JP5296117B2 - プローブ装置 - Google Patents
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- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 176
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 40
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 139
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 76
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 35
- 230000008859 change Effects 0.000 description 24
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 16
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
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- G01—MEASURING; TESTING
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- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
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- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
- G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
- G01R1/0433—Sockets for IC's or transistors
- G01R1/0441—Details
- G01R1/0466—Details concerning contact pieces or mechanical details, e.g. hinges or cams; Shielding
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2607—Circuits therefor
- G01R31/2608—Circuits therefor for testing bipolar transistors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
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Description
本実施形態のプローブ装置10は、例えば図1に示すように、半導体ウエハWを搬送するローダ室(図示せず)からプローバ室11内で半導体ウエハWを受け取り、プローバ室11内で半導体ウエハWに形成された複数のパワーデバイス(例えばIGBT)それぞれに含まれるダイオードの電流変化を測定するように構成されている。
本実施形態のプローブ装置は、第1の実施形態で用いられている導通ピン対14に代えて導通機構を設けていること以外は第1の実施形態に準じて構成されている。そこで、以下では、第1の実施形態のプローブ装置10と同一または相当部分には同一符号を付して本実施形態のプローブ装置の特徴を中心に説明する。
また、図4に示す導通機構14は、例えば図5の(a)〜(d)の導通機構14として構成することができる。図5の(a)〜(d)に示す導通機構14であっても図3、図4に示すプローブ装置10と実質的に同一の作用効果を期することができる。
本実施形態のプローブ装置は、図4に示す導通機構14に代えて図9、図10に示す接続端子及び分割導体を用いていること以外は、図4に示すプローブ装置10に準じて構成されている。そこで、以下では、図4に示す導通機構14と同一または相当部分には同一符号を付して本実施形態の導通機構について説明する。
12 載置台
13 プローブカード
13A プローブ
14 導通ピン(導通部材)
15 テスタ
14 導通機構
14A リード導体
14A リード線
14B 接続端子
14C リング導体
14D アクチュエータ
W 半導体ウエハ
Claims (7)
- ダイオードを含むパワーデバイスが複数形成された被検査体を載置する移動可能な載置台と、上記載置台の上方に配置された複数のプローブを有するプローブカードと、上記載置台の載置面及び周面に形成された導体膜電極とこれに載置された上記被検査体の裏面に形成された導体層とが導通する状態で上記被検査体に上記プローブを電気的に接触させて上記パワーデバイスの電気的特性を測定する測定部を備えたプローブ装置であって、上記パワーデバイスの電気的特性の測定時に、上記載置台の上記周面に形成された上記導体膜電極と上記測定部とを電気的に接続する導通機構を設けてなり、上記導通機構は、上記載置台の上記周面に形成された上記導体膜電極に基端部が接続されたリード導体と、上記リード導体の先端部に導通自在に形成された接続端子と、上記プローブカードと上記載置台の間に介在する導体と、上記導体に対して上記接続端子を電気的に接続し、接続を解除するアクチュエータと、を有することを特徴とするプローブ装置。
- ダイオードを含むパワーデバイスが複数形成された被検査体を載置する移動可能な載置台と、上記載置台の上方に配置された複数のプローブを有するプローブカードと、上記載置台の載置面及び周面に形成された導体膜電極とこれに載置された上記被検査体の裏面に形成された導体層とが導通する状態で上記被検査体に上記プローブを電気的に接触させて上記パワーデバイスの電気的特性を測定する測定部を備えたプローブ装置であって、上記パワーデバイスの電気的特性の測定時に、上記載置台の上記周面に形成された上記導体膜電極と上記測定部とを電気的に接続する導通機構を設けてなり、上記導通機構は、上記載置台の上記周面に形成された上記導体膜電極に基端部が接続され且つ上記載置台の上記周面に沿って複数設けられたリード導体と、上記複数のリード導体それぞれの先端部に導通自在に形成された複数の接続端子と、上記プローブカードと上記載置台の間に介在するリング状の導体と、上記リング状の導体に対して上記複数の接続端子を電気的に接続し、接続を解除する複数のアクチュエータと、を有することを特徴とするプローブ装置。
- 上記アクチュエータは、上記接続端子を揺動させる揺動機構として構成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のプローブ装置。
- 上記アクチュエータは、上記接続端子を昇降させる昇降機構として構成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のプローブ装置。
- ダイオードを含むパワーデバイスが複数形成された被検査体を載置する移動可能な載置台と、上記載置台の上方に配置された複数のプローブを有するプローブカードと、上記載置台の載置面及び周面に形成された導体膜電極とこれに載置された上記被検査体の裏面に形成された導体層とが導通する状態で上記被検査体に上記プローブを電気的に接触させて上記パワーデバイスの電気的特性を測定する測定部を備えたプローブ装置であって、上記パワーデバイスの電気的特性の測定時に、上記載置台の上記周面に形成された上記導体膜電極と上記測定部とを電気的に接続する導通機構を設けてなり、上記導通機構は、上記載置台の上記周面に形成された上記導体膜電極に、上記導体膜電極と導通自在に昇降する円筒状導体と、上記円筒状導体に周方向に所定間隔を空けて複数設けられた接続端子と、上記円筒状導体と上記プローブカードとの間に介在するリング状の導体と、上記リング状の導体に対して上記円筒状導体を昇降させて上記複数の接続端子をそれぞれ電気的に接続し、接続を解除するアクチュエータと、を有することを特徴とするプローブ装置。
- ダイオードを含むパワーデバイスが複数形成された被検査体を載置する移動可能な載置台と、上記載置台の上方に配置された複数のプローブを有するプローブカードと、上記載置台の載置面及び周面に形成された導体膜電極とこれに載置された上記被検査体の裏面に形成された導体層とが導通する状態で上記被検査体に上記プローブを電気的に接触させて上記パワーデバイスの電気的特性を測定する測定部を備えたプローブ装置であって、上記パワーデバイスの電気的特性の測定時に、上記載置台の上記周面に形成された上記導体膜電極と上記測定部とを電気的に接続する導通機構を設けてなり、上記導通機構は、上記載置台の上記周面に形成された上記導体膜電極に電気的に接続され且つ上記載置台の周方向に互いに180°隔てた位置に設けられた一対の接触子と、上記一対の接触子が電気的に接触するように上記載置台と上記プローブカードに間に介在する一対の分割導体と、を有することを特徴とするプローブ装置。
- 上記接触子は、複数の金属板が一体化して形成され、上記接触子は、測定する電流値大きさに応じて上記金属板の積層枚数が調整可能に構成されていることを特徴とする請求項6に記載のプローブ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011033525A JP5296117B2 (ja) | 2010-03-12 | 2011-02-18 | プローブ装置 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010055768 | 2010-03-12 | ||
JP2010055768 | 2010-03-12 | ||
JP2010180348 | 2010-08-11 | ||
JP2010180348 | 2010-08-11 | ||
JP2011033525A JP5296117B2 (ja) | 2010-03-12 | 2011-02-18 | プローブ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012058225A JP2012058225A (ja) | 2012-03-22 |
JP5296117B2 true JP5296117B2 (ja) | 2013-09-25 |
Family
ID=44563632
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011033525A Active JP5296117B2 (ja) | 2010-03-12 | 2011-02-18 | プローブ装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9658285B2 (ja) |
EP (1) | EP2546668B1 (ja) |
JP (1) | JP5296117B2 (ja) |
KR (1) | KR101389251B1 (ja) |
CN (1) | CN102713650B (ja) |
TW (1) | TWI522630B (ja) |
WO (1) | WO2011111834A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5291157B2 (ja) | 2011-08-01 | 2013-09-18 | 東京エレクトロン株式会社 | パワーデバイス用のプローブカード |
JP5265746B2 (ja) | 2011-09-22 | 2013-08-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブ装置 |
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JP6042761B2 (ja) * | 2013-03-28 | 2016-12-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブ装置 |
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JP6072638B2 (ja) | 2013-07-29 | 2017-02-01 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブ装置 |
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JP2007123430A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 半導体ウエハ及び半導体検査方法 |
JP5016892B2 (ja) * | 2006-10-17 | 2012-09-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
KR100868635B1 (ko) * | 2007-05-16 | 2008-11-12 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자 검사 장치 |
JP5356769B2 (ja) * | 2008-10-15 | 2013-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台 |
-
2011
- 2011-02-18 JP JP2011033525A patent/JP5296117B2/ja active Active
- 2011-03-11 WO PCT/JP2011/055819 patent/WO2011111834A1/ja active Application Filing
- 2011-03-11 KR KR1020127026596A patent/KR101389251B1/ko active IP Right Grant
- 2011-03-11 CN CN201180006188.5A patent/CN102713650B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-11 TW TW100108202A patent/TWI522630B/zh active
- 2011-03-11 US US13/634,409 patent/US9658285B2/en active Active
- 2011-03-11 EP EP11753492.5A patent/EP2546668B1/en not_active Not-in-force
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011111834A1 (ja) | 2011-09-15 |
US20130063171A1 (en) | 2013-03-14 |
US9658285B2 (en) | 2017-05-23 |
EP2546668B1 (en) | 2016-11-09 |
KR20120128159A (ko) | 2012-11-26 |
KR101389251B1 (ko) | 2014-04-25 |
TWI522630B (zh) | 2016-02-21 |
CN102713650B (zh) | 2014-11-05 |
EP2546668A1 (en) | 2013-01-16 |
CN102713650A (zh) | 2012-10-03 |
EP2546668A4 (en) | 2015-09-02 |
JP2012058225A (ja) | 2012-03-22 |
TW201202720A (en) | 2012-01-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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