JP5329661B2 - インプリント用モールドおよびその製造方法 - Google Patents

インプリント用モールドおよびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5329661B2
JP5329661B2 JP2011518202A JP2011518202A JP5329661B2 JP 5329661 B2 JP5329661 B2 JP 5329661B2 JP 2011518202 A JP2011518202 A JP 2011518202A JP 2011518202 A JP2011518202 A JP 2011518202A JP 5329661 B2 JP5329661 B2 JP 5329661B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mold
crystalline polymer
fine pattern
surface layer
chain crystalline
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2011518202A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2010143321A1 (ja
Inventor
真一 仲野
伸一郎 河原
真二 松井
真 岡田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitta Corp
Hyogo Prefectural Government
Original Assignee
Nitta Corp
Hyogo Prefectural Government
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitta Corp, Hyogo Prefectural Government filed Critical Nitta Corp
Priority to JP2011518202A priority Critical patent/JP5329661B2/ja
Publication of JPWO2010143321A1 publication Critical patent/JPWO2010143321A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5329661B2 publication Critical patent/JP5329661B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/38Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/38Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
    • B29C33/3842Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining
    • B29C33/3857Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining by making impressions of one or more parts of models, e.g. shaped articles and including possible subsequent assembly of the parts
    • B29C33/3878Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining by making impressions of one or more parts of models, e.g. shaped articles and including possible subsequent assembly of the parts used as masters for making successive impressions
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04Homopolymers or copolymers of esters
    • C08L33/06Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, which oxygen atoms are present only as part of the carboxyl radical

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)

Description

本発明は、インプリント用のモールドおよびその製造方法に関する。
近時、微細パターンを基板表面に効率よく形成してスループットを高めることが可能なインプリントリソグラフィー(imprint lithography)が注目されている。インプリントリソグラフィーは、基板表面に硬化性樹脂組成物からなる皮膜を形成し、この皮膜表面をモールドで加圧してモールドの微細パターンを転写し、微細パターンが転写された皮膜を硬化させて、微細パターンを基板表面に形成する方法である。
インプリントリソグラフィーで形成される微細パターンは、用いるモールドの微細パターンに対応するため、インプリントリソグラフィーにおけるモールドの重要性は高い。モールドの微細パターンは、前記樹脂組成物の付着を防ぐため、通常、フッ素含有自己組織化膜(fluorinated self-assembled monolayer)等による離型処理が施されている。
ところが、インプリントリソグラフィーを繰り返し行うと、微細パターンに施された離型処理が劣化するという問題がある(例えば、非特許文献1参照)。離型処理が劣化したモールドでインプリントリソグラフィーを行うと、転写精度が低下するのみならず、モールド自体も破損する。
モールドの微細パターンに再離型処理を施すと、インプリントリソグラフィーの特徴の一つである高スループット化が損なわれる。また、モールドの微細パターンは、通常、電子ビーム(EB:electron beam)リソグラフィーによって形成される。EBリソグラフィーは、複雑なパターンになるほど形成に時間を要するため、モールドが破損すると、簡単に再現することはできない。そのため、離型処理や再離型処理を施す必要がなく、簡単に再現可能なモールドの開発が要望されている。
Y.Tada,H.Yoshida,and A.Miyauchi,J.Photopolym.Sci.Technol., 20,p545,2007
本発明の課題は、高い離型性を有し、かつ簡単に再現可能なインプリント用モールドおよびその製造方法を提供することである。
本発明のインプリント用モールドは、微細パターンを表面に有する表面層と、この表面層の前記表面と反対の裏面を支持する支持層と、を備え、前記表面層が側鎖結晶性ポリマーからなる。
本発明のインプリント用モールドの製造方法は、支持層上に側鎖結晶性ポリマーからなる表面層を積層する工程と、この表面層の表面を、微細パターンを有するマスター型にて、前記側鎖結晶性ポリマーの融点以上の温度で加圧する工程と、ついで前記表面層の温度を側鎖結晶性ポリマーの融点未満の温度にし、前記表面層の表面からマスター型を剥離し、マスター型の前記微細パターンを表面層の表面に転写する工程と、を含む。
本発明のインプリント用モールドによれば、モールドの微細パターンが離型性に優れる側鎖結晶性ポリマーからなるので、モールドの微細パターンに離型処理を施す必要がない。したがって、モールドの微細パターンに従来のような再離型処理を施す必要もなく、インプリントリソグラフィーの高スループット化を損なうことがない。
本発明のインプリント用モールドの製造方法によれば、側鎖結晶性ポリマーにマスター型の微細パターンを熱インプリントすることによって、モールドの微細パターンを形成する。側鎖結晶性ポリマーに対する熱インプリントは比較的低温で行うことができるので、短時間で効率よく熱インプリントを行い本発明のモールドを得ることができる。しかも、マスター型を繰り返し使用することによって、前記モールドを簡単に再現することができる。
本発明のインプリント用モールドにかかる一実施形態を示す概略側面図である。 (a)〜(d)は、図1に示すインプリント用モールドの製造方法を示す工程図である。 (a)〜(d)は、図1に示すインプリント用モールドを用いて微細構造を製造する一実施形態を示す工程図である。 実施例で得たインプリント用モールドの走査型電子顕微鏡写真である。
以下、本発明のインプリント用モールドにかかる一実施形態について、図1を参照して詳細に説明する。同図に示すように、本実施形態にかかるインプリント用モールド10は、表面層1と支持層5とを備えている。
表面層1は、側鎖結晶性ポリマーからなる。該側鎖結晶性ポリマーは、融点未満の温度で結晶化し、かつ前記融点以上の温度で流動性を示すポリマーである。すなわち、前記側鎖結晶性ポリマーは、温度変化に対応して結晶状態と流動状態とを可逆的に起こす。
前記側鎖結晶性ポリマーからなる表面層1は、その表面1aに微細パターン2が形成されており、この微細パターン2も側鎖結晶性ポリマーからなる。前記結晶状態の側鎖結晶性ポリマーは、高い離型性を有している。したがって、微細パターン2も高い離型性を有しており、それゆえ微細パターン2に従来のような離型処理を施す必要がない。
前記融点とは、ある平衡プロセスにより、最初は秩序ある配列に整合されていた重合体の特定部分が無秩序状態となる温度を意味し、示差熱走査熱量計(DSC)により10℃/分の測定条件で測定して得られる値である。モールド10は、側鎖結晶性ポリマーが結晶状態にある融点未満の温度で使用する。したがって、前記融点としては30℃以上が好ましく、50〜60℃がより好ましい。
一方、前記融点があまり低いと、モールド10を使用可能な温度範囲が狭くなるので好ましくない。また、モールド10の微細パターン2は、後述するように熱インプリントで成形する。そのため、前記融点があまり高いと、熱インプリントし難くなるので好ましくない。前記融点を所定の値とするには、側鎖結晶性ポリマーの組成等を変えることによって任意に行うことができる。
前記側鎖結晶性ポリマーの組成としては、例えば炭素数16以上の直鎖状アルキル基を有する(メタ)アクリレート20〜100重量部と、炭素数1〜6のアルキル基を有する(メタ)アクリレート0〜70重量部と、極性モノマー0〜10重量部と、を重合させて得られる重合体等が挙げられる。
前記炭素数16以上の直鎖状アルキル基を有する(メタ)アクリレートとしては、例えばセチル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、エイコシル(メタ)アクリレート、ベヘニル(メタ)アクリレート等の炭素数16〜22の線状アルキル基を有する(メタ)アクリレートが挙げられ、前記炭素数1〜6のアルキル基を有する(メタ)アクリレートとしては、例えばメチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、ヘキシル(メタ)アクリレート等が挙げられ、前記極性モノマーとしては、例えばアクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸等のカルボキシル基含有エチレン不飽和単量体;2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシヘキシル(メタ)アクリレート等のヒドロキシル基を有するエチレン不飽和単量体等が挙げられ、これらは1種または2種以上を混合して用いてもよい。
重合方法としては、特に限定されるものではなく、例えば溶液重合法、塊状重合法、懸濁重合法、乳化重合法等が採用可能である。例えば溶液重合法を採用する場合には、前記で例示したモノマーを溶剤に混合し、40〜90℃程度で2〜10時間程度攪拌することによって前記モノマーを重合させることができる。
前記側鎖結晶性ポリマーの重量平均分子量は100,000以上、好ましくは400,000〜800,000であるのがよい。前記重量平均分子量があまり小さいと、微細パターン2の強度が低下して損傷しやすくなるおそれがある。また、前記重量平均分子量があまり大きいと、側鎖結晶性ポリマーを融点以上の温度にしても流動性を示し難くなるので、熱インプリントし難くなる。前記重量平均分子量は、側鎖結晶性ポリマーをゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)で測定し、得られた測定値をポリスチレン換算した値である。
表面層1の厚さとしては、0.01〜1,000μm程度が適当である。表面層1の厚さとは、表面1aと、該表面1aと反対の裏面1bとの間の距離が最も大きくなる厚さを意味する。また、微細パターン2は、ナノないしマイクロメートルスケールが好ましい。微細パターン2の形状は、特に限定されるものではなく、所望のものが採用可能である。
一方、支持層5は、表面層1の裏面1bを支持するものであり、モールド10に剛性を付与するものである。支持層5を構成する材料としては、例えばシリコン、シリコーン、(SiO2)ガラス等が挙げられる。支持層5の厚さとしては、10〜1,000μm程度が適当である。
また、表面層1を支持する支持層5の表面5aには、表面処理を施すのが好ましい。これにより、表面5aが粗面化され、支持層5と表面層1との密着性を向上させることができる。前記表面処理としては、例えばコロナ放電処理、プラズマ処理、ブラスト処理、ケミカルエッチング処理、プライマー処理等が挙げられる。
ここで、前記側鎖結晶性ポリマーからなる表面層1は、通常、UV透過性を有している。インプリントリソグラフィーをUV硬化性樹脂組成物に対して行う場合には、UV透過性を有する材料で支持層5を構成するのが好ましい。これにより、モールド10全体がUV透過性を有するようになるので、該モールド10を介してUV硬化性樹脂組成物にUVを照射することができる。
次に、モールド10の製造方法について、図2を参照して詳細に説明する。図2(a)に示すように、まず、支持層5上に側鎖結晶性ポリマーからなる表面層1を積層する。表面層1が積層される支持層5の表面5aは、表面層1との密着性を向上させる上で、表面処理を施し粗面化するのが好ましい。また、前記積層は、前記側鎖結晶性ポリマーを溶剤に加えた塗布液を、支持層5上に塗布して乾燥させることにより行う。
前記塗布は、一般的にナイフコーター、ロールコーター、カレンダーコーター、コンマコーター等により行うことができる。また、塗工厚みや塗布液の粘度によっては、グラビアコーター、ロッドコーター、スピンコーター等により行うこともできる。
なお、表面層1の積層は、前記塗布の他、例えば押し出し成形やカレンダー加工によってシート状ないしフィルム状に成形した表面層1を支持層5上に積層することにより行うこともできる。
支持層5上に表面層1を積層した後、図2(b)に示すように、表面層1上方にマスター型20を配置する。該マスター型20を構成する材料としては、側鎖結晶性ポリマーに対する親和性の低い材料が好ましく、例えばシリコン、シリコーン、(SiO2)ガラス等が挙げられる。
表面層1の表面1aと対向するマスター型20の表面20aには、微細パターン21が形成されている。該微細パターン21の逆パターンが、モールド10の微細パターン2になる。したがって、微細パターン21の形状は、所望の微細パターン2と逆パターンのものを採用する。微細パターン21は、ナノないしマイクロメートルスケールが好ましく、EBリソグラフィーにより形成することができる。
このマスター型20を矢印A方向に動かして、図2(c)に示すように、表面層1の表面1aをマスター型20で加圧する。この加圧は、前記側鎖結晶性ポリマーの融点以上の温度で行う。これにより、前記側鎖結晶性ポリマーが流動状態になり、マスター型20の微細パターン21を表面層1の表面1aに転写する熱インプリントが可能になる。
加圧温度としては、前記側鎖結晶性ポリマーの融点+10℃〜融点+30℃の温度が好ましい。これにより、前記側鎖結晶性ポリマーが適度な流動状態になり、マスター型20による転写精度が向上し、比較的低温での熱インプリントが達成される。これに対し、前記加圧温度があまり低いと、側鎖結晶性ポリマーの流動状態が低くなり、マスター型20による転写精度が低下するおそれがある。また、前記加圧温度があまり高いと、側鎖結晶性ポリマーを必要以上に加熱することになり、熱エネルギーを多く要するなど経済的に不利となる。
前記加圧温度の調整は、例えばマスター型20の表面20aと反対の裏面20bにヒーター等の加熱手段を配設し、該加熱手段にて微細パターン21の表面温度を所定温度に加熱するか、雰囲気温度を前記側鎖結晶性ポリマーの融点以上の温度に調整することなどにより行うことができる。その他の加圧条件としては、圧力0.1〜100MPa程度、加圧時間5〜300秒程度が好ましい。
表面層1の表面1aをマスター型20で加圧した後、この状態を保持しつつ、ファン等の冷却手段を用いて表面層1の温度を前記側鎖結晶性ポリマーの融点未満の温度にまで冷却する。これにより、前記側鎖結晶性ポリマーが結晶状態になる。
そして、図2(d)に示すように、マスター型20を矢印B方向に動かして、結晶状態の側鎖結晶性ポリマーで形成された表面層1の表面1aからマスター型20を剥離する。このとき、結晶状態の側鎖結晶性ポリマーは、前記したように高い離型性を有している。したがって、マスター型20の微細パターン21に離型処理を施さなくても、マスター型20を表面層1から剥離することができ、生産性を高めることができる。
マスター型20を表面層1から剥離すると、マスター型20の微細パターン21が表面層1の表面1aに転写され、微細パターン21と逆パターンの微細パターン2を有するモールド10が得られる。さらに、マスター型20を用いて前記した各工程を繰り返し行えば、モールド10を簡単に再現することができる。
次に、モールド10を用いて微細構造を製造する一実施形態について、硬化性樹脂組成物にUV硬化性樹脂組成物を用いた場合を例に挙げ、図3を参照して詳細に説明する。図3(a)に示すように、まず、基板51表面に皮膜52を形成する。
基板51を構成する材料としては、例えばシリコン、(SiO2)ガラス等の他、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、エチレン酢酸ビニル共重合体、エチレンエチルアクリレート共重合体、エチレンポリプロピレン共重合体、ポリ塩化ビニル等の合成樹脂が挙げられる。基板51はフレキシブル性を有するのが好ましく、その厚さとしては、例えば50〜300μm、好ましくは100〜150μm程度である。
皮膜52は、UV硬化性樹脂組成物からなる。該UV硬化性樹脂組成物は、UV(紫外線)が照射されることにより硬化するものであり、各種の公知のものが採用可能である。皮膜52の形成は、例えばUV硬化性樹脂組成物を所定の溶剤に加えて塗布液を得、この塗布液を基板51表面に塗布して乾燥させればよい。前記塗布は、例えばスピンコーティング、スリットコーティング、スプレーコーティング、ローラーコーティング等により行うことができる。未硬化の皮膜52の厚さは、例えば0.01〜1000μm、好ましくは0.01〜500μm程度である。
基板51表面に皮膜52を形成した後、図3(b)に示すように、皮膜52上方にモールド10を配置する。この配置は、モールド10の微細パターン2が被膜52と対向するように行う。次に、このモールド10を矢印C方向に動かして、図3(c)に示すように、皮膜52表面をモールド10で加圧する。これにより、モールド10の微細パターン2が被膜52に転写される。
加圧条件としては、圧力が0.1〜100MPa程度であり、加圧時間が5〜300秒程度である。微細パターン2が転写された皮膜52の硬化は、皮膜52表面をモールド10で加圧した状態、すなわち図3(c)に示す状態の被膜52に対してUVを照射することにより行う。
UV照射方向としては、被膜52にUVを照射することが可能な限り、特に限定されるものではない。すなわち、基板51がUV透過性を有している場合には、基板51の裏面側から被膜52に対してUVを照射すればよい。また、モールド10の支持層5がUV透過性を有する材料で構成されている場合には、前記したようにモールド10全体がUV透過性を有するようになるので、該モールド10を介して皮膜52にUVを照射することができる。
次に、図3(d)に示すように、モールド10を矢印D方向に動かして、硬化被膜53からモールド10を剥離する。このとき、モールド10の微細パターン2には離型処理が施されていないが、該微細パターン2は前記した理由から高い離型性を有しているので、剥離時に硬化被膜53にかかる負荷は小さい。したがって、硬化被膜53からモールド10を剥離すると、優れた精度で微細パターン2が転写された硬化被膜53と、基板51とからなる微細構造50が得られる。なお、硬化被膜53の厚さとしては、例えば0.01〜1000μm、好ましくは0.01〜500μm程度である。
得られた微細構造50は、その残膜54を、例えば酸素リアクティブイオンエッチング等にて除去し、隣接する硬化被膜53,53間から基板51表面を露出させた後、硬化被膜53をマスクとしてエッチング処理を行うか、アルミ等をリフトオフ加工して配線等に利用することができる。
なお、前記実施形態では、硬化性樹脂組成物としてUV硬化性樹脂組成物を例に挙げて説明したが、他の硬化性樹脂組成物として、例えばポリメチルメタクリレート(PMMA)等の熱可塑性樹脂組成物を用いることもできる。また、前記実施形態では、微細パターンが転写された皮膜の硬化を、モールドにて加圧した状態で行う場合について説明したが、前記皮膜の硬化は、モールドを剥離した後に行うこともできる。
以下、実施例を挙げて本発明についてさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
以下の実施例で使用した側鎖結晶性ポリマーの製造は、次の通りである。
<合成例>
ベヘニルアクリレート(日油社製)を50部、メチルアクリレート(日本触媒社製)を45部、アクリル酸を5部およびパーブチルND(日油社製)を0.2部の割合で、それぞれ酢酸エチル230部に加えて混合し、55℃で4時間撹拌して、これらのモノマーを重合させた。得られた共重合体(側鎖結晶性ポリマー)の重量平均分子量は60万、融点は55℃であった。前記重量平均分子量は、共重合体をGPCで測定し、得られた測定値をポリスチレン換算した値である。また、前記融点は、DSCを用いて10℃/分の測定条件で測定した値である。
<インプリント用モールドの作製>
図2に示すようにして、本発明にかかるインプリント用モールドを作製した。用いた各部材は、以下の通りである。
表面層:前記合成例で得られた側鎖結晶性ポリマーを用いた。
支持層:厚さ625μmのシリコンを用いた。前記表面層を支持する支持層の表面には、表面処理としてドライエッチング処理を施した。前記ドライエッチング処理は、SF6ガスで行った。
マスター型:EBリソグラフィーで形成されたナノメートルスケールの微細パターンを表面に有するシリコンからなる型を用いた。
マスター型の前記微細パターンは、凸条が複数並設された形状をなす。前記凸条は、幅が490nmであり、ピッチ間隔が180nmである。なお、前記幅およびピッチ間隔は、いずれもn=10の平均値である。マスター型の前記微細パターンには、離型処理を施さなかった。
加圧条件は、以下の通りである。
加圧温度:70℃(側鎖結晶性ポリマーの融点+15℃)
圧力:5MPa
加圧時間:60秒
なお、前記加圧温度の調整は、マスター型の裏面にヒーターを配設し、該ヒーターにて微細パターンの表面温度が70℃になるよう加熱することにより行った。
モールドの作製は、以下のようにして行った。まず、支持層上に表面層を積層した(図2(a)参照)。この積層は、前記側鎖結晶性ポリマーを酢酸エチルに加えた塗布液を支持層上にスピンコーターで塗布し、100℃の雰囲気温度で乾燥させることにより行った。積層された表面層の厚さは1μmであった。
次に、表面層上方にマスター型を配置し(図2(b)参照)、該マスター型により表面層の表面を前記加圧条件で加圧した(図2(c)参照)。このマスター型による加圧状態を保持しつつ、ファンを用いて表面層の温度を前記側鎖結晶性ポリマーの融点未満の温度である室温(23℃)まで冷却した。そして、表面層の表面からマスター型を剥離し、モールドを得た(図2(d)参照)。
得られたモールドの微細パターンについて、走査型電子顕微鏡による顕微鏡観察を行った(倍率:12,000倍)。その結果を、図4に示す。同図から明らかなように、モールドにおける表面層の表面にマスター型の微細パターンの逆パターンが精度よく転写されているのがわかる。具体的に説明すると、180nmの幅d1を有する凸条30が、490nmのピッチ間隔d2で複数並設されているのがわかる。幅d1およびピッチ間隔d2は、いずれもn=10の平均値である。
また、剥離後のマスター型の微細パターンを目視観察した結果、側鎖結晶性ポリマーは付着していなかった。これらの結果から、側鎖結晶性ポリマーにマスター型の微細パターンを熱(ナノ)インプリントすることによって、モールドの微細パターンを形成可能なことがわかる。また、マスター型の微細パターンには離型処理を施す必要がなく、生産性にも優れていると言える。得られたモールドを用いれば、該モールドの微細パターンに離型処理を施さなくてもインプリントリソグラフィーが可能であると期待される。

Claims (14)

  1. 微細パターンを表面に有する表面層と、
    この表面層の前記表面と反対の裏面を支持する支持層と、を備え、
    前記表面層が側鎖結晶性ポリマーからなるとともに、
    前記支持層が剛性を有することを特徴とするインプリント用モールド。
  2. 基板表面の皮膜にモールドを押し当てて加圧し、モールド表面の微細パターンを基板表面の皮膜へ転写し、その後皮膜を硬化させて微細パターンを基板表面に形成するインプリントリソグラフィーに使用されるモールドであって、
    前記微細パターンを表面に有する表面層と、
    この表面層の前記表面と反対の裏面を支持する支持層と、を備え、
    前記表面層が側鎖結晶性ポリマーからなり、
    前記基板表面の皮膜に前記モールドを押し当てるときの前記側鎖結晶性ポリマーが、結晶状態であることを特徴とするインプリント用モールド。
  3. 前記側鎖結晶性ポリマーは、融点未満の温度で結晶化し、かつ前記融点以上の温度で流動性を示す請求項1または2記載のインプリント用モールド。
  4. 前記側鎖結晶性ポリマーの融点が30℃以上である請求項1〜3のいずれかに記載のインプリント用モールド。
  5. 前記側鎖結晶性ポリマーが、炭素数16以上の直鎖状アルキル基を有する(メタ)アクリレート20〜100重量部と、炭素数1〜6のアルキル基を有する(メタ)アクリレート0〜70重量部と、極性モノマー0〜10重量部と、を重合させて得られる重合体である請求項1〜4のいずれかに記載のインプリント用モールド。
  6. 前記側鎖結晶性ポリマーの重量平均分子量が100,000以上である請求項1〜5のいずれかに記載のインプリント用モールド。
  7. 前記微細パターンに離型処理が施されていない請求項1〜6のいずれかに記載のインプリント用モールド。
  8. 前記微細パターンがナノないしマイクロメートルスケールである請求項1〜7のいずれかに記載のインプリント用モールド。
  9. 前記表面層を支持する前記支持層の表面に、表面処理が施されている請求項1〜8のいずれかに記載のインプリント用モールド。
  10. 剛性を有する支持層上に側鎖結晶性ポリマーからなる表面層を積層する工程と、
    この表面層の表面を、微細パターンを有するマスター型にて、前記側鎖結晶性ポリマーの融点以上の温度で加圧する工程と、
    ついで前記表面層の温度を側鎖結晶性ポリマーの融点未満の温度にし、前記表面層の表面からマスター型を剥離し、マスター型の前記微細パターンを表面層の表面に転写する工程と、
    を含むことを特徴とするインプリント用モールドの製造方法。
  11. 前記表面層が積層される前記支持層の表面に、表面処理を施す請求項10記載のインプリント用モールドの製造方法。
  12. 前記マスター型の微細パターンに離型処理が施されていない請求項10または11記載のインプリント用モールドの製造方法。
  13. 前記マスター型を構成する材料が、シリコン、シリコーンおよび(SiO)ガラスから選ばれる請求項10〜12のいずれかに記載のインプリント用モールドの製造方法。
  14. 前記加圧を、前記側鎖結晶性ポリマーの融点+10℃〜融点+30℃の温度で行う請求項10〜13のいずれかに記載のインプリント用モールドの製造方法。
JP2011518202A 2009-06-08 2009-10-27 インプリント用モールドおよびその製造方法 Active JP5329661B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011518202A JP5329661B2 (ja) 2009-06-08 2009-10-27 インプリント用モールドおよびその製造方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009137553 2009-06-08
JP2009137553 2009-06-08
JP2011518202A JP5329661B2 (ja) 2009-06-08 2009-10-27 インプリント用モールドおよびその製造方法
PCT/JP2009/068383 WO2010143321A1 (ja) 2009-06-08 2009-10-27 インプリント用モールドおよびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2010143321A1 JPWO2010143321A1 (ja) 2012-11-22
JP5329661B2 true JP5329661B2 (ja) 2013-10-30

Family

ID=43308585

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011518202A Active JP5329661B2 (ja) 2009-06-08 2009-10-27 インプリント用モールドおよびその製造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5329661B2 (ja)
KR (1) KR101355036B1 (ja)
CN (1) CN102458800B (ja)
TW (1) TWI461277B (ja)
WO (1) WO2010143321A1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5463072B2 (ja) * 2009-05-12 2014-04-09 ニッタ株式会社 微細構造の製造方法
JP5463087B2 (ja) * 2009-06-22 2014-04-09 ニッタ株式会社 微細構造の製造方法
JP2012143915A (ja) * 2011-01-10 2012-08-02 Scivax Kk インプリント用型
JP6304735B2 (ja) * 2013-05-10 2018-04-04 ニッタ株式会社 インプリント用レジスト材およびそれを用いた微細構造の製造方法
JP7245973B2 (ja) * 2019-02-04 2023-03-27 パナソニックIpマネジメント株式会社 パターンの形成方法および装置
CN110316694B (zh) * 2019-07-09 2022-03-15 嘉兴学院 一种具有微纳米形态模具的加工方法
CN113189840A (zh) * 2021-04-16 2021-07-30 深圳先进技术研究院 微纳结构制作方法及微纳结构制作装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4944076A (ja) * 1972-09-01 1974-04-25
JPS63202685A (ja) * 1987-02-18 1988-08-22 Nitto Electric Ind Co Ltd アクリル系剥離剤
JPS6422907A (en) * 1987-07-17 1989-01-25 Dainippon Printing Co Ltd Heat mold release agent
JP2001001402A (ja) * 1999-04-23 2001-01-09 Dainippon Printing Co Ltd 賦型シート及びその製造方法
JP2006272947A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Lee Bing Huan ナノシートの製造方法
JP2006523728A (ja) * 2003-04-14 2006-10-19 ミヌタ・テクノロジー・カンパニー・リミテッド 微細パターンの形成に用いられるモールド用樹脂組成物およびそれからの有機モールドの製作方法
JP2009001002A (ja) * 2007-05-24 2009-01-08 Univ Waseda モールド、その製造方法および転写微細パターンを有する基材の製造方法
JP2009119695A (ja) * 2007-11-14 2009-06-04 Hitachi High-Technologies Corp ナノプリント用樹脂スタンパ

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW440519B (en) * 1999-04-23 2001-06-16 Dainippon Printing Co Ltd Shaped sheet and method for producing the same
KR20080031514A (ko) * 2004-02-04 2008-04-08 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 가압성형장치, 금형 및 가압성형방법

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4944076A (ja) * 1972-09-01 1974-04-25
JPS63202685A (ja) * 1987-02-18 1988-08-22 Nitto Electric Ind Co Ltd アクリル系剥離剤
JPS6422907A (en) * 1987-07-17 1989-01-25 Dainippon Printing Co Ltd Heat mold release agent
JP2001001402A (ja) * 1999-04-23 2001-01-09 Dainippon Printing Co Ltd 賦型シート及びその製造方法
JP2006523728A (ja) * 2003-04-14 2006-10-19 ミヌタ・テクノロジー・カンパニー・リミテッド 微細パターンの形成に用いられるモールド用樹脂組成物およびそれからの有機モールドの製作方法
JP2006272947A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Lee Bing Huan ナノシートの製造方法
JP2009001002A (ja) * 2007-05-24 2009-01-08 Univ Waseda モールド、その製造方法および転写微細パターンを有する基材の製造方法
JP2009119695A (ja) * 2007-11-14 2009-06-04 Hitachi High-Technologies Corp ナノプリント用樹脂スタンパ

Also Published As

Publication number Publication date
TWI461277B (zh) 2014-11-21
WO2010143321A1 (ja) 2010-12-16
JPWO2010143321A1 (ja) 2012-11-22
TW201043427A (en) 2010-12-16
CN102458800B (zh) 2014-04-23
KR20120014022A (ko) 2012-02-15
KR101355036B1 (ko) 2014-01-24
CN102458800A (zh) 2012-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5329661B2 (ja) インプリント用モールドおよびその製造方法
US9744715B2 (en) Method for producing patterned materials
TWI461504B (zh) 模具固定用黏著片及模具固定用黏著帶、以及微細構造之製造方法
WO2011034123A1 (ja) 光硬化性転写シート、及びこれを用いた凹凸パターンの形成方法
TW202003194A (zh) 用於將浮凸結構轉移至塗層表面之方法及包含該塗層之複合物
TW202005776A (zh) 用於將浮凸結構轉移至塗層組合物表面之方法及可使用作為壓花模之複合物
JP5463087B2 (ja) 微細構造の製造方法
JP5698958B2 (ja) インプリント用モールドの製造方法
JP2014162185A (ja) フィルム状モールドの製造方法
JP5693925B2 (ja) 樹脂型、成形体、及び成形体の製造方法
Almanza-Workman et al. Fabrication of three-dimensional imprint lithography templates by colloidal dispersions
Youn et al. Fabrication of micro mold for hot-embossing of polyimide microfluidic platform by using electron beam lithography combined with inductively coupled plasma
JP5512153B2 (ja) 微細構造の製造方法
JP5463072B2 (ja) 微細構造の製造方法
JP6531898B2 (ja) インプリント用モールドおよびその製造方法、並びに微細構造の製造方法
JP5371286B2 (ja) 樹脂製モールド作製用積層体および樹脂製モールドの製造方法
CN114521167B (zh) 将压纹结构转印到涂层表面的方法以及可以用作压纹模具的复合物
JP2011136459A (ja) 光硬化性転写シート、及びこれを用いた凹凸パターンの形成方法
JP6304735B2 (ja) インプリント用レジスト材およびそれを用いた微細構造の製造方法
TW201627139A (zh) 保護貼片及其製造方法
JP2014073682A (ja) 凹凸構造体の製造方法、パターン形成用モールドの製造方法、及びパターン形成用モールド

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130716

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130724

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5329661

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150