JPH05139881A - 分子線エピタキシヤル成長法およびその装置 - Google Patents
分子線エピタキシヤル成長法およびその装置Info
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- JPH05139881A JPH05139881A JP30208191A JP30208191A JPH05139881A JP H05139881 A JPH05139881 A JP H05139881A JP 30208191 A JP30208191 A JP 30208191A JP 30208191 A JP30208191 A JP 30208191A JP H05139881 A JPH05139881 A JP H05139881A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 より低温で効果的に基板表面を清浄化して、
より界面準位密度の低いエピタキシャル層を形成するこ
とができる分子線エピタキシャル成長法およびその装置
を提供する。 【構成】 反応室５において真空中で保持された基板２
０の表面をプラズマ発生装置３からのリモートプラズマ
で処理した後、真空状態を保持しながら基板２０を成長
室８に移動させ、成長室８内で分子線エピタキシャル成
長法によりエピタキシャル層を形成する方法およびその
装置。
より界面準位密度の低いエピタキシャル層を形成するこ
とができる分子線エピタキシャル成長法およびその装置
を提供する。 【構成】 反応室５において真空中で保持された基板２
０の表面をプラズマ発生装置３からのリモートプラズマ
で処理した後、真空状態を保持しながら基板２０を成長
室８に移動させ、成長室８内で分子線エピタキシャル成
長法によりエピタキシャル層を形成する方法およびその
装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスへの応
用のために表面準位や界面準位の少ない、すなわち界面
特性のよい半導体エピタキシャル膜を作製する方法およ
びその装置に関する。
用のために表面準位や界面準位の少ない、すなわち界面
特性のよい半導体エピタキシャル膜を作製する方法およ
びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、分子線エピタキシャル成長法（Ｍ
ＢＥ法）では、エピタキシャル成長前、その場において
基板は、超高真空中またはＡｓ雰囲気中で熱処理が行な
われてきた。この熱処理により、エピタキシャル成長す
べき基板表面は清浄にされる。
ＢＥ法）では、エピタキシャル成長前、その場において
基板は、超高真空中またはＡｓ雰囲気中で熱処理が行な
われてきた。この熱処理により、エピタキシャル成長す
べき基板表面は清浄にされる。
【０００３】一方、最近、「ＧａＡｓ ａｎｄ Ｒｅｌ
ａｔｅｄ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ，Ａｔｌａｎｔａ，Ｇｅ
ｏｒｇｉａ，１９８８，ｐｐ．４７−５２」に示される
ように、３チャンバー型エッチング−分子線エピタキシ
ャル装置を用いたＭＢＥ法が開発されてきている。この
方法では、３チャンバーのうち１つのドライエッチング
チャンバー内においてＣｌ2 ガスを用い、熱エッチング
またはＥＣＲプラズマエッチングにより基板表面のクリ
ーニングが行なわれる。
ａｔｅｄ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ，Ａｔｌａｎｔａ，Ｇｅ
ｏｒｇｉａ，１９８８，ｐｐ．４７−５２」に示される
ように、３チャンバー型エッチング−分子線エピタキシ
ャル装置を用いたＭＢＥ法が開発されてきている。この
方法では、３チャンバーのうち１つのドライエッチング
チャンバー内においてＣｌ2 ガスを用い、熱エッチング
またはＥＣＲプラズマエッチングにより基板表面のクリ
ーニングが行なわれる。
【０００４】また、「ＧａＡｓ ａｎｄ Ｒｅｌａｔｅ
ｄ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ，Ｊｅｒｓｅｙ，１９９０，ｐ
ｐ．１１１−１１６」では、２チャンバー超高真空ＭＢ
Ｅ装置を用い、その中の１つのチャンバー内でＳｅ分子
線を基板に照射し、ＧａＡｓ表面のダングリングボンド
を終端して不活性化するとともに、ａ−Ｓｅ保護膜を形
成する方法が報告されている。
ｄ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ，Ｊｅｒｓｅｙ，１９９０，ｐ
ｐ．１１１−１１６」では、２チャンバー超高真空ＭＢ
Ｅ装置を用い、その中の１つのチャンバー内でＳｅ分子
線を基板に照射し、ＧａＡｓ表面のダングリングボンド
を終端して不活性化するとともに、ａ−Ｓｅ保護膜を形
成する方法が報告されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来、一般に行なわれ
てきた熱処理では、高温によって基板表面に損傷を与え
ることがあった。十分に表面の清浄化を行なおうとして
熱処理が過度になると、このように表面に損傷を与え表
面安定化を行なうことができなくなる一方、表面に損傷
を与えないよう熱処理を行なうと、表面のクリーニング
が不十分となることがしばしばあった。
てきた熱処理では、高温によって基板表面に損傷を与え
ることがあった。十分に表面の清浄化を行なおうとして
熱処理が過度になると、このように表面に損傷を与え表
面安定化を行なうことができなくなる一方、表面に損傷
を与えないよう熱処理を行なうと、表面のクリーニング
が不十分となることがしばしばあった。
【０００６】上述した３チャンバー型の装置において、
Ｃｌ2 を用いるＥＣＲプラズマエッチングでは、Ｏ、Ｃ
およびＣｌ等の不純物が基板に残り、深い準位を生成さ
せた。一方、上記文献においてＣｌ2 を用いる熱エッチ
ングは基板に清浄な表面をもたらしているが、熱処理に
より基板表面を損傷させるおそれがあった。
Ｃｌ2 を用いるＥＣＲプラズマエッチングでは、Ｏ、Ｃ
およびＣｌ等の不純物が基板に残り、深い準位を生成さ
せた。一方、上記文献においてＣｌ2 を用いる熱エッチ
ングは基板に清浄な表面をもたらしているが、熱処理に
より基板表面を損傷させるおそれがあった。
【０００７】また、Ｓｅ保護膜についての上記文献は、
分子線エピタキシャル成長に対するＳｅ膜の応用につい
て何ら言及していない。
分子線エピタキシャル成長に対するＳｅ膜の応用につい
て何ら言及していない。
【０００８】本発明の目的は、上記問題点を解決し、従
来よりも低温で効果的に基板表面を清浄化することがで
きる分子線エピタキシャル法およびその装置を提供する
ことにある。
来よりも低温で効果的に基板表面を清浄化することがで
きる分子線エピタキシャル法およびその装置を提供する
ことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】第１の発明にしたがう分
子線エピタキシャル成長法は、真空中で保持された基板
の表面をリモートプラズマ処理する工程と、真空状態を
保ちながら、リモートプラズマ処理された基板の表面に
分子線を照射してエピタキシャル層を形成する工程とを
備える。
子線エピタキシャル成長法は、真空中で保持された基板
の表面をリモートプラズマ処理する工程と、真空状態を
保ちながら、リモートプラズマ処理された基板の表面に
分子線を照射してエピタキシャル層を形成する工程とを
備える。
【００１０】第２の発明にしたがう分子線エピタキシャ
ル成長装置は、基板に分子線を照射して基板上にエピタ
キシャル層を形成するための装置において、基板を収容
して基板の表面をリモートプラズマにさらすための反応
室と、反応室を排気するための第１の真空ポンプと、反
応室にリモートプラズマを供給するためのリモートプラ
ズマ発生手段と、リモートプラズマ発生手段にプラズマ
形成のためのガスを供給するガス供給手段と、リモート
プラズマにより表面処理された基板を収容して分子線エ
ピタキシャル法を行なうための成長室と、成長室内を排
気するための第２の真空ポンプと、反応室と成長室とを
真空状態を維持しながら連絡し、前記基板を反応室から
成長室に搬送するための搬送室とを備える。
ル成長装置は、基板に分子線を照射して基板上にエピタ
キシャル層を形成するための装置において、基板を収容
して基板の表面をリモートプラズマにさらすための反応
室と、反応室を排気するための第１の真空ポンプと、反
応室にリモートプラズマを供給するためのリモートプラ
ズマ発生手段と、リモートプラズマ発生手段にプラズマ
形成のためのガスを供給するガス供給手段と、リモート
プラズマにより表面処理された基板を収容して分子線エ
ピタキシャル法を行なうための成長室と、成長室内を排
気するための第２の真空ポンプと、反応室と成長室とを
真空状態を維持しながら連絡し、前記基板を反応室から
成長室に搬送するための搬送室とを備える。
【００１１】本発明において、リモートプラズマを形成
するための原料ガスとして、たとえばＨ2 、Ｎ2 、Ａｓ
Ｈ3 およびＦ2 等を用いることができる。
するための原料ガスとして、たとえばＨ2 、Ｎ2 、Ａｓ
Ｈ3 およびＦ2 等を用いることができる。
【００１２】
【作用】この発明にしたがえば、リモートプラズマ処理
において活性なプラズマおよびラジカルが基板表面に到
達し、吸着分子等の表面コンタミナントを除去するとと
もに、処理において同時に供給される原子が表面ダング
リングボンドを終端して不活性化する。その結果、安定
な基板表面を得ることができる。なお、リモートプラズ
マ処理においてＨ2 を用いれば、還元作用により基板表
面の酸素等を除去することができ、ＡｓＨ3 を用いれ
ば、ＧａＡｓ等のＡｓ系化合物半導体基板をＡｓ抜けを
防止しながらクリーニングすることができる。
において活性なプラズマおよびラジカルが基板表面に到
達し、吸着分子等の表面コンタミナントを除去するとと
もに、処理において同時に供給される原子が表面ダング
リングボンドを終端して不活性化する。その結果、安定
な基板表面を得ることができる。なお、リモートプラズ
マ処理においてＨ2 を用いれば、還元作用により基板表
面の酸素等を除去することができ、ＡｓＨ3 を用いれ
ば、ＧａＡｓ等のＡｓ系化合物半導体基板をＡｓ抜けを
防止しながらクリーニングすることができる。
【００１３】このようなリモートプラズマ処理を用いる
ため、従来よりも低温で基板の表面処理を行なうことが
できる。したがって、熱による基板の損傷をより低減す
ることができる。
ため、従来よりも低温で基板の表面処理を行なうことが
できる。したがって、熱による基板の損傷をより低減す
ることができる。
【００１４】また、ダイレクトプラズマ処理ではなくリ
モートプラズマ処理、すなわち基板の場所とは異なる離
れた場所でプラズマを発生させてそれを基板表面に導く
処理は、プラズマによる基板の損傷を少なくすることが
できる他、大面積ウェハのクリーニングにも適用するこ
とができる。
モートプラズマ処理、すなわち基板の場所とは異なる離
れた場所でプラズマを発生させてそれを基板表面に導く
処理は、プラズマによる基板の損傷を少なくすることが
できる他、大面積ウェハのクリーニングにも適用するこ
とができる。
【００１５】第１の発明にしたがって、リモートプラズ
マ処理の後は、真空状態を維持しながら連続的にエピタ
キシャル成長へと移行する。したがって、基板表面を汚
すことなくＭＢＥ法によりエピタキシャル層を形成する
ことができる。
マ処理の後は、真空状態を維持しながら連続的にエピタ
キシャル成長へと移行する。したがって、基板表面を汚
すことなくＭＢＥ法によりエピタキシャル層を形成する
ことができる。
【００１６】第２の発明にしたがう装置では、まず、反
応室に基板を収容し、第１の真空ポンプで反応室内を真
空にした後、リモートプラズマ発生手段から反応室内に
リモートプラズマを供給して基板の表面を処理する。こ
れにより、基板の表面は清浄化される。その後、真空状
態が維持された搬送室を経由して、基板を反応室から第
２のポンプで真空にされた成長室に搬送する。こうし
て、基板はその表面が清浄に保たれたまま成長室に収容
される。その後、反応室内においてＭＢＥ法により基板
表面にエピタキシャル層が形成される。以上のようにし
て、本発明にしたがう装置ではリモートプラズマ処理の
後、基板表面を汚すことなくＭＢＥ法を行なうことがで
きる。
応室に基板を収容し、第１の真空ポンプで反応室内を真
空にした後、リモートプラズマ発生手段から反応室内に
リモートプラズマを供給して基板の表面を処理する。こ
れにより、基板の表面は清浄化される。その後、真空状
態が維持された搬送室を経由して、基板を反応室から第
２のポンプで真空にされた成長室に搬送する。こうし
て、基板はその表面が清浄に保たれたまま成長室に収容
される。その後、反応室内においてＭＢＥ法により基板
表面にエピタキシャル層が形成される。以上のようにし
て、本発明にしたがう装置ではリモートプラズマ処理の
後、基板表面を汚すことなくＭＢＥ法を行なうことがで
きる。
【００１７】
【実施例】図１に示す分子線エピタキシャル装置を用い
てＧａＡｓ基板上にエピタキシャル層を形成した。
てＧａＡｓ基板上にエピタキシャル層を形成した。
【００１８】分子線エピタキシャル装置１０において、
中央部には準備室７が設けられている。準備室７には超
高真空用ポンプ９ａが接続され、その内部が排気される
ようになっている。準備室７の一端は、第１搬送室１１
によりプラズマＣＶＤチャンバー５と連絡され、他端は
第２搬送室１２により成長室８と連絡される。第１搬送
室１１および第２搬送室１２にはゲートバルブ６ａ、６
ｂがそれぞれ設けられており、準備室７とプラズマＣＶ
Ｄチャンバー５、準備室７と成長室８をそれぞれ仕切る
ようになっている。
中央部には準備室７が設けられている。準備室７には超
高真空用ポンプ９ａが接続され、その内部が排気される
ようになっている。準備室７の一端は、第１搬送室１１
によりプラズマＣＶＤチャンバー５と連絡され、他端は
第２搬送室１２により成長室８と連絡される。第１搬送
室１１および第２搬送室１２にはゲートバルブ６ａ、６
ｂがそれぞれ設けられており、準備室７とプラズマＣＶ
Ｄチャンバー５、準備室７と成長室８をそれぞれ仕切る
ようになっている。
【００１９】プラズマＣＶＤチャンバー５には、基板を
載置するためのサセプタ４が設けられる。サセプタ４に
は、基板を回転させるためモータ（図示省略）が装備さ
れている。また、プラズマＣＶＤチャンバー５には、超
高真空用ポンプ９ｂが取付けられている。
載置するためのサセプタ４が設けられる。サセプタ４に
は、基板を回転させるためモータ（図示省略）が装備さ
れている。また、プラズマＣＶＤチャンバー５には、超
高真空用ポンプ９ｂが取付けられている。
【００２０】一方、プラズマＣＶＤチャンバー５には、
高周波誘起プラズマ発生装置３が接続される。高周波誘
起プラズマ発生装置３には、ガスボンベ１ａ、バルブ１
ｂおよびマスフローコントローラ１ｃを有する原料ガス
供給系１が取付けられている。
高周波誘起プラズマ発生装置３が接続される。高周波誘
起プラズマ発生装置３には、ガスボンベ１ａ、バルブ１
ｂおよびマスフローコントローラ１ｃを有する原料ガス
供給系１が取付けられている。
【００２１】成長室８は、ＭＢＥ法を行なうためのもの
で、図示しないが、分子線を噴出するためのセル等、Ｍ
ＢＥ法に必要な通常の装備がなされている。また、成長
室８にも超高真空用ポンプ９ｃが取付けられている。
で、図示しないが、分子線を噴出するためのセル等、Ｍ
ＢＥ法に必要な通常の装備がなされている。また、成長
室８にも超高真空用ポンプ９ｃが取付けられている。
【００２２】以上のように構成される装置において、ま
ず、基板２０をプラズマＣＶＤチャンバー５のサセプタ
４に載置し、超高真空用ポンプ９ｂで排気を行なう。こ
の時、ゲートバルブ６ａは閉められており、準備室７と
プラズマＣＶＤチャンバー５は完全に隔離されている。
その後、原料ガス供給系１から高周波誘起プラズマ発生
装置３に原料ガスが供給される。同装置３において、高
周波電圧が印加され、原料ガス中にプラズマおよびラジ
カルが発生される。プラズマおよびラジカルを含む原料
ガスは、プラズマＣＶＤチャンバー５内に導入され、基
板２０表面に達する。そして、基板２０は回転されなが
らガスにさらされ、リモートプラズマ処理される。
ず、基板２０をプラズマＣＶＤチャンバー５のサセプタ
４に載置し、超高真空用ポンプ９ｂで排気を行なう。こ
の時、ゲートバルブ６ａは閉められており、準備室７と
プラズマＣＶＤチャンバー５は完全に隔離されている。
その後、原料ガス供給系１から高周波誘起プラズマ発生
装置３に原料ガスが供給される。同装置３において、高
周波電圧が印加され、原料ガス中にプラズマおよびラジ
カルが発生される。プラズマおよびラジカルを含む原料
ガスは、プラズマＣＶＤチャンバー５内に導入され、基
板２０表面に達する。そして、基板２０は回転されなが
らガスにさらされ、リモートプラズマ処理される。
【００２３】リモートプラズマ処理の後、ゲートバルブ
６ａを開き、予め超高真空用ポンプ９ａで排気された準
備室７とプラズマＣＶＤチャンバー５を連絡させる。つ
いで、第１搬送室１１を通じて準備室７に基板を移動さ
せる。次に、ゲートバルブ６ａを閉じ、準備室７を超高
真空（〜１０-11 ｍｂ）まで到達させた後、ゲートバル
ブ６ｂを開け、予め超高真空用ポンプ９ｃにより超高真
空にされた成長室８に第２搬送室１２を通じて基板を移
動させる。成長室８内に基板が収容されたらゲートバル
ブ６ｂを閉じ、ＭＢＥ法を開始する。以上のようにして
基板上にエピタキシャル層が形成される。
６ａを開き、予め超高真空用ポンプ９ａで排気された準
備室７とプラズマＣＶＤチャンバー５を連絡させる。つ
いで、第１搬送室１１を通じて準備室７に基板を移動さ
せる。次に、ゲートバルブ６ａを閉じ、準備室７を超高
真空（〜１０-11 ｍｂ）まで到達させた後、ゲートバル
ブ６ｂを開け、予め超高真空用ポンプ９ｃにより超高真
空にされた成長室８に第２搬送室１２を通じて基板を移
動させる。成長室８内に基板が収容されたらゲートバル
ブ６ｂを閉じ、ＭＢＥ法を開始する。以上のようにして
基板上にエピタキシャル層が形成される。
【００２４】上述したと同様の構造を有する装置におい
てＭＢＥ成長を行なった。基板にはＧａＡｓ、原料ガス
にはＨ2 を用いた。Ｈ2 を５０ｓｃｃｍ流し、１３．５
６ＭＨｚの高周波によりプラズマを発生させた。上述し
たように、ＧａＡｓ基板を回転させながら水素のプラズ
マおよびラジカルにさらしてＧａＡｓ基板の表面を処理
した。次に、上述した手順を踏んでＧａＡｓ基板を成長
室に移動させ、通常の手順にしたがって、処理された基
板表面にＡｌＧａＡｓをヘテロエピタキシャル成長させ
た。その後、ＭＩＳ構造を形成し、そのＣ−Ｖ特性を測
定することにより界面準位密度を求めた。その結果、表
面をリモートプラズマ処理した後、エピタキシャル成長
させた試料の界面準位密度は〜１０11ｃｍ-2・ｅＶ-1で
あった。一方、表面処理を行なわずにヘテロエピタキシ
ャル成長させた試料の界面準位密度は〜１０12ｃｍ-2・
ｅＶ-1であった。この結果より、リモートプラズマを用
いた表面処理により、界面準位密度が約１桁減少するこ
とが明らかとなった。
てＭＢＥ成長を行なった。基板にはＧａＡｓ、原料ガス
にはＨ2 を用いた。Ｈ2 を５０ｓｃｃｍ流し、１３．５
６ＭＨｚの高周波によりプラズマを発生させた。上述し
たように、ＧａＡｓ基板を回転させながら水素のプラズ
マおよびラジカルにさらしてＧａＡｓ基板の表面を処理
した。次に、上述した手順を踏んでＧａＡｓ基板を成長
室に移動させ、通常の手順にしたがって、処理された基
板表面にＡｌＧａＡｓをヘテロエピタキシャル成長させ
た。その後、ＭＩＳ構造を形成し、そのＣ−Ｖ特性を測
定することにより界面準位密度を求めた。その結果、表
面をリモートプラズマ処理した後、エピタキシャル成長
させた試料の界面準位密度は〜１０11ｃｍ-2・ｅＶ-1で
あった。一方、表面処理を行なわずにヘテロエピタキシ
ャル成長させた試料の界面準位密度は〜１０12ｃｍ-2・
ｅＶ-1であった。この結果より、リモートプラズマを用
いた表面処理により、界面準位密度が約１桁減少するこ
とが明らかとなった。
【００２５】なお、上記実施例ではプラズマを形成する
ための原料ガスとしてＨ2 を用いたが、その他にたとえ
ば、Ｎ2 、ＡｓＨ3 およびＦ2 等を用いることができ
る。また、本発明にしたがう装置は、上記実施例に限定
されるものではなく、種々の構造および装備を有するこ
とができる。
ための原料ガスとしてＨ2 を用いたが、その他にたとえ
ば、Ｎ2 、ＡｓＨ3 およびＦ2 等を用いることができ
る。また、本発明にしたがう装置は、上記実施例に限定
されるものではなく、種々の構造および装備を有するこ
とができる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、基板
表面のクリーニングにリモートプラズマを用いるため、
従来よりも低温で、基板に損傷を与えることなく効果的
に基板表面を清浄化することができる。
表面のクリーニングにリモートプラズマを用いるため、
従来よりも低温で、基板に損傷を与えることなく効果的
に基板表面を清浄化することができる。
【００２７】また、本発明では、基板表面のクリーニン
グの後、真空中において連続的にエピタキシャル成長さ
せるので、界面準位密度を低く抑えてエピタキシャル成
長を行なうことができる。
グの後、真空中において連続的にエピタキシャル成長さ
せるので、界面準位密度を低く抑えてエピタキシャル成
長を行なうことができる。
【００２８】したがって、本発明を表面準位密度の高い
ＧａＡｓなどのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板へのエピ
タキシャル成長に利用すると非常に効果的である。
ＧａＡｓなどのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板へのエピ
タキシャル成長に利用すると非常に効果的である。
【図１】本発明にしたがう装置の一具体例を示す模式図
である。
である。
１ 原料ガス供給系 ３ 高周波誘起プラズマ発生装置 ４ サセプタ ５ プラズマＣＶＤチャンバー ６ａ、６ｂ ゲートバルブ ７ 準備室 ８ 成長室 ９ａ、９ｂ、９ｃ 超高真空用ポンプ
Claims (2)
- 【請求項１】 真空中で保持された基板の表面をリモー
トプラズマ処理する工程と、 真空状態を保ちながら、リモートプラズマ処理された基
板の表面に分子線を照射して前記表面にエピタキシャル
層を形成する工程とを備える、分子線エピタキシャル成
長法。 - 【請求項２】 基板に分子線を照射して前記基板上にエ
ピタキシャル層を形成するための装置において、 前記基板を収容して前記基板の表面をリモートプラズマ
にさらすための反応室と、 前記反応室を排気するための第１の真空ポンプと、 前記反応室にリモートプラズマを供給するためのリモー
トプラズマ発生手段と、 前記リモートプラズマ発生手段にプラズマ形成のための
ガスを供給するガス供給手段と、 前記リモートプラズマにより表面処理された基板を収容
して、分子線エピタキシャル成長法を行なうための成長
室と、 前記成長室内を排気するための第２の真空ポンプと、 前記反応室と前記成長室とを真空状態を維持しながら連
絡し、前記基板を前記反応室から前記成長室に搬送する
ための搬送室とを備える、分子線エピタキシャル成長装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30208191A JPH05139881A (ja) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | 分子線エピタキシヤル成長法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30208191A JPH05139881A (ja) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | 分子線エピタキシヤル成長法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05139881A true JPH05139881A (ja) | 1993-06-08 |
Family
ID=17904697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30208191A Withdrawn JPH05139881A (ja) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | 分子線エピタキシヤル成長法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05139881A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6783627B1 (en) | 2000-01-20 | 2004-08-31 | Kokusai Semiconductor Equipment Corporation | Reactor with remote plasma system and method of processing a semiconductor substrate |
| KR100704591B1 (ko) * | 2000-03-21 | 2007-04-09 | 주성엔지니어링(주) | Ｃｖｄ 장치 및 그 내부 세정방법 |
| JP2009224808A (ja) * | 1997-12-30 | 2009-10-01 | Applied Materials Inc | サブクオーターミクロン適用のための、メタライゼーションに先立つ予備洗浄方法 |
-
1991
- 1991-11-18 JP JP30208191A patent/JPH05139881A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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