268B2 (en) | 2015-01-05 | 2016-08-30 | Lam Research Corporation | Isotropic atomic layer etch for silicon and germanium oxides |
US9425041B2 (en) | 2015-01-06 | 2016-08-23 | Lam Research Corporation | Isotropic atomic layer etch for silicon oxides using no activation |
US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
US10373850B2 (en) | 2015-03-11 | 2019-08-06 | Asm Ip Holding B.V. | Pre-clean chamber and process with substrate tray for changing substrate temperature |
CN109314059B (zh) * | 2016-06-20 | 2023-06-23 | 东京毅力科创株式会社 | 被处理体的处理方法 |
US20180261464A1 (en) * | 2017-03-08 | 2018-09-13 | Tokyo Electron Limited | Oxide film removing method, oxide film removing apparatus, contact forming method, and contact forming system |
US10443146B2 (en) | 2017-03-30 | 2019-10-15 | Lam Research Corporation | Monitoring surface oxide on seed layers during electroplating |
JP2019192892A (ja) | 2018-04-18 | 2019-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システムおよび処理方法 |
US10483091B1 (en) | 2018-05-18 | 2019-11-19 | International Business Machines Corporation | Selective ion filtering in a multipurpose chamber |
WO2019226341A1 (en) | 2018-05-25 | 2019-11-28 | Lam Research Corporation | Thermal atomic layer etch with rapid temperature cycling |
JP7461923B2 (ja) | 2018-07-09 | 2024-04-04 | ラム リサーチ コーポレーション | 電子励起原子層エッチング |
JP7203531B2 (ja) * | 2018-08-08 | 2023-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
TWI698029B (zh) * | 2018-11-28 | 2020-07-01 | 財團法人金屬工業研究發展中心 | 形成半導體結構之方法 |
CN112899615B (zh) * | 2019-11-19 | 2023-02-21 | 长鑫存储技术有限公司 | 膜层的形成方法及半导体器件的制备方法 |
US11380536B2 (en) | 2020-05-05 | 2022-07-05 | Applied Materials, Inc. | Multi-step pre-clean for selective metal gap fill |
US20220108917A1 (en) * | 2020-10-06 | 2022-04-07 | Applied Materials, Inc. | Low resistance and high reliability metallization module |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5248636A (en) * | 1987-07-16 | 1993-09-28 | Texas Instruments Incorporated | Processing method using both a remotely generated plasma and an in-situ plasma with UV irradiation |
DE3855636T2 (de) * | 1987-08-28 | 1997-03-27 | Toshiba Kawasaki Kk | Plasma-Entschichtungsverfahren für organische und anorganische Schichten |
JPH0279446A (ja) * | 1988-09-16 | 1990-03-20 | Hitachi Ltd | スルーホールへの金属穴埋め方法 |
US5043299B1 (en) * | 1989-12-01 | 1997-02-25 | Applied Materials Inc | Process for selective deposition of tungsten on semiconductor wafer |
JPH03185823A (ja) * | 1989-12-15 | 1991-08-13 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
US5236868A (en) * | 1990-04-20 | 1993-08-17 | Applied Materials, Inc. | Formation of titanium nitride on semiconductor wafer by reaction of titanium with nitrogen-bearing gas in an integrated processing system |
JP2814021B2 (ja) * | 1990-07-09 | 1998-10-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体基板表面の処理方法 |
JPH04144135A (ja) * | 1990-10-05 | 1992-05-18 | Canon Inc | 半導体装置の製造法および装置 |
DE4135697C2 (de) * | 1990-10-26 | 1994-01-27 | Matsushita Electric Works Ltd | Verfahren zur Verbesserung von Holzoberflächeneigenschaften |
JP2888258B2 (ja) * | 1990-11-30 | 1999-05-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP3038953B2 (ja) * | 1991-02-28 | 2000-05-08 | ソニー株式会社 | 配線形成方法 |
FR2677668B1 (fr) * | 1991-06-14 | 1993-10-15 | France Telecom | Procede de nettoyage de surfaces metalliques oxydees dans la fabrication de reseaux d'interconnexions et plaquettes pour de tels reseaux. |
JPH08153783A (ja) * | 1991-06-28 | 1996-06-11 | Sony Corp | 電気的接続部形成方法及び半導体装置の製造方法 |
DE69216747T2 (de) * | 1991-10-07 | 1997-07-31 | Sumitomo Metal Ind | Verfahren zur Bildung eines dünnen Films |
JPH05139881A (ja) * | 1991-11-18 | 1993-06-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 分子線エピタキシヤル成長法およびその装置 |
JP3449428B2 (ja) * | 1992-06-08 | 2003-09-22 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JPH0669168A (ja) * | 1992-08-18 | 1994-03-11 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US5627105A (en) * | 1993-04-08 | 1997-05-06 | Varian Associates, Inc. | Plasma etch process and TiSix layers made using the process |
US5403434A (en) * | 1994-01-06 | 1995-04-04 | Texas Instruments Incorporated | Low-temperature in-situ dry cleaning process for semiconductor wafer |
US5545289A (en) * | 1994-02-03 | 1996-08-13 | Applied Materials, Inc. | Passivating, stripping and corrosion inhibition of semiconductor substrates |
JP3529849B2 (ja) * | 1994-05-23 | 2004-05-24 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3533583B2 (ja) * | 1994-07-25 | 2004-05-31 | 富士通株式会社 | 水素プラズマダウンフロー装置の洗浄方法 |
JP3326974B2 (ja) * | 1994-07-28 | 2002-09-24 | ソニー株式会社 | 多層配線の形成方法および半導体装置の製造方法 |
JPH08213343A (ja) * | 1995-01-31 | 1996-08-20 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US6132564A (en) * | 1997-11-17 | 2000-10-17 | Tokyo Electron Limited | In-situ pre-metallization clean and metallization of semiconductor wafers |
US5545592A (en) * | 1995-02-24 | 1996-08-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Nitrogen treatment for metal-silicide contact |
KR100208439B1 (ko) * | 1995-05-04 | 1999-07-15 | 김영환 | 반도체 소자의 폴리실리콘층 형성방법 |
JP3517802B2 (ja) * | 1995-09-01 | 2004-04-12 | 富士通株式会社 | 埋め込み導電層の形成方法 |
JPH09115875A (ja) * | 1995-10-20 | 1997-05-02 | Texas Instr Japan Ltd | 半導体装置の製造方法及びこの方法に用いる処理液 |
JPH09205070A (ja) * | 1996-01-25 | 1997-08-05 | Sony Corp | プラズマcvd方法、およびこれにより形成された金属膜を有する半導体装置 |
US5712207A (en) * | 1996-02-29 | 1998-01-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Profile improvement of a metal interconnect structure on a tungsten plug |
US5660682A (en) * | 1996-03-14 | 1997-08-26 | Lsi Logic Corporation | Plasma clean with hydrogen gas |
US6015761A (en) * | 1996-06-26 | 2000-01-18 | Applied Materials, Inc. | Microwave-activated etching of dielectric layers |
US5834371A (en) * | 1997-01-31 | 1998-11-10 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for preparing and metallizing high aspect ratio silicon semiconductor device contacts to reduce the resistivity thereof |
US6107192A (en) * | 1997-12-30 | 2000-08-22 | Applied Materials, Inc. | Reactive preclean prior to metallization for sub-quarter micron application |
US5935874A (en) | 1998-03-31 | 1999-08-10 | Lam Research Corporation | Techniques for forming trenches in a silicon layer of a substrate in a high density plasma processing system |
US6395150B1 (en) | 1998-04-01 | 2002-05-28 | Novellus Systems, Inc. | Very high aspect ratio gapfill using HDP |
-
1997
- 1997-12-30 US US09/000,746 patent/US6107192A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-09-30 TW TW087116314A patent/TW411497B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-11-02 KR KR1020007007365A patent/KR20010033812A/ko not_active Application Discontinuation
- 1998-11-02 WO PCT/US1998/023353 patent/WO1999034424A1/en not_active Application Discontinuation
- 1998-11-02 JP JP2000526963A patent/JP4681117B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-11-02 EP EP98956498A patent/EP1042795A1/en not_active Withdrawn
-
2000
- 2000-07-14 US US09/617,522 patent/US6693030B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-02-17 US US10/780,105 patent/US6905965B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-07-06 JP JP2009159854A patent/JP5385706B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6693030B1 (en) | 2004-02-17 |
JP2009224808A (ja) | 2009-10-01 |
US6107192A (en) | 2000-08-22 |
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WO1999034424A1 (en) | 1999-07-08 |
TW411497B (en) | 2000-11-11 |
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