JP7245973B2 - パターンの形成方法および装置 - Google Patents

Description

本開示は、インプリント技術を用いたパターンの形成方法および装置に関する。

（インプリント技術の背景，適用分野）
近年、ディスプレイ、照明などの商品に用いられる光学部品において、特殊光学特性を発揮するナノメートル（ｎｍ）オーダーからミクロン（μｍ）オーダーの微細なパターンを形成することで、光の反射、回折を制御した従来にない新機能を発現したデバイスを実現することが望まれている。また、システムＬＳＩなどの半導体において、高集積化に伴った配線の微細化も望まれている。このような微細な構造を形成する方法としてはフォトリソグラフィー技術や電子線描画技術に加えて、近年ではインプリント技術が注目されている。

インプリント技術とは、微細形状が予め表面に加工された型を、基材表面に塗布された樹脂に押し付けることで、微細構造を形成する方法である。

インプリント方法としては、基板表面に塗布された熱可塑性樹脂をガラス転移温度以上に加熱したモールドを押し当てることにより形状を転写する熱インプリント法と、ＵＶ硬化樹脂を用いてモールドを押し当てた状態でＵＶ光を照射することにより形状を転写するＵＶインプリント法が一般的である。熱インプリント法は、材料の選択性が広いという特徴があるが、形状を転写させる際にモールドを昇温および降温する必要があるため、スループットが低いという問題がある。一方、ＵＶインプリント法は、紫外線で硬化する材料に限定されるため、熱インプリントと比較すると選択性が狭いものの、数秒～数十秒で硬化を完了させることが可能である為、スループットが非常に高い。熱インプリント法およびＵＶインプリント法のいずれを採用するかは、適用するデバイスにより異なるが、材料起因の問題がない場合には、ＵＶインプリント法が量産工法として適していると考えられる。

（ＵＶインプリント法のインプリント方式）
次に、ＵＶインプリント法によってパターンを形成するインプリント方式としては、平板式インプリント方式が一般的である。

また、対象とする基材がＰＥＴなどのフィルムである場合には、表面に微細形状が形成されたモールド付きのロールを用いて、フィルムの送りと同時にフィルム上に微細構造を転写するロールトゥロール式インプリント方式もあり、さらなるスループットの向上が見込める。

（平板式インプリント方式）
以下に、平板式インプリント方式によってパターンを形成する際の一般的な工程フローについて図２を用いて説明する。

図２は、一般的な平板式インプリント工程の概略模式図である。

まずは、図２の工程（ａ）に示すように、ステージ２０１上に、被加工基材２０４を準備し、ディスペンサやインクジェットなどを用いて転写材料２０３を塗布する。

次に、図２の工程（ｂ）に示すように、転写すべきパターンを有するモールド２０２の凹凸パターンを被加工基材２０４上の転写材料２０３に接触させてロール２０５によって加圧する。さらに、図２の工程（ｃ）に示すように、モールド２０２を押し付けた状態でＵＶ照射器２０６からをＵＶを照射し、光硬化樹脂を硬化させ、硬化した転写材料２０３とする。

次に、図２（ｄ）に示すように、モールド２０２を、被加工基材２０４に対して、斜め上向きまたは垂直方向へ移動させることで、硬化した転写材料２０３から離型させる。離型後、被加工基材２０４上に転写材料２０３による転写パターンが形成される。

（ロールトゥロールインプリント方式）
次に、以下に、ロールトゥロールインプリント方式によってパターンを形成する際の一般的な工法について図３を用いて説明する。

図３は、一般的なロールトゥロール式インプリント工法の概略模式図である。

まず、連続的に走行するフィルム３０４上に、ダイ３０７から転写材料３０３を押し出し塗布する。次にフィルム３０４は表面に微細形状を有するモールド３０２が設置されたロール３０５と、ロール３０５に所定の加圧で押付けられた加圧ロール３０９の間を通通することで、モールド３０２の微細形状に転写材料３０３が充填される。次にモールド３０２に対しＵＶ照射器３０６からＵＶ光を照射させることで、転写材料３０３はモールド３０２の微細形状に充填された状態で硬化する。最後にフィルム３０４は離型ロール３０８とロール３０５の間を通過し、離型ロール３０８に沿って走行することで、モールド３０２から離型され、フィルム３０４上に微細形状が形成される。

上記の方式は、フィルム基材の片側の面に微細形状を形成する方式である。もう一方の面にも同様に微細形状を形成する必要がある場合には、例えば、上記と同構成を２工程用意し、工程間でフィルムを反転させて製造する方法が考えられる。その際、フィルム基材の両面に形成される微細形状同士の相対位置精度が求められる。

上記のような各インプリント方式において、図２（ｄ）や図３に示すように、モールドを硬化した転写材料から離型させる際に、パターンサイズが小さい領域から平坦部あるいはパターンサイズが大きい領域に切り替わる箇所のパターンサイズが小さい領域の終端部において、図４（ａ）および（ｂ）に示すように、転写パターンの表面角部が欠けるパターン欠陥が生じ、転写精度が悪化する現象が起こる。このパターン欠陥は、モールドに、特にＮｉなどを始めとする金属モールドを用いた際に頻繁に発生する。

その要因の一つとして、モールドのパターンサイズが小さい領域から平坦部あるいはパターンサイズが大きい領域に離型していく際に、その境界付近で離型速度が急激に速くなり、パターンサイズが小さい領域の終端部に急激に大きな離型抵抗がかかることによりパターン欠陥が発生することが知られている。

上記課題を解決する為に、例えば、特許文献１に記載のパターン毎にＵＶ光の露光量を調節する方法が知られている。特許文献１では、パターンサイズが小さく離型抵抗が高い領域に対して、平坦部あるいはパターンサイズが大きい領域で離型抵抗が小さい領域よりもＵＶ露光量を小さくして転写材料の硬化度を下げることにより、パターンサイズが小さい領域が離型しやすくなり、その境界付近で離型速度が急激に速くなり、パターンサイズが小さい領域の終端部に急激に大きな離型抵抗がかかることを抑制することができる。その結果、パターンサイズが小さい領域の終端部にパターン欠陥が生じるのを抑制することができ、良好な転写精度を得ることができる。

特開２０１１－１８１５４８号

以上説明したように、従来のインプリント方法として、パターン毎にＵＶ光の露光量を調節することにより、パターンサイズが小さい領域から平坦部あるいはパターンサイズが大きい領域に切り替わる箇所のパターンサイズが小さい領域の終端部にパターン欠陥が生じるのを抑制する方法が提案されている。この方法は、平板式インプリント方式のように、ＵＶ照射時にモールドが固定されている場合には、パターン領域毎にＵＶ光の露光量を調節することが出来るため適用することができる。

しかしながら、先行例に示す方法は、ロールトゥロールインプリント方式の場合には、ＵＶ光源がバー型であること、さらにはモールド付きロールが高速で回転しながら転写するため、パターン領域毎にＵＶ光の露光量を変化させるのが困難である。

本開示は上記従来の問題点に鑑み、良好な転写精度を得ることが可能なパターンの形成方法および装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成する為に、本開示のパターンの形成方法は、転写材料を塗布されたモールドに被転写体を上から押圧し、前記被転写体と前記モールド間に転写材料を充填する充填工程と、前記充填された転写材料をＵＶ照射により被転写体上に硬化させる硬化工程と、前記転写材料を硬化された前記被転写体を前記モールドから離型させる離型工程と、を有し、前記硬化工程において、前記モールドのパターンサイズの小さい領域から平坦部あるいは前記パターンサイズの小さい領域からパターンサイズの大きい領域に切り替わる箇所における前記パターンサイズの小さい箇所の終端部である切替部、を冷却し、前記離型工程において、前記切替部を加熱する。

以上のように、本開示のパターンの形成方法および装置によれば、良好な転写精度を得ることができる。

本実施の形態におけるインプリント工程の概略模式図 一般的な平板式インプリント工程の概略模式図 一般的なロールトゥロールインプリント工程の概略模式図 （ａ）転写欠陥の上面ＳＥＭ画像を示す顕微鏡写真（ｂ）転写欠陥の断面ＳＥＭ画像を示す顕微鏡写真

（実施の形態）
以下、本実施の形態について、図面を参照しながら説明する。

図１は、本実施の形態におけるパターンの形成方法を説明する概略模式図である。

まず始めに、図１－（ａ）を用いて、本実施の形態におけるロールトゥロール両面インプリントの装置構成を説明する。

まず、片面にパターンを形成する為に、転写材料１０３をフィルム１０４上に供給する場所に第１コーティングロール１０１が設置されている。また、表面にパターンが形成された第１モールド１０２が取り付けられた第１ロール１０５と、それに接触するように第１加圧ロール１０９と第１離型ロール１０８が設置されている。

次に、片面を形成した後に裏面にもパターンを形成するために、片面と同様に、転写材料１０３をフィルム１０４上に供給する場所に第２コーティングロール１１２が設置されている。また、表面にパターンが形成された第２モールド１１３が取り付けられた第２ロール１１４と、それに接触するように第２加圧ロール１１６と第２離型ロール１１５が設置されている。

本ロール構成において、フィルム１０４は、第１コーティングロール１０１の図面上方を経て、第１加圧ロール１０９の図面上方から第１加圧ロール１０９に接触するように巻かれ、第１モールド１０２に接触し、図面下方で第１離型ロール１０８と接触する。その後、第２コーティングロール１１２の図面下方を経て、第２加圧ロール１１６と第２モールド１１３に接触するように巻かれ、最後に第２離型ロール１１５と接触するように巻かれており、各ロールの回転により図面の左方から右方へ送られる。

第１コーティングロール１０１上には第１ダイ１０７が配置され、フィルム１０４上に転写材料１０３が塗布される。第２コーティングロール１１２上には第２ダイ１１７が配置され、フィルム１０４上に転写材料１０３が塗布される。また、第１加圧ロール１０９と第１モールド１０２の間をフィルム１０４が通過した後においては、第１ロール１０５下方に配置された第１ＵＶ照射器１０６よりＵＶ光が照射され、転写材料１０３を硬化する。その後、第２コーティングロール１１２の下方に配置された第２ダイ１１７より、フィルム１０４上に転写材料１０３が塗布され、第２加圧ロール１１６と第２モールド１１３の間をフィルム１０４が通過した後においては、第２ロール１１４の上方に配置された第２ＵＶ照射器１１８よりＵＶ光が照射され、転写材料１０３を硬化した後、第２離型ロール１１５からフィルム１０４が離型される。

第１モールド１０２および第２モールド１１３は、それぞれ、パターン領域と平坦部を有する。パターン領域とは、モールド表面に凹凸形状を有する領域であり、凹凸の間隔が大きいほどパターンサイズは大きく、凹凸の間隔が小さいほどパターンサイズは小さい。平坦部とは、モールド表面に凹凸形状を有さない領域である。

第１ロール１０５の内部には、第１温度制御部１１１が具備される。第２ロール１１４の内部には、第２温度制御部１２０が具備される。第１温度制御部１１１および第２温度制御部１２０は、それぞれ、例えば、加熱用のヒータおよびこれを制御する電力操作器や、冷却用に冷却水や冷却ガスを流すための冷却路およびこれを制御する流量操作器などである。

第１温度制御部１１１は、第１モールド１０２上の切替部の下部に配置されることが好ましい。また、第２温度制御部１２０は、第２モールド１１３上の切替部の下部に配置されることが好ましい。ここで、切替部とは、モールドのパターンにおける、パターン領域と平坦部との切り替わり箇所のうちパターン領域の終端部、あるいはパターンサイズの小さい領域と大きい領域との切り替わり箇所のうちパターンサイズの小さい領域の終端部、のことを表す。

第１ロール１０５および第２ロール１１４の内部には、ロールの回転数を検出し、その情報からＵＶ照射および離型のタイミングを算出することにより、第１温度制御部１１１および第２温度制御部１２０にロールの温度制御の指示を出力する第１ロール制御部１１０および第２ロール制御部１１９が具備されている。

第１ロール制御部１１０および第２ロール制御部１１９は、例えばＣＰＵなどの演算機能を有する構成であり、予め設定されたロールの回転数をもとに、ロールの回転数を検出する。また、例えば、第１ロール制御部１１０および第２ロール制御部１１９は、ロールの回転を検出するセンサを含み、センサによって検出されたロールの回転に基づき、ロールの回転数を出力しても良い。また、例えば、第１ロール制御部１１０および第２ロール制御部１１９は、ロールに予め設置されたマーカーを検出するセンサを備え、マーカーの検出時間に基づき、ロールの回転数を出力しても良い。

第１ロール制御部１１０および第２ロール制御部１１９は、第１温度制御部１１１および第２温度制御部１２０に、ロールの温度制御のタイミングを指示として出力する。また、第１ロール制御部１１０および第２ロール制御部１１９は、ロールの温度制御の温度を指示として出力しても良い。

第１ロール制御部１１０および第２ロール制御部１１９は、前記第１モールド１０２および第２モールド１１３上の切替部がＵＶ照射範囲内に到達したタイミングにおいて、前記第１モールド１０２および第２モールド１１３上の切替部の下部に配置された第１温度制御部１１１および第２温度制御部１２０に温度制御の指示を出力する。転写材料は、第１温度制御部１１１および第２温度制御部１２０を用いて温度制御される。したがって、ロール回転数に基づいて、ＵＶ照射時の転写材料の温度を制御することが出来る。このようにして、後述する転写材料の冷却が行われる。

さらには、第１ロール制御部１１０および第２ロール制御部１１９は、前記第１モールド１０２および第２モールド１１３が回転し、前記第１モールド１０２および第２モールド１１３上の切替部がＵＶ照射範囲を通過したタイミングにおいて、前記第１モールド１０２および第２モールド１１３上の切替部の下部に配置された第１温度制御部１１１および第２温度制御部１２０に温度制御の指示を出力する。転写材料は、第１温度制御部１１１および第２温度制御部１２０を用いて温度制御される。したがって、ロール回転数に基づいて、離型時の転写材料の温度を制御することが出来る。このようにして、後述する転写材料の加熱が行われる。

ここで、前記第１モールド１０２および第２モールド１１３上の切替部において、ＵＶ照射時に温度制御する範囲は、パターンサイズが小さい領域の終端部から５０μｍ～１０００μｍ手前の領域が望ましい。

温度制御する範囲が５０μｍ以下になると、転写材料の硬化率を下げ、かつ弾性率を下げても、モールドとパターンサイズが小さい領域の接触面積が小さいため、十分に離型抵抗を下げることができないまま平坦部への応力付加が始まり、離型が開始する。その結果、パターンの境界付近で離型速度が急激に速くなり、パターン欠陥が生じる。

また、温度制御する範囲が１０００μｍ以上になると、離型時に加熱されたモールドを、
次のＵＶ照射までに環境温度まで下げておくことが困難になる。その結果、転写材料の塗布膜厚のばらつきやモールド上パターンの熱収縮につながり、転写精度が悪化する。

次に、図１を用いて、本実施の形態におけるパターンの形成方法を説明する。

まずは、図１の工程（ａ）に示すように、第１ＵＶ照射器１０６のＵＶ照射部と対向する第１モールド１０２上の領域が切替部でない場合、もしくは第２ＵＶ照射器１１８のＵＶ照射部と対向する第２モールド１１３上の領域が切替部でない場合には、第１ロール１０５および第２ロール１１４の表面温度の制御は行わないで、インプリントを行う。

転写材料１０３としては、ウレタンアクリレート樹脂、エポキシアクリレート樹脂、ポリエステルアクリレート樹脂、アクリルアクリレート樹脂など、様々なＵＶ硬化樹脂が挙げられるが、被転写体の形状や硬化させるのに必要なＵＶ光量などに応じて適宜選択すると良い。

また、第１モールド１０２および第２モールド１１３の材料は、型として必要な剛性や硬度等を有する材料であれば、特に限定されないが、特に金属材料の場合に本開示の効果が大きく得られる。金属材料は、転写材料との離型性が高い材料が望ましく、例えばＮｉである。

さらに、第１モールド１０２および第２モールド１１３の微細パターンの表面には、転写材料に対する離型性を高める為に、前記微細パターンを覆うように離型層を形成しても良い。離型層は、前記微細パターンの上面にカップリング剤を結合して形成されている。カップリング剤を用いて離型層を形成することにより、単分子膜のような極めて薄い膜とすることができ、転写形状への影響が極めて少なくなる。

上記カップリング剤としては、例えば、Ｔｉ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ，Ｓｔ、Ｂａ，Ａｌ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｂｉ，Ｆｅ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ，Ｔａ等を有する各種金属アルコキシドを用いることが出来るが、これらの中でも特にＳｉを有する金属アルコキシド、すなわちシランカップリング剤を用いることが望ましい。

最後に、第１モールド１０２および第２モールド１１３の全面に転写材料１０３を塗布する方法としては、例えばディスペンス塗布、ロール塗布、グラビア塗布、スクリーン塗布など、様々な方法が挙げられるが、転写材料の性質や被転写体の形状に応じて適宜選択すると良い。

次に、工程（ｂ）に示すように、第１モールド１０２上の切替部が第１ＵＶ照射器１０６のＵＶ照射部と対向する領域まで回転したタイミング、つまり、第１ロール１０５の回転数情報から算出されたＵＶ照射のタイミングにおいて、第１ロール１０５の表面を２０度以上２５度以下に冷却することにより、第１モールド１０２のパターンサイズが小さい領域から平坦部あるいはパターンサイズが大きい領域に切り替わる箇所のパターンサイズが小さい領域の終端部を２０度以上２５度以下に冷却する。

さらに、同様に、第２モールド１１３上の切替部が第２ＵＶ照射器１１８のＵＶ照射部と対向する領域まで回転したタイミング、つまり、第２ロール１１４の回転数情報から算出されたＵＶ照射のタイミングにおいて、第２ロール１１４の表面を２０度以上２５度以下に冷却することにより、第２モールド１１３上の切替部を２０度以上２５度以下に冷却する。

上記のように、ＵＶ硬化時に切替部を冷却することにより、ＵＶ照射による加温による粘度低下を抑制することが出来る。つまり、転写材料１０３の重合プロセスが進みにくくなるため、二重結合反応率、つまり硬化率が徐々に低下していく。

その結果、切替部の硬化率が低下し、弾性率が低くなるため、離型抵抗が低下し、パターンサイズが小さい領域から平坦部あるいはパターンサイズが大きい領域に切り替わる箇所でその境界付近で離型速度が急激に速くなり、パターンサイズが小さい領域の終端部に急激に大きな離型抵抗がかかるのを抑制し、パターン欠陥の発生を抑制することが可能になる。

ここで、ＵＶ照射のタイミングにおいて、第１モールド１０２上および第２モールド１１３上の切替部の冷却温度は、２０度よりも低くなると、硬化率が小さくなりすぎ、後工程および製品において必要な硬度を得ることが出来ない。また、２５度よりも高くなると、硬化率を十分に下げることが出来ず、パターン欠陥が発生する。

次に、工程（ｃ）に示すように、第１モールド１０２上の切替部が第１離型ロール１０８の離型部まで回転したタイミング、つまり、第１ロール１０５の回転数情報から算出された離型のタイミングにおいて、第１モールド１０２上の切替部を３５度以上４５度以下に加熱する。

さらに、同様に、第２モールド１１３上の切替部が第２離型ロール１１５の離型部まで回転したタイミング、つまり、第２ロール１１４の回転数情報から算出された離型のタイミングにおいて、第１モールド１０２上の切替部を３５度以上４５度以下に加熱する。

ここで、ＵＶ照射のタイミングにおいて、第１モールド１０２上および第２モールド１１３上の切替部の加熱温度は、３５度よりも低くなると、転写材料の弾性率を十分に下げることが出来ず、パターン欠陥が発生する。また、４５度よりも高くなると、転写材料の熱膨張によりパターンの変形が起こりやすくなる。

上記のように、離型時に切替部を加熱することにより、硬化後の転写材料１０３の弾性率が低下し、パターンサイズが小さい領域から平坦部あるいはパターンサイズが大きい領域に切り替わる箇所における離型抵抗の増加量が小さくなり、パターン欠陥の発生を抑制することが可能になる。

さらに、ロールが回転し、工程（ａ）を経て、工程（ｂ）にいたる迄に、工程（ｃ）において加熱された３５度以上４５度以下に加熱された第１ロール１０５上の第１モールド１０２、および第２ロール１１４上の第２モールド１１３を、２０度以上２５度以下まで下げておくことが望ましい。それにより、転写材料の塗布膜厚やロール型上のパターンの膨張を抑制することができるため、転写精度を確保することが出来る。

以上の工程を繰り返すことにより、ヒゲ不良のない欠陥のない転写精度の高いインプリントが可能になる。

本開示は、パターンを高精度に形成することができ、被転写体にパターンを転写するインプリント方法およびインプリント装置等に有用である。

１０１ 第１コーティングロール
１０２ 第１モールド
１０３、２０３、３０３ 転写材料
１０４、３０４ フィルム
１０５ 第１ロール
１０６ 第１ＵＶ照射器
１０７ 第１ダイ
１０８ 第１離型ロール
１０９ 第１加圧ロール
１１０ 第１ロール制御部
１１１ 第１温度制御部
１１２ 第２コーティングロール
１１３ 第２モールド
１１４ 第２ロール
１１５ 第２離型ロール
１１６ 第２加圧ロール
１１７ 第２ダイ
１１８ 第２ＵＶ照射器
１１９ 第２ロール制御部
１２０ 第２温度制御部
２０１ ステージ
２０２、３０２ モールド
２０４ 被加工基材
２０５、３０５ ロール
２０６、３０６ ＵＶ照射器
３０７ ダイ
３０８ 離型ロール
３０９ 加圧ロール

Claims (19)

1. 転写材料を塗布されたモールドに被転写体を上から押圧し、前記被転写体と前記モールド間に転写材料を充填する充填工程と、
   前記充填された転写材料をＵＶ照射により被転写体上に硬化させる硬化工程と、
   前記転写材料を硬化された前記被転写体を前記モールドから離型させる離型工程と、を有し、
   前記硬化工程において、前記モールドのパターンサイズの小さい領域から平坦部あるいは前記パターンサイズの小さい領域からパターンサイズの大きい領域に切り替わる箇所における前記パターンサイズの小さい箇所の終端部である切替部、を冷却し、
   前記離型工程において、前記切替部を加熱する、パターンの形成方法。
2. 前記硬化工程において、回転するモールドの回転数に基づいて前記冷却が行われる、請求項１に記載のパターンの形成方法。
3. 前記硬化工程において、前記モールド側から前記切替部に向かって冷却が行われる、請求項１または２に記載のパターンの形成方法。
4. 前記硬化工程において、前記ＵＶ照射と対向する方向から前記切替部に向かって冷却が行われる、請求項３に記載のパターンの形成方法。
5. 前記硬化工程において、前記切替部を含む少なくとも５０μｍの領域を冷却する、請求項１～４のいずれかに記載のパターンの形成方法。
6. 前記硬化工程において、前記切替部と前記切替部から５０μｍ手前までの領域の両方を含む領域を冷却する、請求項５に記載のパターンの形成方法。
7. 前記硬化工程において、前記領域を２０度以上２５度以下に冷却する、請求項５または６に記載のパターンの形成方法。
8. 前記離型工程において、回転するモールドの回転数に基づいて前記加熱が行われる、請求項１～６のいずれかに記載のパターンの形成方法。
9. 前記離型工程において、前記モールド側から前記切替部に向かって加熱が行われる、請求項１～７のいずれかに記載のパターンの形成方法。
10. 前記離型工程において、前記ＵＶ照射と対向する方向から前記切替部に向かって加熱が行われる、請求項９に記載のパターンの形成方法。
11. 前記離型工程において、前記切替部を含む少なくとも５０μｍの領域を加熱する、請求項１～１０のいずれかに記載のパターンの形成方法。
12. 前記離型工程において、前記切替部と前記切替部から５０μｍ手前までの領域の両方を含む領域を加熱する、請求項１１に記載のパターンの形成方法。
13. 前記硬化工程において、前記領域を３５度以上４０度以下に加熱する、請求項１１または１２に記載のパターンの形成方法。
14. ロールと、
    前記ロールの表面に配され、転写材料を充填するパターンを有するモールドと、
    前記モールドに充填された前記転写材料をＵＶ照射により被転写体上に硬化させる硬化装置と、
    前記モールドのパターンサイズの小さい領域から平坦部あるいは前記パターンサイズの小さい領域からパターンサイズの大きい領域に切り替わる箇所における前記パターンサイズの小さい箇所の終端部である切替部、の下部に配され、温度を制御する温度制御装置と、
    を備え、
    前記温度制御装置は、前記切替部が前記硬化装置によるＵＶ照射範囲内に入ったタイミングにおいて、前記転写材料を冷却する、インプリント装置。
15. 前記温度制御装置は、前記ロール内部に配される、請求項１４に記載のインプリント装置。
16. 前記温度制御装置は、前記ロールの回転数に基づいて温度を制御する、請求項１４または１５に記載のインプリント装置。
17. 前記温度制御装置は、前記切替部が前記硬化装置によるＵＶ照射範囲内に入ったタイミングにおいて、前記切替部を２０度以上２５度以下に冷却する、請求項１４～１６のいずれか１項に記載のインプリント装置。
18. 前記温度制御装置は、前記切替部がＵＶ照射範囲を通過したタイミングにおいて、前記転写材料を加熱する、請求項１４～１７のいずれかに記載のインプリント装置。
19. 前記温度制御装置は、前記切替部がＵＶ照射範囲を通過したタイミングにおいて、前記切替部を３５度以上４０度以下に加熱する、請求項１８に記載のインプリント装置。

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